JPS61173133A - 粒子分析装置 - Google Patents
粒子分析装置Info
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- JPS61173133A JPS61173133A JP60015974A JP1597485A JPS61173133A JP S61173133 A JPS61173133 A JP S61173133A JP 60015974 A JP60015974 A JP 60015974A JP 1597485 A JP1597485 A JP 1597485A JP S61173133 A JPS61173133 A JP S61173133A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/10—Investigating individual particles
- G01N15/1031—Investigating individual particles by measuring electrical or magnetic effects
- G01N15/12—Investigating individual particles by measuring electrical or magnetic effects by observing changes in resistance or impedance across apertures when traversed by individual particles, e.g. by using the Coulter principle
- G01N15/131—Details
- G01N15/132—Circuits
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Biological Materials (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
力する導電式粒子検出装置に適用する粒子分析装置に関
するものである。
するものである。
導電式粒子検出装置は、塩濃度０．８％程度の薄い電解
質液中に測定用粒子を浮遊させたところの懸濁液に一対
の電極を浸漬し、両電極間を微細孔を有する絶縁壁で隔
絶し、両電極間に電位差を与えて前記細孔を通じてのみ
電極間に電流が流れるように構成したものである。 すなわち、両側の液間に水圧差を加え細孔を通じて液と
ともに粒子を流過させると、粒子径に対する細孔径を適
切に選べば粒子の通過に対応して粒子体積に比例した電
流変化が電極間に生ずるという特性を利用した装置であ
る。 粒子検出波形を詳細に検討すると、細孔の中心付近を通
過したときのみ粒子体積に比例したパルス波高値を示し
、細孔の外周近くを通過する波形は部分的に高目の波高
値を示すこととなって、粒度情報に誤差を生じることが
確められている。 １Ｅ７１’ｆｉの鯛看１１１．’六ム＋ス飴￥１９の；
泪；品め廂子仁 口、ハ、二の模式図と、第８図の波形
図とが示すように細孔１１の入口周囲は電流線密度が高
く感度が高い。ただし、図はまとめて表現したもので、
一般的には各状態が別個に起こる程度に懸濁液を希釈し
ている。 イは、細孔１１の内周面のごく近くを粒子１２が通過す
る場合で、入口および出口で高い波高値を示しその間は
ほぼ平坦になっている。 口は、細孔１１の中心近くを通る場合で、同時刻に２つ
の粒子１２が存在することがあるような通過の仕方であ
り、その波形はピークが２つあり、その間は比較的に深
い谷となっている。 ハは、細孔１１の丁度中心を粒子１２が通過する場合で
、ピークが一点の対称形のきれいな山形の波形を示す。 二は、入口では細孔１１の内周面近くを、出口では中心
近くを通るように斜めに通過した場合で、その波形は入
口での高い波高部と、これに続く平坦部とを有するもの
となっている。 導電式粒子検出装置は構造が簡単で、しかも感度が高い
ため、懸濁液中を走査する上で細孔の閉塞トラブルと、
粒子通過経路による粒子信号歪の欠点はあるが、広く利
用されている粒子測定装置の一つである。従来から精密
粒子分析の分野では、この装置の検出歪に対する対策が
問題とされ、種々の研究が続けられてきた。 ベルヌーイの原理を応用して粒子の細孔流通通路を中心
