JPS61166968A - 硫化亜鉛薄膜の製造法 - Google Patents
硫化亜鉛薄膜の製造法Info
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- JPS61166968A JPS61166968A JP615285A JP615285A JPS61166968A JP S61166968 A JPS61166968 A JP S61166968A JP 615285 A JP615285 A JP 615285A JP 615285 A JP615285 A JP 615285A JP S61166968 A JPS61166968 A JP S61166968A
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- thin film
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- zinc sulfide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は硫化亜鉛（Ｚｎｓ）薄膜の製造法に関する。さ
らに詳しくは、有機金属の気相分解法（ＭＯＣＶＤ法）
を用いた硫化亜鉛薄膜の製造法に関する。
らに詳しくは、有機金属の気相分解法（ＭＯＣＶＤ法）
を用いた硫化亜鉛薄膜の製造法に関する。
ＭＯＣＶＤ法は良質の化合物干導体薄膜の製造が可能で
しかも量産性に富むことから、オプトエレクトロニクス
用の材料及びデバイス製造分野において注目されている
技術である。このＭＯＣＶＤ法を用いて、短波長発光素
子材料として有望なＺｎＳ薄膜を作成する試みがなされ
ているもののいまだデバイス化が可能なレベルの薄膜形
成は実現していない。これは、亜鉛ソースに周込るジア
ルキル亜鉛が極めて反応性の高いことに起因する。
しかも量産性に富むことから、オプトエレクトロニクス
用の材料及びデバイス製造分野において注目されている
技術である。このＭＯＣＶＤ法を用いて、短波長発光素
子材料として有望なＺｎＳ薄膜を作成する試みがなされ
ているもののいまだデバイス化が可能なレベルの薄膜形
成は実現していない。これは、亜鉛ソースに周込るジア
ルキル亜鉛が極めて反応性の高いことに起因する。
即ち、ガス状のジアルキル亜鉛は硫化水素（Ｈ２Ｓ）と
混合するやいなや室温においてもすみやかに反応し％
ｚｎｓを生じるっ気相中にて生成したＺｎＳは粒塊と
なってあたかも雪が積るが如く成長基板の上に堆積する
。基板表面に堆積したＺｎＳ粒塊は、基板表面で進行す
る結晶成長過程に悪影響を及ぼすため、ジアルキル亜鉛
／ ＨＺ Ｓ 系で得られるＺｎＳ薄膜の結晶品位は
あまり高くなかった。
混合するやいなや室温においてもすみやかに反応し％
ｚｎｓを生じるっ気相中にて生成したＺｎＳは粒塊と
なってあたかも雪が積るが如く成長基板の上に堆積する
。基板表面に堆積したＺｎＳ粒塊は、基板表面で進行す
る結晶成長過程に悪影響を及ぼすため、ジアルキル亜鉛
／ ＨＺ Ｓ 系で得られるＺｎＳ薄膜の結晶品位は
あまり高くなかった。
最近、ジアルキル亜鉛又は硫化水素のうち少なくとも一
方を反応性の低いものと代替することで気相中でのＺｎ
Ｓ生成を抑制しようという試みがなされている。これを
以下に述べる。
方を反応性の低いものと代替することで気相中でのＺｎ
Ｓ生成を抑制しようという試みがなされている。これを
以下に述べる。
１、 ジアルキル亜鉛との反応性がＨ２Ｓ より低い
環状硫黄化合物を硫黄ソースに用いる。
環状硫黄化合物を硫黄ソースに用いる。
（Ｊ、 Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ ６６（１９８
４） ２６−３４ ）２） ジアルキル亜鉛と一般式Ｒ
