JPH0479531B2 - - Google Patents
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- JPH0479531B2 JPH0479531B2 JP60015974A JP1597485A JPH0479531B2 JP H0479531 B2 JPH0479531 B2 JP H0479531B2 JP 60015974 A JP60015974 A JP 60015974A JP 1597485 A JP1597485 A JP 1597485A JP H0479531 B2 JPH0479531 B2 JP H0479531B2
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- JP
- Japan
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- circuit
- signal
- waveform
- level
- pulse
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/10—Investigating individual particles
- G01N15/1031—Investigating individual particles by measuring electrical or magnetic effects
- G01N15/12—Investigating individual particles by measuring electrical or magnetic effects by observing changes in resistance or impedance across apertures when traversed by individual particles, e.g. by using the Coulter principle
- G01N15/131—Details
- G01N15/132—Circuits
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Biological Materials (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Description
この発明は、波高歪を含むことがある波形を出
力する導電式粒子検出装置を適用する粒子分析装
置に関するものである。
力する導電式粒子検出装置を適用する粒子分析装
置に関するものである。
導電式粒子検出装置は、塩濃度0.8％程度の薄
い電解質液中に測定用粒子を浮遊させたところの
懸濁液に一対の電極を浸漬し、両電極間を微細孔
を有する絶縁壁で隔絶し、両電極間に電位差を与
えて前記細孔を通じてのみ電極間に電流が流れる
ように構成したものである。 すなわち、両側の液間に水圧差を加え細孔を通
じて液とともに粒子を流過させると、粒子径に対
する細孔径を適切に選べば粒子の通過に対応して
粒子体積に比例した電流変化が電極間に生ずると
いう特性を利用した装置である。 粒子検出波形を詳細に検討すると、細孔の中心
付近を通過したときのみ粒子体積に比例したパル
ス波高値を示し、細孔の外周近くを通過する波形
は部分的に高目の波高値を示すこととなつて、粒
度情報に誤差を生じることが確められている。 第７図の細孔１１における粒子１２の通過の様
子イ，ロ，ハ，ニの模式図と、第８図の波形図と
が示すように細孔１１の入口周囲は電流線密度が
高く感度が高い。ただし、図はまとめて表現した
もので、一般的には各状態が別個に起こる程度に
懸濁液を希釈している。 イは、細孔１１の内周面のごく近くを粒子１２
が通過する場合で、入口および出口で高い波高値
を示しその間はほぼ平坦になつている。 ロは、細孔１１の中心近くを通る場合で、同時
刻に２つの粒子１２が存在することがあるような
通過の仕方であり、その波形はピークが２つあ
り、その間は比較的に深い谷となつている。 ハは、細孔１１の丁度中心を粒子１２が通過す
る場合で、ピークが一点の対称形のきれいな山形
の波形を示す。 ニは、入口では細孔１１の内周面近くを、出口
