JPS61189558A

JPS61189558A - 光受容部材

Info

Publication number: JPS61189558A
Application number: JP60029219A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Shirai; 茂白井
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1985-02-19
Filing date: 1985-02-19
Publication date: 1986-08-23
Anticipated expiration: 2011-09-18
Also published as: JP2536730B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の属する技術分野〕本発明は、光（ここでは広義の光であって、紫外線、可
視光線、赤外線、Ｘ線、γ線等を意味する。）のような
電磁波に対して感受性のある光受容部材に関する。

〔従来技術の説明〕

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ　
）　／暗電流（Ｉｄ））が高く、照射する電磁波のス啄
りトル特性に適合した吸収ス滅りトル特性を有すること
、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、使用
時において人体に対して無公害であること、更には固体
撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処理す
ることができること等の特性が要求される。殊に、事務
機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組込ま
れる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用時に
おける無公害性が重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光受容材料に
アモルファスシリコ：ｙ（以ｆｆ１ａ−８ｉと表記す）
があり、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同
第２８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材とし
て、独国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取
装置への応用が記載されている。

し７かしながら、従来のａ−８ｉで構成された光受容層
を有する光受容部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等
の電気的、光学的、光導電的特性、及び使用環境特性の
点、更には経時的安定性及び耐久性の点において、各々
、個々には特性の向上が計られているが、総合的な特性
向上を計る上で更に改良される余地が存するのが実情で
ある。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると従来におい
てはその使用時において残留′電位が残る場合が度々観
測され、この種の光受容部材は長時間繰返し使用し続け
ると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が生
ずる所謂ゴースト現象を発する様になる等の不都合な点
が少なくなかった。

又、ａ　−Ｓｉ材料で光受容層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素原子
或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気
伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いはその
他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子として
光受。

客層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方
如何によっては、形成した層の電気的或いは光導電的特
性や電気的耐圧性に問題が生ずる場合があった。

即ち、例えば、形成した光受容層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
とや、暗部における支持体側よりの電荷の注入の阻止が
充分でないこと、或いは、転写紙に転写された画像に俗
に「白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象による
と思われる画像欠陥や、クリーニングにブレードを用い
るとその摺擦によると思われる、俗に「白スジ」と云わ
れている画像欠陥が生じたりしていた。又、多湿雰囲気
中で使用したυ、或いは多湿雰囲気中に長時間放置した
直後に使用すると俗に云う画像のボケが生ずる場合が少
なくなかった。

更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の真空堆積
室より取り出した後、空気中での放置時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂が
生ずる等の現象を引起しがちになる。この現象は、殊に
支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されているド
ラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点に
於いて解決されるべき点がある。

従ってａ−３ｉ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光受容部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

〔発明の目的〕

本発明は、上述のごときａ−３ｉで構成された光受容層
を有する光受容部材における諸問題を解決することを目
的とするものである。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しておシ、耐光疲労に凌れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全くか又は殆んど観測されない、ａ−８ｉで構成
された光受容層を有する光受容部材を提供することにあ
る。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い、ａ−
３ｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにある。

本発明の更に他の目的は、電子写真用像形成部材として
適用させた場合、静電像形成のための帯電処理の際の電
荷保持能力が充分あり、通常の電子写真法が極めて有効
に適用され得る優れた電子写真特性を有する、ａ−８ｉ
で構成された光受容層を有する光受容部材を提供するこ
とにある。

本発明の別の目的は、長期の使用に於いて画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、・・−フトーンが鮮
明に出て且つＷｌ像度の高い、高品質画像を得ることが
容易にできる電子写真用のａ−３ｉで構成された光受容
層を有する光受容部材を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、ａ　−Ｓｉで構成された光
受容層を有する光受容部材を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明は上記の目的を達成するものであって、電子写真
用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等に使用される
光受容部材としてのａ−８ｉの製品成立性、適用性、応
用性等の事項を含めて総括的に鋭意研究を続けた結果、
シリコン原子を母体とする非晶質材料、特にシリコン原
子を母体とし、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）
の少なくともいずれか一方を含有するアモルファス材料
、いわゆる水素化アモルファスシリコン、ハロゲン化ア
モルファスシリコン、アルイハハロケン含有水素化アモ
ルファスシリコン〔以下、［ａ　−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）　
Ｊと表記する。］で構成される光受容層を有する光受容
部材の層構成を以下に記載する様な特定の二層構成の下
に設計されて作成された光受容部材が、実用上著しく優
れた特性を示すばかりでなく、従来の光受容部材と比較
してみてもあらゆる点において凌駕しておシ、特に電子
写真用の光受容部材として著しく優れた特性を有してい
るという事実を見に出したことに基づいて完成せしめた
ものである。

即ち、本発明の光受容部材は、支持体と、シリコン原子
を母体とする非晶質材料で構成され、伝導性を制御する
物質を含有することもある、光導電性を有する第一の層
と、シリコン原子を母体とし炭素原子及び伝導性を制御
する物質を含有する非晶質材料で構成される第二の層と
を積層してなる光受容層とからなり、少くとも前記第一
の層と前記第二の層のいずれか一方が、全層領域もしく
は一部の層領域に酸素を均一に分布した状態で含有して
いることを特徴としている。

そして、前記第一の層を構成するシリコン原子を母体と
する非晶質材料としては、特にシリコン原子（Ｓｉ）を
母体とし、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）の少
なくともいずれか一方を含有するアモルファス材料即ち
ａ　−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）を用い、前記第二の層を構成す
る、シリコン原子を母体とし炭素原子及び伝導性を制御
する物質を含有する非晶質材料としては、特に、シリコ
ン原子（Ｓｌ）を母体とし、炭素原子（Ｃ）と、伝導性
を制御する物質（ロ）と、水素原子（Ｉ（）又はノ・ロ
ゲン原子〆）の少なくともいずれか一方とを含有するア
モルファス材料〔以下［ａ−ｓｉｃＭ（Ｈ，Ｘ）　Ｊ（
但し、Ｍは、伝導性を制御する物質を表わす。）と表記
する。〕を用いる。