８Ｒ’（Ｒ％Ｒ′はアルキル基）で表わされるチオエー
テルとの等モル混合によって得られる付加体（Ｈ２Ｓと
の反応性がジアルキル亜鉛より低い）を亜鉛ソースに用
いる。（■出願特許 整理Ａ ２０４７６ ） これらの対策を施すことによシジアルキル亜鉛／ＨＺ
Ｓ系で問題となった気相中でのＺｎＳ生成を大幅に低減
でき、得られる単結膜の結晶品位向上が見られているう 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし前述の従来技術では次の様な問題点を有する。１
．においては環状硫黄化合物が分解しにくいため、充分
な成長速度を得るには成長温度を高くする必要がある。
４） ２６−３４ ）２） ジアルキル亜鉛と一般式Ｒ
８Ｒ’（Ｒ％Ｒ′はアルキル基）で表わされるチオエー
テルとの等モル混合によって得られる付加体（Ｈ２Ｓと
の反応性がジアルキル亜鉛より低い）を亜鉛ソースに用
いる。（■出願特許 整理Ａ ２０４７６ ） これらの対策を施すことによシジアルキル亜鉛／ＨＺ
Ｓ系で問題となった気相中でのＺｎＳ生成を大幅に低減
でき、得られる単結膜の結晶品位向上が見られているう 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかし前述の従来技術では次の様な問題点を有する。１
．においては環状硫黄化合物が分解しにくいため、充分
な成長速度を得るには成長温度を高くする必要がある。
成長温度が高いと格子欠陥の内包や不純物のとり込みが
即進される。２．においては、基板を含む加熱帯に導入
された付加体が解離して生じるジアルキル亜鉛とＨｚ
Ｓとが反応してＺｎＳを生成するため、成長温度はジア
ルキル亜鉛／ Ｈｚ Ｓ系と同じであるが、用いる付加
体の熱的安定性に問題がある。例えば、ジエチル亜鉛（
ＤＥＺ）とジエチル硫黄（ＤＥＳ）の等モル混合によっ
て得られる付加体ＤＥＺ−ＤＥＳは、ガス状態でＨ２Ｓ
と混合しても室温付近ではＺｎＳを生じることはないが
、加熱帯に入ると同時に付加体の解離とＺｎＳの生成が
進行するため、成長温度が５００℃と比較的低い場合に
も加熱帯においてＺｎＳ微粒子の生成している様子が肉
眼で確認できる。ＤＥＺ−ＤＥＳ付加体を用いて得られ
るＺｎＳ薄膜は上述の様に、加熱帯内部の気相中で生じ
たＺｎＳ微粒子の影響を受けるだめに（ａＯＯ）回折Ｘ
線ピークのロッキングカーブ平値幅が、０．２５°程度
のものしか得られていない。
即進される。２．においては、基板を含む加熱帯に導入
された付加体が解離して生じるジアルキル亜鉛とＨｚ
Ｓとが反応してＺｎＳを生成するため、成長温度はジア
ルキル亜鉛／ Ｈｚ Ｓ系と同じであるが、用いる付加
体の熱的安定性に問題がある。例えば、ジエチル亜鉛（
ＤＥＺ）とジエチル硫黄（ＤＥＳ）の等モル混合によっ
て得られる付加体ＤＥＺ−ＤＥＳは、ガス状態でＨ２Ｓ
と混合しても室温付近ではＺｎＳを生じることはないが
、加熱帯に入ると同時に付加体の解離とＺｎＳの生成が
進行するため、成長温度が５００℃と比較的低い場合に
も加熱帯においてＺｎＳ微粒子の生成している様子が肉
眼で確認できる。ＤＥＺ−ＤＥＳ付加体を用いて得られ
るＺｎＳ薄膜は上述の様に、加熱帯内部の気相中で生じ
たＺｎＳ微粒子の影響を受けるだめに（ａＯＯ）回折Ｘ
線ピークのロッキングカーブ平値幅が、０．２５°程度
のものしか得られていない。
また、ジメチル亜鉛（ＤＭＺ）とＤＥＳによって得られ
る付加体ＤＭＺ−ＤＥＳは、３０℃において減圧蒸留を
した場合、わずかではあるが時間とともに沸点が変化す
る。これは、付加体の一部が３０℃において解離してい
ることを示唆しており、解離によって生じたＤＭＺがＨ
２Ｓと反応することを考えれば好ましくない。そこで本
発明は、上述の様な問題点を解決するもので、ジアルキ
