JPS61190708A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS61190708A JPS61190708A JP3227985A JP3227985A JPS61190708A JP S61190708 A JPS61190708 A JP S61190708A JP 3227985 A JP3227985 A JP 3227985A JP 3227985 A JP3227985 A JP 3227985A JP S61190708 A JPS61190708 A JP S61190708A
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/488—Disposition of heads
- G11B5/4886—Disposition of heads relative to rotating disc
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、薄膜磁気ヘッド、時に磁気ティスフ上に浮上
して情報読み書きを行うＩ Ｉｔ！ ６ｆｔ気ヘツドの
製造方法に関する。
して情報読み書きを行うＩ Ｉｔ！ ６ｆｔ気ヘツドの
製造方法に関する。
し発明の技術的背景とその問題点１
この種の薄膜磁気ヘッドは、底面に２条あるいは３条の
レールを備えたスライダーブロックの端部にｉＷＩ！磁
気ヘッド素子を有し、前記レール面を磁気ディスク面に
向けた状態で両面間に作用する相対的空気圧を利用して
この１１１磁気ヘツドを浮上させつつ磁気ディスク面に
対する情報の読み書きを行うようにしている。
レールを備えたスライダーブロックの端部にｉＷＩ！磁
気ヘッド素子を有し、前記レール面を磁気ディスク面に
向けた状態で両面間に作用する相対的空気圧を利用して
この１１１磁気ヘツドを浮上させつつ磁気ディスク面に
対する情報の読み書きを行うようにしている。
このような薄膜磁気ヘッドを製造する従来方法を第６図
を参照して説明する。
を参照して説明する。
この薄膜磁気ヘッドは、Ａｊ！２ｏ３の基体２１
′上に第１の磁性体層２２．絶縁１ｉ１２３．箔状コ
イル２４及び第２の磁性体層２５を蒸着等の薄膜形成手
段やエツチング処理により形成し、第２の磁性体層２５
をさらにＡ１２ｏ３の保護膜２６により被覆して磁気ヘ
ッド素子３０を形成し、ざらに基体２７をスライダー形
状に加工してその端部に磁気ヘッド素子３０が配置され
るようにする。そして、第１．第２の磁性体層２２．２
５と絶縁庸２３とにより形成されるポール部Ｐをギャッ
プの長さ方向く深さ方向）に研磨することによりこのポ
ール部Ｐのギャップ長りを所定の寸法となるようにした
ものである。
′上に第１の磁性体層２２．絶縁１ｉ１２３．箔状コ
イル２４及び第２の磁性体層２５を蒸着等の薄膜形成手
段やエツチング処理により形成し、第２の磁性体層２５
をさらにＡ１２ｏ３の保護膜２６により被覆して磁気ヘ
ッド素子３０を形成し、ざらに基体２７をスライダー形
状に加工してその端部に磁気ヘッド素子３０が配置され
るようにする。そして、第１．第２の磁性体層２２．２
５と絶縁庸２３とにより形成されるポール部Ｐをギャッ
プの長さ方向く深さ方向）に研磨することによりこのポ
ール部Ｐのギャップ長りを所定の寸法となるようにした
ものである。
このギャップ長しと薄膜磁気ヘッド素子３０による相対
出力特性Ｐ１と分解能特性Ｐ２との関係を第７図示す。
出力特性Ｐ１と分解能特性Ｐ２との関係を第７図示す。
同図から明らかなようにこの薄膜磁気ヘッド素子３０の
ギャップ長りが前記両特性の交差する点に相当する１μ
ｍ±０．５μｍ程度のときに、最も良好な相対出力及び
分解能が得られることが理解できる。
ギャップ長りが前記両特性の交差する点に相当する１μ
ｍ±０．５μｍ程度のときに、最も良好な相対出力及び
分解能が得られることが理解できる。
しかしながら、従来の製造方法では、薄膜磁気ヘッド素
子３０の製造工程におけるフォトマスクの配列公差や絶
縁層２３のパターン公差、スライダーブロック２７の加
工公差、ざらにはポール部Ｐの研磨誤差等によりギャッ
プ長りにバラツキが生じ、特に±０．５μｍ程度という
微小寸法のコントロールは極めて難しく、この結果、相
対出力及び分解能双方が良好な薄膜磁気ヘッドを製造す
ることが困難となり、歩留りが極めて悪いという問題が
あった。
子３０の製造工程におけるフォトマスクの配列公差や絶
