JPS61176100A - 電子シンクロトロン - Google Patents
電子シンクロトロンInfo
- Publication number
- JPS61176100A JPS61176100A JP1477185A JP1477185A JPS61176100A JP S61176100 A JPS61176100 A JP S61176100A JP 1477185 A JP1477185 A JP 1477185A JP 1477185 A JP1477185 A JP 1477185A JP S61176100 A JPS61176100 A JP S61176100A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- synchrotron
- magnet
- electron
- focusing
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、電子シンクロトロンまたは電子蓄積屋シンク
ロトロンて係り、特にシンクロトロン放射光をリングラ
フィ用光源として受用するのに好適な電子ビーム制−用
磁石の構成に関する、〔発明の背景〕 シンクロトロン放射光(以下放射光と称す)は、高エネ
ルギー粒子加速器の副産物として得られ、相対論的な高
エネルギー荷電粒子が磁場によって偏向されるときに発
する電磁波である。この放射光は、指向性がよく、大強
度の白色光でおって、スペクトルの範囲がγ線頭域から
可視、赤外を経て電波領域にまで及んでいる。このため
、原子核、物性物理t−はじめ、材料の分析や加工技術
などの幅広い分野の新型光源として注目されている。こ
のため、放射光の利用を主目的とした専用加速器として
は、故100 M e V−数GeV級の電子蓄積型シ
ンクロトロンが世界各地において建設され、すでに稼動
している。
ロトロンて係り、特にシンクロトロン放射光をリングラ
フィ用光源として受用するのに好適な電子ビーム制−用
磁石の構成に関する、〔発明の背景〕 シンクロトロン放射光(以下放射光と称す)は、高エネ
ルギー粒子加速器の副産物として得られ、相対論的な高
エネルギー荷電粒子が磁場によって偏向されるときに発
する電磁波である。この放射光は、指向性がよく、大強
度の白色光でおって、スペクトルの範囲がγ線頭域から
可視、赤外を経て電波領域にまで及んでいる。このため
、原子核、物性物理t−はじめ、材料の分析や加工技術
などの幅広い分野の新型光源として注目されている。こ
のため、放射光の利用を主目的とした専用加速器として
は、故100 M e V−数GeV級の電子蓄積型シ
ンクロトロンが世界各地において建設され、すでに稼動
している。
日本国内の代表的な放射光専用加速器としては、高エネ
ルギー物理学研究所の2−5GeV庖子蓄積型シンクロ
トロン(フォトンファクト!7− PhotonFac
tory )があげられる。このフォトンファクトリ−
の性能および電子ビーム専用の電磁石構成などけ、Ik
、kLk、 i″ransactions on N
euclear j9ience。
ルギー物理学研究所の2−5GeV庖子蓄積型シンクロ
トロン(フォトンファクト!7− PhotonFac
tory )があげられる。このフォトンファクトリ−
の性能および電子ビーム専用の電磁石構成などけ、Ik
、kLk、 i″ransactions on N
euclear j9ience。
Vol 、NS −26,(1979)におけるKam
ada、 f(amjyaお、1び)(iharaによ
る” LATTICE OF’ PH0TON11’A
CTOi(、Y 5TOR,AGE ルING ”に
おいて論じられている。このフォトンファクトリ−は、
汎用の放射光光源として設計されておシ、偏向磁石が双
極磁場成分のみをもつセクタ(5ector )型磁石
であって、電子ビームの収束にはほとんど関与していな
い。そして、゛電子ビームの収束は、偏向磁石間に仲人
したd数個の4極磁石群によって行う、いわゆるセパレ
イテッドファンクション型の強収束電子蓄積型シンクロ