ル亜鉛・ジアルキル硫黄からなる付加体よりも解離しに
くい付加体を用い、さらに結晶品位の高いＺｎＳ膜を製
造するところにある。
る付加体ＤＭＺ−ＤＥＳは、３０℃において減圧蒸留を
した場合、わずかではあるが時間とともに沸点が変化す
る。これは、付加体の一部が３０℃において解離してい
ることを示唆しており、解離によって生じたＤＭＺがＨ
２Ｓと反応することを考えれば好ましくない。そこで本
発明は、上述の様な問題点を解決するもので、ジアルキ
ル亜鉛・ジアルキル硫黄からなる付加体よりも解離しに
くい付加体を用い、さらに結晶品位の高いＺｎＳ膜を製
造するところにある。
本発明に係る硫化亜鉛薄膜の製造法においてはジアルキ
ル亜鉛とジメチルセレンの等モル混合によって得られる
付加体を亜鉛ンースとし、Ｈ２Ｓを硫黄ソースとして用
いることを特徴としている。
ル亜鉛とジメチルセレンの等モル混合によって得られる
付加体を亜鉛ンースとし、Ｈ２Ｓを硫黄ソースとして用
いることを特徴としている。
ジメチルセレンは化学的にかなり安定な化合物であるた
め、ジメチルセレンの分解によるＺｎＳ膜中へのＳｅの
混入は問題としないでよいう〔実施例〕 第１図には本発明で用いるＭＯＣＶＤ装置の概略図を示
す。透明石英製の反応管■の内部にはＳｉＣコーティン
グを施したグラファイト製すセグター■がセットされて
おり、サセプター■の上には基板■がセットされている
。サセプター■の内部には熱電対■の先端が埋め込まれ
ており、基板温度のモニターを行なう。反応管■の周囲
には抵抗加熱、高周波、赤外線などからなる加熱炉０を
設け、基板加熱を行なう０反応管■はバルブ、■■及び
■を介してそれぞれ廃ガス処理系０、排気システム■へ
と接続されている。■、０には、純化装置より精製され
たキャリアーガスが、マスクローコントローラにより流
量制御されて流れている。キャリアーガスはＨｚ、Ｈｅ
いずれでもよい。
め、ジメチルセレンの分解によるＺｎＳ膜中へのＳｅの
混入は問題としないでよいう〔実施例〕 第１図には本発明で用いるＭＯＣＶＤ装置の概略図を示
す。透明石英製の反応管■の内部にはＳｉＣコーティン
グを施したグラファイト製すセグター■がセットされて
おり、サセプター■の上には基板■がセットされている
。サセプター■の内部には熱電対■の先端が埋め込まれ
ており、基板温度のモニターを行なう。反応管■の周囲
には抵抗加熱、高周波、赤外線などからなる加熱炉０を
設け、基板加熱を行なう０反応管■はバルブ、■■及び
■を介してそれぞれ廃ガス処理系０、排気システム■へ
と接続されている。■、０には、純化装置より精製され
たキャリアーガスが、マスクローコントローラにより流
量制御されて流れている。キャリアーガスはＨｚ、Ｈｅ
いずれでもよい。
ボ／べ紗にはキャリアーガスで２ｑ６程度に希釈したＨ
２ Ｓが充填されており、マスクローコントローラ＠
によって直接供給量が制御できる。バブラーＯにはジア
ルキル亜鉛とジメチルセレン等モル混合によって形成さ
れる付加体が、又バブラー０にはジメチルセレン（ＤＭ
Ｓｅ）が封入されている。付加体、ＤＭＳｅの供給はキ
ャリアーガスによるバブリングで気化させておこなう。
２ Ｓが充填されており、マスクローコントローラ＠
によって直接供給量が制御できる。バブラーＯにはジア
ルキル亜鉛とジメチルセレン等モル混合によって形成さ
れる付加体が、又バブラー０にはジメチルセレン（ＤＭ
Ｓｅ）が封入されている。付加体、ＤＭＳｅの供給はキ
ャリアーガスによるバブリングで気化させておこなう。
従って供給量はバブリングガスの流量とバブリング温度
によって制御できる。各原料ガスは、配管０を流れるキ
ャリアーガスにより希釈されて反応炉のへ至る。
によって制御できる。各原料ガスは、配管０を流れるキ
ャリアーガスにより希釈されて反応炉のへ至る。
