JPS6117236A - 磁気光学記憶素子 - Google Patents
磁気光学記憶素子Info
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- JPS6117236A JPS6117236A JP13943484A JP13943484A JPS6117236A JP S6117236 A JPS6117236 A JP S6117236A JP 13943484 A JP13943484 A JP 13943484A JP 13943484 A JP13943484 A JP 13943484A JP S6117236 A JPS6117236 A JP S6117236A
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- Japan
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- transparent dielectric
- dielectric film
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/14—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing iron or nickel
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
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- G11B11/10593—Details for improving read-out properties, e.g. polarisation of light
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈発明の技術分野〉
本発明はレーザ等の光を照射することにより情報の記録
・再生・消去等を行なう磁気光学記憶素子に関するもの
である。
・再生・消去等を行なう磁気光学記憶素子に関するもの
である。
〈発明の技術的背景とその問題点〉
近年、情報の書換えが可能な光テ“イヌクとして磁気光
学記憶素子の研究が活発に行なわれてい−る。
学記憶素子の研究が活発に行なわれてい−る。
中でも記憶媒体として希土類遷移金属非晶質合金薄膜を
用いて構成したものは、記録ビットが粒界の影響を受け
ない点及び記録媒体の膜を大面積に亘って作成すること
が比較的容易である点から特に注目を集めている。
用いて構成したものは、記録ビットが粒界の影響を受け
ない点及び記録媒体の膜を大面積に亘って作成すること
が比較的容易である点から特に注目を集めている。
しかし上記記録媒体として希土類遷移金属非晶質合金薄
膜を用いて磁気光学記憶素子を構成したものでは、一般
に光磁気効果（カー効果、ファラデー効果）が十分得ら
れずその為再生信号のＳ、６が不十分なものであった。
膜を用いて磁気光学記憶素子を構成したものでは、一般
に光磁気効果（カー効果、ファラデー効果）が十分得ら
れずその為再生信号のＳ、６が不十分なものであった。
これに対する対応策として既に本発明者等は次の如き素
子構造の改良を試みた。
子構造の改良を試みた。
第３図は既に改良を試みた素子構造の磁気光学記憶素子
の一部側面断面図を示す。
の一部側面断面図を示す。
第３図において、ｌはガラス、ポリカーボネート、アク
リル等の透明基板であシ、該透明基板１上に第１の透明
誘電体膜である透明なＳｉＯ膜２（膜厚１２０ ｎｍ）
が形成され、該ＳｉＯ膜２上に希土類遷移金属膜である
ＧｄＴｂＦｅ合金薄膜３（膜厚１５ｎｍ）が形成され、
該ＧｄＴｂＦｅ合金薄膜３上に第２の透明誘電体膜であ
る透明な５ｉＣｈ膜４（膜厚５０ｎｍ）が形成され、該
５１ｏ２膜４上に反射膜であるＣｕ膜５（膜厚５０ｎｍ
）が形成されている。以上の構造では見かけのカー回転
角が１．７５°もの大きな値が得られた。
リル等の透明基板であシ、該透明基板１上に第１の透明
誘電体膜である透明なＳｉＯ膜２（膜厚１２０ ｎｍ）
が形成され、該ＳｉＯ膜２上に希土類遷移金属膜である
ＧｄＴｂＦｅ合金薄膜３（膜厚１５ｎｍ）が形成され、
該ＧｄＴｂＦｅ合金薄膜３上に第２の透明誘電体膜であ
る透明な５ｉＣｈ膜４（膜厚５０ｎｍ）が形成され、該
５１ｏ２膜４上に反射膜であるＣｕ膜５（膜厚５０ｎｍ
）が形成されている。以上の構造では見かけのカー回転
角が１．７５°もの大きな値が得られた。
以上の素子構造の採用によってカー回転角が著しく大き
なものを得ることのできた理由を次に説明する。
なものを得ることのできた理由を次に説明する。
第３図に示す如く透明基板ｌ側がらレーザ光６を希土類
遷移金属合金薄膜３に照射した場合、入射レーザ光が第
１の透明誘電体膜２の内部で反射が繰り返され、干渉し