トロンである。したがって、偏向磁石内の電子ビームサ
イズは、比較的小さなものとなシ、放射光の光源サイズ
を小さくすることができるため、原子、分子のスペクト
ロスコピーの分野に適したものとなっている。
ada、 f(amjyaお、1び)(iharaによ
る” LATTICE OF’ PH0TON11’A
CTOi(、Y 5TOR,AGE ルING ”に
おいて論じられている。このフォトンファクトリ−は、
汎用の放射光光源として設計されておシ、偏向磁石が双
極磁場成分のみをもつセクタ(5ector )型磁石
であって、電子ビームの収束にはほとんど関与していな
い。そして、゛電子ビームの収束は、偏向磁石間に仲人
したd数個の4極磁石群によって行う、いわゆるセパレ
イテッドファンクション型の強収束電子蓄積型シンクロ
トロンである。したがって、偏向磁石内の電子ビームサ
イズは、比較的小さなものとなシ、放射光の光源サイズ
を小さくすることができるため、原子、分子のスペクト
ロスコピーの分野に適したものとなっている。
ところが、リングラフイは、広い面積に光音照射する必
要があり、一般的な電子シンクロトロンや電子蓄積型シ
ンクロトロンから得な放射光をリングラフィ用の光源と
するには適していない。すなわち、電子ビームから得ら
れる放射光は、前記したように電子ビームが電・磁石に
Lり運動方向を変えるときに得られる。したがって、第
7図に示すように電子ビーム10から得られる放射光ビ
ーム12は、水平方向に比較的大きな角、f:幅を得る
ことができるが、垂直方向に関しては放射光の自然広が
り角 程度の幅しか得ることができない。なお上式においてm
Qは電子の静止質量、Cは光速、Eは電子の全エネルギ
ーである。このため、シンクロトロンから得られる放射
光ビームは、直線状の狭い範囲しか照射することができ
ない。そこで、この放射光ビームをリングラフィ用の光
源とする場合、−向磁石内の電子ビームを上下にゆさぶ
る装置をストレイシリングに4t)付けたシ、反射鏡を
用いて放射光ビームを上下方向にスキャンするなどの方
法により、一度にシリコンウェハ上の広い面積を露光す
る方法がとられている。しかし、これらの補助装置は、
4造が11雑であったり、操作がむず刀≧しいという欠
点がめる。また、これらの補助装置を用゛いずに露光装
置を光源から充分離し、垂直方向に放射光ビームスポッ
トを増大させることは原理的に可能である。しかし、こ
の方法によるときは、放射光導出用ビームラインが長く
なるため、装置全体が大きくなる欠点を有している。
要があり、一般的な電子シンクロトロンや電子蓄積型シ
ンクロトロンから得な放射光をリングラフィ用の光源と
するには適していない。すなわち、電子ビームから得ら
れる放射光は、前記したように電子ビームが電・磁石に
Lり運動方向を変えるときに得られる。したがって、第
7図に示すように電子ビーム10から得られる放射光ビ
ーム12は、水平方向に比較的大きな角、f:幅を得る
ことができるが、垂直方向に関しては放射光の自然広が
り角 程度の幅しか得ることができない。なお上式においてm
Qは電子の静止質量、Cは光速、Eは電子の全エネルギ
ーである。このため、シンクロトロンから得られる放射
光ビームは、直線状の狭い範囲しか照射することができ
ない。そこで、この放射光ビームをリングラフィ用の光
源とする場合、−向磁石内の電子ビームを上下にゆさぶ
る装置をストレイシリングに4t)付けたシ、反射鏡を
用いて放射光ビームを上下方向にスキャンするなどの方
法により、一度にシリコンウェハ上の広い面積を露光す
る方法がとられている。しかし、これらの補助装置は、
4造が11雑であったり、操作がむず刀≧しいという欠
点がめる。また、これらの補助装置を用゛いずに露光装
置を光源から充分離し、垂直方向に放射光ビームスポッ
トを増大させることは原理的に可能である。しかし、こ
の方法によるときは、放射光導出用ビームラインが長く
なるため、装置全体が大きくなる欠点を有している。
本発明は、光I2@から近い距離においても垂直方向に
幅の広い放射光ビームを、容易に得ることができる電子