部の狭い範囲に絞る「ハイドロダイナミックフォーカシ
ング」あるいは「シースフロー」と呼ばれる、特開昭５
３−１１９０８６号公報その他に見られる流体力学面で
の改良法がその一つである。 また、検出粒子信号波形を分析し、細孔の中心付近を通
過する歪のない信号以外の、歪を持った信号をすべて無
視する波形選択によるものも一つの改良法である。 その他にも種々あるが、これら２つが代表的なものであ
る。
質液中に測定用粒子を浮遊させたところの懸濁液に一対
の電極を浸漬し、両電極間を微細孔を有する絶縁壁で隔
絶し、両電極間に電位差を与えて前記細孔を通じてのみ
電極間に電流が流れるように構成したものである。 すなわち、両側の液間に水圧差を加え細孔を通じて液と
ともに粒子を流過させると、粒子径に対する細孔径を適
切に選べば粒子の通過に対応して粒子体積に比例した電
流変化が電極間に生ずるという特性を利用した装置であ
る。 粒子検出波形を詳細に検討すると、細孔の中心付近を通
過したときのみ粒子体積に比例したパルス波高値を示し
、細孔の外周近くを通過する波形は部分的に高目の波高
値を示すこととなって、粒度情報に誤差を生じることが
確められている。 １Ｅ７１’ｆｉの鯛看１１１．’六ム＋ス飴￥１９の；
泪；品め廂子仁 口、ハ、二の模式図と、第８図の波形
図とが示すように細孔１１の入口周囲は電流線密度が高
く感度が高い。ただし、図はまとめて表現したもので、
一般的には各状態が別個に起こる程度に懸濁液を希釈し
ている。 イは、細孔１１の内周面のごく近くを粒子１２が通過す
る場合で、入口および出口で高い波高値を示しその間は
ほぼ平坦になっている。 口は、細孔１１の中心近くを通る場合で、同時刻に２つ
の粒子１２が存在することがあるような通過の仕方であ
り、その波形はピークが２つあり、その間は比較的に深
い谷となっている。 ハは、細孔１１の丁度中心を粒子１２が通過する場合で
、ピークが一点の対称形のきれいな山形の波形を示す。 二は、入口では細孔１１の内周面近くを、出口では中心
近くを通るように斜めに通過した場合で、その波形は入
口での高い波高部と、これに続く平坦部とを有するもの
となっている。 導電式粒子検出装置は構造が簡単で、しかも感度が高い
ため、懸濁液中を走査する上で細孔の閉塞トラブルと、
粒子通過経路による粒子信号歪の欠点はあるが、広く利
用されている粒子測定装置の一つである。従来から精密
粒子分析の分野では、この装置の検出歪に対する対策が
問題とされ、種々の研究が続けられてきた。 ベルヌーイの原理を応用して粒子の細孔流通通路を中心
部の狭い範囲に絞る「ハイドロダイナミックフォーカシ
ング」あるいは「シースフロー」と呼ばれる、特開昭５
３−１１９０８６号公報その他に見られる流体力学面で
の改良法がその一つである。 また、検出粒子信号波形を分析し、細孔の中心付近を通
過する歪のない信号以外の、歪を持った信号をすべて無
視する波形選択によるものも一つの改良法である。 その他にも種々あるが、これら２つが代表的なものであ
る。
前記の流れを絞る流体装置によるものは理想的ではある
が、複雑な流体機構を必要をするため装置が高価になり
、また保守が難しいという欠点がある。 前記波形選択の判別回路として例えば、特公昭５４−２
６９１９号公報、特公昭５５−１２９８０号公報に示さ
れたものがある。これらは、何れも、粒子波形をピーク
ホールドして得る電圧を所定の割合に分割した各を圧レ
ベルをスレッシュホールド電圧とし、各スレッシュホー
ルド電圧と、遅延させた前記粒子波形とを比較して各レ
ベルでの波形持続時間を積分回路で相対測定し、正常基
準値と比較することによって波形を取捨選択している。 しかし、この波形選択によるものは無視した信号の数が
かなりにのぼるため、サンプリング数を多くして精度を
保つ必要があり、能率面、精度面で問題を残している。 特願昭５５−１１５３３１号（昭和５９年６月４日出Ｉ
Ｎ）の特許出願は同一出願人の出願に係るものであるが
、この出願の発明粒子分析装置は、前記の問題を改善し
たものである。 １礒％ Ｉ 、 ｆｒ礒（ム 添の帖ヱ４址彷著アＬ十
−だ鉛−条件設定がむすかしくて分析精度が十分には高
くはなく、回路が複雑になるという問題があった。 この発明の目的は、回路構成がより簡単でかつ分析精度
がより高い粒子分析装置を提供することである。
が、複雑な流体機構を必要をするため装置が高価になり