た結果見かけ上のカー回転角が増大するものであシ、こ
の際上記箔１の透明誘電体膜２の屈折率が大きい程、カ
ー回転角の増大効果は大きい。
遷移金属合金薄膜３に照射した場合、入射レーザ光が第
１の透明誘電体膜２の内部で反射が繰り返され、干渉し
た結果見かけ上のカー回転角が増大するものであシ、こ
の際上記箔１の透明誘電体膜２の屈折率が大きい程、カ
ー回転角の増大効果は大きい。
又第３図に示す如く希土類遷移金属合金薄膜３の背面に
反射膜５を配置したことで見かけ上のカー回転角を増大
させてお９、希土類遷移金属合金薄膜３と反射膜５の間
に第２の透明誘電体膜４を介在させることで見かけ上の
カー回転角を更に増大させている。
反射膜５を配置したことで見かけ上のカー回転角を増大
させてお９、希土類遷移金属合金薄膜３と反射膜５の間
に第２の透明誘電体膜４を介在させることで見かけ上の
カー回転角を更に増大させている。
次にこの作用の原理について定性的に説明を行なう。
上艷第２の透明誘電体膜４と反射膜５との複合膜を一つ
の反射層Ａとして考える。第３図に於て、透明基板１側
から入射し、希土類遷移金属合金薄膜３を通過し、上記
反射層Ａにて反射された後上記希土類遷移金属合金薄膜
３を再び通過した光と、透明基板１側から入射し希土類
遷移金属合金薄膜３０表面で反射された光とが合成され
るが、この場合入射光が希土類遷移金属合金薄膜３０表
面で反射することにより生起されるカー効果と、入射光
が希土類遷移金属合金薄膜３の内部を通過することによ
り生起されるファラデー効果とが合わされることにより
、見かけ上のカー回転角が増大するものである。上記構
造の磁気光学記憶素子に於ては上記ファラデー効果を如
何にしてカー効果に加えるかが極めて重要になる。ファ
ラデー効果について謂えば記録媒体の層厚を厚くすれば
回転角を大きくできるが、入射レーザ光が記録媒体に吸
収される為、所期の目的を達成し得ない。よって上記記
録媒体の適切々層厚の値は概ね１０〜５０ｎｍであシ、
その値は使用するレーザ光の波長や上記反射層の屈折率
等により決定される。上記反射層に対して求められる条
件は上記の説明から判るように反射率が高いことにある
。言い替えると入射レーザ光を゛反射層内に入れないこ
とであり、光学的に見れば反射層（第２の透明誘電体膜
十反射膜）の等制約な屈折率が０に近いことが必要であ
る。この為には第２の透明誘電体膜の実数部の値が小さ
く且つ虚数部の値が０で、更に反射膜の実数部の値が小
さいことが必要である。
の反射層Ａとして考える。第３図に於て、透明基板１側
から入射し、希土類遷移金属合金薄膜３を通過し、上記
反射層Ａにて反射された後上記希土類遷移金属合金薄膜
３を再び通過した光と、透明基板１側から入射し希土類
遷移金属合金薄膜３０表面で反射された光とが合成され
るが、この場合入射光が希土類遷移金属合金薄膜３０表
面で反射することにより生起されるカー効果と、入射光
が希土類遷移金属合金薄膜３の内部を通過することによ
り生起されるファラデー効果とが合わされることにより
、見かけ上のカー回転角が増大するものである。上記構
造の磁気光学記憶素子に於ては上記ファラデー効果を如
何にしてカー効果に加えるかが極めて重要になる。ファ
ラデー効果について謂えば記録媒体の層厚を厚くすれば
回転角を大きくできるが、入射レーザ光が記録媒体に吸
収される為、所期の目的を達成し得ない。よって上記記
録媒体の適切々層厚の値は概ね１０〜５０ｎｍであシ、
その値は使用するレーザ光の波長や上記反射層の屈折率
等により決定される。上記反射層に対して求められる条
件は上記の説明から判るように反射率が高いことにある
。言い替えると入射レーザ光を゛反射層内に入れないこ
とであり、光学的に見れば反射層（第２の透明誘電体膜
十反射膜）の等制約な屈折率が０に近いことが必要であ
る。この為には第２の透明誘電体膜の実数部の値が小さ
く且つ虚数部の値が０で、更に反射膜の実数部の値が小
さいことが必要である。
以上の如く透明基板１と希土類遷移金属合金薄膜３との
間に介する第１の透明誘電体膜２、及び希土類遷移金属
合金薄膜３の背面の反射層Ａの構成を付加することによ
ってカー回転角の増大の効果を得ることが・できる。
間に介する第１の透明誘電体膜２、及び希土類遷移金属
合金薄膜３の背面の反射層Ａの構成を付加することによ
ってカー回転角の増大の効果を得ることが・できる。
しかし、上述の効果が得られる反面で、第１の透明誘電
体膜２としてＳｉＯ膜を選択し、第２の透明誘電体膜４
として５ｉ０２膜を選択した場合、希土類遷移金属合金
薄膜３が酸化されるという問題が発生した。本発明者は
この原因が上記ＳｉＯ膜及び５ｉ０２膜の中に含有され
る酸素にあることを確認した。即ち上記ＳｉＯ膜及び５
ｉ０２膜の成膜時、あるいは成膜後に内部の酸素成分が
分離等して希土類遷移金属合金薄膜３が酸化されるもの
である。しかるに希土類遷移金属合金薄膜３は酸化され
