JPS61166130A - ホトレジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
ホトレジストパタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS61166130A JPS61166130A JP60006964A JP696485A JPS61166130A JP S61166130 A JPS61166130 A JP S61166130A JP 60006964 A JP60006964 A JP 60006964A JP 696485 A JP696485 A JP 696485A JP S61166130 A JPS61166130 A JP S61166130A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- opening
- exposed
- photoresist
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60006964A JPS61166130A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | ホトレジストパタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60006964A JPS61166130A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | ホトレジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61166130A true JPS61166130A (ja) | 1986-07-26 |
| JPH058567B2 JPH058567B2 (2) | 1993-02-02 |
Family
ID=11652888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60006964A Granted JPS61166130A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | ホトレジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61166130A (2) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63261836A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-28 | Nec Corp | 縮小投影露光法によるテ−パ−形成方法 |
| JPS63301521A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-08 | Nec Corp | パタ−ン形成法 |
| US5096802A (en) * | 1990-11-09 | 1992-03-17 | Hewlett-Packard Company | Holes and spaces shrinkage |
| US5516626A (en) * | 1990-04-23 | 1996-05-14 | Tadahiro Ohmi | Resist processing method |
| US6956641B2 (en) | 2000-03-27 | 2005-10-18 | Oki Electric Industry, Co., Ltd. | Method of forming resist pattern, and exposure device |
| JP2016511544A (ja) * | 2013-02-15 | 2016-04-14 | トランスフォーム インコーポレーテッド | 半導体デバイスの電極及びその製造方法 |
| CN106504981A (zh) * | 2016-10-14 | 2017-03-15 | 电子科技大学 | 一种制备角度可控缓坡微结构的方法 |
-
1985
- 1985-01-18 JP JP60006964A patent/JPS61166130A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63261836A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-28 | Nec Corp | 縮小投影露光法によるテ−パ−形成方法 |
| JPS63301521A (ja) * | 1987-06-01 | 1988-12-08 | Nec Corp | パタ−ン形成法 |
| US5516626A (en) * | 1990-04-23 | 1996-05-14 | Tadahiro Ohmi | Resist processing method |
| US5096802A (en) * | 1990-11-09 | 1992-03-17 | Hewlett-Packard Company | Holes and spaces shrinkage |
| US6956641B2 (en) | 2000-03-27 | 2005-10-18 | Oki Electric Industry, Co., Ltd. | Method of forming resist pattern, and exposure device |
| JP2016511544A (ja) * | 2013-02-15 | 2016-04-14 | トランスフォーム インコーポレーテッド | 半導体デバイスの電極及びその製造方法 |
| CN106504981A (zh) * | 2016-10-14 | 2017-03-15 | 电子科技大学 | 一种制备角度可控缓坡微结构的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH058567B2 (2) | 1993-02-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5545512A (en) | Method of forming a pattern of silylated planarizing photoresist | |
| US8546048B2 (en) | Forming sloped resist, via, and metal conductor structures using banded reticle structures | |
| JP2550412B2 (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPS61166130A (ja) | ホトレジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPS58175830A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH04348030A (ja) | 傾斜エッチング法 | |
| JPS6224628A (ja) | ホトレジストパタ−ンの形成方法 | |
| JP3109059B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPS61113062A (ja) | フオトマスク | |
| JP2001133957A (ja) | フォトレジスト上に傾いたパターン断面を得ることができるフォトマスク | |
| JPH06295877A (ja) | 半導体装置のコンタクトホール形成方法 | |
| JPH0670954B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2666420B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3149601B2 (ja) | 半導体装置のコンタクトホール形成方法 | |
| JPH01239938A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0695364A (ja) | 露光用マスク及びパターン形成方法 | |
| JPH05152294A (ja) | 微細パターンの形成方法と半導体装置の製造方法 | |
| JPH045260B2 (2) | ||
| JPH08191044A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPS5950053B2 (ja) | 写真蝕刻方法 | |
| JP2591639B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04345162A (ja) | マスクおよびその製造方法 | |
| JPS5968744A (ja) | フオトマスクの製造方法 | |
| JPS59121923A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR19990073659A (ko) | 실릴레이션을 이용한 미세 패턴 형성 방법 |