前記の伝導性を制御する物質としては、半導体分野に於
ていう、いわゆる不純物を挙げることができ、Ｐ型伝導
性を与える周期律表第■族に属する原子（以下筒■族原
子と称す。）、又は、ｎ警示導性を与える周期律表第Ｖ
族に属する原子（以下筒Ｖ族原子と称す。）を用いる。

具体的には、第■族原子としては、Ｂ（硼素）、Ａｌ　
（アルミニウム）、Ｃ）ａ、　（ガリウム）、ＴΩ（イ
ンジウム）、ＴＯタリウム）等を、特に好ましくは、Ｂ
、Ｇａを用いる。また、第Ｖ族原子としては、Ｐ（燐）
、ＡＳ　（砒素）、ｓｂ　（アンチモン）、Ｂｉ（ビス
マス）等を、特に好ましくは、Ｐ、Ａｓを用いる。そし
て、第一の層に含有せしめる伝導性を制御する物質と、
第二の層に含有せしめる伝導性を制御する物質とは、同
じであっても、或いは、異なっていてもよい。これらの
伝導性を制御する物質は、第一の層についてはその全層
領域中又は一部の層領域中に均一に分布するように含有
せしめ、第二の層についてはその全層領域中に均一に分
布するように含有せしめる。

第一の層についてそ゛の全層領域中に伝導性を制御する
物質を均一に分布するように含有せしめる場合、主とし
て第一の層の伝導型又は／及び伝導率を制御する効果が
奏される。この場合、含有せしめる伝導性を制御する物
質の量は比較的わずかな量でよい。

また、第一の層についてその一部の層領域中、即ち、例
えば支持体と接する一部の層領域中に伝導性を制御する
物質を均一に分布するように含有せしめる場合、電荷注
入阻止層としての効果が奏される。この場合、含有せし
める伝導性を制御する物質の量は比較的多量である。

さらに、上述の場合とは逆に、第一の層の、第二の層と
接する一部の層領域中に伝導性を制御する物質を均一に
分布するように含有せしめる場合、第一の層と第二の層
に含有せしめる伝導性を制御する物質の伝導型が同じで
あれば、第一の層と第二の層の間のエネルギーレベル的
整合性を向上せしめ、両層間での電荷の移送を高めると
いう効果が奏され、この効果は第二の層の１４厚が厚く
、暗抵抗が高い場合に特に顕著である。まだ、第二の層
と接する第一の層の一部の層領域中に均一に分布するよ
うに含有せしめる場合において、第一の層と第二の層に
含有せしめる伝導性を制御する物質の伝導型が異なって
いる場合、該層領域は積極的に第一の層と第二の層の接
合部となシ、帯電処理時における見掛は上の暗抵抗の増
大をはかるという効果が奏される。そして、第二の層と
接する第一の層の一部の層領域に伝導性を制御する物質
を含有せしめる場合には、その量は比較的わずかな量で
よい。

本発明の光受容部材の第二の層は、耐湿性、連続繰返し
使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性、および耐久性
等を向上させる目的で、第一の層上に設けられる。そし
てこの目的は、第二の層を構成するアモルファス材料に
炭素原子を構造的に導入せしめることにより達成できる
。

第二の層に炭素原子を構造的に導入する場合、炭素原子
の量の増加に伴って、前述の特性は向上するが、炭素原
子の量が多すぎると層品質が低下し、電気的および機械
的特性も低下する。

こうしたことから、炭素原子の含有量は通常は、１　ｘ
　１０−”　ｗ９０　ａｔｏｍｉｃ％とし、好ましくは
１〜９０ａｔｏｍｉｃ　％、最適には１０　ｗ　８０　
ａｔｏｍｉｃ　％とする。

さらに、連続繰返し使用特性および耐久性の向上のため
には、第二の層の層厚を厚くすることが好ましいが、層
厚が厚くなると残留電位の発生原因となる。こうしたこ
とから、第二の層に伝導性を制御する物質、即ち、第■
族原子又は第Ｖ族原子を含有せしめることにより、前述
の残留電位の発生を、防止するかあるいは実質的な影響
がない程度に抑止することができる。

通常の場合のこの種の第二の層は、機械的耐久性には優
れているが、先端が鋭角なもので該層の表面を摺擦した
り、あるいは押圧したりすると、表面にいわゆる傷とし
て残らないにしても、帯電処理時には静電荷的痕跡傷と
なって現われ、トナー転写画像の画像品質の低下をきた
してしまう場合が多々ある。こうした場合にも、第二の
層に伝導性を制御する物質を含有せしめることによシ、
これらの問題の発生を未然に防止できる。

ところで、第一の層の全層領域、第一の層の一部の層領
域、第二の層の全層領域、のいずれかに酸素原子を均一
に分布するように含有せしめることの目的は、光受容部
材の高光感度化と高暗抵抗化、更には支持体と第一の層
の間の、あるいは第一の層と第二の層との間の密着性の
。

改善等を図ることにある。そして、高光感度化と高暗抵
抗化を図ることを主たる目的にする場合には、酸素原子
を、第一の層の全層領域に含有せしめるか、あるいは第
一の層の全層領域と第二の層の双方に含有せしめ、また
、支持体と第一の層の間の密着性を図ることを主たる目
的にする場合には、酸素原子を、第一の層の支持体と接
する一部の層領域に含有せしめる。更に、第一の層と第
二の層の間の密着性を図ることを主たる目的にする場合
には、酸素原子を、第一の層の第二の層と接する一部の
層領域に含有せしめるか、第二の層に含有せしめるか、
あるいはその両者に含有せしめる。