シンクロトロンを提供することを目的とする。
幅の広い放射光ビームを、容易に得ることができる電子
シンクロトロンを提供することを目的とする。
本発明は、偏向磁石の磁極間viを電子ビームの周回軌
道の内側から外側に向けて漸次拡開させ、電子ビーム偏
向用の双極磁場と、電子ビームの垂直方向収束用のため
の4極磁場とを同時に発生させることが可能な、いわゆ
るコンバインドtai1石とするとともに、各偏向磁石
間に′電子ビームの水平方向収束用第1g&石を配置し
、この4極磁石によ#)偏向磁石に入る電子ビームを垂
直方1司に発散させ、垂直方向に・嘔の広い放射光ビー
ムを得ることができるLうに4を成したものである。
道の内側から外側に向けて漸次拡開させ、電子ビーム偏
向用の双極磁場と、電子ビームの垂直方向収束用のため
の4極磁場とを同時に発生させることが可能な、いわゆ
るコンバインドtai1石とするとともに、各偏向磁石
間に′電子ビームの水平方向収束用第1g&石を配置し
、この4極磁石によ#)偏向磁石に入る電子ビームを垂
直方1司に発散させ、垂直方向に・嘔の広い放射光ビー
ムを得ることができるLうに4を成したものである。
本発明に係る電子シンクロトロンの好ましい実施例を、
添付図面に従って詳説する。
添付図面に従って詳説する。
第1図は、本発明に係る電子シンクロトロンの実施例の
ストレイシリングの一部を示したものである。dEx図
において、電子ビームlOはドーナツ状の真空容器内を
周回運動するようになっておシ、その真受容器のトロイ
ダル方向に沿ってa数の偏向磁石14a、14b、14
C・・・・・・と、複数の水平方向収束用4極磁石16
aj16b、・・・・・−とが交互に所定の間隔を隔て
て配置しである。各偏向磁石14a、14b、14c・
・・・・・の両端面は、(子ビーム10の入射、出射の
角度φが90度となるように形成してらる。また、各1
向磁石は、第2図にA同磁石14 a D新面を代表し
て示した如く、鉄心18が略C字状に形成して必る。そ
して鉄心18には、一対のコイル20が巻いてi、磁極
間隙22に配置した真空容器24に磁場を与えることが
できるように5±っている。1櫃間隙22は、鉄心18
の磁匝部が円または双曲線の一部をなす曲観伏に形成す
ることによシ、電子ビーム10の周回軌道の内側から外
側に向けて漸次拡開している。このため、鉄心18のa
ttは、双極磁場の池に、電子ビーム10の垂直方向収
束用の4極磁場をも同時に発生する。
ストレイシリングの一部を示したものである。dEx図
において、電子ビームlOはドーナツ状の真空容器内を
周回運動するようになっておシ、その真受容器のトロイ
ダル方向に沿ってa数の偏向磁石14a、14b、14
C・・・・・・と、複数の水平方向収束用4極磁石16
aj16b、・・・・・−とが交互に所定の間隔を隔て
て配置しである。各偏向磁石14a、14b、14c・
・・・・・の両端面は、(子ビーム10の入射、出射の
角度φが90度となるように形成してらる。また、各1
向磁石は、第2図にA同磁石14 a D新面を代表し
て示した如く、鉄心18が略C字状に形成して必る。そ
して鉄心18には、一対のコイル20が巻いてi、磁極
間隙22に配置した真空容器24に磁場を与えることが
できるように5±っている。1櫃間隙22は、鉄心18
の磁匝部が円または双曲線の一部をなす曲観伏に形成す
ることによシ、電子ビーム10の周回軌道の内側から外
側に向けて漸次拡開している。このため、鉄心18のa
ttは、双極磁場の池に、電子ビーム10の垂直方向収
束用の4極磁場をも同時に発生する。
上記のy口<34成した実施例の作用は次のと′J?シ
である。
である。
遊子ビーム10は、各゛1向磁石14a、14b。
14C2・・・・・・に2いて、垂直方向に関して収束
させられ、水平方向に関して発散させられる。また、k
子ビーム10に、6水平方向収束用4極磁石16a、1
5b、 ・・・・・・において垂直方向に発散させられ
、水平方向に関して収束させられる。そこで、磁場の強
さを適正にすることにより、垂直方向の電子ビームサイ
ズを偏向磁石内において最大となるようにし、水平方向