では中心近くを通るうに斜めに通過した場合で、
その波形は入口での高い波高部と、これに続く平
坦部とを有するものとなつている。 導電式粒子検出装置は構造が簡単で、しかも感
度が高いため、懸濁液中を走査する上で細孔の閉
塞トラブルと、粒子通過経路による粒子信号歪の
欠点はあるが、広く利用されている粒子測定装置
の一つである。従来から精密粒子分析の分野で
は、この装置の検出歪に対する対策が問題とさ
れ、種々の研究が続けられてきた。 ベルヌーイの原理を応用して粒子の細孔流通通
路を中心部の狭い範囲に絞る「ハイドロダイナミ
ツクフオーカシング」あるいは「シースフロー」
と呼ばれる、特開昭53−119086号公報その他に見
られる流体力学面での改良法がその一つである。 また、検出粒子信号波形を分析し、細孔の中心
付近を通過する歪のない信号以外のい、歪を持つ
た信号をすべて無視する波形選択によるものも一
つの改良法である。 その他にも種々あるが、これら２つが代表的な
ものである。
い電解質液中に測定用粒子を浮遊させたところの
懸濁液に一対の電極を浸漬し、両電極間を微細孔
を有する絶縁壁で隔絶し、両電極間に電位差を与
えて前記細孔を通じてのみ電極間に電流が流れる
ように構成したものである。 すなわち、両側の液間に水圧差を加え細孔を通
じて液とともに粒子を流過させると、粒子径に対
する細孔径を適切に選べば粒子の通過に対応して
粒子体積に比例した電流変化が電極間に生ずると
いう特性を利用した装置である。 粒子検出波形を詳細に検討すると、細孔の中心
付近を通過したときのみ粒子体積に比例したパル
ス波高値を示し、細孔の外周近くを通過する波形
は部分的に高目の波高値を示すこととなつて、粒
度情報に誤差を生じることが確められている。 第７図の細孔１１における粒子１２の通過の様
子イ，ロ，ハ，ニの模式図と、第８図の波形図と
が示すように細孔１１の入口周囲は電流線密度が
高く感度が高い。ただし、図はまとめて表現した
もので、一般的には各状態が別個に起こる程度に
懸濁液を希釈している。 イは、細孔１１の内周面のごく近くを粒子１２
が通過する場合で、入口および出口で高い波高値
を示しその間はほぼ平坦になつている。 ロは、細孔１１の中心近くを通る場合で、同時
刻に２つの粒子１２が存在することがあるような
通過の仕方であり、その波形はピークが２つあ
り、その間は比較的に深い谷となつている。 ハは、細孔１１の丁度中心を粒子１２が通過す
る場合で、ピークが一点の対称形のきれいな山形
の波形を示す。 ニは、入口では細孔１１の内周面近くを、出口
では中心近くを通るうに斜めに通過した場合で、
その波形は入口での高い波高部と、これに続く平
坦部とを有するものとなつている。 導電式粒子検出装置は構造が簡単で、しかも感
度が高いため、懸濁液中を走査する上で細孔の閉
塞トラブルと、粒子通過経路による粒子信号歪の
欠点はあるが、広く利用されている粒子測定装置
の一つである。従来から精密粒子分析の分野で
は、この装置の検出歪に対する対策が問題とさ
れ、種々の研究が続けられてきた。 ベルヌーイの原理を応用して粒子の細孔流通通
路を中心部の狭い範囲に絞る「ハイドロダイナミ
ツクフオーカシング」あるいは「シースフロー」
と呼ばれる、特開昭53−119086号公報その他に見
られる流体力学面での改良法がその一つである。 また、検出粒子信号波形を分析し、細孔の中心
付近を通過する歪のない信号以外のい、歪を持つ
た信号をすべて無視する波形選択によるものも一
つの改良法である。 その他にも種々あるが、これら２つが代表的な
ものである。
前記の流れを絞る流体装置によるものは理想的
ではあるが、複雑な流体機構を必要をするため装
置が高価になり、また保守が難しいという欠点が
ある。 前記波形選択の判別回路として例えば、特公昭
54−26919号公報、特公昭55−12980号公報に示さ
れたものがある。これらは、何れも、粒子波形を
ピークホールドして得る電圧を所定の割合に分割
した各電圧レベルをスレツシユホールド電圧と
し、各スレツシユホールド電圧と、遅延させた前
記粒子波形とを比較して各レベルでの波形持続時
間を積分回路で相対測定し、正常基準値と比較す
ることによつて波形を取捨選択している。 しかし、この波形選択によるものは無視した信
号の数がかなりにのぼるため、サンプリング数を