酸素原子の含有量は、光感度と暗抵抗の向上を主たる目
的にする場合には比較的少なくてよく、密着性の向上を
主たる目的にする場合には比較的多くすることが望まし
い。また、酸素原子の含有量は、酸素を含有している層
と隣接する他の層の特性や、酸素を含有している層と他
の層との界面の特性等との関係も考慮して決定する必要
もある。こうしたことから、酸素原子の含有量は、一般
的には０．００１〜５０　ａｔｏｍｉｃ　％とするが、
好ましくは０．００２〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％、より
好ましくは０．００３〜３０ａｔｏｍｉｃ％とする。さ
らに・酸素原子の含有量の上限の値は、酸素原子を第一
の層と第二の層の双方に含有している場合、あるいは、
酸素原子を含有している一部の層領域の第一の層におい
て占める割合が充分に大きい場合、即ち、例えば酸素原
子を含有している一部の層領域の層厚が第二の層の層厚
の４０チ以上となるような場合には、前述の値より小さ
くすることが望ましく、具体的には上限の値は通常３０
　ａｔｏｍｉｃ　％とするが、好ましくは２０　ａｔｏ
ｍｉｃ％、より好ましくは１０　ａｔｏｍｉｃ％とする
。

本発明における第一の層の層厚および第二の層の層厚は
、本発明の目的を効率的に達成するためには重要な要因
の１つであシ、所期の目的に応じて適宜決定されるもの
であるが、各層に含有せしめる酸素原子、第■族原子、
第Ｖ族原子、炭素原子、ハロゲン原子、水素原子の量、
あるいは各層相圧の層厚等の関係において、要求される
特性に応じて相互的かつ有機的関連性の下に決定する必
要もある。更に、生産性や量産性をも加味した経済性の
点においても考慮する必要がある。こうしたことから、
第一の層の層厚は通常は１〜１００μ、好ましくは１〜
８０μ、最適には２〜５０μとし、第二の層の層厚は通
常は３　Ｘ　１０−３〜３０μ、好ましくは４Ｘ１０−
３〜２０μ、最適には５　Ｘ　１０−３〜１０μとする
。

本発明に用いる支持体は、導電性でも電気絶縁性であっ
てもよく、導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ　
、ステンレス、Ａ１．　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ。

ＮｂｌＴａ％Ｖ、　Ｔｉ、Ｐｔ、　Ｐｂ等の金属又はこ
れ等の合金が挙げられ、電気絶縁性支持体としては、ポ
リエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロ
ースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリゾ／、ポリスチレン、ホリアミド等の合成
樹脂のフィルム又はシート、ガラス、セラミック、紙等
を使用する。これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少
なくともその一方の表面を導電処理し、該導電処理され
た表面側に光受容層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、Ａ１
１！、Ｃｒ、　Ｍｏ５Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ１
Ｖ、Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ。

Ｉ　ｎ２０，５．５ｎ０２、工ＴＯ（■ｎ２０３＋Ｓｎ
○２）等から成る薄膜を設けることによって導電性を付
与し、或いは、ｔ？　ＩＪエステルフィルム等の合成樹
脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ１ＡＪ、　Ａｇ、　Ｐｂ
、　Ｚｎ１Ｎｉ、　Ａｕ。

Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｒ％Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐ
ｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッ
タリング等でその表面に設け、又は前記金属でその表面
をラミネート処理して、その表面に導電性を付与する。

支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意
の形状が使用可能であシ、所望によって、その形状を決
定するが、例えば、電子写真用像形成部材として使用す
るのであれば連続高速複写の場合には、無端ベルト状又
は円筒状とするのが望ましい。支持体の厚さは、所望通
りの光受容部材を形成しうる様に適宜決定するが、光受
容部材として可撓性が要求される場合には、支持体とし
ての機能が充分発揮される範囲内で可能な限シ薄くする
。しかしながら、この様な場合支持体の製造上及び取扱
い上、機械的強度等の点から、通常は、１０μ以上とす
る。

本発明の光受容９部材は前記のごとき層構成としたこと
により、前記したアモルファスシリコンで構成された光
受容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、
極めて優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的耐
圧性及び使用環境特性を示す。特に、電子写真用像形成
部材として適用した場合には、画像形成への残留電位の
影響が全くなく、その電気的特性が安定しており高感度
で、高ＳＮ比を有するものであって、耐光疲労、繰返し
使用特性て優れ、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に出
て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安定して繰返し
得ることができる。

又、本発明の光受容部材は支持体上に形成される光受容
層が、層目体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
著しく優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用す
ることが出来る。

以下、図面により本発明の光受容部材の具体的層構成に
ついて詳しく説明する。

第１〜４図は本発明の光受容部材の層構成を説明するた
めに模式的に示した図であり、各図において１００は光
受容部材、１０１は支持体、１０２は第一の層、１０３
は第二の層、１０４は自由表面を表わす。

第１図は支持体１０１上に第一の層１０２と第二の層１
０３がこの順に設けられている例を示しており、第二の
層１０３には炭素原子および第■族原子又は第■族原子
を必須の構成原子として含有せしめ、第一の層１０２に
は第■族原子又は第Ｖ族原子を含有せしめる場合と含有
せしめない場合とがある。第■族原子又は第■族原子を
第一の層の全層領域中に含有せしめる場合は、主として
伝導型又は／及び伝導率の制御を目的としており、その
含有量は比較的少量であシ、好適には１　ｘ　１０−”
　〜１　ｘ　１０３１０３ａｔｏ　ｐｐｍ、より好適に
は５　Ｘ　１０−２〜５　Ｘ　１０２１０２ａｔｏ　ｐ
ｐｍ　、最適には１　ｘ　１０−１〜２　ｘ　１０”ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとする。

更に、第一の層１０２全層領域および第一の層の少なく
ともいずれか一方には酸素原子を含有しており、含有し
ている層中において酸素原子は均一に分布している。第
一の層の全層領域に酸素原子を含有している場合は、主
として光感度と暗抵抗の向上を目的とする場合であって
、その含有量は比較的少なくてよい。また第二の層のみ
が酸素原子を含有する場合、主として第一の層と第二の
層の密着性の強化を目的とするものであって、その含有
量は比較的多くする。

第２．３図は支持体上に第一の層１０２と第二の層１０
３とがこの順序で設けられておシ、かつ、第一の層が層
領域１０２′と層領域１０２”とからなる場合の例示で
ある。この場合、第２．３図における第二の層は第１図
の例と同様に炭素原子と第■族原子又は第Ｖ族原子とを
必須の構成原子として含有する。