収束用4極磁石内において最小になる二うにすることが
できる。また、水平方向の電子ビームサイズを水平方向
収束用4極磁石内において最大にし、偏向磁石内におい
て最小にすることができる。第3図は、このような電子
ビームの水平方向および垂直方向の電子ビームサイズの
分布状況を、電子ビームの周回軌道Sに沿って模式的に
示し九ものである。このように偏向磁石内において垂直
方向の電子ビームサイズを大きくすることにより、放射
光光源t−電子ビームサイズに対応させて垂直方向に広
げることが可能となシ、光源から比較的近い距離におい
ても、リングラフィ用光源に適し之大きな露光面積を得
ることができるとともに、強収束型の電子シンクロトロ
ンを構成することができる。
させられ、水平方向に関して発散させられる。また、k
子ビーム10に、6水平方向収束用4極磁石16a、1
5b、 ・・・・・・において垂直方向に発散させられ
、水平方向に関して収束させられる。そこで、磁場の強
さを適正にすることにより、垂直方向の電子ビームサイ
ズを偏向磁石内において最大となるようにし、水平方向
収束用4極磁石内において最小になる二うにすることが
できる。また、水平方向の電子ビームサイズを水平方向
収束用4極磁石内において最大にし、偏向磁石内におい
て最小にすることができる。第3図は、このような電子
ビームの水平方向および垂直方向の電子ビームサイズの
分布状況を、電子ビームの周回軌道Sに沿って模式的に
示し九ものである。このように偏向磁石内において垂直
方向の電子ビームサイズを大きくすることにより、放射
光光源t−電子ビームサイズに対応させて垂直方向に広
げることが可能となシ、光源から比較的近い距離におい
ても、リングラフィ用光源に適し之大きな露光面積を得
ることができるとともに、強収束型の電子シンクロトロ
ンを構成することができる。
このリングラフィ用光源に適した電子ビームサイズの分
布特性が得られる理由は、シンクロトロンにおける電子
軌道の理論を用いて証明することができ、定性的には光
学レンズとのアナロジ−により理解することができる。
布特性が得られる理由は、シンクロトロンにおける電子
軌道の理論を用いて証明することができ、定性的には光
学レンズとのアナロジ−により理解することができる。
すなわち、電子ビームの垂直方向振動に関しては、偏向
磁石が凸レンズとして作用し、水平方向収束用4極磁石
が凹レンズとして作用する、と考えることができる。し
たがって、垂直方向の電子ビームサイズを示す曲線は、
第3図に示すように偏向磁石において上に凸、水平方向
収束用4極磁石において下に凸となる。一方、電子ビー
ムの水平方向振動に関しては、偏向磁石が凹レンズとし
て作用し、水平方向収束用4極磁石が凸レンズとして作
用する。
磁石が凸レンズとして作用し、水平方向収束用4極磁石
が凹レンズとして作用する、と考えることができる。し
たがって、垂直方向の電子ビームサイズを示す曲線は、
第3図に示すように偏向磁石において上に凸、水平方向
収束用4極磁石において下に凸となる。一方、電子ビー
ムの水平方向振動に関しては、偏向磁石が凹レンズとし
て作用し、水平方向収束用4極磁石が凸レンズとして作
用する。
なお、本実施例においては、電子ビーム10が各偏向磁
石へ垂直に入射するようにしであるため、端部aJ!K
Aるエツジフォーカシングの影響を考える必要がなく
、電子ビーム10の安定性解析が容易である効果がるる
。ま九、amな機構金もった補助装置を用いることなく
、大きな露光面積を得ることができ、装置の簡素化が図
れ、保守、運転が容易となる。
石へ垂直に入射するようにしであるため、端部aJ!K
Aるエツジフォーカシングの影響を考える必要がなく
、電子ビーム10の安定性解析が容易である効果がるる
。ま九、amな機構金もった補助装置を用いることなく
、大きな露光面積を得ることができ、装置の簡素化が図
れ、保守、運転が容易となる。
第4図は、本発明に係る電子シンクロトロンの他の実施
例を示したものである。$4図に示した実施例は、各偏
向磁石14 a、 14 b、 14 c。
例を示したものである。$4図に示した実施例は、各偏