多くして精度を保つ必要があり、能率面、精度面
で問題を残している。 特願昭59−115331号（昭和59年６月４日出願）
の特許出願は同一出願人の出願に係るものである
が、この出願の発明粒子分析装置は、前記の問題
を改善したものである。 しかしながら、その粒子分析装置では、なお、
条件設定がむずかしくて分析精度が十分には高く
はなく、回路が複雑になるという問題があつた。 この発明の目的は、回路構成がより簡単でかつ
分折精度がより高い粒子分析装置を提供すること
である。
ではあるが、複雑な流体機構を必要をするため装
置が高価になり、また保守が難しいという欠点が
ある。 前記波形選択の判別回路として例えば、特公昭
54−26919号公報、特公昭55−12980号公報に示さ
れたものがある。これらは、何れも、粒子波形を
ピークホールドして得る電圧を所定の割合に分割
した各電圧レベルをスレツシユホールド電圧と
し、各スレツシユホールド電圧と、遅延させた前
記粒子波形とを比較して各レベルでの波形持続時
間を積分回路で相対測定し、正常基準値と比較す
ることによつて波形を取捨選択している。 しかし、この波形選択によるものは無視した信
号の数がかなりにのぼるため、サンプリング数を
多くして精度を保つ必要があり、能率面、精度面
で問題を残している。 特願昭59−115331号（昭和59年６月４日出願）
の特許出願は同一出願人の出願に係るものである
が、この出願の発明粒子分析装置は、前記の問題
を改善したものである。 しかしながら、その粒子分析装置では、なお、
条件設定がむずかしくて分析精度が十分には高く
はなく、回路が複雑になるという問題があつた。 この発明の目的は、回路構成がより簡単でかつ
分折精度がより高い粒子分析装置を提供すること
である。
この発明が前記問題点を解決するために講じた
技術的手段（発明の構成）は、つぎのとおりであ
る。 すなわち、この発明の粒子分析装置は、細孔に
おける粒子通過に伴う電気量発生手段と、この発
生電気量の微分手段と、前記微分手段の出力波形
が０レベル近くの正、負両レベル間の所定閾外に
あるときパルスを発生する弁別手段と、前記所定
閾を入力信号の大・小変化に応じて大・小変化す
る所定閾可変手段と、前記微分手段の出力波形が
０レベルにある時点を検出する０レベル検出手段
と、前記弁別手段の出力信号およ前記０レベル検
出手段の出力信号によつて前記発生電気量の信号
レベルをホールドする信号レベルホールド手段
と、前記弁別手段の出力信号により前記信号レベ
ルホールド手段の出力信号をＡ／Ｄ変換するＡ／
Ｄ変換手段とを備えたものである。
技術的手段（発明の構成）は、つぎのとおりであ
る。 すなわち、この発明の粒子分析装置は、細孔に
おける粒子通過に伴う電気量発生手段と、この発
生電気量の微分手段と、前記微分手段の出力波形
が０レベル近くの正、負両レベル間の所定閾外に
あるときパルスを発生する弁別手段と、前記所定
閾を入力信号の大・小変化に応じて大・小変化す
る所定閾可変手段と、前記微分手段の出力波形が
０レベルにある時点を検出する０レベル検出手段
と、前記弁別手段の出力信号およ前記０レベル検
出手段の出力信号によつて前記発生電気量の信号
レベルをホールドする信号レベルホールド手段
と、前記弁別手段の出力信号により前記信号レベ
ルホールド手段の出力信号をＡ／Ｄ変換するＡ／
Ｄ変換手段とを備えたものである。
この発明の構成による作用は、以下の実施例に
おける動作説明によつて明らかとなろう。
おける動作説明によつて明らかとなろう。
この発明の一実施例を第１図ないし第３図に基
づいて説明する。第１図は粒子分析装置の主要部
である波形処理装置のブロツクを、第２図はそれ
の動作を示す各部の波形を、第３図は粒子分析装
置の全体構成を概念図である。 第３図において、導電式粒子検出装置７は、試
料容器１、粒子懸濁試料２、細孔３を有する検出
器（絶縁壁）４と電極５，６を備え、試料２を流
動定量する流体制御部と、電極５，６に電位差を
与え、検出パルスを発生させ増幅する検出部から
なる。 波形処理装置８はこの発明の主要部をなすもの
であり、第１図がそのブロツク構成図を示す。波
形処理装置８は、微分回路３１、ACl回路
（Automatic Comparater Level回路）３２、絶
縁コンパレータ３３、後縁コンパレータ３４、ゼ