成長を常圧で行なう時はバルブ■■を開いて反応ガスを
廃ガス処理系■へ導くっ減圧で行なう時はバルブ■を閉
じ、バルブ■とロータリーポンプ■の排気量、反応ガス
流量により反応炉内の真空度を調節しつつ成長を行なう
。ロータリーポンプを出た反応ガスは廃ガス処理系（■
へと導かれる。
廃ガス処理系■へ導くっ減圧で行なう時はバルブ■を閉
じ、バルブ■とロータリーポンプ■の排気量、反応ガス
流量により反応炉内の真空度を調節しつつ成長を行なう
。ロータリーポンプを出た反応ガスは廃ガス処理系（■
へと導かれる。
〔実施例１〕
以下にはＺｎＳ単結晶膜のＧａＡＳ、ＧａＰ、Ｓｉ基板
上−・成長する際のプロセスについて説明する。
上−・成長する際のプロセスについて説明する。
付加体としては、ジメチル亜鉛とジメチルセレンの等モ
ル混合によって得られるＤＭＺ ＤＭＳｅを用いた。
ル混合によって得られるＤＭＺ ＤＭＳｅを用いた。
ＤＭＺ−ＤＭＳｅは常圧におイテ沸点６７．２℃を示す
液体であることからＤＭＺ−ＤＥＳよりは熱的に安定な
付加体と考えられる。
液体であることからＤＭＺ−ＤＥＳよりは熱的に安定な
付加体と考えられる。
１、 基板の熱エツチングに：る表面清浄化あらかじめ
化学エツチングにより表面処理を施した、ＧａＡｓｔＧ
ａＰ＋Ｓｉ基板を反則、管■内にセットし系内を真空引
きする。続いてキャリアガスを導入し、再度真空引きを
する。
化学エツチングにより表面処理を施した、ＧａＡｓｔＧ
ａＰ＋Ｓｉ基板を反則、管■内にセットし系内を真空引
きする。続いてキャリアガスを導入し、再度真空引きを
する。
この操作によシ系内の残留酸素や残留水分？除去する。
キャリアガスを毎分１〜２１程度流しながら、ＧａＡ、
、５ｔＧａＰ基板の場合には５００〜６００℃、Ｓｉ基
板では９００〜１０００℃に加熱するっこの熱エツチン
グ（でより基板表面に残留する酸化膜を除去できる。
、５ｔＧａＰ基板の場合には５００〜６００℃、Ｓｉ基
板では９００〜１０００℃に加熱するっこの熱エツチン
グ（でより基板表面に残留する酸化膜を除去できる。
５〜１０分間の熱エツチングを施しだ後基板温度を成長
温度に設定する。
温度に設定する。
λ 結晶成長
ボンベ［株］からＨｚ Ｓを、又バブラー０のバブリン
グ開始により付加体をそれぞれ反応炉■へ供給する。こ
れに伴ない基板上にＺｎＳの成長がおこる。代表的な成
長条件を次に示す。
グ開始により付加体をそれぞれ反応炉■へ供給する。こ
れに伴ない基板上にＺｎＳの成長がおこる。代表的な成
長条件を次に示す。
キャリアーガス（Ｈｅ） ：総流量 ４．５１／ｍｉ
ｎ、−ｚＯ℃における付加体のバブリングガス流量：２
５ｍ１％Ｈ２又は）（ｅベース２％、ＨｚＳの供給量：
１１］Ｏｍｌ／ｍｉｎ 。
ｎ、−ｚＯ℃における付加体のバブリングガス流量：２
５ｍ１％Ｈ２又は）（ｅベース２％、ＨｚＳの供給量：
１１］Ｏｍｌ／ｍｉｎ 。
成長温度：５００〜５５０℃
以上の条件のとき、成長温度、成長基板の種類によらず
０．８〜１．０μｍ／ｈｅとほぼ一定であった。
０．８〜１．０μｍ／ｈｅとほぼ一定であった。
成長膜のＩＭＡ（イオンマイクロアナライザー）による
分析では、Ｓｅは検出されなかった。４５０℃において
成長した厚さ２μｍのＺｎＳの（４００）回折Ｘ線ロッ
キングカーブ半値幅は０．１５〜（１２０’を示した。
分析では、Ｓｅは検出されなかった。４５０℃において
成長した厚さ２μｍのＺｎＳの（４００）回折Ｘ線ロッ
キングカーブ半値幅は０．１５〜（１２０’を示した。
ＤＭＺ−ＤＭＳｅの利用によりＤＥＺ−ＤＥＳを亜鉛ソ
ースとしたときに比べて結晶性の向上が見られた。
ースとしたときに比べて結晶性の向上が見られた。
上記のＺｎＳ成長中においてはＤＥＺ−ＤＢＳ付加付加
剤いたときの様な、加熱帯内部の気相中におけるＺｎＳ