そして第２図は、支持体と接している一部の層領域１０
２′が第■族原子又は第Ｖ族原子及び／又は酸素原子を
含有している例を示している。

第２図に示す例において層領域１０２′に第■族原子又
は第Ｖ族原子を含有せしめる場合は、主として層領域１
０２′が電荷注入阻止層として役割を果たすことを目的
とする場合であって、その含有量は比較的多く、一般的
には３０〜５　Ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍである
が、好ましくは５０〜ｌＸ１０′ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
１最適にはＩ　Ｘ１０２〜５　Ｘ　１０３ａｔｏ１０３
ａｔｏである。該目的を達成するためには、層領域１０
２’の層厚は、一般的には３０Ｘ〜１０μとするが、好
ましくは４０　Ａ〜８μ、最適には５０Ａ〜５μである
。さらにこの場合、第■族原子又は第Ｖ族原子を含有す
る層領域１０２′、第■族原子又は第■族原子を含有し
ない層領域１０２”およ７び第二の層１０３のうちの少
なくともいずれか１つには酸素原子を含有するものであ
る。

第２図に示す例において層領域１０２’に酸素原子を含
有せしめ、層領域１０２“に酸素原子を含有せしめない
場合は、支持体と第一の層との密着性を強化することが
主たる目的になシ、この場合層領域１０２’に：含有せ
しめる酸素原子の量は比較的多くする。また、該目的を
達成するためには層領域１０２′の層厚は５μ以下とす
るのが望ましい。ところでこの場合、層領域１０２′お
よび／又は層領域１０２”に第■族原子又は第Ｖ族原子
を含有せしめてもよく、第二の層に酸素原子を含有せし
めてもよい。

第３図は、第二の層と接している一部の層領域１０２′
に第■族原子又は第Ｖ族原子および／又は酸素原子を含
有している場合の例示である。

第３図に示す例において層領域１０２’に第■族原子又
は第Ｖ族原子を含有せしめる場合であってその伝導型が
第二の層に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の伝
導型と同じである場合は、第一の層と第二の層との間の
エネルギーレベル的整合性を向上させて、両層間での電
荷の移送性を高めることが主たる目的になシ、該層領域
１０２′の効果はことに第二の層の層厚が厚く、暗抵抗
が高い場合に顕著なものとなる。また、層領域１０２′
に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子の伝導型が第
二の層１０３に含有せしめる第■族原子又は第Ｖ族原子
の伝導型と異なるものである場合は、積極的意義におい
て第一の層と第二の層の接合部を設けてなるものとなシ
、帯電処理時の見掛は上の暗抵抗の増大をはかることが
主たる目的になる。層領域１０２′中の第■族原子又は
第Ｖ族原子の含有量は、いずれの場合も比較的少なくて
よく、好適にはｌＸｌ０−”〜１　ｘ　１０”　ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍ、より好適には５Ｘ１０−２〜５　Ｘ　
１０”ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｃｎ、最適にはＩ　Ｘ　１０
−”　〜２　Ｘｌ０２ａ　ｔｏｃｎｉｃ　ｐｐｍである
。さらにこの場合、第■族原子又は第Ｖ族原子を含有す
る層領域１０２′、第■族原子又は第Ｖ族原子を含有し
ない層領域１０とおよび第二の層１０３の少なくともい
ずれか１つに、酸素原子を含有せしめる。

第３図に示す例において層領域１０２’１７１：酸素原
子を均一に含有せしめ、層領域１０２”に酸素原子を含
有せしめない場合も本発明の実施の１例である。この場
合には、層領域１０２′および／又は層領域１０２”に
第■族原子又は第Ｖ族原子を含有せしめてもよく、さら
に第二の層１０３に酸素原子を含有せしめてもよいこと
は第２図の場合と同様である。

第４図は支持体上に第一の層１０２と第二の層１０３が
この順序で設けられ、かつ第一の層が層領域１ｏ２／、
層領域１０２′′及び層領域１０３′′′で構成される
場合の例示である。第４図÷て於て、層領域１０２′は
、第■族原子又は第Ｖ族原子と酸素原子の両方を含有し
、層領域１０γは酸素原子を含有するが、第■族原子又
は第Ｖ族原子は含有していない。そして層領域１０２”
は、第■族原子、第■族原子、酸素原子のいずれも含有
していない。

そしてこれらの原子は各層領域において均一に分布して
いる。第４図に示す例では、層領域１０２′と層領域１
０２”に酸素原子を含有せしめることにより、光感度お
よび暗抵抗を向上させ、かつ支持体と第一の層との密着
性を向上させることができる。また層領域１０２′に第
■族原子又は第Ｖ族原子を含有せしめることにより第二
の層１０３の自由表面１０４側よシ帯電処理を施した際
の電荷の注入を阻止することができる。

また、第４図に示す例においてにおける層領域１０２′
には酸素原子および第■族原子又は第Ｖ族原子の両方を
含有せしめ、層領域１０２”には第■族原子又は第Ｖ族
原子を含有せしめるが、酸素原子は含有せしめることな
く、さらに層領域１０２”について、酸素原子及び第■
族原子又は第■族原子のいずれも含有しないものとする
こともできる。

上述の第１〜４図に示しだものは本発明の光受容部材の
具体例であり、本発明はこれらによって限定されないこ
とは言うまでもない。

次に本発明の光受容層の形成方法について説明する。

本発明の光受容層を構成する層には、ａ−３ｉ（Ｈ、Ｘ
）で構成される層、ａ　−ＳｉＣ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る層、および第■族原子又は第Ｖ族原子および／又は酸
素原子を含有せしめたａ　−３ｉ（Ｈ、、Ｘ　）又はａ
　−ＳｉＣ（Ｈ，Ｘ）で構成される層があるが、これら
の層を構成する非晶質材料はいずれもグロー放電法、ス
・Ｑツタリング法、或いはイオンプレーテ８ング法等の
放電現象を利用する真空堆積法によって行われる。これ
等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、製
造規模、作製される光受容部材に所望される特性等の要
因によって適宜選択されて採用されるが、所望の特性を
有する光受容部材を製造するに当っての条件の制御が比
較的容易であシ、シリコン原子と共に炭素原子及び水素
原子の導入を容易に行い得る等のことからして、グロー
放電法或いはス・Ｑツタリング法が好適である。