ロクロスコンパレータ３５、アンド回路３６、ワ
ンシヨツト回路３７、コンバートスタートパルス
回路３８、移相補正回路３９、サンプルホールド
回路４０、波高値Ａ／Ｄ変換回路４１ならびに
Tnセンターパルス回路４２からなる。 ａは導電式粒子検出装置７から微分回路３１お
よび移相補正回路３９に入力される入力端子線で
ある。 微分回路３１が、発明の構成にいう「微分手
段」の一例である。 前縁コンパレータ３３、後縁コンパレータ３４
およびTnセンターパルス回路４２が、発明の構
成にいう「弁別手段」の一例である。 ゼロクロスコンパレータ３５が、発明の構成に
いう「０レベル検出手段」の一例である。 ACL回路３２が、発明の構成にいう「所定閾
可変手段」の一例である。 サンプルホールド回路４０が、発明の構成にい
う「信号レベルホールド手段」の一例である。 波高値Ａ／Ｄ変換回路４１が、発明の構成にい
う「Ａ／Ｄ変換手段」の一例である。 微分回路３１の出力端子は、前縁コンパレータ
３３、後縁コンパレータ３４およびゼロクロスコ
ンパレータ３５の入力端子に接続されている。前
縁コンパレータ３３と後縁コンパレータ３４の出
力端間にTnセンターパルス回路４２が接続され、
Tnセンターパルス回路４２の出力端子とゼロク
ロスコンパレータ３５の出力端子とがアンド回路
３６の入力端子に接続されている。 そして、アンド回路３６の出力端子がワンシヨ
ツト回路３７の入力端子に接続され、ワンシヨツ
ト回路３７の出力端子が、サンプルホールド回路
４０のトリガ端子に接続されている。ワンシヨツ
ト回路３７は、サンプルホールド回路４０に対す
るトリガパルスを発生させるものである。 移相補正回路３９の出力端子はサンプルホール
ド回路４０の入力端子に接続され、サンプルホー
ルド回路４０の出力端子は波高値Ａ／Ｄ変換回路
４１の入力端子に接続されている。サンプルホー
ルド回路４０の出力端子は波高値Ａ／Ｄ変換回路
４１の入力端子に接続されている。サンプルホー
ルド回路４０は、ワンシヨツト回路３７の出力に
よつてトリガされたとき、波高値Ａ／Ｄ変換回路
４１に出力する。波高値Ａ／Ｄ変換回路４１から
は第３図の粒度記録装置９に出力される。 後縁コンパレータ３４の出力端子はコンバート
スタートパルス回路３８の入力端子に接続され、
コンバートスタートパルス回路３８の出力端子は
波高値Ａ／Ｄ変換回路４１のトリガ端子に接続さ
れている。コンバートスタートパルス回路３８が
発生したトリガパルスは、波高値Ａ／Ｄ変換回路
４１に入力される。 つぎに、波形処理装置８の動作を第２図に基づ
いて説明する。 導電式粒子検出装置７から増幅された種々の
波形の粒子パルスが入力端子ａを介して微分回
路３１および移相補正回路３９に入力される。 その入力信号の波形が第２図のａに例示され
ている。すなわち、第７図のロ，イ，ハに相当
する波形がこの順に示されている。 微分回路３１は、適正な時定数を持つ信号の
変化率に比例する信号を得るための回路であ
り、第２図の入力波形ａの勾配係数値に対応す
る出力が信号線ｂに得られ微分波形ｂが得られ
る。 ACL回路３２は、前縁コンパレータ３３、
後縁コンパレータ３４の比較電圧を供給する回
路であつて、入力信号の大・小変化に応じて比
較電圧が大・小に変化する。 なお、無信号時は、バイアス直流電圧が供給
されるようになつている。 前縁コンパレータ３３にACL回路３２の出
力電圧を正電圧で印加する（第２図ｂのE1参
照）のに対し、後縁コンパレータ３４には反転
させて負電圧を印加し（第２図ｂのE2参照）、
微分回路３１の出力を同様に印加する。 前縁コンパレータ３３は、微分回路３１の出
力波形がレベル電圧を正側に越える時に出力パ
ルスを発生する（第２図ｃ参照）。 後縁コンパレータ３４は、微分回路３１の出
力波形がレベル電圧を負側に越える時に出力パ
ルスを発生する（第２ｄ参照）。 Tnセンターパルス回路４２は、前縁コンパ
レータ３３の出力の立ち下がりで立ち上がり、
後縁コンパレータ３４の出力立ち上がりで立ち
下がるパルスを発生する（第２図ｅ参照）。 ゼロクロスコンパレータ３５は、比較電圧を
ほぼゼロ電圧として、僅かに０を越えると出力
パルスを発生する（第２図ｆ参照）。 ゼロクロスコンパレータ３５の出力とTnセ
ンターパルス回路４２の出力をアンド回路３６