縁層２３のパターン公差、スライダーブロック２７の加
工公差、ざらにはポール部Ｐの研磨誤差等によりギャッ
プ長りにバラツキが生じ、特に±０．５μｍ程度という
微小寸法のコントロールは極めて難しく、この結果、相
対出力及び分解能双方が良好な薄膜磁気ヘッドを製造す
ることが困難となり、歩留りが極めて悪いという問題が
あった。
［発明の目的コ
本発明は上記事情に鑑みて成されたものであり、歩留り
が良く相対出力及び分解能に優れたｆｉ ＩＩＩ ６ｔ
ｉ気ヘツドの製造方法を提供することを目的とするもの
である。
が良く相対出力及び分解能に優れたｆｉ ＩＩＩ ６ｔ
ｉ気ヘツドの製造方法を提供することを目的とするもの
である。
［発明の概要１
上記目的を達成するための本発明の概要は、少なくとも
底部に２条の突出レールを有するスライダーブロックの
端部にそれぞれ突出レールに対する位置をずらし、かつ
、ポール部のギャップ長を異ならせて薄膜磁気ヘッド素
子を形成する工程と、各１膜磁気ヘツド素子のポール部
を研磨する工程とからなり、最適のギャップ長を有する
ように研磨されるいずれかの１１１１＊磁気ヘツド素子
を磁電変換素子として用いるようにしたことを特徴とす
るものである。
底部に２条の突出レールを有するスライダーブロックの
端部にそれぞれ突出レールに対する位置をずらし、かつ
、ポール部のギャップ長を異ならせて薄膜磁気ヘッド素
子を形成する工程と、各１膜磁気ヘツド素子のポール部
を研磨する工程とからなり、最適のギャップ長を有する
ように研磨されるいずれかの１１１１＊磁気ヘツド素子
を磁電変換素子として用いるようにしたことを特徴とす
るものである。
［発明の実施例］
以下に本発明の実施例を詳細に説明する。
まず、スライダーブロック１の端部にポール部のギャッ
プ長が異なる７ＩＪ膜磁気ヘツド素子２Ａ。
プ長が異なる７ＩＪ膜磁気ヘツド素子２Ａ。
２Ｂを形成する工程について第１図を参照して説明する
。
。
スライダーブロック１は、断面長方形状のブロック本体
３と、このブロック本体３の底部両１１ｔ！１部に相対
向して平行配置に形成された突出レール４Ａ、４Ｂとを
有して構成され、一方の突出レール４Ａは磁気ディスク
の内周側に、使方の突出レール４Ｂは外周側にそれぞれ
配置されるようになっている。
３と、このブロック本体３の底部両１１ｔ！１部に相対
向して平行配置に形成された突出レール４Ａ、４Ｂとを
有して構成され、一方の突出レール４Ａは磁気ディスク
の内周側に、使方の突出レール４Ｂは外周側にそれぞれ
配置されるようになっている。
このスライダーブロック１の一方の端部に、後述するポ
ール部Ｐ＾、Ｐａをそれぞれ臨ませた形状に薄膜磁気ヘ
ッド素子２Ａ、２Ｂを形成する。
ール部Ｐ＾、Ｐａをそれぞれ臨ませた形状に薄膜磁気ヘ
ッド素子２Ａ、２Ｂを形成する。
すなわち、スライダーブロック１の一方の端部基材５に
は、第２図、第３図（ａ）、（ｂ）にそれぞれ示すよう
に突出部５Ａ側に位置してギャップ長Ｌ１を有する薄膜
１１気ヘツド素子２Ａを、突出部５Ｂ側に位置してギャ
ップ長Ｌ２を有する薄膜磁気ヘッド素子２Ｂをそれぞれ
形成する。このとき、Ｌ２−Ｌｔ＝１μｍとする。すな
わら、ポール部Ｐ＾とポール部Ｐａとはギャップ長を異
ならせた状態となっている。尚、薄膜磁気ヘッド素子２
Ａ、２Ｂはいずれも既述した第６図に示すものと同様Ａ
１２ｏ３の基体２１．２６を有する端部基材５の内部に
、第１の磁性体層２２．絶縁層２３、箔状コイル２４及
び第２の磁性体層２５を形成することにより構成されて
いる。
は、第２図、第３図（ａ）、（ｂ）にそれぞれ示すよう
に突出部５Ａ側に位置してギャップ長Ｌ１を有する薄膜
１１気ヘツド素子２Ａを、突出部５Ｂ側に位置してギャ
ップ長Ｌ２を有する薄膜磁気ヘッド素子２Ｂをそれぞれ
形成する。このとき、Ｌ２−Ｌｔ＝１μｍとする。すな
わら、ポール部Ｐ＾とポール部Ｐａとはギャップ長を異
ならせた状態となっている。尚、薄膜磁気ヘッド素子２
Ａ、２Ｂはいずれも既述した第６図に示すものと同様Ａ
１２ｏ３の基体２１．２６を有する端部基材５の内部に
、第１の磁性体層２２．絶縁層２３、箔状コイル２４及
び第２の磁性体層２５を形成することにより構成されて
いる。
このようにして異なるギャップ長Ｌｚ 、Ｌ２を有し、
かつ、その深さ方向の位置を互いにずらした両肩１ＩＩ
ｌｉ！！気ヘッド素子２Ａ、２Ｂをスライダーブロック
１の端部に形成した後、両肩膜磁気ヘッド素子２Ａ、２