ることによって磁気記録媒体としての能力を著しく阻害
されるものであるから上記酸化の問題は極めて重大であ
る。又、上記希土類遷移金属合金薄膜３の膜厚が薄い場
合は僅かの酸化であっても影響が大きいので非常な注意
が必要である。
体膜２としてＳｉＯ膜を選択し、第２の透明誘電体膜４
として５ｉ０２膜を選択した場合、希土類遷移金属合金
薄膜３が酸化されるという問題が発生した。本発明者は
この原因が上記ＳｉＯ膜及び５ｉ０２膜の中に含有され
る酸素にあることを確認した。即ち上記ＳｉＯ膜及び５
ｉ０２膜の成膜時、あるいは成膜後に内部の酸素成分が
分離等して希土類遷移金属合金薄膜３が酸化されるもの
である。しかるに希土類遷移金属合金薄膜３は酸化され
ることによって磁気記録媒体としての能力を著しく阻害
されるものであるから上記酸化の問題は極めて重大であ
る。又、上記希土類遷移金属合金薄膜３の膜厚が薄い場
合は僅かの酸化であっても影響が大きいので非常な注意
が必要である。
〈発明の目的〉
本発明は以上の問題点を解消する為になされたものであ
り、磁気光学特性を充分に確保し得ると共に希土類遷移
金属合金薄膜の酸化を防止した新規な磁気光学記憶素子
を提供することを目的とするものであり、この目的を達
成するため、本発明は透明基板上に第１の透明誘電体膜
、希土類遷移金属合金薄膜、第２の透明誘電体膜、反射
膜をこの順に被覆してなる磁気光学記憶素子において、
上記の第１の透明誘電体膜及び第２の透明誘電体膜が゛
共に同一窒化物であって、かつ上記の第１の透明誘電体
膜の屈折率が上記の第２の透明誘電体膜の屈折率より大
であるように構成されている。
り、磁気光学特性を充分に確保し得ると共に希土類遷移
金属合金薄膜の酸化を防止した新規な磁気光学記憶素子
を提供することを目的とするものであり、この目的を達
成するため、本発明は透明基板上に第１の透明誘電体膜
、希土類遷移金属合金薄膜、第２の透明誘電体膜、反射
膜をこの順に被覆してなる磁気光学記憶素子において、
上記の第１の透明誘電体膜及び第２の透明誘電体膜が゛
共に同一窒化物であって、かつ上記の第１の透明誘電体
膜の屈折率が上記の第２の透明誘電体膜の屈折率より大
であるように構成されている。
〈発明の実施例〉
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明に係る磁気光学記憶素子の一実施例の構
成を示す一部側面断面図である。
成を示す一部側面断面図である。
同図において、１はガラス、ポリカーボネート。
アクリル等の透明基板であり、該透明基板１上に第１の
透明誘電体膜である透明なＡｌＮ膜７（膜厚９０ｎｍ）
を形成し、このＡＩＮ膜７上に希土類遷移金属合金薄膜
であるＧｄＴｂＦｅ合金薄膜３（膜厚３５ｎｍ）を形成
し、このＧｄＴｂＦｅ合金薄膜３上に第２の透明誘電体
膜である透明なＡｌＮ膜８（膜厚４０ｎｍ）を形成し、
このＡＩＮ膜８上に反射膜であるＡ４膜９（膜厚４０ｎ
ｍ以上）を形成している。
透明誘電体膜である透明なＡｌＮ膜７（膜厚９０ｎｍ）
を形成し、このＡＩＮ膜７上に希土類遷移金属合金薄膜
であるＧｄＴｂＦｅ合金薄膜３（膜厚３５ｎｍ）を形成
し、このＧｄＴｂＦｅ合金薄膜３上に第２の透明誘電体
膜である透明なＡｌＮ膜８（膜厚４０ｎｍ）を形成し、
このＡＩＮ膜８上に反射膜であるＡ４膜９（膜厚４０ｎ
ｍ以上）を形成している。
以上の構造の磁気光学記憶素子に於て、特に注目すべき
点は第１の透明誘電膜として高い屈折率を有するＡｆｉ
Ｎ膜を用い、第２の透明誘電膜として低い屈折率のＡｌ
Ｎ膜を用いた事である。
点は第１の透明誘電膜として高い屈折率を有するＡｆｉ
Ｎ膜を用い、第２の透明誘電膜として低い屈折率のＡｌ
Ｎ膜を用いた事である。
この構造の便利な点について以下説明する。
■ ＡＩＮは高融点の材料であシ極めて安定で′あり、
又典妬窒化物である為酸化物の膜に比較して緻密な膜が
形成できる。
又典妬窒化物である為酸化物の膜に比較して緻密な膜が
形成できる。
■ 第１の透明誘電体膜であるＡｌＮ膜を屈折率が２．
０程度と々るように製膜し、一方、第２の透明誘電体膜
であるＡｌＮ膜を屈折率が１．９〜１．８程度となるよ
うに製膜することにより、相対的に第１の透明誘電体膜
の屈折率を第２の透明誘電体膜の屈折率より大きくし、
その結果前述した如く屈折率の大きい第１の透明誘電体
膜によってカー回転角の増大効果が得られ、一方、屈折
率の小ざい第２の透明誘電体膜によって反射率を高くす
ることができる。即ち上記屈折率の異なるＡ６Ｎ膜の組
合せは極めて都合が良いことになる。尚、上記構造にお
いてＡｌＮ膜７は９６ｎｍをピークとして±１０％程度
の膜厚であれば良好であシ、又Ａ４Ｎ膜８は４０ｎｍを
ピークとした±１０％程度の膜厚であれば良好である。
０程度と々るように製膜し、一方、第２の透明誘電体膜
であるＡｌＮ膜を屈折率が１．９〜１．８程度となるよ