に入力すると、アンド回路３６がワンシヨツト
回路３７にパルスを出力する（第２図ｇ参照）。 このパルスによつてワンシヨツト回路３７
は、サンプルホールド回路４０のトリガ端子に
対してホールドスタートトリガ信号を出力する
（第２図ｈ参照）。 サンプルホールド回路４０は、ホールドスタ
ートトリガ信号の入力によつて、移相補正回路
３９からの入力信号を、その時点でホールドす
る（第２図ｊ参照）。 一方、後縁コンパレータ３４の出力がコンバ
ートスタートパルス回路３８に入力され、コン
バートスタートパルス回路３８は、後縁パルス
の立ち上がりによつてコンバートスタートパル
スを波高値Ａ／Ｄ変換回路４１に出力する（第
２図ｉ参照）。 波高値Ａ／Ｄ変換回路４１は、コンバートス
タートパルスによつて、でホールドしていた
信号波高値をＡ／Ｄ変換し、粒度記録装置９に
出力する。 つぎに、微分信号をコンパレータで電圧比較し
た場合、波形歪み、信号レベル変動に影響される
ことなく、安定したパルス出力を得るための手段
を検討する。第４図に前縁パルスと後縁パルスの
特性を示す。図の左側は正常波形、右側は異常波
形を示す。Ａは入力波形、Ｂは微分波形、Ｃは前
縁パルス、Ｄは後縁パルスを示す。血球信号を微
分すると、歪み部分が強調される。そのため、図
Ｂのように一定のコンパレータ電圧にすると、歪
み部分にかかるとともに、入力信号の大小によ
り、パルス幅が変動してしまう。 この２つの問題を解決するために、つぎの２つ
の方法が考えられる。 (1) 微分信号の半値幅を自動的にピツクアツプす
る。 (2) コンパレータの比較電圧を入力レベルに応じ
て動かす。 第５図の回路は、の方法を採用したものであ
る。 第５図において、３３は前縁コンパレータ、
C1はコンデンサ、R1，R2，R3は抵抗、VCは直流
電源である。コンデンサC1と抵抗R1とが微分回
路３１を構成してる。３２ａはACL回路３２の
正側部分である。 無信号時には前縁コンパレータ３３の入力端子
に比較電圧VCが印加されている。入力信号があ
ると、R3／（R2＋R3）に低減されて比較電圧VC
に加算さ、前縁コンパレータ３３の（−）入力端
子に印加される。この時（＋）入力端子には、
C1，R1の時定数で微分された図Ｃの微分信号が
印加され、コンパレータ比較電圧が入力信号（破
線）に同期している。 この回路の波形を第６図に示す。Ａは入力波
形、Ｂは微分波形で破線はコンパレータ電圧を示
す。Ｃはコンパレータ出力波形である。 この回路の特徴は、微分波形中間部の影響を受
けにくいこと、および信号レベル変動に伴つて比
較電圧も追従的に変化するため、パルス幅の変動
を抑制することができるということである。 以上の構成により、微分回路３１の出力の中間
部の低いレベルの歪みの影響が、ゼロクロスコン
パレータ３５、前縁コンパレータ３３および後縁
コンパレータ３４に対して派及することが抑制さ
れ、粒子分析の精度が向上するとともに、回路構
成が特願昭59−115331号に開示の発明に比べて簡
単になる。 また、後縁パルス出力の確実性が増大し、コン
バートスタートパルスとして現実に使用すること
ができるようになり、正規パルスレベル以外のパ
ルスでもサンプルホールドが可能となる。このた
め、より簡素な論理を使用することができ、回路
構成を一層簡素化でき、精度も向上する。 したがつて、シース機構を使用しないで、従来
の検出機構に処理回路を付加するだけで、正確な
粒度分布信号を得ることも可能となる。
づいて説明する。第１図は粒子分析装置の主要部
である波形処理装置のブロツクを、第２図はそれ
の動作を示す各部の波形を、第３図は粒子分析装
置の全体構成を概念図である。 第３図において、導電式粒子検出装置７は、試
料容器１、粒子懸濁試料２、細孔３を有する検出
器（絶縁壁）４と電極５，６を備え、試料２を流
動定量する流体制御部と、電極５，６に電位差を
与え、検出パルスを発生させ増幅する検出部から
なる。 波形処理装置８はこの発明の主要部をなすもの
であり、第１図がそのブロツク構成図を示す。波
形処理装置８は、微分回路３１、ACl回路
（Automatic Comparater Level回路）３２、絶
縁コンパレータ３３、後縁コンパレータ３４、ゼ
ロクロスコンパレータ３５、アンド回路３６、ワ