Ｂの各ポール部Ｐ＾、Ｐａをダイヤ研磨等の研磨手段に
より研磨する。
かつ、その深さ方向の位置を互いにずらした両肩１ＩＩ
ｌｉ！！気ヘッド素子２Ａ、２Ｂをスライダーブロック
１の端部に形成した後、両肩膜磁気ヘッド素子２Ａ、２
Ｂの各ポール部Ｐ＾、Ｐａをダイヤ研磨等の研磨手段に
より研磨する。
ポール部Ｐ＾を研磨することにより、薄膜磁気ヘッド素
子２Ａのギャップ長が当初のギャップ長Ｌ１から第４図
に（ａ＞に示すようなギャップ長ＬＡとなり、このギャ
ップ長ＬＡが１μｍ±０゜５μｍの範囲にあると判別さ
れた場合には、その時点で研磨を中止する。
子２Ａのギャップ長が当初のギャップ長Ｌ１から第４図
に（ａ＞に示すようなギャップ長ＬＡとなり、このギャ
ップ長ＬＡが１μｍ±０゜５μｍの範囲にあると判別さ
れた場合には、その時点で研磨を中止する。
この場合には薄膜磁気ヘッド素子２Ａをｌ１ｆ１電変換
素子として用いることにより、相対比）ｊ及び分解能に
優れた薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
素子として用いることにより、相対比）ｊ及び分解能に
優れた薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
一方、ポール部Ｐ＾、Ｐａに対する研磨深さが第５図（
ａ）、（ｂ）に示すように第４図（ａ）に示す場合より
も大きく、ポール部ＰＡのギャップ長が１１ギヤツプ長
Ｌ＾から第５図（ａ）に示すギャップ長Ｌ＾′となった
場合には、このポール部Ｐ＾のギャップ長Ｌ＾′は１μ
ｍ−０，５μｍ＝０．５μｍよりもさらに小さな値とな
り、第５図（ｂ）に示すポール部Ｐ８のギャップ長Ｌｓ
’がこの場合１μｍ±０．５μｍとなるので薄膜磁気ヘ
ッド素子２Ｂの方を磁電変換素子として用いる。
ａ）、（ｂ）に示すように第４図（ａ）に示す場合より
も大きく、ポール部ＰＡのギャップ長が１１ギヤツプ長
Ｌ＾から第５図（ａ）に示すギャップ長Ｌ＾′となった
場合には、このポール部Ｐ＾のギャップ長Ｌ＾′は１μ
ｍ−０，５μｍ＝０．５μｍよりもさらに小さな値とな
り、第５図（ｂ）に示すポール部Ｐ８のギャップ長Ｌｓ
’がこの場合１μｍ±０．５μｍとなるので薄膜磁気ヘ
ッド素子２Ｂの方を磁電変換素子として用いる。
このようにして、ギャップ長が１μｍ±０．５μｍの範
囲に研磨されるいずれか一方の薄膜磁気ヘッド素子２Ａ
又は２Ｂをｌａ磁電変換素子して用いることができ、こ
の結果、７１１ＭＭｍ気ヘッドの製造時の歩留りを向上
させることが可能となる。
囲に研磨されるいずれか一方の薄膜磁気ヘッド素子２Ａ
又は２Ｂをｌａ磁電変換素子して用いることができ、こ
の結果、７１１ＭＭｍ気ヘッドの製造時の歩留りを向上
させることが可能となる。
本発明は上述した実施例に限定されるものではなく、そ
の要旨の範囲内で種々の変形が可能である。
の要旨の範囲内で種々の変形が可能である。
例えば上ｊムした実施例ではスライダーブロック端部に
２個の薄膜磁気ヘッド素子を有する薄膜磁気ヘッドにつ
いて説明したが、この他３個以上の薄膜磁気ヘッド素子
を有する薄膜磁気ヘッドも同様に製造することができる
。
２個の薄膜磁気ヘッド素子を有する薄膜磁気ヘッドにつ
いて説明したが、この他３個以上の薄膜磁気ヘッド素子
を有する薄膜磁気ヘッドも同様に製造することができる
。
［発明の効果］
以上詳述した本発明によれば、少なくとも２個の簿１１
Ｎｍ気ヘッド素子の位置を予めずらして形成しておき、
研磨工程でいずれかの薄膜磁気ヘッド素子のギャップ長
を相対出力１分解能の点で最適の値となるようにするも
のであるから相対出力。
Ｎｍ気ヘッド素子の位置を予めずらして形成しておき、
研磨工程でいずれかの薄膜磁気ヘッド素子のギャップ長
を相対出力１分解能の点で最適の値となるようにするも
のであるから相対出力。
分解能が良好な薄ｐＩＡ！！気ヘッドを歩留り良く提供
することが可能な製造方法を提供することができる。
することが可能な製造方法を提供することができる。
第１図は本発明の実施例におけるスライダーブロックと
端部基材とを示す斜視図、第２図は端部基材の平面図、
第３図（ａ）は第２図におけるＩ−Ｉ線拡大概略断面図
、第３図（ｂ）は第２図におけるＩＩ−ｎ線拡大概略断
面図、第４図（ａ）は第３図（ａ）に示すポール部を研
磨した状態を示す拡大概略断面図、第４図（ｂ）は第４
図（ａ）に示すポール部に対応する他方のポール部の状