そして、グロー放電法とスパッタリング法とを同一装置
系内で併用して形成してもよい。

例えば、グロー放電法によって、ａ　−５ｉ（Ｈ，Ｘ）
で構成される層を形成するには、基本的にはシリコン原
子（Ｓｌ）を供給し得るＳ１供給用の原料ガスと共に、
水素原子（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導
入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定
位置に設置した所定の支持体表面上にａ−３ｉ　（Ｈ，
Ｘ）から成る層を形成する。

必要に応じて層中に含有せしめる・・ロゲ／原子ＣＸ）
としては、具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙
げられ、殊にフッ素、塩素が好ましい。

前記Ｓｉ供給用の原料ガスとしては、ＳｉＨ４、Ｓ　１
２　Ｈ６、Ｓ　１３　ＨＢ、Ｓｌ、Ｈ□。等のガス状態
の又はガス化し得る水素化硅素（７ラン類）が挙げられ
、味に、層作成作業のし易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の
点でＳｉＨ，、Ｓｉ２Ｈ６が好ましい。

また、前記ハロゲン原子導入用の原料ガスとしては、多
くのハロゲン化合物が挙げられ、例エバハロゲンガス、
ハロゲン化物、ハロゲン間ｒヒ合物、・・ロデンで置換
されたシラン誘導体等のガス状態の又はがス化し得る・
・ロデン化合物が好ましい。

更に又、シリコン原子とノ・ロゲン原子とを構成要素と
するガス状態の又はガス化し得るノ・ロゲン原子を含む
硅素化合物も有効なものとして挙げることができる。具
体的には、ハロゲン化合物としては、フッ素、塩素、臭
素、ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ、　ＣＩＦ、ＣｌＦ
３、ＢｒＦ５、ＢｒＦ３、ＩＦ３、ＩＦ、、ＩＣ１，Ｉ
Ｂｒ等の／％　Ｃｌデン間化合物を挙げることができ、
ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、ＳｉＦ４、Ｓｉ２Ｆ
６．５ｉＣＡ！、　、　５ｉＢｒ、等のハロゲン化硅素
が好ましいものとして挙げられる。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を使用してグロ
ー放電法によシ形成する場合には、Ｓｌを供給し得る原
料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも、所定
の支持体上にノ・ロデン原子を含むａ−８ｉから成る層
を形成する事ができる。

グロー放電法を用いて、・・ロデン原子を含む層を形成
する場合、基本的には、ｓｉ供給用の原料ガスであるハ
ロゲン化硅素ガスとＡｒ％Ｈ２１Ｈｅ等のガス等を所定
の混合比とガス流量になる様にして堆積室に導入し、グ
ロー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形
成することによって、所定の支持体上に層を形成し得る
ものであるが、水素原子の導入を計る為にこれ等のガス
に更に水素原子を含む硅素化合物のガスも所定量混合し
てもよい。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用してもよい。

反応ス・ξツタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ　−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成する
には、例えばス・ぐツタリング法の場合にはＳｌから成
るターゲットを使用して、これを所定のガスプラズマ雰
囲気中でス・Ｑツタリングし、イオンブレーティング法
の場合には、多結晶シリコン又は単結晶７リコンを蒸発
源として蒸着ボートに収容し、このシリコン蒸発源を抵
抗加熱法、或いはエレクトロンビーム法（ＥＢ法）等に
よって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプラズマ雰
囲気中を通過させる事で行うことができる。

その際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合でも形成される層曳にノ・ロデン原子を導入
するについては、前記のノ・ロデン化合物又は前記の・
・ロデン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入
して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してやればよい。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２或いは前記した７ラン類等のガス
をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやればよい。

グロー放電法、ス・Ｑツタリング法またはイオンブレー
ティング法等によって層を形成するにおいては、ハロゲ
ン原子導入用の原料ガスとして前記の・・ロデン化合物
或いはノ・ロゲンを含む硅素化合物が有効なものとして
使用できるが、これ等の他に、ＨＦ％ＨＣ６％ＨＢｒ、
　ＨＩ　　等のハロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２．５ｉＨ
２１，，５ｉＨ２（Ｊ！２．５ｉＨ（Ｊ？３．５ＩＨ２
Ｂｒ２．３ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水素化硅素、等
々のガス状態の或いはガス化し得る、水素原子を構成要
素の１つとするハロゲン化物も有効な出発物質として挙
げる事ができる。

これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、層形成の際に
府中に・・ロデン原子の導入と同時に電気的或いは光電
的特性の制御に極めて有効な水素原子も導入しうるので
、好適なハロゲン原子導入用の原料として使用できる。

水素原子を層中に構造的に導入するには、上記の他にＨ
２、或いはＳｉＨ，、Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３Ｈ１３、Ｓｉ
、Ｈ工。

等の水素化硅素のガスを８１を供給する為のシリコン化
合物と堆積室中に共存させて放電を生起させる事でも行
うことができる。

例えば、反応スノ々ツタリング法の場合には、Ｓ１ター
ゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨ２ガ
スを必要に応じてＨｅ、Ａｒ等の不活性ガスも含めて堆
積室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓｉタ
ーゲットをス・Ｑツタリングすることによって、支持体
上Ｋ　ａ　−５ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る層を形成する。

本発明の光受容部材の光受容層中に含有せしめる水素原
子（Ｈ）の量又はノ・ロデン原子（Ｘ）の量又は水素原
子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の場合１〜
４０　ａｔｏｍｉｃ　％、好適には５〜３０ａｔ、ｏｃ
ｎｉｃ＊とするのが望ましい。

光受容層中に含有せしめる水素原子（Ｈ）又は／及びハ
ロゲン原子間の量を制御するには、例えば支持体温度又
は／及び水素原子用、或いはノ・ロデン原子（３）を含
有せしめる為に使用する出発物質の堆積装置系内へ導入
する量、放電々力等を制御してやればよい。