、また保守が難しいという欠点がある。 前記波形選択の判別回路として例えば、特公昭５４−２
６９１９号公報、特公昭５５−１２９８０号公報に示さ
れたものがある。これらは、何れも、粒子波形をピーク
ホールドして得る電圧を所定の割合に分割した各を圧レ
ベルをスレッシュホールド電圧とし、各スレッシュホー
ルド電圧と、遅延させた前記粒子波形とを比較して各レ
ベルでの波形持続時間を積分回路で相対測定し、正常基
準値と比較することによって波形を取捨選択している。 しかし、この波形選択によるものは無視した信号の数が
かなりにのぼるため、サンプリング数を多くして精度を
保つ必要があり、能率面、精度面で問題を残している。 特願昭５５−１１５３３１号（昭和５９年６月４日出Ｉ
Ｎ）の特許出願は同一出願人の出願に係るものであるが
、この出願の発明粒子分析装置は、前記の問題を改善し
たものである。 １礒％ Ｉ 、 ｆｒ礒（ム 添の帖ヱ４址彷著アＬ十
−だ鉛−条件設定がむすかしくて分析精度が十分には高
くはなく、回路が複雑になるという問題があった。 この発明の目的は、回路構成がより簡単でかつ分析精度
がより高い粒子分析装置を提供することである。
【問題点を解決するための手段］
この発明が前記問題点を解決するために講じた技術的手
段（発明の構成）は、つぎのとおりである。 すなわち、この発明の粒子分析装置は、細孔における粒
子通過に伴う電気量発生手段と、この発生電気量の微分
手段と、前記微分手段の出力波形が０レベル近くの正、
負両レベル間の所定閾外にあるときパルスを発生する弁
別手段と、前記所定閾を入力信号の大・小変化に応じて
大・小変化する所定閾可変手段と、前記微分手段の出力
波形が０レベルにある時点を検出する０レベル検出手段
と、前記弁別手段の出力信号および前記θレベル検出手
段の出力信号によって前記発生電気量の信号レベルをホ
ールドする信号レベルホールド手段と、前記弁別手段の
出力信号により前記信号レベルホールド手段の出力信号
をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換手段とを備えたものである
。 【作用】 この発明の構成による作用は、以下の実施例における動
作説明によって明らかとなろう。
段（発明の構成）は、つぎのとおりである。 すなわち、この発明の粒子分析装置は、細孔における粒
子通過に伴う電気量発生手段と、この発生電気量の微分
手段と、前記微分手段の出力波形が０レベル近くの正、
負両レベル間の所定閾外にあるときパルスを発生する弁
別手段と、前記所定閾を入力信号の大・小変化に応じて
大・小変化する所定閾可変手段と、前記微分手段の出力
波形が０レベルにある時点を検出する０レベル検出手段
と、前記弁別手段の出力信号および前記θレベル検出手
段の出力信号によって前記発生電気量の信号レベルをホ
ールドする信号レベルホールド手段と、前記弁別手段の
出力信号により前記信号レベルホールド手段の出力信号
をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換手段とを備えたものである
。 【作用】 この発明の構成による作用は、以下の実施例における動
作説明によって明らかとなろう。
この発明の一実施例を第１図ないし第３図に基づいて説
明する。第１図は粒子分析装置の主要部である波形処理
装置のブロックを、第２図はそれの動作を示す各部の波
形を、第３図は粒子分析装置の全体構成の概念図である
。 第３図において、導電式粒子検出装置７は、試料容器１
１粒子懸濁試料２．細孔３を有する検出器（絶縁壁）４
と電極５，６を備え、試料２を流動定量する流体制御部
と、電極５．６に電位差を与え、検出パルスを発生させ
増幅する検出部からなる。 波形処理装置８はこの発明の主要部をなすものであり、
第１図がそのブロック構成図を示す、波ｍａｔｉｃ Ｃ
ｏｍｐａｒａｔｅｒ Ｌｅｖｅ１回路）３２１前縁コン
パレータ３３．後縁コンパレータ３４．ゼロクロスコン
パレータ３５．アンド回路３６．ワンショ・ノド回路３
７．コンバートスタートパルス回路３８゜移相補正回路
３９．サンプルホールド回路４０゜波高値Ａ／Ｄ変換回
路４１ならびにＴｍセンターパルス回路４２からなる。 ａは導電式粒子検出装置７から微分回路３１および移相
補正回路３９に入力される入力端子線である。 微分回路３１が、発明の構成にいう「微分手段」の−例
である。 前縁コンパレータ３３．後縁コンパレータ３４およびＴ