態を示す拡大概略断面図、第５図（ａ）は第４図（ａ＞
に示すポール部を更に研磨した状態を示す拡大概略断面
図、第５図（ｂ）は第４図（ｂ）に示すポール部を研磨
した状態を示す拡大概略断面図、第６図は従来の薄膜磁
気ヘッドの製造工程を示す要部拡大断面図、第７図は薄
膜磁気ヘッド素子のギャップ長と相対出力及び分解能と
の関係を示すグラフである。 １・・・スライダーブロック、 ２Ａ、２Ｂ−・・薄１１１６ｆｌ気ヘット素子、４Ａ、
４Ｂ・・・突出レール、 Ｐ＾、Ｐａ・・・ポール部、 Ｌｌ、Ｌ２・・・ギャップ長、 Ｌ＾、Ｌａ・・・ギャップ長、 Ｌ＾’、Ｌａ’・・・ギャップ長。 代理人 弁理士 三 澤 正 徨 １−１ｒ′手
続補正占 昭和６０年８月１２日 昭和６０年特許願第３２２７９号 ２、発明の名称 薄膜磁気ヘッドの製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ５、補正命令の日付 自 発 ６、補正の対象 明細書 ７、補正の内容 別紙の通り （明細書中、「ギャップ長」とあるのを、「ギャップ深
さ」と補正するものである。）明細書 １、発明の名称 薄膜磁気ヘッドの製造方法 ２、特許請求の範囲 少なくとも底部に２条の突出レールを有するスライダー
ブロックの端部にそれぞれ突出レールに対する位置をず
らし、かつ、ポール部のギヤツブ深意を異ならせて薄膜
磁気ヘッド素子を形成する工程と、各薄膜磁気ヘッド素
子のポール部を研磨する工程とからなり、最適のギヤツ
ブ区策を有するように研磨されるいずれかの薄膜磁気ヘ
ッド素子を磁電変換素子として用いるようにしたことを
特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ３、発明の詳細な説明 ［発明の技術分野］ 本発明は、薄膜磁気ヘッド、時に磁気ティスフ上に浮上
して情報読み書きを行う薄膜磁気ヘッドの製造方法に関
する。 ［発明の技術的背景とその問題点１ この種の薄膜磁気ヘッドは、底面に２条おるいは３条の
レールを備えたスライダーブロックの端部に薄膜磁気ヘ
ッド素子を有し、前記レール面を磁気ディスク面に向け
た状態で両面間に作用する相対的空気圧を利用してこの
薄膜磁気ヘッドを浮上させつつ磁気ディスク面に対する
情報の読み占きを行うようにしている。 このような薄膜磁気ヘッドを製造する従来方法を第６図
を参照して説明する。 この薄膜磁気ヘッドは、ＡＪ２０３の基体２１上に第１
の磁性体層２２．絶縁層２３．箔状コイル２４及び第２
の磁性体層２５を蒸着等の薄膜形成手段やエツチング処
理により形成し、第２の磁性体層２５をざらにＡ、ｅ２
０３の保護膜２６により被覆して磁気ヘッド素子３０を
形成し、ざらに基体２７をスライダー形状に加工してそ
の端部に磁気ヘッド素子３０が配置されるようにする。 そして、第１．第２の磁性体層２２．２５と絶縁層２３
とにより形成されるポール部Ｐをギャップの長さ方向（
深さ方向）に研磨することによりこのポール部Ｐのギャ
ップ深ざＬを所定の寸法となるようにしたものである。 このギャップ深ざＬと薄膜磁気ヘッド素子３０による相
対出力特性Ｐ１と分解能特性Ｐ２との関係を第７図示す
。 同図から明らかなようにこの薄膜磁気ヘッド素子３０の
ギャップ深ざＬが前記両特性の交差する点に相当する１
μｍ＋０．５μｍ程度のときに、最も良好な相対出力及
び分解能が得られることが理解できる。 しかしながら、従来の製造方法では、薄膜磁気ヘッド素
子３０の製造工程におけるフォトマスクの配列公差や絶
縁層２３のパターン公差、スライダーブロック２７の加
工公差、ざらにはポール部Ｐの研磨誤差等によりギャッ
プ深ざＬにバラツキが生じ、特に±０．５μｍ程度とい
う微小寸法のコントロールは極めて難しく、この結果、
相対出力及び分解能双方が良好な薄膜磁気ヘッドを製造
することが困難となり、歩留りが極めて悪いという問題
があった。 ［発明の目的］ 本発明は上記事情に鑑みて成されたものであり、歩留り
が良く相対出力及び分解能に優れた薄膜磁気ヘッドの製
造方法を提供することを目的とするものである。 ［発明の概要］ 上記目的を達成するための本発明の概要は、少なくとも
底部に２条の突出レールを有するスライダーブロックの
端部にそれぞれ突出レールに対する位置をずらし、かつ
、ポール部のギャップ深さを異ならせて薄膜磁気ヘッド
素子を形成する工程と、各薄膜磁気ヘッド素子のポール
部を研磨する工程とからなり、最適のギャップ深さを有