第一の層には前述のａ−８ｉ　（）（、Ｘ）　Ｋさらに
必要に応じて第■族原子又は第Ｖ族原子および酸素原子
を含有せしめたもの、第二の層にはａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ
）に炭素原子および第■族原子又は第Ｖ族原子を含有せ
しめたもの、あるいはさらに酸素原子を含有せしめたも
のを用いるが、これらの層又は層領域を設けるには、グ
ロー放電法、ス・Ｑ２タリング法あるいはイオンブレー
ティング法等によるａ　−３ｉ　（Ｈ，Ｘ）の層の形成
の際に、第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質、
酸素原子導入用の出発物質、あるいは、炭素原子導入用
の出発物質を、夫々前述したａ　　５１（Ｈ＋Ｘ）形成
用の出発物質と共に使用して、形成する層中へのそれら
の量を制御しながら含有せしめてやることにより行なわ
れる。

例えば、第二の層は第■族原子又は第Ｖ族原子を含有す
るａ　−ＳｉＣ（Ｈ，Ｘ）　（以下、ａ　−８ｉ　ＣＭ
（Ｈ，Ｘ）（但し、Ｍは第■族原子又は第Ｖ族原子を表
わす。）と表記する。〕で構成されるものであるが、グ
ロー放電法によって第二の層を形成するには、ａ　−Ｓ
ｉＣＭ　（Ｈ，Ｘ）形成用の原料ガスを、必要に応じて
稀釈ガスと所定量の混合比で混合して、支持体１０１の
設置しである真空堆積用の堆積室に導入し、導入された
ガスをグロー放電を生起させることでガスプラズマ化し
て前記支持体上に既に形成されである第一０層上にａ−
ＳｉＣＭ（Ｈ，Ｘ）を堆積させればよい。

ａ　　８１０Ｍ　（Ｈ＋　Ｘ　）形成用の原料ガスとし
ては、Ｓｌ、Ｃ，Ｈ及び／又はハロゲン原子、及び第ｍ
族原子又は第Ｖ族原子の中の少なくとも一つを構成原子
とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化した
ものであれば、いずれのものであってもよい。

Ｓｌ、Ｃ，Ｈ及び／又は・・ロゲン原子、第■族原子又
は第Ｖ族原子の中の１つとしてＳｌを構成原子とする原
料ガスを使用する場合は、例えばＳｌを構成原子とする
原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、Ｈ及び／
又は・・ロゲン原子を構成原子とする原料ガスと第■族
原子又は第Ｖ族原子を構成原子とする原料ガスを所望の
混合比で混合して使用するか、又は、Ｓｌを構成原子と
する原料ガスと、Ｃ及びＨ及び／又はハロゲン原子を構
成原子とする原料がスと、第■族原子又は第Ｖ族原子を
構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で
混合するか、或いは、Ｓｌを構成原子とする原料ガスと
、Ｓｌ、Ｃ及びＨ及び／又は・・ロゲン原子の３つを構
成原子とする原料ガスと第■族原子又は第Ｖ族原子を構
成原子とする原料ガスとを混合して使用することができ
る。

又、別には、ＳｌとＨ及び／又はハロゲン原子とを構成
原子とする原料ガスにＣを構成原子とする原料ガスと第
■族原子又は第Ｖ族原子を構成原子とする原料ガスとを
混合して使用してもよい。

ａ　−ＳｉＣ（Ｈ，Ｘ）で構成される層形成用の原料ガ
スとして有効に使用されるのは、ＳｉとＨとを構成原子
とするＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３ＨＢ、Ｓ　１４Ｈ
ＩＯ等のンラン（５ｉＪａｎｅ　）類等の水素化硅素ガ
ス、Ｃ，ｌ！：Ｈとを構成原子とする、例えば炭素数１
〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水
素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素等が挙げられ
る。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プＣ１／ｅ：／　（Ｃ３ＨＢ　
）、ｎ−ブタン（ｎ　−Ｃ４ＨＩＯ）、ａメタン（Ｃ５
Ｈ１２）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ
２Ｈ４）、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブチｙ　　ｉ　（
Ｃ４Ｈ８）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ［］）、イソブブチ　
ン（Ｃ４Ｈ８）、ペンテン（Ｃ５Ｈ１０）、アセチレン
系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチル
アセチｖ　ｙ　（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等が
挙げられる。

ＳｌとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、５
ｉ（ＣＨ３）い３１（ＣａＨ２）４等のケイ化アルキル
を挙げることができる。これ等の原料ガスの他、Ｈ導入
用の原料ガスとしては勿論Ｈ２も使用できる。

酸素原子を含有する層又は層領域、あるいは第■族原子
又は第Ｖ族原子を含有する層又は層領域を形成するのに
グロー放電法を用いる場合、これらの層又は層領域形成
用の原料ガスとなる出発物質としては、ａ−８ｉ（Ｈ，
Ｘ）又はａ−８−ｉＣ（Ｈ２ｘ）形成用の出発物質の中
から所望に従って選択したものに、酸素導入用の出発物
質又は／及び第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物
質を加えたものを用いる。酸素導入用の出発物質あるい
は第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質としては
、少なくとも酸素原子あるいは第■族原子又は第Ｖ族原
子となるガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化し
たものであれば何でも用いることができる。

酸素原子導入用の出発物質としては具体的には、例えば
酸素（０２）、オゾン（０３）、−酸化窒素（Ｎｏ）、
二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化窒素（Ｎ２０）、三二
酸化窒素（Ｎ２Ｏ３）、四二酸化窒素（Ｎ２０！　）、
三二酸化窒素（Ｎ２Ｏ５）、三酸化窒素（ＮＯ３）、シ
リコン原子（Ｓｌ）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）
とを構成原子とする、例えば、ジシロキサン（Ｈ３Ｓｉ
Ｏ８ｉＨ３）、トリシロキサン（Ｈ３Ｓ　ｉ　ＯＳ　ｉ
　Ｈ２０Ｓ正、）等の低級シロキサン等を挙げることが
できる。