ｍセンターパルス回路４２が、発明の構成にいう「弁別
手段」の−例である。 ゼロクロスコンパレータ３５が、発明の構成にいう「θ
レベル検出手段」の−例である。 ＡＣＬ回路３２が、発明の構成にいう「所定閾可変手段
」の−例である。 サンプルホールド回路４０が、発明の構成にいう「信号
レベルホールド手段」の−例である。 波高値Ａ／Ｄ変換回路４１が、発明の構成にいう「Ａ／
Ｄ変換手段」の−例であ°る。 微分回路３１の出力端子は、前縁コンパレータ３３、＆
縁コンパレータ３４およびゼロクロスコンパレータ３５
の入力端子に接続されている。前縁コンパレータ３３と
後縁コンパレータ３４の出力端間にＴｍセンターパルス
回路４２が接続され、Ｔｍセンターパルス回路４２の出
力端子とゼロクロスコンパレータ３５の出力端子とがア
ンド回路３６の入力端子に接続されている。 そして、アンド回路３６の出力端子がワンショット回路
３７の入力端子に接続され、ワンショット回路３７の出
力端子が、サンプルホールド回路４０のトリガ端子に接
続されている。ワンショット回路３７は、サンプルホー
ルド回路４０に対するトリガパルスを発生させるもので
ある。 移相補正回路３９の出力端子はサンプルホールＬ＋間ｔ
Ｊ＆ｉ＾＾１本磯７Ｉマ拉独島ム 且１ ＋−＋ｌ −
Ｌルド回路４０の出力端子は波高値Ａ／Ｄ変換回路４１
の入力端子に接続されている。サンプルホールド回路４
０の出力端子は波高値Ａ／Ｄ変換回路４１の入力端子に
接続されている。サンプルホールド回路４０は、ワンシ
ョット回路３７の出力によってトリガされたとき、波高
値Ａ／Ｄ変換回路４１に出力する。波高値Ａ／Ｄ変換回
路４１からは第３図の粒度記録装置９に出力される。 後縁コンパレータ３４の出力端子はコンバートスタート
パルス回路３８の入力端子に接続され、コンバートスタ
ートパルス回路３８の出力端子は波高値Ａ／Ｄ変換回路
４１のトリガ端子に接続されている。コンバートスター
トパルス回路３８が発生したトリガパルスは、波高値Ａ
／Ｄ変換回路４１に入力される。 つぎに、波形処理装置８の動作を第２図に基づいて説明
する。 ■″導電式粒子検出装置７から増幅された種々の波形の
粒子パルスが入力端子線ａを介して微分ａａｆｆ１台士
γド玖Ｍｉ旙丁ｒｔｉ ａ Ｑ Ｑ ｒｙ人七六飴スそ
の人力信号の波形が第２図のｆａｌに例示されている。 すなわち、第７図の口、イ、ハに相当する波形がこの順
に示されている。 ■ 微分回路３１は、適正な時定数を持つ信号の変化率
に比例する信号を得るための回路であり、第２図の入力
波形（ａ）の勾配係数値に対応する出力が信号線すに得
られ微分波形（ｂ）が得られる。 ■ ＡＣＬ回路３２は、前縁コンパレータ３３゜後縁コ
ンパレータ３４の比較電圧を供給する回路であって、入
力信号の大・小変化に応じて比較電圧が大・小に変化す
る。 なお、無信号時は、バイアス直流電圧が供給されるよう
になっている。 ■ 前縁コンパレータ３３にＡＣＬ回路３２の出力電圧
を正電圧で印加する（第２図中）のＥ１参照）のに対し
、後縁コンパレータ３４には反転させて負電圧を印加し
く第２図中）のＥ２参照）、微分回路３１の出力を同様
に印加する。 前縁コンパレータ３３は、微分回路３１の出力波形がレ
ベル電圧を正側に超える時に出力パルス後縁コンパレー
タ３４は、微分回路３１の出力波形がレベル電圧を負側
に超える時に出力パルスを発生する（第２図（ｄｌ参照
）。 ■ Ｔｍセンターパルス回路４２は、前縁コンパレータ
３３の出力の立ち下がりで立ち上がり、後縁コンパレー
タ３４の出力の立ち上がりで立ち下がるパルスを発生す
る（第２図（ｅｌ参照）。 ■ ゼロクロスコンパレータ３５は、比較電圧をほぼゼ
ロ電圧として、僅かにＯを超えると出力パルスを発生す
る（第２図（ｆ）参照）。 ■ ゼロクロスコンパレータ３５の出力とＴｍセンター
パルス回路４２の出力をアンド回路３６に入力すると、
アンド回路３６がワンショット回路３７にパルスを出力
する（第２図（ｇ）参照）。 ■ このパルスによってワンショット回路３７は、サン
プルホールド回路４０のトリガ端子に対してホールドス
タートトリガ信号を出力する（第２図（ｈ）参照）。 ■ サンプルホールド回路４０は、ホールドスタートト
リガ信号の人力によって、移相補正回路３９からの入力
信号を、その時点でホールドする（第２図ｆｊ）参照）
。 ［相］ 一方、後縁コンパレーク３４の出力がコンバー