するように研磨されるいずれかの薄膜磁気ヘッド素子を
磁電変換素子として用いるようにしたことを特徴とする
ものである。 ［発明の実施例］ 以下に本発明の実施例を詳細に説明する。 まず、スライダーブロック１の端部にポール部のギャッ
プ深さが異なる薄膜磁気ヘッド素子２Ａ。 ２Ｂを形成する工程について第１図を参照して説明する
。 スライダーブロック１は、断面長方形状のブロック本体
３と、このブロック本体３の底部両側部に相対向して平
行配置に形成された突出レール４Ａ、４Ｂとを有して構
成され、一方の突出レール４Ａは磁気ディスクの内周側
に、他方の突出レール４Ｂは外周側にそれぞれ配置され
るようになっている。 このスライダーブロック１の一方の端部に、後述するポ
ール部ＰＡ、ＰＢをそれぞれ臨ませた形状に薄膜磁気ヘ
ッド素子２Ａ、２Ｂを形成する。 すなわち、スライダーブロック１の一方の端部基材５に
は、第２図、第３図（ａ）、（ｂ）にそれぞれ示すよう
に突出部５Ａ側に位置してギャップ深ざＬｌを有する薄
膜磁気ヘッド素子２Ａを、突出部５Ｂ側に位置してギャ
ップ深ざＬ２を有する薄膜磁気ヘッド素子２Ｂをそれぞ
れ形成する。このとき、Ｌ２−１１＝１μｍとする。す
なわち、ポール部ＰＡとポール部Ｐａとはギャップ深さ
を異ならせた状態となっている。尚、薄膜磁気ヘッド素
子２Ａ、２Ｂはいずれも既述した第６図に示すものと同
様Ａｌ２Ｏ３の基体２１．２６を有する端部基材５の内
部に、第１の磁性体層２２．絶縁層２３．箔状コイル２
４及び第２の磁性体Ｈ２５を形成することにより構成さ
れている。 このようにして異なるギャップ深ざＬｌ、Ｌ２を有し、
かつ、その深さ方向の位置を互いにずらした両肩膜磁気
ヘッド素子２Ａ、２Ｂをスライダーブロック１の端部に
形成した後、両肩膜磁気ヘッド素子２Ａ、２Ｂの各ポー
ル部ＰＡ、Ｐａをダイヤ研磨等の研磨手段により研磨す
る。 ポール部ＰＡを研磨することにより、薄膜磁気ヘッド素
子２Ａのギャップ深さが当初のギャップ深さＬｌから第
４図に（ａ）に示すようなギャップ深さＬＡとなり、こ
のギャップ深さＬＡが１μｍ±０．５μｍの範囲にある
と判別された場合には、その時点で研磨を中止する。 この場合には薄膜磁気ヘッド素子２Ａを磁電変換素子と
して用いることにより、相対出力及び分解能に優れた薄
膜磁気ヘッドを提供することができる。 一方、ポール部ＰＡ、ＰＢに対する研磨深さが第５図（
ａ＞、（ｂ）に示すように第４図（ａ）に示す場合より
も大きく、ポール部ＰＡのギャップ深さがギャップ深さ
ＬＡから第５図（ａ）に示すギャップ深さＬＡ’となっ
た場合には、このポール部ＰＡのギャップ深さＬＡ’は
１μｍ−０，５μｍ＝０．５μｍよりもざらに小ざな値
となり、第５図（ｂ）に示すポール部Ｐａのギャップ深
さＬＢ′がこの場合１μｍ±０．５μｍとなるので薄膜
磁気ヘッド素子２Ｂの方を磁電変換素子として用いる。 このようにして、ギャップ深さが１μｍ＋ Ｑ 。 ５μｍの範囲に研磨されるいずれか一方の薄膜磁気ヘッ
ド素子２Ａ又は２Ｂ＠磁電変換素子として用いることが
でき、この結果、薄膜磁気ヘッドの製造時の歩留りを向
上させることが可能となる。 本発明は上述した実施例に限定されるものではなく、そ
の要旨の範囲内で種々の変形が可能である。 例えば上述した実施例ではスライダーブロック端部に２
個の薄膜磁気ヘッド素子を有する薄膜磁気ヘッドについ
て説明したが、この他３個以上の薄膜磁気ヘッド素子を
有する薄膜磁気ヘッドも同様に製造することができる。 ［発明の効果］ 以上詳述した本発明によれば、少なくとも２個の薄膜磁
気ヘッド素子の位置を予めずらして形成しておき、研磨
工程でいずれかの薄膜磁気ヘッド素子のギャップ深さを
相対出力２分解能の点で最適の値となるようにするもの
であるから相対出力。 分解能が良好な薄膜磁気ヘッドを歩留り良く提供するこ
とが可能な製造方法を提供することができる。 ４、図面の簡単な説明 第１図は本発明の実施例にあけるスライダーブロックと
端部基材とを示す斜視図、第２図は端部基材の平面図、
第３図（ａ）は第２図におけるＩ−Ｔ線拡大概略断面図
、第３図（ｂ）は第２図にあけるＩＩ−ＩＩ線拡大概略
断面図、第４図（ａ）は第３図（ａ＞に示すポール部を
研磨した状態を示す拡大概略断面図、第４図（ｂ）は第
４図（ａ）に示すポール部に対応する他方のポール部の
状態を示す拡大概略断面図、第５図（ａ）は第４図（ａ
＞に示すポール部を更に研磨した状態を示す拡大概略断