第■族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子
導入用としては、Ｂ２Ｈ６、Ｂ、Ｈ工。、Ｂ５Ｈ９、Ｂ
、Ｈ，、、Ｂ６Ｈ１ｏ１Ｂ６Ｈ１２、Ｂ６　Ｈｌ　４等
の水素化硼素、ＢＦ３、ＢＣｌ３、ＢＢｒ３　等の・・
ロデン化硼素等が挙げられる。この他、ＡｌＣＡ’３、
ＧａＣＪ３、。ａ（ＣＨ３）２、ＩｎＣｌ３、ＴｌＣｌ
３等も挙げることができる。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としては、ＰＨ３、Ｐ２Ｈ４等の水素比隣、ＰＨ
４Ｉ、ＰＦ３、ＰＦ、、ＰＣｌ３、ＰＣｌ５、ＰＢｒ３
、ＰＢｒ３、ＰＩ、等のハロゲン比隣が挙げられる。こ
の他、ＡＳＨ３、ＡｓＦ３、ＡＳＣＡ’３、ＡｓＢｒ３
、ＡｓＦ５、ＳｂＨ３，５ｔ）Ｆ３．５ｂＦ５．５ｂＣ
１３，５ｂＣ１５、ＢｉＨ３、ＢｉＣｌ３、Ｂ１Ｂｒ３
　ｚ等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効なものとし
て挙げることができる。

例えば酸素原子を含有する層又は層領域を形成するには
、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと、
酸素原子（○）を構成原子とする原料ガスと、必要に応
じて水素原子（■（）又は及びハロゲン原子（Ｘ）を構
成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用
するか、又は、シリコン原子（Ｓｉ　）を構成原子とす
る原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ）を構
成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混
合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｉ　）を構成原子
とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｌ）、酸素原子（
０）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とする原料ガ
スとを混合して使用することができる。

又・別には、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を、構成原
子とする原料ガスを混合して使用してもよい。

ス・Ｑツタリング法によって、酸素原子を含有する層を
形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハー又は
５ｉ０２ウエーハー、又はＳｌと５１０２が混合されて
含有されているウエーノ・−をターゲットとして、これ
等を種々のガス雰囲気中でス・Ｑツタリングすることに
よって行えばよい。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓ１ウエーハーを
スパッタリングすればよい。

又、別には、Ｓｌと８１０２とは別々のターゲットとし
て、又はＳｌと８１０２の混合した一枚のターデッドを
使用することによって、スパッター用のガスとしての稀
釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有するガ
ス雰囲気中でスパッタリングすることによって成される
。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー
放電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料
ガスが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使
用できる。

グロー放電法により本発明の第一の層および第二の層を
形成する場合、ａ−ｓｉ　（Ｈ，Ｘ）に導入する炭素原
子、第■疾原子又は第Ｖ族原子あるいは酸素原子の含有
量は、堆積室中に流入される出発物質のガス流量、ガス
流量比、放電パワー、支持体温度、堆積室内の圧力等を
制御することによって任意に制御できる。

支持体温度は通常の場合、Ｉ′Ｃ〜３５０℃、好適には
１００℃〜２５０℃とするのが望ましいものである。放
電パワー条件は、それぞれの層の機能に考慮をはらって
適宜選択され、具体的には、０．００５〜５０　Ｗ　／
ｃｒｎ２の範囲にするのが通常である。

しかし好しくけ、０．０１〜３０Ｗ／ｃ１ｒＬ２、特に
好しくけ０．０１〜２０Ｗ／Ｃｒ／Ｌ２の範囲である。

また、堆積室内のガス圧については通常０．０１〜Ｉ　
Ｔｏｒｒ、好適には０．１〜０．５Ｔｏｒｒ程度とする
のが望ましい。

支持体温度、放電、ｅワーの望ましい数値範囲として前
記した範囲の値が挙げられるが、これらの層作成ファク
ターは、通常は独立的に別々に決められるものではなく
、所望特性のアモルファス層を形成すべく相互的且つ有
機的関連性に基いて、各層作成ファクターの最適値を決
めるのが望ましい。

本発明においては、第一の層の全層領域又は一部の層領
域、あるいは第二の層に含有する炭素原子、酸素原子あ
るいは第■族原子又は第Ｖ族原子は、該層又は層領域中
に均一に分布させることが必要であるが、このことは、
各層又は各層領威を形成する際に、上述の諸条件を一定
に保つことによって達成される。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例１乃至１４に従って、より詳細に
説明するが、本発明はこれ等によって限定されるもので
はない。

各実施例においては、第一の層および第二の層をグロー
放電法を用いて形成した。第５図はグロー放電法による
本発明の光受容部材の製造装置である。

図中の２０２　、２０３　、　２０４　、　２０５　、
２０６のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成する
だめの原料ガスが密封されており、その１例として、た
とえば、２０２はＨｅで稀釈されだＳｉＨ，ガス（純度
９９．９９９％、以下ＳｉＨ，／Ｈｅと略す）ボンベ、
２０３はＨｅで稀釈されたＰＨ３ガス（純度９９．９９
９　％、以下ＰＨ３／Ｈｅ　と略す。）ボンベ、２０４
はＨｅで稀釈されたＳｉ２Ｈ６ガス（純度９９．９９係
、以下５１２Ｈ６／Ｈｅと略す。）ボンベ、２０５はＣ
２Ｈ４ガス（純度９９．９９９％）ボンベ、２０６は０
２ガスボンベである。

形成される層中にハロゲン原子を導入する場合には、Ｓ
ｉ＆ガス又はＳ　ｉ　２　Ｈ６ガスに代えて、例えば、
ＳｉＦ４ガスを用いる様にボンベを代えればよい。

これらのガスを反応室２０１に流入させるにはガスポ／
ぺ２０２〜２０６のバルブ２２２〜２２６、リークバル
ブ２３５が閉じられていることを確認し又、流入バルブ
２１２〜２１６、流出バルブ２１７〜２２１、補助バル
ブ２３２　、２３３が開かれていることを確認して、先
ずメイン・セルノ２３４を開いて反応室２０１、ガス配
管内を排気する。次に真空計２３６の読みが約５　ｘ　
１０”ｔｏｒｒになった時点で、補助パルプ２３２　、
２３３　、流出バルブ２１７〜２２１を閉じる。