うに製膜することにより、相対的に第１の透明誘電体膜
の屈折率を第２の透明誘電体膜の屈折率より大きくし、
その結果前述した如く屈折率の大きい第１の透明誘電体
膜によってカー回転角の増大効果が得られ、一方、屈折
率の小ざい第２の透明誘電体膜によって反射率を高くす
ることができる。即ち上記屈折率の異なるＡ６Ｎ膜の組
合せは極めて都合が良いことになる。尚、上記構造にお
いてＡｌＮ膜７は９６ｎｍをピークとして±１０％程度
の膜厚であれば良好であシ、又Ａ４Ｎ膜８は４０ｎｍを
ピークとした±１０％程度の膜厚であれば良好である。
■ 上記Ａ６Ｎはその成分として酸素を含有しないので
希土類遷移金属合金薄膜が酸化される危険性を極度に減
少せしめ得る。
希土類遷移金属合金薄膜が酸化される危険性を極度に減
少せしめ得る。
次に同一の窒化物の膜であるＡｌＮ膜の屈折率を異なら
せて製膜する方法についてスパッタ法による作製方法を
例に挙げて説明する。
せて製膜する方法についてスパッタ法による作製方法を
例に挙げて説明する。
スパッタリング法によるＡｌＮ膜の作製方法において、
ターゲットには高純度のＡ（ｌを使用し、ガスはＡｒと
Ｎ２の混合ガスを使用し、反応性スパッタによりＡｎＮ
膜を作製する。
ターゲットには高純度のＡ（ｌを使用し、ガスはＡｒと
Ｎ２の混合ガスを使用し、反応性スパッタによりＡｎＮ
膜を作製する。
種々のスパッタ条件で作製したＡＩＮの屈折率を第２図
に示す。この第２図から明らかなように屈折はＡｒとＮ
２の比率には余り関係せず、ガスの圧力に依存しておシ
、ガス圧が低い条件で製膜した場合には屈折率が大きく
、ガス圧が高い条件で製膜した場合には屈折率が低くな
る。したがってスパッタ条件により、目的の屈折率を有
する透明誘電体膜を得ることが出来る。
に示す。この第２図から明らかなように屈折はＡｒとＮ
２の比率には余り関係せず、ガスの圧力に依存しておシ
、ガス圧が低い条件で製膜した場合には屈折率が大きく
、ガス圧が高い条件で製膜した場合には屈折率が低くな
る。したがってスパッタ条件により、目的の屈折率を有
する透明誘電体膜を得ることが出来る。
なお、上記実施例においては窒化物としてＡＩＮを例に
して説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、例えばＳｉＮ膜を用いた場合にも同様の作用効果を
奏するため、第１及び第２の透明誘電体膜として屈折率
の異なるＳｉＮ膜を用いることも可能である。
して説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、例えばＳｉＮ膜を用いた場合にも同様の作用効果を
奏するため、第１及び第２の透明誘電体膜として屈折率
の異なるＳｉＮ膜を用いることも可能である。
上記の如き同一の窒化物における屈折率の相違は主とし
て作製される膜の密度及びまたは窒素と他の物質の構成
比の相違に起因しているものと推測される。
て作製される膜の密度及びまたは窒素と他の物質の構成
比の相違に起因しているものと推測される。
〈発明の効果〉
以上のように本発明によれば、屈折率の異なる窒化膜を
組合せて用いることにより記録媒体の耐蝕性及び情報再
生特性を共に良好に確保せしめることができるものであ
る。
組合せて用いることにより記録媒体の耐蝕性及び情報再
生特性を共に良好に確保せしめることができるものであ
る。
第１図は本発明に係る磁気光学記憶素子の一実施例の構
成を示す一部側面断面図、第２図はスパック法によって
作製される膜の屈折率とガス圧の関係を示す特性図、第
３図は従来の磁気光学記憶素子の構成を示す一部側面断
面図である。 １・・・透明基板、 ３・・・希土類遷移金属合金薄膜
、６ ・レーザ光、 ７・・第１の透明誘電体膜（ＡＩ
Ｎ膜）、 ８・・・第２の透明誘電体膜（ＡｎＮ膜）、
９・・・反射膜（Ａ６膜）。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第１図 第３図
成を示す一部側面断面図、第２図はスパック法によって
作製される膜の屈折率とガス圧の関係を示す特性図、第
３図は従来の磁気光学記憶素子の構成を示す一部側面断
面図である。 １・・・透明基板、 ３・・・希土類遷移金属合金薄膜
、６ ・レーザ光、 ７・・第１の透明誘電体膜（ＡＩ
Ｎ膜）、 ８・・・第２の透明誘電体膜（ＡｎＮ膜）、
９・・・反射膜（Ａ６膜）。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第１図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透明基板上に第１の透明誘電体膜、希土類遷移金属
合金薄膜、第２の透明誘電体膜、反射膜をこの順に被覆
してなる磁気光学記憶素子において、 前記第１の透明誘電体膜及び第２の透明誘電体膜を、共
に同一窒化物であって、且つ前記第１の透明誘電体膜の