面図、第５図（ｂ）は第４図（ｂ）に示すポール部を研
磨した状態を示す拡大概略断面図、第６図は従来の薄膜
磁気ヘッドの製造工程を示す要部拡大断面図、第７図は
薄膜磁気ヘッド素子のギャップ深さと相対出力及び分解
能との関係を示すグラフである。 １・・・スライダーブロック、 ２Ａ、２Ｂ・・・薄膜磁気ヘッド素子、４Ａ、４Ｂ・・
・突出レール、 ＰＡ、Ｐａ・・・ポール部、 ＬＬ 、Ｌ２・・・ギャップ深さ、 ＬＡ、ＬＢ・・・ギャップ深さ、 ＬＡ’、ＬＢ’・・・ギＶツブ深さ。
端部基材とを示す斜視図、第２図は端部基材の平面図、
第３図（ａ）は第２図におけるＩ−Ｉ線拡大概略断面図
、第３図（ｂ）は第２図におけるＩＩ−ｎ線拡大概略断
面図、第４図（ａ）は第３図（ａ）に示すポール部を研
磨した状態を示す拡大概略断面図、第４図（ｂ）は第４
図（ａ）に示すポール部に対応する他方のポール部の状
態を示す拡大概略断面図、第５図（ａ）は第４図（ａ＞
に示すポール部を更に研磨した状態を示す拡大概略断面
図、第５図（ｂ）は第４図（ｂ）に示すポール部を研磨
した状態を示す拡大概略断面図、第６図は従来の薄膜磁
気ヘッドの製造工程を示す要部拡大断面図、第７図は薄
膜磁気ヘッド素子のギャップ長と相対出力及び分解能と
の関係を示すグラフである。 １・・・スライダーブロック、 ２Ａ、２Ｂ−・・薄１１１６ｆｌ気ヘット素子、４Ａ、
４Ｂ・・・突出レール、 Ｐ＾、Ｐａ・・・ポール部、 Ｌｌ、Ｌ２・・・ギャップ長、 Ｌ＾、Ｌａ・・・ギャップ長、 Ｌ＾’、Ｌａ’・・・ギャップ長。 代理人 弁理士 三 澤 正 徨 １−１ｒ′手
続補正占 昭和６０年８月１２日 昭和６０年特許願第３２２７９号 ２、発明の名称 薄膜磁気ヘッドの製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ５、補正命令の日付 自 発 ６、補正の対象 明細書 ７、補正の内容 別紙の通り （明細書中、「ギャップ長」とあるのを、「ギャップ深
さ」と補正するものである。）明細書 １、発明の名称 薄膜磁気ヘッドの製造方法 ２、特許請求の範囲 少なくとも底部に２条の突出レールを有するスライダー
ブロックの端部にそれぞれ突出レールに対する位置をず
らし、かつ、ポール部のギヤツブ深意を異ならせて薄膜
磁気ヘッド素子を形成する工程と、各薄膜磁気ヘッド素
子のポール部を研磨する工程とからなり、最適のギヤツ
ブ区策を有するように研磨されるいずれかの薄膜磁気ヘ
ッド素子を磁電変換素子として用いるようにしたことを
特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ３、発明の詳細な説明 ［発明の技術分野］ 本発明は、薄膜磁気ヘッド、時に磁気ティスフ上に浮上
して情報読み書きを行う薄膜磁気ヘッドの製造方法に関
する。 ［発明の技術的背景とその問題点１ この種の薄膜磁気ヘッドは、底面に２条おるいは３条の
レールを備えたスライダーブロックの端部に薄膜磁気ヘ
ッド素子を有し、前記レール面を磁気ディスク面に向け
た状態で両面間に作用する相対的空気圧を利用してこの
薄膜磁気ヘッドを浮上させつつ磁気ディスク面に対する
情報の読み占きを行うようにしている。 このような薄膜磁気ヘッドを製造する従来方法を第６図
を参照して説明する。 この薄膜磁気ヘッドは、ＡＪ２０３の基体２１上に第１
の磁性体層２２．絶縁層２３．箔状コイル２４及び第２
の磁性体層２５を蒸着等の薄膜形成手段やエツチング処
理により形成し、第２の磁性体層２５をざらにＡ、ｅ２
０３の保護膜２６により被覆して磁気ヘッド素子３０を
形成し、ざらに基体２７をスライダー形状に加工してそ
の端部に磁気ヘッド素子３０が配置されるようにする。 そして、第１．第２の磁性体層２２．２５と絶縁層２３
とにより形成されるポール部Ｐをギャップの長さ方向（
深さ方向）に研磨することによりこのポール部Ｐのギャ
ップ深ざＬを所定の寸法となるようにしたものである。 このギャップ深ざＬと薄膜磁気ヘッド素子３０による相
対出力特性Ｐ１と分解能特性Ｐ２との関係を第７図示す
。 同図から明らかなようにこの薄膜磁気ヘッド素子３０の
ギャップ深ざＬが前記両特性の交差する点に相当する１
μｍ＋０．５μｍ程度のときに、最も良好な相対出力及
び分解能が得られることが理解できる。 しかしながら、従来の製造方法では、薄膜磁気ヘッド素
子３０の製造工程におけるフォトマスクの配列公差や絶
縁層２３のパターン公差、スライダーブロック２７の加