向磁石14 a、 14 b、 14 c。
・・・・・・の間に配置する収束用の4極磁石が水平方
向収束用4極磁石16 a、 16 b、 16
c、・・・・・・と垂直方向収束用4甑磁石26a、2
6b、26c。
向収束用4極磁石16 a、 16 b、 16
c、・・・・・・と垂直方向収束用4甑磁石26a、2
6b、26c。
・・・・・・とからなる4、原磁石群を構成している。
このように構成することによシ、垂直方向収束用の4極
磁石の強度を変えることにより、電子ビーム10の寿i
#を延ばすことができ、装置の運転上における自由度が
増大し、運転頭載を広くとることができるため、電子ビ
ームの安定性を向上させることができるという効果を生
ずる。
磁石の強度を変えることにより、電子ビーム10の寿i
#を延ばすことができ、装置の運転上における自由度が
増大し、運転頭載を広くとることができるため、電子ビ
ームの安定性を向上させることができるという効果を生
ずる。
第5図は、各偏向磁石への電子ビーム10の入射角φが
90度よシ小さくなるように偏向−石14 a、 l
4 b、 14 c、・・・・・・の磁極端面を形
成し、偏向磁石14 a、 14 b、 14 C
,・・・・・・の端部磁場を利用して水平方向の収束作
用(エツジフォーカシング)ヲ得るようにしたものであ
る。この実施例においては、水平方向収束用4極磁石の
作用を、偏向磁石の端部磁場による収束作用をもつてお
き換えたため、偏向磁石のみで強収束型シンクロトロン
を構成できる効果がある。また、各偏向磁石14 a、
14 b、 14 c、・・・・・・の間に垂直
方向収束用4極磁石を配置し、第4図に示した実施例と
同様の効果をあげることができる。第6図は、偏向磁石
の界磁巻線として超伝導コイルを用い九例を示したもの
である。超伝導コイル28を用いることによシ、起磁力
を大きくとることができ、磁極間隙22を簡単に大きく
することができる。このため、真空容器24の垂直方向
の開口を増大でき、真空容器内壁と電子ビーム1oとの
相互作用による電子ど一ム10の損失を減少することが
できる。したがって、電子ビーム10の寿命を大きくす
ることができる効果がある。また、超伝導コイル28を
用いたことにょシ、偏向磁石の双極磁場成分を常伝導コ
イルを用いた場合よシ大きくすることができ、電子ビー
ム10の曲率半径が小さくなる九め、ストレイシリング
全体を小型化できる効果がある。
90度よシ小さくなるように偏向−石14 a、 l
4 b、 14 c、・・・・・・の磁極端面を形
成し、偏向磁石14 a、 14 b、 14 C
,・・・・・・の端部磁場を利用して水平方向の収束作
用(エツジフォーカシング)ヲ得るようにしたものであ
る。この実施例においては、水平方向収束用4極磁石の
作用を、偏向磁石の端部磁場による収束作用をもつてお
き換えたため、偏向磁石のみで強収束型シンクロトロン
を構成できる効果がある。また、各偏向磁石14 a、
14 b、 14 c、・・・・・・の間に垂直
方向収束用4極磁石を配置し、第4図に示した実施例と
同様の効果をあげることができる。第6図は、偏向磁石
の界磁巻線として超伝導コイルを用い九例を示したもの
である。超伝導コイル28を用いることによシ、起磁力
を大きくとることができ、磁極間隙22を簡単に大きく
することができる。このため、真空容器24の垂直方向
の開口を増大でき、真空容器内壁と電子ビーム1oとの
相互作用による電子ど一ム10の損失を減少することが
できる。したがって、電子ビーム10の寿命を大きくす
ることができる効果がある。また、超伝導コイル28を
用いたことにょシ、偏向磁石の双極磁場成分を常伝導コ
イルを用いた場合よシ大きくすることができ、電子ビー
ム10の曲率半径が小さくなる九め、ストレイシリング
全体を小型化できる効果がある。
以上説明したように、本発明によれば、光源から近い距
離においても、垂直方向に−の広い枚射光ビームを容易
に得ることができる。
離においても、垂直方向に−の広い枚射光ビームを容易
に得ることができる。
第1図は本発明に係る電子シンクロトロンの実施例のス