微粒子の生成は観測されなかった。
剤いたときの様な、加熱帯内部の気相中におけるＺｎＳ
微粒子の生成は観測されなかった。
ＤＭＺ−ＤＭＳｅ付加体が、ＤＥＺ−ＤＥＳ付加体に比
べて安定であることを示している。
べて安定であることを示している。
〔実施例２〕
上述のプロセスに従って成長を行なうとき成長温度が５
００℃付近になると成長膜表面のモホロジーがやや悪く
なって来た。また、成長中わずかではあるが加熱帯内部
の気相中においてＺｎ５ｅ粒子の生成が見られた。これ
は、成長温度が高くなると第１図において、加熱炉■の
出力が増大するため、反応炉■に導入された反応ガスは
、基板近傍に達するまでに加熱されてしまう。このため
上述の様に気相中でのＺｎＳの生成がおこり、生成した
微粒子が成長膜の中にとり込まれるために表面モホロジ
ーの劣化がおきていると思われる。
００℃付近になると成長膜表面のモホロジーがやや悪く
なって来た。また、成長中わずかではあるが加熱帯内部
の気相中においてＺｎ５ｅ粒子の生成が見られた。これ
は、成長温度が高くなると第１図において、加熱炉■の
出力が増大するため、反応炉■に導入された反応ガスは
、基板近傍に達するまでに加熱されてしまう。このため
上述の様に気相中でのＺｎＳの生成がおこり、生成した
微粒子が成長膜の中にとり込まれるために表面モホロジ
ーの劣化がおきていると思われる。
成長温度が高いときには、付加体の他にジメチルセレン
を供給することで前述の問題は解決できる。つまり次式
で表わされる付加体の解離平衡。
を供給することで前述の問題は解決できる。つまり次式
で表わされる付加体の解離平衡。
例えば、ＤＭＺ−ＤＭＳｅの場合
Ｄ Ｍ Ｚ −Ｄ Ｍ Ｓ ｅ ： Ｄ Ｍ Ｚ ＋
Ｄ Ｍ Ｓ ｅにおいて、ＤＭＳｅを過剰に供給するこ
とにより、熱平衡を付加体形成の方向に移動することが
できるからである。これにより、付加体の解離を抑制す
ることができる。〔実施例１〕の成長条件で成長温度５
００℃のとき、バブラー■に封入したＤＭＳｅを０℃、
２５ｍ／ｍｉｎのバブリングによって供給した。ＤＭＳ
ｅの供給量は付加体のおよそ四倍量に相当している。Ｄ
ＭＳｅの導入により、気相中でのＺｎＳの生成は抑止で
き、表面モホロジーの劣化も改善できた。成長温度がさ
らに高いときは、ＤＭＳｅの供給量を増やすことで同様
の効果が得られた。ＩＭＡによればＺｎＳ膜中へのＳｅ
のとり込みはないことがわかった。
Ｄ Ｍ Ｓ ｅにおいて、ＤＭＳｅを過剰に供給するこ
とにより、熱平衡を付加体形成の方向に移動することが
できるからである。これにより、付加体の解離を抑制す
ることができる。〔実施例１〕の成長条件で成長温度５
００℃のとき、バブラー■に封入したＤＭＳｅを０℃、
２５ｍ／ｍｉｎのバブリングによって供給した。ＤＭＳ
ｅの供給量は付加体のおよそ四倍量に相当している。Ｄ
ＭＳｅの導入により、気相中でのＺｎＳの生成は抑止で
き、表面モホロジーの劣化も改善できた。成長温度がさ
らに高いときは、ＤＭＳｅの供給量を増やすことで同様
の効果が得られた。ＩＭＡによればＺｎＳ膜中へのＳｅ
のとり込みはないことがわかった。
〔実施例３〕
〔実施例１．２〕に示しだプロセスと同様にして非晶質
基板例えば、ガラス、石英、あるいは、ＩＴＯの様な透
明電極、ＴａｚＯｓ、ＳｉＯ２，５ｆ３Ｎ４、Ａｌｚｏ
ｘ、Ｓｍ ２０ ｓなどの絶縁膜の上へのＺｎＳ膜形成
が可能である。弱アルカリ性の洗浄液にて筆洗いをした
後、純水、アルコール、グイフロン中での超音波洗浄を
順次行なった非晶質基板上に〔実施例１）Ｋ示したプロ
セス及び成長条件に従ってＺｎＳ膜の成長を行なった。
基板例えば、ガラス、石英、あるいは、ＩＴＯの様な透
明電極、ＴａｚＯｓ、ＳｉＯ２，５ｆ３Ｎ４、Ａｌｚｏ
ｘ、Ｓｍ ２０ ｓなどの絶縁膜の上へのＺｎＳ膜形成
