JPS62285256A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明は、窒化アルミニウムからなる透明誘電体膜を有
する光６ｎ気記録媒体に関する。

〔発明の背景〕

光磁気記録は、記録密度が高い、非接触で記録・読み出
しが可能、高速ランダムアクセスができる、信号の並列
処理が可能、さらに書換えもできるなどの特徴を有して
いるため、近年、特に注目されている。

光磁気記録媒体の基本的構成は、透明用脂またはガラス
を基板とし、これに希土類−遷移金属アモルファス合金
、たとえばＧｄＦｅやＧｄＴｂＦｅ等の磁性薄膜を設け
たものである。

周知のように、光磁気記録は、記録に際して、熱磁気記
録によって磁性薄膜にレーザー光を照射して反転磁区を
形成するとともに、読み出しに際しては、磁性薄膜にレ
ーザーの直線偏光を入射し、記録した磁化状態（大きさ
、方向）に対応して反射光または透過光の偏光面が回転
する現象を利用するものである。反射光の偏光面が回転
する現象がカー効果、その回転角がカー回転角と呼ばれ
ている。

このカー効果を利用する読み出しでのＳＮ比は、性能指
数＝φ、　ｘ　Ｊ７　（Ｒ：反射率）に比例し、この性
能指数は光磁気記録媒体の特性に主とじて依存する。そ
こで、従来から、カー回転角φ、を増大し、ＳＮ比を高
めるために、種々の提案がなされてきた。

例えば、特開昭５６−１５６９４３号公報では、磁性薄
膜と透明基板との間に透明誘電体膜を介在させ、見掛は
上のカー回転角の増大を図っている。

この透明誘電体膜の誘電材として窒化アルミニウムＡＩ
Ｎを用いることが知られている。しかし、従来の窒化ア
ルミニウムからなる透明誘電体膜における窒素含有率に
ついては全く考慮がなされておらず、その結果、記録再
生特性が十分でなかった。特に、記録・再生時には、レ
ーザー光が誘電体膜を透過することになるので、記録・
再生特性は、透過率は高いほど、望ましくは８０％以上
であることが要求されるにもかかわらず、高い透過率を
もち、かつ高いＣ／Ｎ比をもつものが得られていないの
が現状であった。

そこで、本発明の主たる目的は、透過率が高く、記録・
再生特性に優れた光磁気記録媒体を提供することにある
。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、透明基板と、膜面に垂直な方向に磁化容易
軸を有する磁性薄膜と、窒化アルミニウムからなる透明
誘電体膜とを含む光磁気記録媒体であって；前記透明誘
電体膜中の窒素含有率が３０〜６０ａｔ％であることで
達成されている。

〔発明の具体的構成〕

以下本発明をさらに詳述する。

本発明における光磁気記録媒体は、透明基板と、膜面に
垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性薄膜と、窒化アル
ミニウムからなる透明誘電体膜とを有するものである。

本発明においては、磁性薄膜のほか透明誘電体膜を有す
る。この透明誘電体膜の存在によって、見掛は上のカー
回転角を増大でき、Ｃ／　Ｎ比を向上させることができ
る。

特に、本発明では、透明誘電体膜として、窒化アルミニ
ウムＡ／Ｎを使用しているので、本来の見掛は上のカー
回転角を増大させる効果のほか、磁性薄膜における耐食
性向上効果もある。ずなわち、この窒化アルミニウムＡ
ＡＮは、Ｓｉｎｇのように酸素を含有していないので、
スパッタリングによる成膜時に誘電材のもっている酸素
を磁性薄膜中に移行させることがなく、この点で、たと
え酸化しがちな希土類−遷移金属薄膜を用いたとしても
、耐食性に優れた光磁気記録媒体を得ることができる。

しかしながら、本発明者らは、種々の実験、研究を行っ
たところ、更にＡＩＮによる誘電体層を形成したとして
も、十分な再生特性が得られないことを知見した。そし
て、この原因は、誘電体層中の窒素含有率に大きく影響
されるためであることも判った。

本発明によれば、高い屈折率および高い透過率を得るた
めに、誘電体層中の窒素含有率は３０〜６０ａｔ％とさ
れる。この理由は、後述の実施例にも示されているよう
に、この範囲を外れると、透過率および屈折率が劣り、
結局、記録・再生特性が悪くなるからである。

誘電体膜の膜厚としては、２００Å〜２０００人が好ま
しい。

誘電体膜の形成手段としては、スバ、７タ法、プラズマ
ＣＶＤ法、（真空）蒸着法、イオンブレーティング法な
どを採用できる。

誘電体層中の窒素含有量の調節法としては、限定されな
いが、スパッタリング法、特に反応性スパッタリング法
に基くのが最も簡易である。すなわち、アルミニウムへ
ｌをターゲットとし、雰囲気（スパッタリングガス）中
の窒素含有量を変え、Ａ１とＮとの比を調節する方法で
ある。

また、この反応性スパッタリング法を用いることなく、
ＡｆＮをターゲットとしてもよく、この場合には、雰囲
気中のＮ２含有量やスパッタリングにおけるパワーなど
によって１周節できる。

本発明の光磁気記録媒体の構造は、透明基板、磁性薄膜
、透明誘電体膜を構成要素としている限り、その順序に
限定されず、また他の機能を有する膜を含んでいてもよ
い。

たとえば、第１図のように、透明基板ｌ、誘電体膜２、
磁性薄膜３、保護層４の順の構造、第２図のように、透
明基板１、第１誘電体膜２Ａ、磁性薄膜３、第２誘電体
膜２Ｂの順の構造、さらに、第３図のように、第２図の
構造に対して反射膜５を付加した構造などを挙げること
ができる。