工公差、ざらにはポール部Ｐの研磨誤差等によりギャッ
プ深ざＬにバラツキが生じ、特に±０．５μｍ程度とい
う微小寸法のコントロールは極めて難しく、この結果、
相対出力及び分解能双方が良好な薄膜磁気ヘッドを製造
することが困難となり、歩留りが極めて悪いという問題
があった。 ［発明の目的］ 本発明は上記事情に鑑みて成されたものであり、歩留り
が良く相対出力及び分解能に優れた薄膜磁気ヘッドの製
造方法を提供することを目的とするものである。 ［発明の概要］ 上記目的を達成するための本発明の概要は、少なくとも
底部に２条の突出レールを有するスライダーブロックの
端部にそれぞれ突出レールに対する位置をずらし、かつ
、ポール部のギャップ深さを異ならせて薄膜磁気ヘッド
素子を形成する工程と、各薄膜磁気ヘッド素子のポール
部を研磨する工程とからなり、最適のギャップ深さを有
するように研磨されるいずれかの薄膜磁気ヘッド素子を
磁電変換素子として用いるようにしたことを特徴とする
ものである。 ［発明の実施例］ 以下に本発明の実施例を詳細に説明する。 まず、スライダーブロック１の端部にポール部のギャッ
プ深さが異なる薄膜磁気ヘッド素子２Ａ。 ２Ｂを形成する工程について第１図を参照して説明する
。 スライダーブロック１は、断面長方形状のブロック本体
３と、このブロック本体３の底部両側部に相対向して平
行配置に形成された突出レール４Ａ、４Ｂとを有して構
成され、一方の突出レール４Ａは磁気ディスクの内周側
に、他方の突出レール４Ｂは外周側にそれぞれ配置され
るようになっている。 このスライダーブロック１の一方の端部に、後述するポ
ール部ＰＡ、ＰＢをそれぞれ臨ませた形状に薄膜磁気ヘ
ッド素子２Ａ、２Ｂを形成する。 すなわち、スライダーブロック１の一方の端部基材５に
は、第２図、第３図（ａ）、（ｂ）にそれぞれ示すよう
に突出部５Ａ側に位置してギャップ深ざＬｌを有する薄
膜磁気ヘッド素子２Ａを、突出部５Ｂ側に位置してギャ
ップ深ざＬ２を有する薄膜磁気ヘッド素子２Ｂをそれぞ
れ形成する。このとき、Ｌ２−１１＝１μｍとする。す
なわち、ポール部ＰＡとポール部Ｐａとはギャップ深さ
を異ならせた状態となっている。尚、薄膜磁気ヘッド素
子２Ａ、２Ｂはいずれも既述した第６図に示すものと同
様Ａｌ２Ｏ３の基体２１．２６を有する端部基材５の内
部に、第１の磁性体層２２．絶縁層２３．箔状コイル２
４及び第２の磁性体Ｈ２５を形成することにより構成さ
れている。 このようにして異なるギャップ深ざＬｌ、Ｌ２を有し、
かつ、その深さ方向の位置を互いにずらした両肩膜磁気
ヘッド素子２Ａ、２Ｂをスライダーブロック１の端部に
形成した後、両肩膜磁気ヘッド素子２Ａ、２Ｂの各ポー
ル部ＰＡ、Ｐａをダイヤ研磨等の研磨手段により研磨す
る。 ポール部ＰＡを研磨することにより、薄膜磁気ヘッド素
子２Ａのギャップ深さが当初のギャップ深さＬｌから第
４図に（ａ）に示すようなギャップ深さＬＡとなり、こ
のギャップ深さＬＡが１μｍ±０．５μｍの範囲にある
と判別された場合には、その時点で研磨を中止する。 この場合には薄膜磁気ヘッド素子２Ａを磁電変換素子と
して用いることにより、相対出力及び分解能に優れた薄
膜磁気ヘッドを提供することができる。 一方、ポール部ＰＡ、ＰＢに対する研磨深さが第５図（
ａ＞、（ｂ）に示すように第４図（ａ）に示す場合より
も大きく、ポール部ＰＡのギャップ深さがギャップ深さ
ＬＡから第５図（ａ）に示すギャップ深さＬＡ’となっ
た場合には、このポール部ＰＡのギャップ深さＬＡ’は
１μｍ−０，５μｍ＝０．５μｍよりもざらに小ざな値
となり、第５図（ｂ）に示すポール部Ｐａのギャップ深
さＬＢ′がこの場合１μｍ±０．５μｍとなるので薄膜
磁気ヘッド素子２Ｂの方を磁電変換素子として用いる。 このようにして、ギャップ深さが１μｍ＋ Ｑ 。 ５μｍの範囲に研磨されるいずれか一方の薄膜磁気ヘッ
ド素子２Ａ又は２Ｂ＠磁電変換素子として用いることが
でき、この結果、薄膜磁気ヘッドの製造時の歩留りを向
上させることが可能となる。 本発明は上述した実施例に限定されるものではなく、そ
の要旨の範囲内で種々の変形が可能である。 例えば上述した実施例ではスライダーブロック端部に２
個の薄膜磁気ヘッド素子を有する薄膜磁気ヘッドについ
て説明したが、この他３個以上の薄膜磁気ヘッド素子を
有する薄膜磁気ヘッドも同様に製造することができる。 ［発明の効果］ 以上詳述した本発明によれば、少なくとも２個の薄膜磁