が可能である。弱アルカリ性の洗浄液にて筆洗いをした
後、純水、アルコール、グイフロン中での超音波洗浄を
順次行なった非晶質基板上に〔実施例１）Ｋ示したプロ
セス及び成長条件に従ってＺｎＳ膜の成長を行なった。
９０龍の成長によって得られたＺｎＳ膜の厚さは約７０
００＾：成長速度は１５μ’ｍ／ｈｒとなった。
００＾：成長速度は１５μ’ｍ／ｈｒとなった。
成長速度がＧａＡＳ％ＧａＰ、ｓ ｉ基板に比べて小さ
いのは、加熱源として赤外線炉を用いたためと考えられ
る。つまり透明石英の赤外線吸収係数が小さいので、熱
電対モニターによる設定温度が同じでも、基板表面の実
際温度がＧａＡＳ、ＧａＰ基板に比べて低くなっている
ためと思われる。得られたＺｒｔＳ膜の電子線回折パタ
ーンは、濃淡を有する同心円を呈しており多結晶膜であ
ることを示している。
いのは、加熱源として赤外線炉を用いたためと考えられ
る。つまり透明石英の赤外線吸収係数が小さいので、熱
電対モニターによる設定温度が同じでも、基板表面の実
際温度がＧａＡＳ、ＧａＰ基板に比べて低くなっている
ためと思われる。得られたＺｒｔＳ膜の電子線回折パタ
ーンは、濃淡を有する同心円を呈しており多結晶膜であ
ることを示している。
以上の実施例はＤＭＺ−ＤＭＳｅ付加体について示した
が、ＤＥＺ−ＤＭＳｅ付加体においても成長条件が同じ
場合にはＤＭＺ−ＤＭＳｅと同様の結果が得られ、形成
したＺｎＳ薄膜の結晶性も同レベルであった。
が、ＤＥＺ−ＤＭＳｅ付加体においても成長条件が同じ
場合にはＤＭＺ−ＤＭＳｅと同様の結果が得られ、形成
したＺｎＳ薄膜の結晶性も同レベルであった。
実施例はへテロエビタキシロル成長及び、非晶基板上へ
の成長についてのべたが、本“発明はこの様な範囲に限
定されず、例えば、ｚｎｓ上へのＺｎＳホモエピタキシ
ャル成長や、その他ＺｎＳ薄膜の成長には応用が可能で
ある。
の成長についてのべたが、本“発明はこの様な範囲に限
定されず、例えば、ｚｎｓ上へのＺｎＳホモエピタキシ
ャル成長や、その他ＺｎＳ薄膜の成長には応用が可能で
ある。
以上述べた様に本発明によれば、ジアルキル亜鉛とジメ
チルセレンの等モル混合によって得られる付加体を亜鉛
ソースとしたことにより、従来、付加体の熱的安定性の
乏しさに起因していた気相中でのＺｎＳの生成が抑制で
きた。これによシ得られるＺｎＳ薄膜の結晶性が向上し
た。
チルセレンの等モル混合によって得られる付加体を亜鉛
ソースとしたことにより、従来、付加体の熱的安定性の
乏しさに起因していた気相中でのＺｎＳの生成が抑制で
きた。これによシ得られるＺｎＳ薄膜の結晶性が向上し
た。
本発明が短波長発光素子材料として有望なＺｎＳの良質
な薄膜を製造する際に寄与するところは極めて大きいと
確信する。
な薄膜を製造する際に寄与するところは極めて大きいと
確信する。
第１図には本発明で用いるＭＯＣＶＤシステムの概略図
を示す。 １、透明石英製反応管 ２．８ｉｃコーテイングを施し
たグラファイト製サセプタ 五基板４、熱電対 ５０反
応管内の真空度を調節するバルブ ６、Ｚパルプ ａロ
ータリーポンプ９廃ガス処理システム １α高真空排気
系１１、抵抗加熱、赤外線、高周波などによる加熱炉
１２．高精度ニードルバルブ １五付加体のの入ったバ
ブラー １４．ジメチルセレンの入ったバブラー １５
．配管系 １６．硫化水素の入ったホンベ １Ｚマスフ
ローコントローラー１ａ配管系 １９．２Ｌ１．バルブ 以上
を示す。 １、透明石英製反応管 ２．８ｉｃコーテイングを施し
たグラファイト製サセプタ 五基板４、熱電対 ５０反
応管内の真空度を調節するバルブ ６、Ｚパルプ ａロ
ータリーポンプ９廃ガス処理システム １α高真空排気
系１１、抵抗加熱、赤外線、高周波などによる加熱炉
１２．高精度ニードルバルブ １五付加体のの入ったバ