本発明において用いることができる透明基板としては、
ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネ
ート、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、ポリアミド、エポ
キシ、三酢酸セルロース、ポリエチレンテレフタレート
等の樹脂基板のほか、ガラスやセラミック等も挙げるこ
とができる。

磁性薄膜の材質としては、希土類−遷移金属アモルファ
ス合金が一般には好ましいが、結晶体の形式であっても
よい。これらの例としては、ＧｄＦｅ。

ＴｂＦｅ、　ＧｄＣｏ、　ＤｙＦｅ、　ＧｄＴｂＦｅ、
　ＴｂＤｙＦｅ、　ＴｂＦｅＣ０，ＧｄＴｂＣｏ。

ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＢ１．ＧｄＴｂＦｅＧｅ　
；あるいはこれらにＢｉ、Ｓｒ、Ｇｅ等の添加元素が添
加されたもの；　Ｍ　ｎ　Ｂ　ｉ　＋ＰｔＣｏ、ＭｎＣ
ｕＢ１．ＭｎＡ　Ｉ　Ｇｅ等がある。

磁性薄膜の厚さは２００Å〜１５００人が好ましい。

この膜形成手段としては、誘電体膜の場合と同様でよい
。

保３！（オーバーコート）層としては、たとえばアクリ
ル系の紫外線酸化樹脂をスピンコード法などによって形
成することによって得る。この層厚は１〜２０μｍが望
ましい。

反射膜は、Ａｇ、Ａ　／！　＋５ｉＯｚ＋Ｃｕ＋Ａｒ、
銅合金、　Ｆｅ合金。

Ｎｉ合金等を用い、誘電体膜の形成法と同し方法をもっ
て、望ましくは５００Å〜１０００人に成膜する。

なお、本発明は、上記構造において基板が相互に外側と
なるよう貼り合せたものも含む。

〔実施例〕

次に実施例を示す。

（実施例１） ポリカーボネート基板上に、窒化アルミニウム膜をＲＦ
マグネトロンスパッタ法により、次の条件で製膜した。

○ターゲット：Ａｌ ○スパッタリングガス：Ａｒ＋Ｎｚを用いるとともに、
全ガス圧をｌ　Ｑｍｔｏｒｒの一定とし、Ｎ２流量／（
Ａｒ流ｆｆｉ＋Ｎ２流量）＝ｘを０≦Ｘ≦０．８の範囲
内で変えた。

○パワー：　６００　Ｗ ○膜　厚：８００人 この場合、流量比Ｘと、誘電体膜中に含まれるＣＮ］の
割合（ａｔ％）との関係は、第３図の通りであった。

また、膜中における（Ｎ）の割合と、屈折率ｎおよび透
過率との関係は、第４図および第５図の通りであった。

なお、透過率は半導体レーザービームの使用を考えて、
λ＝８３０ｎｍのものを使用して測定した この結果によれば、窒化アルミニウム膜中の窒素含有率
が３０〜６０％の範囲において、屈折率および透過率が
共に高い光学的に光磁気記録に適した誘電体膜が得られ
ることが判る。

（実施例２および比較例） ポリカーボネート基牟反／窒化アルミニウム（８００人
）　／ＧｄＦｅＣｏ（１０００人）／窒化アルミニウム
（８００人）の順の層構成で光磁気記録媒体を形成した
。

ここで、窒化アルミニウム膜中の（Ｎ）　／　（（Ｓｉ
）＋　（Ｎ））が６０ａｔ％に設定した場合（実施例２
）と、３０ａｔ％に設定した場合（比較例）との記録再
生特性を比較した。

その結果、比較例より実施例２の場合の方が、Ｃ／Ｎ比
で５ｄＢ高かった。

なお、記録・再生条件は、記録周波数ＩＭＨｚ、速度４
ｍ／ｓｅｃ、消去パワー６、ＯｍＷ、再生パワー１．Ｏ
ｍＷ、記録デユーティ比５０％、２次高調波が最小とな
るパワーで記録した。

（実施例３） 窒化アルミニウムをターゲットとしてスパッタ法にて透
明誘電体を形成した場合においても、実施例２および比
較例とほぼ同じ結果が得られた。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明によれば、屈折率および透過率が共
に高く、したがって記録・再生特性が改善され、高いＣ
／Ｎ比をもったものを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図は本発明に係る光磁気記録媒体の層構造
例の断面図、第４図はガス流量比と誘電体膜中の窒素含
有率との相関図、第５図および第６図はそれぞれ誘電体
膜中の窒素含有率と屈折率および透過率との相関図であ
る。 １・・・透明基材、２．２Ａ、２Ｂ・・・誘電体膜、３
・・・磁性薄膜、４・・・保護膜、５・・・反射膜。 特許出願人　　小西六写真工業株式会社代理人　弁理士
　　永　　井　　義　　医業１図 乙 第２図 第３図　。 第４図 皿 ヌ見量比×

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）透明基材と、膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有
   する磁性薄膜と、窒化アルミニウムからなる透明誘電体
   膜とを含む光磁気記録媒体であって；前記透明誘電体膜
   中の窒素含有率が３０〜６０ａｔ％であることを特徴と
   する光磁気記録媒体。
2. （２）前記透明誘電体膜の膜厚が２００Å〜２０００Å
   である特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体。
3. （３）前記磁性薄膜が希土類−遷移金属合金からなる特
   許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体。