トスタートパルス回路３８に入力され、コンバートスタ
ートパルス回路３８は、後縁パルスの立ち上がりによっ
てコンバートスタートパルスを波高値Ａ／Ｄ変換回路４
１に出力する（第２図（１）参照）。 ■ 波高値Ａ／Ｄ変換回路４工は、コンバートスタート
パルスによって、■でホールドしていた信号波高値をＡ
／Ｄ変換し、粒度記録装置９に出力する。 つぎに、微分信号をコンパレータで電圧比較した場合、
波形歪み、信号レベル変動に影響されることなく、安定
したパルス出力を得るための手段を検討する。第４図に
前縁パルスと後縁パルスの特性を示す。図の左側は正常
波形、右側は異常波形を示す。（Ａ）は入力波形、（Ｂ
）は微分波形、血球信号を微分すると、歪み部分が強調
される。 そのため、図（Ｂ）のように一定のコンパレータ電圧に
すると、歪み部分にかかるとともに、入力信号の大小に
より、パルス幅が変動してしまう。 ′この２つの問
題を解決するために、つぎの２つの方法が考えられる。 ＋ｌ） 微分信号の半値幅を自動的にピックアップす
る。 （２） コンパレータの比較電圧を入力レベルに応じ
て動かす。 第５図の回路は、■の方法を採用したものである。 第５図において、３３は前縁コンパレータ、Ｃ１はコン
デンサ、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は抵抗、ｖｏは直流電源であ
る。コンデンサＣ１と抵抗Ｒ１とが微分回路３１を構成
している。３２ａはＡＣＬ回路３２の正側部分である。 無信号時には前縁コンパレータ３３の入力端子に比較電
圧Ｖ。が印加されている。入力信号があスふ−ｍｌ＞、
／ （Ｑ一本Ｑ−）１：’都せ六徊ア漆紡告圧Ｖ。に
加算され１．前縁コンパレータ３３の（−）入力端子に
印加される。この時（＋）入力端子には、ｃｌ、Ｒ１の
時定数で微分された図（Ｃ’）の微分信号が印加され、
コンパレータ比較電圧が入力信号（破線）に同期してい
る。 この回路の波形を第６図に示す。（Ａ）は入力波形、（
Ｂ）は微分波形で破線はコンパレータ電圧を示す。（Ｃ
）はコンパレータ出力波形である。 この回路の特徴は、微分波形中間部の影響を受けにくい
こと、および信号レベル変動に伴って比較電圧も追従的
に変化するため、パルス幅の変動を抑制することができ
るということである。 以上の構成により、微分回路３１の出力の中間部の低い
レベルの歪みの影響が、ゼロクロスコンパレータ３５．
前縁コンパレータ３３および後縁コンパレータ３４に対
して波及することが抑制され、粒子分析の精度が向上す
るとともに、回路構成が特願昭５９−１１５３３１号に
開示の発明に比べて簡単になる。 また、後縁パルス出力の確実性が増大し、コンバートス
タートパルスとして現実に使用することができるように
なり、正規パルスレベル以外のパルスでもサンプルホー
ルドが可能となる。このため、より面素な論理を使用す
ることができ、回路構成を一層簡素化でき、精度も向上
する。 したがって、シース機構を使用しないで、従来の検出機
構に処理回路を付加するだけで、正確な粒度分布信号を
得ることも可能となる。
明する。第１図は粒子分析装置の主要部である波形処理
装置のブロックを、第２図はそれの動作を示す各部の波
形を、第３図は粒子分析装置の全体構成の概念図である
。 第３図において、導電式粒子検出装置７は、試料容器１
１粒子懸濁試料２．細孔３を有する検出器（絶縁壁）４
と電極５，６を備え、試料２を流動定量する流体制御部
と、電極５．６に電位差を与え、検出パルスを発生させ
増幅する検出部からなる。 波形処理装置８はこの発明の主要部をなすものであり、
第１図がそのブロック構成図を示す、波ｍａｔｉｃ Ｃ
ｏｍｐａｒａｔｅｒ Ｌｅｖｅ１回路）３２１前縁コン
パレータ３３．後縁コンパレータ３４．ゼロクロスコン
パレータ３５．アンド回路３６．ワンショ・ノド回路３
７．コンバートスタートパルス回路３８゜移相補正回路
３９．サンプルホールド回路４０゜波高値Ａ／Ｄ変換回
路４１ならびにＴｍセンターパルス回路４２からなる。 ａは導電式粒子検出装置７から微分回路３１および移相
補正回路３９に入力される入力端子線である。 微分回路３１が、発明の構成にいう「微分手段」の−例
である。 前縁コンパレータ３３．後縁コンパレータ３４およびＴ
ｍセンターパルス回路４２が、発明の構成にいう「弁別
手段」の−例である。 ゼロクロスコンパレータ３５が、発明の構成にいう「θ