トレイシリングの磁石配置図、第2図は前記実施例の偏
向磁石の断面図、第3図は前記実施例における電子ビー
ムサイズの分布特性の模式図、第4図は本発明に係る電
子シンクロトロンの他の実施例のストレイシリングの磁
石配置図、第5図は1向磁石のエツジフォーカシングを
利用したストレイシリングの例を示した図、第6因は超
伝導コイルを用いた偏向磁石の実施例の断面図、第7図
は従来の電子シンクロトロンから取り出される放射光ビ
ームの説明図である。 10−・・電子ビーム、14at 14b、t4cm
’−偏向磁石、16a、16b、16C・・・水平方向
収束用4砥磁石、24−・・真空容器、26 a、
26 b。 26C・・・垂直方向収束用4他磁石。
トレイシリングの磁石配置図、第2図は前記実施例の偏
向磁石の断面図、第3図は前記実施例における電子ビー
ムサイズの分布特性の模式図、第4図は本発明に係る電
子シンクロトロンの他の実施例のストレイシリングの磁
石配置図、第5図は1向磁石のエツジフォーカシングを
利用したストレイシリングの例を示した図、第6因は超
伝導コイルを用いた偏向磁石の実施例の断面図、第7図
は従来の電子シンクロトロンから取り出される放射光ビ
ームの説明図である。 10−・・電子ビーム、14at 14b、t4cm
’−偏向磁石、16a、16b、16C・・・水平方向
収束用4砥磁石、24−・・真空容器、26 a、
26 b。 26C・・・垂直方向収束用4他磁石。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、内部を高エネルギー電子ビームが周回運動するドー
ナツ状の真空容器と、この真空容器のトロイダル方向に
沿つて所定間隔を隔てて配設され、前記電子ビームの運
動方向を変える複数の偏向磁石と、これら複数の偏向磁
石間に配設され、前記電子ビームを収束させる4極磁石
とを有する電子シンクロトロンにおいて、前記偏向磁石
は磁極間隙が前記電子ビームの周回軌道内側から外側に
向けて漸次拡開しており、前記4極磁石は前記電子ビー
ムの水平方向収束用であることを特徴とする電子シンク
ロトロン。 2、前記偏向磁石間に配置する4極磁石は、前記電子ビ
ームの水平方向収束用4極磁石と垂直方向収束用4極磁
石とからなる4極磁石群を構成していることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項に記載の電子シンクロトロン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1477185A JPS61176100A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 電子シンクロトロン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1477185A JPS61176100A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 電子シンクロトロン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61176100A true JPS61176100A (ja) | 1986-08-07 |
Family
ID=11870317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1477185A Pending JPS61176100A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 電子シンクロトロン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61176100A (ja) |
-
1985
- 1985-01-29 JP JP1477185A patent/JPS61176100A/ja active Pending
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