ンシヨツト回路３７、コンバートスタートパルス
回路３８、移相補正回路３９、サンプルホールド
回路４０、波高値Ａ／Ｄ変換回路４１ならびに
Tnセンターパルス回路４２からなる。 ａは導電式粒子検出装置７から微分回路３１お
よび移相補正回路３９に入力される入力端子線で
ある。 微分回路３１が、発明の構成にいう「微分手
段」の一例である。 前縁コンパレータ３３、後縁コンパレータ３４
およびTnセンターパルス回路４２が、発明の構
成にいう「弁別手段」の一例である。 ゼロクロスコンパレータ３５が、発明の構成に
いう「０レベル検出手段」の一例である。 ACL回路３２が、発明の構成にいう「所定閾
可変手段」の一例である。 サンプルホールド回路４０が、発明の構成にい
う「信号レベルホールド手段」の一例である。 波高値Ａ／Ｄ変換回路４１が、発明の構成にい
う「Ａ／Ｄ変換手段」の一例である。 微分回路３１の出力端子は、前縁コンパレータ
３３、後縁コンパレータ３４およびゼロクロスコ
ンパレータ３５の入力端子に接続されている。前
縁コンパレータ３３と後縁コンパレータ３４の出
力端間にTnセンターパルス回路４２が接続され、
Tnセンターパルス回路４２の出力端子とゼロク
ロスコンパレータ３５の出力端子とがアンド回路
３６の入力端子に接続されている。 そして、アンド回路３６の出力端子がワンシヨ
ツト回路３７の入力端子に接続され、ワンシヨツ
ト回路３７の出力端子が、サンプルホールド回路
４０のトリガ端子に接続されている。ワンシヨツ
ト回路３７は、サンプルホールド回路４０に対す
るトリガパルスを発生させるものである。 移相補正回路３９の出力端子はサンプルホール
ド回路４０の入力端子に接続され、サンプルホー
ルド回路４０の出力端子は波高値Ａ／Ｄ変換回路
４１の入力端子に接続されている。サンプルホー
ルド回路４０の出力端子は波高値Ａ／Ｄ変換回路
４１の入力端子に接続されている。サンプルホー
ルド回路４０は、ワンシヨツト回路３７の出力に
よつてトリガされたとき、波高値Ａ／Ｄ変換回路
４１に出力する。波高値Ａ／Ｄ変換回路４１から
は第３図の粒度記録装置９に出力される。 後縁コンパレータ３４の出力端子はコンバート
スタートパルス回路３８の入力端子に接続され、
コンバートスタートパルス回路３８の出力端子は
波高値Ａ／Ｄ変換回路４１のトリガ端子に接続さ
れている。コンバートスタートパルス回路３８が
発生したトリガパルスは、波高値Ａ／Ｄ変換回路
４１に入力される。 つぎに、波形処理装置８の動作を第２図に基づ
いて説明する。 導電式粒子検出装置７から増幅された種々の
波形の粒子パルスが入力端子ａを介して微分回
路３１および移相補正回路３９に入力される。 その入力信号の波形が第２図のａに例示され
ている。すなわち、第７図のロ，イ，ハに相当
する波形がこの順に示されている。 微分回路３１は、適正な時定数を持つ信号の
変化率に比例する信号を得るための回路であ
り、第２図の入力波形ａの勾配係数値に対応す
る出力が信号線ｂに得られ微分波形ｂが得られ
る。 ACL回路３２は、前縁コンパレータ３３、
後縁コンパレータ３４の比較電圧を供給する回
路であつて、入力信号の大・小変化に応じて比
較電圧が大・小に変化する。 なお、無信号時は、バイアス直流電圧が供給
されるようになつている。 前縁コンパレータ３３にACL回路３２の出
力電圧を正電圧で印加する（第２図ｂのE1参
照）のに対し、後縁コンパレータ３４には反転
させて負電圧を印加し（第２図ｂのE2参照）、
微分回路３１の出力を同様に印加する。 前縁コンパレータ３３は、微分回路３１の出
力波形がレベル電圧を正側に越える時に出力パ
ルスを発生する（第２図ｃ参照）。 後縁コンパレータ３４は、微分回路３１の出
力波形がレベル電圧を負側に越える時に出力パ
ルスを発生する（第２ｄ参照）。 Tnセンターパルス回路４２は、前縁コンパ
レータ３３の出力の立ち下がりで立ち上がり、
後縁コンパレータ３４の出力立ち上がりで立ち
下がるパルスを発生する（第２図ｅ参照）。 ゼロクロスコンパレータ３５は、比較電圧を
ほぼゼロ電圧として、僅かに０を越えると出力
パルスを発生する（第２図ｆ参照）。 ゼロクロスコンパレータ３５の出力とTnセ
ンターパルス回路４２の出力をアンド回路３６
に入力すると、アンド回路３６がワンシヨツト
回路３７にパルスを出力する（第２図ｇ参照）。 このパルスによつてワンシヨツト回路３７
は、サンプルホールド回路４０のトリガ端子に
対してホールドスタートトリガ信号を出力する
（第２図ｈ参照）。 サンプルホールド回路４０は、ホールドスタ
ートトリガ信号の入力によつて、移相補正回路
３９からの入力信号を、その時点でホールドす
る（第２図ｊ参照）。 一方、後縁コンパレータ３４の出力がコンバ
ートスタートパルス回路３８に入力され、コン
バートスタートパルス回路３８は、後縁パルス
の立ち上がりによつてコンバートスタートパル
スを波高値Ａ／Ｄ変換回路４１に出力する（第
２図ｉ参照）。 波高値Ａ／Ｄ変換回路４１は、コンバートス
タートパルスによつて、でホールドしていた
信号波高値をＡ／Ｄ変換し、粒度記録装置９に
出力する。 つぎに、微分信号をコンパレータで電圧比較し
た場合、波形歪み、信号レベル変動に影響される
ことなく、安定したパルス出力を得るための手段
を検討する。第４図に前縁パルスと後縁パルスの
特性を示す。図の左側は正常波形、右側は異常波
形を示す。Ａは入力波形、Ｂは微分波形、Ｃは前
縁パルス、Ｄは後縁パルスを示す。血球信号を微
分すると、歪み部分が強調される。そのため、図
Ｂのように一定のコンパレータ電圧にすると、歪
み部分にかかるとともに、入力信号の大小によ
り、パルス幅が変動してしまう。 この２つの問題を解決するために、つぎの２つ
の方法が考えられる。 (1) 微分信号の半値幅を自動的にピツクアツプす
る。 (2) コンパレータの比較電圧を入力レベルに応じ
て動かす。 第５図の回路は、の方法を採用したものであ
る。 第５図において、３３は前縁コンパレータ、
C1はコンデンサ、R1，R2，R3は抵抗、VCは直流
電源である。コンデンサC1と抵抗R1とが微分回
路３１を構成してる。３２ａはACL回路３２の
正側部分である。 無信号時には前縁コンパレータ３３の入力端子
に比較電圧VCが印加されている。入力信号があ
ると、R3／（R2＋R3）に低減されて比較電圧VC
に加算さ、前縁コンパレータ３３の（−）入力端
子に印加される。この時（＋）入力端子には、
C1，R1の時定数で微分された図Ｃの微分信号が
印加され、コンパレータ比較電圧が入力信号（破
線）に同期している。 この回路の波形を第６図に示す。Ａは入力波
形、Ｂは微分波形で破線はコンパレータ電圧を示
す。Ｃはコンパレータ出力波形である。 この回路の特徴は、微分波形中間部の影響を受
けにくいこと、および信号レベル変動に伴つて比
較電圧も追従的に変化するため、パルス幅の変動
を抑制することができるということである。 以上の構成により、微分回路３１の出力の中間
部の低いレベルの歪みの影響が、ゼロクロスコン
パレータ３５、前縁コンパレータ３３および後縁
コンパレータ３４に対して派及することが抑制さ
れ、粒子分析の精度が向上するとともに、回路構
成が特願昭59−115331号に開示の発明に比べて簡
単になる。 また、後縁パルス出力の確実性が増大し、コン
バートスタートパルスとして現実に使用すること
ができるようになり、正規パルスレベル以外のパ
ルスでもサンプルホールドが可能となる。このた
め、より簡素な論理を使用することができ、回路
構成を一層簡素化でき、精度も向上する。 したがつて、シース機構を使用しないで、従来
の検出機構に処理回路を付加するだけで、正確な
粒度分布信号を得ることも可能となる。
この発明によれば、特願昭59−115331号に開示
のものに比べて、回路構成をより簡単化すること
ができるとともに、分析精度をより向上すること
ができるという効果がある。
のものに比べて、回路構成をより簡単化すること
ができるとともに、分析精度をより向上すること
ができるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例の粒子分析装置の
主要部である波形処理装置のブロツクを、第２図
はそれの動作を示す各部の波形を、第３図は粒子
分析装置の全体構成の概念図、第４図に前縁パル
スと後縁パルスの特性を示す特性図、第５図は前
縁コンパレータ回路まわりの回路図、第６図は改
善された特性図、第７図は従来例の主要部の断面
図、第８図はその波形図である。 ３１……微分回路（微分手段）、３２……ACL
回路（所定閾可変手段）、３３……前縁コンパレ
ータ、３４……後縁コンパレータ、４２……Tn
センターパルス回路、３３，３４，４２……弁別
手段、３５……ゼロクロスコンパレータ（０レベ
ル検出手段）、４０……サンプルホールド回路
（信号レベルホールド手段）、４１……波高値Ａ／
Ｄ変換回路（Ａ／Ｄ変換手段）。
主要部である波形処理装置のブロツクを、第２図
はそれの動作を示す各部の波形を、第３図は粒子
分析装置の全体構成の概念図、第４図に前縁パル
スと後縁パルスの特性を示す特性図、第５図は前
縁コンパレータ回路まわりの回路図、第６図は改
善された特性図、第７図は従来例の主要部の断面
図、第８図はその波形図である。 ３１……微分回路（微分手段）、３２……ACL
回路（所定閾可変手段）、３３……前縁コンパレ
ータ、３４……後縁コンパレータ、４２……Tn
センターパルス回路、３３，３４，４２……弁別
手段、３５……ゼロクロスコンパレータ（０レベ
ル検出手段）、４０……サンプルホールド回路
（信号レベルホールド手段）、４１……波高値Ａ／
Ｄ変換回路（Ａ／Ｄ変換手段）。
Claims (1)
- １ 細孔における粒子通過に伴う電気量発生手段
と、この発生電気量の微分手段と、前記微分手段
の出力波形が０レベル近くの正、負レベル間の所
定閾外にあるときパルスを発生する弁別手段と、
前記所定閾を入力信号の大・小変化に応じて大・
小変化する所定閾可変手段と、前記微分手段の出
力波形が０レベルにある時点を検出する０レベル
検出手段と、前記弁別手段の出力信号および前記
０レベル検出手段の出力信号によつて前記発生電
気量の信号レベルをホールドする信号レベルホー
ルド手段と、前記弁別手段の出力信号により前記
信号レベルホールド手段の出力信号をＡ／Ｄ変換
するＡ／Ｄ変換手段とを備えた粒子分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60015974A JPS61173133A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 粒子分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60015974A JPS61173133A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 粒子分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61173133A JPS61173133A (ja) | 1986-08-04 |
| JPH0479531B2 true JPH0479531B2 (ja) | 1992-12-16 |
Family
ID=11903674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60015974A Granted JPS61173133A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 粒子分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61173133A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0408216A3 (en) * | 1989-07-11 | 1991-09-18 | Hitachi, Ltd. | Method for processing wafers and producing semiconductor devices and apparatus for producing the same |
| JP2845773B2 (ja) * | 1995-04-27 | 1999-01-13 | 山形日本電気株式会社 | 常圧ｃｖｄ装置 |
-
1985
- 1985-01-29 JP JP60015974A patent/JPS61173133A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61173133A (ja) | 1986-08-04 |
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