レベル検出手段」の−例である。 ＡＣＬ回路３２が、発明の構成にいう「所定閾可変手段
」の−例である。 サンプルホールド回路４０が、発明の構成にいう「信号
レベルホールド手段」の−例である。 波高値Ａ／Ｄ変換回路４１が、発明の構成にいう「Ａ／
Ｄ変換手段」の−例であ°る。 微分回路３１の出力端子は、前縁コンパレータ３３、＆
縁コンパレータ３４およびゼロクロスコンパレータ３５
の入力端子に接続されている。前縁コンパレータ３３と
後縁コンパレータ３４の出力端間にＴｍセンターパルス
回路４２が接続され、Ｔｍセンターパルス回路４２の出
力端子とゼロクロスコンパレータ３５の出力端子とがア
ンド回路３６の入力端子に接続されている。 そして、アンド回路３６の出力端子がワンショット回路
３７の入力端子に接続され、ワンショット回路３７の出
力端子が、サンプルホールド回路４０のトリガ端子に接
続されている。ワンショット回路３７は、サンプルホー
ルド回路４０に対するトリガパルスを発生させるもので
ある。 移相補正回路３９の出力端子はサンプルホールＬ＋間ｔ
Ｊ＆ｉ＾＾１本磯７Ｉマ拉独島ム 且１ ＋−＋ｌ −
Ｌルド回路４０の出力端子は波高値Ａ／Ｄ変換回路４１
の入力端子に接続されている。サンプルホールド回路４
０の出力端子は波高値Ａ／Ｄ変換回路４１の入力端子に
接続されている。サンプルホールド回路４０は、ワンシ
ョット回路３７の出力によってトリガされたとき、波高
値Ａ／Ｄ変換回路４１に出力する。波高値Ａ／Ｄ変換回
路４１からは第３図の粒度記録装置９に出力される。 後縁コンパレータ３４の出力端子はコンバートスタート
パルス回路３８の入力端子に接続され、コンバートスタ
ートパルス回路３８の出力端子は波高値Ａ／Ｄ変換回路
４１のトリガ端子に接続されている。コンバートスター
トパルス回路３８が発生したトリガパルスは、波高値Ａ
／Ｄ変換回路４１に入力される。 つぎに、波形処理装置８の動作を第２図に基づいて説明
する。 ■″導電式粒子検出装置７から増幅された種々の波形の
粒子パルスが入力端子線ａを介して微分ａａｆｆ１台士
γド玖Ｍｉ旙丁ｒｔｉ ａ Ｑ Ｑ ｒｙ人七六飴スそ
の人力信号の波形が第２図のｆａｌに例示されている。 すなわち、第７図の口、イ、ハに相当する波形がこの順
に示されている。 ■ 微分回路３１は、適正な時定数を持つ信号の変化率
に比例する信号を得るための回路であり、第２図の入力
波形（ａ）の勾配係数値に対応する出力が信号線すに得
られ微分波形（ｂ）が得られる。 ■ ＡＣＬ回路３２は、前縁コンパレータ３３゜後縁コ
ンパレータ３４の比較電圧を供給する回路であって、入
力信号の大・小変化に応じて比較電圧が大・小に変化す
る。 なお、無信号時は、バイアス直流電圧が供給されるよう
になっている。 ■ 前縁コンパレータ３３にＡＣＬ回路３２の出力電圧
を正電圧で印加する（第２図中）のＥ１参照）のに対し
、後縁コンパレータ３４には反転させて負電圧を印加し
く第２図中）のＥ２参照）、微分回路３１の出力を同様
に印加する。 前縁コンパレータ３３は、微分回路３１の出力波形がレ
ベル電圧を正側に超える時に出力パルス後縁コンパレー
タ３４は、微分回路３１の出力波形がレベル電圧を負側
に超える時に出力パルスを発生する（第２図（ｄｌ参照
）。 ■ Ｔｍセンターパルス回路４２は、前縁コンパレータ
３３の出力の立ち下がりで立ち上がり、後縁コンパレー
タ３４の出力の立ち上がりで立ち下がるパルスを発生す
る（第２図（ｅｌ参照）。 ■ ゼロクロスコンパレータ３５は、比較電圧をほぼゼ
ロ電圧として、僅かにＯを超えると出力パルスを発生す
る（第２図（ｆ）参照）。 ■ ゼロクロスコンパレータ３５の出力とＴｍセンター
パルス回路４２の出力をアンド回路３６に入力すると、
アンド回路３６がワンショット回路３７にパルスを出力
する（第２図（ｇ）参照）。 ■ このパルスによってワンショット回路３７は、サン
プルホールド回路４０のトリガ端子に対してホールドス
タートトリガ信号を出力する（第２図（ｈ）参照）。 ■ サンプルホールド回路４０は、ホールドスタートト
リガ信号の人力によって、移相補正回路３９からの入力
信号を、その時点でホールドする（第２図ｆｊ）参照）
。 ［相］ 一方、後縁コンパレーク３４の出力がコンバー
トスタートパルス回路３８に入力され、コンバートスタ
ートパルス回路３８は、後縁パルスの立ち上がりによっ