ブラー １４．ジメチルセレンの入ったバブラー １５
．配管系 １６．硫化水素の入ったホンベ １Ｚマスフ
ローコントローラー１ａ配管系 １９．２Ｌ１．バルブ 以上
Claims (3)
- （１）有機金属気相熱分解法（ＭＯＣＶＤ法）により硫
化亜鉛薄膜を製造する際、ジアルキル亜鉛とジメチルセ
レン（ＤＭＳｅ）の等モル混合によつて得られる付加体
を亜鉛ソースとし、硫化水素を硫黄ソースとして用いる
ことを特徴とした硫化亜鉛薄膜の製造法。 - （２）特許請求の範囲第１項記載の硫化亜鉛薄膜の製造
法において、該付加体と硫化水素を気相中で均一に混合
した後に基板を含む加熱領域へ供給することを特徴とし
た硫化亜鉛薄膜の製造法。 - （３）特許請求の範囲第１項記載の硫化亜鉛薄膜の製造
法において、該付加体とジメチルセレンを気相中で却一
に混合した後、両者の付加体を硫化水素と均一に混合し
、基板を含む加熱領域へ供給することを特徴とした硫化
亜鉛薄膜の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP615285A JPH0645878B2 (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 硫化亜鉛薄膜の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP615285A JPH0645878B2 (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 硫化亜鉛薄膜の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61166968A true JPS61166968A (ja) | 1986-07-28 |
| JPH0645878B2 JPH0645878B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=11630555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP615285A Expired - Lifetime JPH0645878B2 (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 硫化亜鉛薄膜の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645878B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5077092A (en) * | 1989-06-30 | 1991-12-31 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for deposition of zinc sulfide films |
-
1985
- 1985-01-17 JP JP615285A patent/JPH0645878B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5077092A (en) * | 1989-06-30 | 1991-12-31 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for deposition of zinc sulfide films |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0645878B2 (ja) | 1994-06-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |