JPS61174380A - 光ｃｖｄ薄膜形成装置 - Google Patents
光ｃｖｄ薄膜形成装置Info
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- JPS61174380A JPS61174380A JP1607585A JP1607585A JPS61174380A JP S61174380 A JPS61174380 A JP S61174380A JP 1607585 A JP1607585 A JP 1607585A JP 1607585 A JP1607585 A JP 1607585A JP S61174380 A JPS61174380 A JP S61174380A
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- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- valve
- reaction chamber
- forming
- rare gas
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- Pending
Links
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
炎血且１
本発明は光Ｃ’Ｊ ［） （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ ）法を用いた薄膜形成装置に
関する。
ｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ ）法を用いた薄膜形成装置に
関する。
従来技術
光ＣＶＤ法を用いてガラスヤ金屈基板上に薄膜を形成す
るための薄膜形成装置では、希ガスにより希釈された材
料ガスは、反応室内へ連続的に供給されるかまたはこの
反応室内に封じ込められたままである。
るための薄膜形成装置では、希ガスにより希釈された材
料ガスは、反応室内へ連続的に供給されるかまたはこの
反応室内に封じ込められたままである。
かかる従来の薄膜形成装置では、レーザや水銀ランプか
らの励起光を照射していないときにも材料ガスが常に反
応室内に存在しているので、励起光入射用の窓ガラスに
材料が付着し易く、その結果入射窓ガラスを励起光が透
過する際の透過率が低下するという欠点がある。また、
材料ガスを反応室内に封じ込めている場合には、励起光
の照射により生じる不純物を除去できないので、生成さ
れた薄膜の膜質が劣化する。
らの励起光を照射していないときにも材料ガスが常に反
応室内に存在しているので、励起光入射用の窓ガラスに
材料が付着し易く、その結果入射窓ガラスを励起光が透
過する際の透過率が低下するという欠点がある。また、
材料ガスを反応室内に封じ込めている場合には、励起光
の照射により生じる不純物を除去できないので、生成さ
れた薄膜の膜質が劣化する。
更に、従来の装置では、反応室内の材料の量を調節する
ためには、材料ガスの流口を制御するか、材料と希釈ガ
スとの成分比を変える必要があり、その調節が困難であ
る。
ためには、材料ガスの流口を制御するか、材料と希釈ガ
スとの成分比を変える必要があり、その調節が困難であ
る。
発明の目的
本発明は上記従来のものの欠点を除去すべくなされたも
のであり、その目的とするところは、間欠的に開田自在
なガス供給バルブを使用して必要時のみガスが反応室内
に存在するようにして生成膜の質の向上及びガス愚の調
整の容易化を図った光ＣＶＤＩＩＩ！形成装置を提供す
ることにある。
のであり、その目的とするところは、間欠的に開田自在
なガス供給バルブを使用して必要時のみガスが反応室内
に存在するようにして生成膜の質の向上及びガス愚の調
整の容易化を図った光ＣＶＤＩＩＩ！形成装置を提供す
ることにある。
１艶立且羞
本発明による光ＣｖＯ薄膜形成装置は、薄膜形成用の材
料ガスを間欠的に供給する手段を設けたことを特徴とす
る。
料ガスを間欠的に供給する手段を設けたことを特徴とす
る。
友ｌ旦
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の実施例の構成図であり、３は励起用光
源、４はこの光源からの出射光を反射するミラー、５は
この反射された励起光１７を透過せしめるアパーチャ、
６はこの励起光１７を集光する集光レンズであり、この
集光された励起光は、反応室１６内の対象基板８へ入射
窓ガラス７を介して照射されるようになっている。
源、４はこの光源からの出射光を反射するミラー、５は
この反射された励起光１７を透過せしめるアパーチャ、
６はこの励起光１７を集光する集光レンズであり、この
集光された励起光は、反応室１６内の対象基板８へ入射
窓ガラス７を介して照射されるようになっている。
１４は希ガス溜、１５は材料溜であり、これ等材料及び
希ガスは開閉弁１１を介してバルブ１へ供給されている
。１３ａ、１３ｂはヒータであり、１２はリザーバ、１
０Ｌｔ温度調節器である。このバルブ１を介して希ガス
及び材料は反応室１６内へ間欠的に供給されるものであ
る。
希ガスは開閉弁１１を介してバルブ１へ供給されている
。１３ａ、１３ｂはヒータであり、１２はリザーバ、１
０Ｌｔ温度調節器である。このバルブ１を介して希ガス
及び材料は反応室１６内へ間欠的に供給されるものであ
る。
そして不要になった反応室１６内の希ガス等は排気系２
により外部へ排気される。尚、９はトラップを示してい
る。
により外部へ排気される。尚、９はトラップを示してい
る。
バルブ１の例としては、第２図に示す様な構成が用いら
れ得る。すなわち、パルス電流源２３からの電流により
励起されるコイル２２が設けられており、このコイル２
２の励起時に金属棒２４がパルプ出口２１を開とする方
向に付勢される。よって、このとき材料ガスが反応室内
へ供給されるのである。この材料ガスの供給は励起光の
照射時間に合せて行われ、薄膜形成が終了すると、排気
系２により外部へ排気される。この構成のバルブでは、
最短１ミリ秒〜１０ミリ秒の開口時間を実現できる。
れ得る。すなわち、パルス電流源２３からの電流により
励起されるコイル２２が設けられており、このコイル２
２の励起時に金属棒２４がパルプ出口２１を開とする方
向に付勢される。よって、このとき材料ガスが反応室内
へ供給されるのである。この材料ガスの供給は励起光の
照射時間に合せて行われ、薄膜形成が終了すると、排気
系２により外部へ排気される。この構成のバルブでは、
最短１ミリ秒〜１０ミリ秒の開口時間を実現できる。
第３図はバルブ１の他の構成を示すもので、パルス電流
源３３から金属板３２に電流を供給するようにし、この
電流供給時に金属板３２の凹部が図の右方へ付勢されて
引かれ、この凹部とバルブ出口３１との間に嵌着されて
いるＯリング３５とこの凹部との間に隙間が生じる。こ
の隙間から供給ガスが反応室内へ流入するのである。こ
の構成では、最短１０マイクロ秒〜１００マイクロ秒の
開口時間を実現できるものである。
源３３から金属板３２に電流を供給するようにし、この
電流供給時に金属板３２の凹部が図の右方へ付勢されて
引かれ、この凹部とバルブ出口３１との間に嵌着されて
いるＯリング３５とこの凹部との間に隙間が生じる。こ
の隙間から供給ガスが反応室内へ流入するのである。こ
の構成では、最短１０マイクロ秒〜１００マイクロ秒の
開口時間を実現できるものである。
尚、バルブの構成は第２図、第３図のものに限定される
ものではないことは勿論である。
ものではないことは勿論である。
１１立１１
本発明によれば、励起光の照射に合わせて間欠的に開閉
するバルブと排気系とを設けることにより、薄膜形成時
のみ材料ガスが反応室内に存在するので、入射窓ガラス
への材料の付着や薄膜への不純物の混入が低減されとい
う効果がある。更に、反応室内の材料の量をバルブの開
閉時間を制御することにより、容易に調整できる効果が
ある。
するバルブと排気系とを設けることにより、薄膜形成時
のみ材料ガスが反応室内に存在するので、入射窓ガラス
への材料の付着や薄膜への不純物の混入が低減されとい
う効果がある。更に、反応室内の材料の量をバルブの開
閉時間を制御することにより、容易に調整できる効果が
ある。
第１図は本発明の実施例の構成図、第２図及び第３図゛
は第１図におけるバルブ１の具体例の構成を夫々示す図
である。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・バルブ ２・・・・・・排気系 ３・・・・・・光源 ７・・・・・・光入射用窓ガラス ８・・・・・・対象基板 １６・・・・・・反応室
は第１図におけるバルブ１の具体例の構成を夫々示す図
である。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・バルブ ２・・・・・・排気系 ３・・・・・・光源 ７・・・・・・光入射用窓ガラス ８・・・・・・対象基板 １６・・・・・・反応室
Claims (1)
- 光ＣＶＤ法を用いて所定基板上に薄膜を形成する装置
であつて、薄膜形成用の材料ガスを間欠的に供給する手
段を設けたことを特徴とする光ＣＶＤ薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1607585A JPS61174380A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 光ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1607585A JPS61174380A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 光ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61174380A true JPS61174380A (ja) | 1986-08-06 |
Family
ID=11906441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1607585A Pending JPS61174380A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 光ｃｖｄ薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61174380A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63232416A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Sony Corp | 光化学気相成長による薄膜形成方法 |
| US5288684A (en) * | 1990-03-27 | 1994-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photochemical vapor phase reaction apparatus and method of causing a photochemical vapor phase reaction |
-
1985
- 1985-01-30 JP JP1607585A patent/JPS61174380A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63232416A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Sony Corp | 光化学気相成長による薄膜形成方法 |
| US5288684A (en) * | 1990-03-27 | 1994-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photochemical vapor phase reaction apparatus and method of causing a photochemical vapor phase reaction |
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