気ヘッド素子の位置を予めずらして形成しておき、研磨
工程でいずれかの薄膜磁気ヘッド素子のギャップ深さを
相対出力２分解能の点で最適の値となるようにするもの
であるから相対出力。 分解能が良好な薄膜磁気ヘッドを歩留り良く提供するこ
とが可能な製造方法を提供することができる。 ４、図面の簡単な説明 第１図は本発明の実施例にあけるスライダーブロックと
端部基材とを示す斜視図、第２図は端部基材の平面図、
第３図（ａ）は第２図におけるＩ−Ｔ線拡大概略断面図
、第３図（ｂ）は第２図にあけるＩＩ−ＩＩ線拡大概略
断面図、第４図（ａ）は第３図（ａ＞に示すポール部を
研磨した状態を示す拡大概略断面図、第４図（ｂ）は第
４図（ａ）に示すポール部に対応する他方のポール部の
状態を示す拡大概略断面図、第５図（ａ）は第４図（ａ
＞に示すポール部を更に研磨した状態を示す拡大概略断
面図、第５図（ｂ）は第４図（ｂ）に示すポール部を研
磨した状態を示す拡大概略断面図、第６図は従来の薄膜
磁気ヘッドの製造工程を示す要部拡大断面図、第７図は
薄膜磁気ヘッド素子のギャップ深さと相対出力及び分解
能との関係を示すグラフである。 １・・・スライダーブロック、 ２Ａ、２Ｂ・・・薄膜磁気ヘッド素子、４Ａ、４Ｂ・・
・突出レール、 ＰＡ、Ｐａ・・・ポール部、 ＬＬ 、Ｌ２・・・ギャップ深さ、 ＬＡ、ＬＢ・・・ギャップ深さ、 ＬＡ’、ＬＢ’・・・ギＶツブ深さ。
Claims (1)
- 少なくとも底部に２条の突出レールを有するスライダー
ブロックの端部にそれぞれ突出レールに対する位置をず
らし、かつ、ポール部のギャップ長を異ならせて薄膜磁
気ヘッド素子を形成する工程と、各薄膜磁気ヘッド素子
のポール部を研磨する工程とからなり、最適のギャップ
長を有するように研磨されるいずれかの薄膜磁気ヘッド
素子を磁電変換素子として用いるようにしたことを特徴
とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3227985A JPS61190708A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3227985A JPS61190708A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61190708A true JPS61190708A (ja) | 1986-08-25 |
Family
ID=12354534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3227985A Pending JPS61190708A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61190708A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7540505B2 (en) | 2002-02-06 | 2009-06-02 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Stabilizer system |
| US12097741B2 (en) | 2019-05-03 | 2024-09-24 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Stabilizer assembly for a two-track vehicle |
-
1985
- 1985-02-19 JP JP3227985A patent/JPS61190708A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7540505B2 (en) | 2002-02-06 | 2009-06-02 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Stabilizer system |
| US12097741B2 (en) | 2019-05-03 | 2024-09-24 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Stabilizer assembly for a two-track vehicle |
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