屈折率が前記第２の透明誘電体膜の屈折率より大である
ように構成したことを特徴とする磁気光学記憶素子。 ２、上記第１及び第２の透明誘電体膜はスパッタリング
により作製され、該作製条件の差により大なる屈折率を
有する第１の透明誘電体膜及び小なる屈折率を有する第
２の透明誘電体膜の構造を有して成ることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の磁気光学記憶素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13943484A JPS6117236A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | 磁気光学記憶素子 |
| CA000462506A CA1224270A (en) | 1983-09-16 | 1984-09-05 | Magneto-optic memory element |
| US06/648,741 US4610912A (en) | 1983-09-16 | 1984-09-10 | Magneto-optic memory element |
| EP84306341A EP0139474B1 (en) | 1983-09-16 | 1984-09-17 | Magneto-optic memory element |
| DE8484306341T DE3481878D1 (de) | 1983-09-16 | 1984-09-17 | Magnetooptisches speicherelement. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13943484A JPS6117236A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6117236A true JPS6117236A (ja) | 1986-01-25 |
| JPH0419618B2 JPH0419618B2 (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=15245102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13943484A Granted JPS6117236A (ja) | 1983-09-16 | 1984-07-03 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6117236A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62285256A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-11 | Konica Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS63285738A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-22 | Canon Inc | 光学的磁気記録媒体 |
| JPH01140446A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-06-01 | Sharp Corp | 光磁気記憶媒体 |
-
1984
- 1984-07-03 JP JP13943484A patent/JPS6117236A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62285256A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-11 | Konica Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS63285738A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-22 | Canon Inc | 光学的磁気記録媒体 |
| JPH01140446A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-06-01 | Sharp Corp | 光磁気記憶媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0419618B2 (ja) | 1992-03-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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