基体シリンダー２３７上に第一の層１０２を形成する場
合の１例をあげる。ガスボンベ２０２よりＳ　ＩＨ４／
　Ｈｅガス、ガスボ／べ２０３よりＰＨ３／　Ｈｅガス
、ガスボンベ２０６より０２ガスの夫々をバルブ２２２
　、２２３　、２２６を開いて出口圧デー：）２２７　
。

２２８　、２３１の圧を１ｋｇ／ｃｒＩＬ２に調整し、
流入バルブ２１２　、２１３　、２１６　ヲ徐々に開け
て、マスフロコントローラ２０７　、２０８　、２１１
内に流入させる。引き続イて流出バルブ２１７　、２１
８　、２２１　、補助パルプ２３２　、２３３を徐々に
開いてがスを反応室２０１内に流入させる。このときの
５ｉＨ４／Ｈｅガス流量、ＰＨ３／Ｈｅガス流量、０２
ガス流量の比が所望の値になるように流出バルブ２１７
　、２１８　、２２１を調整し、又、反応室２０１内の
圧力が所望の値になるように真空計２３６の読みを見な
がらメインバルブ２３４の開口を調整する。そして基体
シリンダー２３７の温度が加熱ヒーター２３８によシ犯
〜４００℃の範囲の温度に設定されていることを確認さ
れた後、電源２４０を所望の電力に設定して反応室２０
１内にグロー放電を生起し基体シリンダー２３７上に先
ず、燐と酸素を含有する層領域を形成する。

次に、所定の時間経過後ＰＨ３／Ｈｅガス、あるいは０
２ガスの反応室２０１内への導入を各対応するガス導入
管のノ々ルブを閉じて遮断することで、燐を含有する層
領域、または酸素を含有する層領域の層厚を所望に従っ
て任意に制御する。

燐又は酸素を含有する層領域が前述のようにして所望の
層厚に形成された後、流出バルブ２１８又は２２１を閉
じて、引き続きグロー放電を所望時間続けることによっ
て、燐又は酸素を含有する層領域上に、燐および酸素を
含有しない層領域が所望の層厚に形成されて、第一の層
の形成が終了する。

第一の層中にノ・ロデン原子を含有させる場合には上記
のガスにたとえばＳ　ｉＦ、　／　Ｈｅを、更に付加し
て反応室内に送り込む。

上記の様な操作によって、基体シリンダー２３７上に形
成された第一の層上に第二の層を形成するには、第一の
層の形成の際と同様なバルブ操作によって、例えば、Ｓ
ｉＨ，ガス、Ｃ２Ｈ，ガス、ＰＨ３ガスの夫々を、必要
に応じてＨｅ等の稀釈ガスで稀釈して、所望の流量比で
反応室２０１中に流し、所望の条件に従って、グロー放
電を生起させることによって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バルブ以外の
流出バルブは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
２０１内、流出ノζルブ２１７〜２２１から反応室２０
１内に至るガス配管内に残留することを避けるために、
必要に応じて流出バルブ２１７〜２２１を閉じ補助パル
プ２３２゜２３３を開いてメインバルブ２３４を全開し
て系内を一旦高真空に排気する操作を行う。

又、層形成を行っている間は層形成の均一化を図るため
基体シリンダー２３７は、モータ２３９によって所望さ
れる速度で一定に回転させる。

実施例　１第５図に示した製造装置によシ、ドラム状アルミニウム
基板上に以下の表１の条件で層形成を行った。

こうして得た感光ドラム（電子写真用像形成部材）を複
写装置に設置し、０５ＫＶで０．２　ｓｅｃ間コロナ帯
電を行い、光像を照射した。光源はタングステンランプ
を用い、光量は１　、Ｏ１ｕｘ−ｓｅｃとした。潜像は
■荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを含む）によって
現像し、通常の紙に転写したが、転写画像は、極めて良
好なものであった。転写しないで感光ドラム上に残った
トナ−は、ゴムブレードによってクリーニングし、次の
複写工程に移る。このような工程を繰り返し１５万回以
上行っても、画像の劣化は見られなかった。

実施例　２〜１４第５図に示した製造装置により、Ａｔシリンダー状基板
上に以下の表２〜１４の条件で層形成を行った。

その他の条件は実施例１と同様にして行った。

こうして得られた感光ドラムを用いて実施例１と同様の
方法で複写を行なったところ、実施例１と同様の良好な
結果が得られた。

〔発明の効果の概略〕

本発明の光受容部材はａ−ｓｉ（Ｈ，りで構成した光受
容層を有するものであって、該光受容部材の層構成を前
述のごとき特定のものとしたことにより、ａ−８ｉで構
成した従来の光受容部材における諸問題を全て解決する
ことができたものである。即ち、本発明の光受容部材は
特に優れた耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的耐圧性
、使用環境特性及び耐久性等を有するものであり、また
光感度及び暗抵抗性が向上し、更には、支持体と光受容
層の間および光受容層の各層間の密着性に優れたもので
ある。本発明の光受容部材を電子写真用像形成部材とし
て適用させた場合には、残留電位の影響が全くなく、そ
の電気的特性が安定しておシ、それを用いて得られた画
像は、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に出る等、すぐ
れた極めて秀でたものとなる。

【図面の簡単な説明】

第１〜４図は本発明の光受容部材の層構造を模式的に示
した図であり、第５図は本発明の光受容部材を製造する
ための装置の一例で、グロー放電分解法による製造装置
の模式的説明図である。

Claims

【特許請求の範囲】

　支持体と、シリコン原子を母体とする非晶質材料で構
成され、伝導性を制御する物質を含有することもある、
光導電性を有する第一の層と、シリコン原子を母体とし
炭素原子及び伝導性を制御する物質を含有する非晶質材
料で構成される第二の層とを積層してなる光受容層とか
らなり、少くとも前記第一の層と前記第二の層のいずれ
か一方が、全層領域もしくは一部の層領域に酸素原子を
均一に分布した状態で含有していることを特徴とする光
受容部材。