てコンバートスタートパルスを波高値Ａ／Ｄ変換回路４
１に出力する（第２図（１）参照）。 ■ 波高値Ａ／Ｄ変換回路４工は、コンバートスタート
パルスによって、■でホールドしていた信号波高値をＡ
／Ｄ変換し、粒度記録装置９に出力する。 つぎに、微分信号をコンパレータで電圧比較した場合、
波形歪み、信号レベル変動に影響されることなく、安定
したパルス出力を得るための手段を検討する。第４図に
前縁パルスと後縁パルスの特性を示す。図の左側は正常
波形、右側は異常波形を示す。（Ａ）は入力波形、（Ｂ
）は微分波形、血球信号を微分すると、歪み部分が強調
される。 そのため、図（Ｂ）のように一定のコンパレータ電圧に
すると、歪み部分にかかるとともに、入力信号の大小に
より、パルス幅が変動してしまう。 ′この２つの問
題を解決するために、つぎの２つの方法が考えられる。 ＋ｌ） 微分信号の半値幅を自動的にピックアップす
る。 （２） コンパレータの比較電圧を入力レベルに応じ
て動かす。 第５図の回路は、■の方法を採用したものである。 第５図において、３３は前縁コンパレータ、Ｃ１はコン
デンサ、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は抵抗、ｖｏは直流電源であ
る。コンデンサＣ１と抵抗Ｒ１とが微分回路３１を構成
している。３２ａはＡＣＬ回路３２の正側部分である。 無信号時には前縁コンパレータ３３の入力端子に比較電
圧Ｖ。が印加されている。入力信号があスふ−ｍｌ＞、
／ （Ｑ一本Ｑ−）１：’都せ六徊ア漆紡告圧Ｖ。に
加算され１．前縁コンパレータ３３の（−）入力端子に
印加される。この時（＋）入力端子には、ｃｌ、Ｒ１の
時定数で微分された図（Ｃ’）の微分信号が印加され、
コンパレータ比較電圧が入力信号（破線）に同期してい
る。 この回路の波形を第６図に示す。（Ａ）は入力波形、（
Ｂ）は微分波形で破線はコンパレータ電圧を示す。（Ｃ
）はコンパレータ出力波形である。 この回路の特徴は、微分波形中間部の影響を受けにくい
こと、および信号レベル変動に伴って比較電圧も追従的
に変化するため、パルス幅の変動を抑制することができ
るということである。 以上の構成により、微分回路３１の出力の中間部の低い
レベルの歪みの影響が、ゼロクロスコンパレータ３５．
前縁コンパレータ３３および後縁コンパレータ３４に対
して波及することが抑制され、粒子分析の精度が向上す
るとともに、回路構成が特願昭５９−１１５３３１号に
開示の発明に比べて簡単になる。 また、後縁パルス出力の確実性が増大し、コンバートス
タートパルスとして現実に使用することができるように
なり、正規パルスレベル以外のパルスでもサンプルホー
ルドが可能となる。このため、より面素な論理を使用す
ることができ、回路構成を一層簡素化でき、精度も向上
する。 したがって、シース機構を使用しないで、従来の検出機
構に処理回路を付加するだけで、正確な粒度分布信号を
得ることも可能となる。
この発明によれば、特願昭５９−１１５３３１号に開示
のものに比べて、回路構成をより簡単化することができ
るとともに、分析精度をより向上することができるとい
う効果がある。
のものに比べて、回路構成をより簡単化することができ
るとともに、分析精度をより向上することができるとい
う効果がある。
第１図はこの発明の一実施例の粒子分析装置の主要部で
ある波形処理装置のブロックを、第２図はそれの動作を
示す各部の波形を、第３図は粒子分析装置の全体構成の
概念図、第４図に前縁パルスと後縁パルスの特性を示す
特性図、第５図は前縁コンパレータ回路まわりの回路図
、第６図は改善された特性図、第７図は従来例の主要部
の断面図、第８図はその波形図である。 ３１・・・微分回路（微分手段）、３２・・・ＡＣＬ回
路（所定閾可変手段）、３３・・・前縁コンパレータ、
３４・・・後縁コンパレータ、４２・・・Ｔｍセンター
パルス回路、（３３，３４，４２）・・・弁別手段、３
５・・・ゼロクロスコンパレータ（０レベル検出手段）
、４０・・・サンプルホールド回路（信号レベルホール
ド手段）、４１・・・波高値Ａ／Ｄ変換回路（Ａ／Ｄ変
換手段） 第１図 第２図 第５図
ある波形処理装置のブロックを、第２図はそれの動作を
示す各部の波形を、第３図は粒子分析装置の全体構成の
概念図、第４図に前縁パルスと後縁パルスの特性を示す
特性図、第５図は前縁コンパレータ回路まわりの回路図
、第６図は改善された特性図、第７図は従来例の主要部
の断面図、第８図はその波形図である。 ３１・・・微分回路（微分手段）、３２・・・ＡＣＬ回
路（所定閾可変手段）、３３・・・前縁コンパレータ、
３４・・・後縁コンパレータ、４２・・・Ｔｍセンター
パルス回路、（３３，３４，４２）・・・弁別手段、３
５・・・ゼロクロスコンパレータ（０レベル検出手段）
、４０・・・サンプルホールド回路（信号レベルホール
ド手段）、４１・・・波高値Ａ／Ｄ変換回路（Ａ／Ｄ変
換手段） 第１図 第２図 第５図
Claims (1)
- 細孔における粒子通過に伴う電気量発生手段と、この発
生電気量の微分手段と、前記微分手段の出力波形が０レ
ベル近くの正、負両レベル間の所定閾外にあるときパル
スを発生する弁別手段と、前記所定閾を入力信号の大・
小変化に応じて大・小変化する所定閾可変手段と、前記
微分手段の出力波形が０レベルにある時点を検出する０
レベル検出手段と、前記弁別手段の出力信号および前記
０レベル検出手段の出力信号によって前記発生電気量の
信号レベルをホールドする信号レベルホールド手段と、
前記弁別手段の出力信号により前記信号レベルホールド
手段の出力信号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換手段とを備
えた粒子分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60015974A JPS61173133A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 粒子分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60015974A JPS61173133A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 粒子分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61173133A true JPS61173133A (ja) | 1986-08-04 |
| JPH0479531B2 JPH0479531B2 (ja) | 1992-12-16 |
Family
ID=11903674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60015974A Granted JPS61173133A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 粒子分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61173133A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5135608A (en) * | 1989-07-11 | 1992-08-04 | Hitachi, Ltd. | Method of producing semiconductor devices |
| US5626677A (en) * | 1995-04-27 | 1997-05-06 | Nec Corporation | Atmospheric pressure CVD apparatus |
-
1985
- 1985-01-29 JP JP60015974A patent/JPS61173133A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5135608A (en) * | 1989-07-11 | 1992-08-04 | Hitachi, Ltd. | Method of producing semiconductor devices |
| US5626677A (en) * | 1995-04-27 | 1997-05-06 | Nec Corporation | Atmospheric pressure CVD apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0479531B2 (ja) | 1992-12-16 |
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