JPS61193335A - 撮像管タ−ゲツト - Google Patents
撮像管タ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS61193335A JPS61193335A JP3039085A JP3039085A JPS61193335A JP S61193335 A JPS61193335 A JP S61193335A JP 3039085 A JP3039085 A JP 3039085A JP 3039085 A JP3039085 A JP 3039085A JP S61193335 A JPS61193335 A JP S61193335A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- film thickness
- density
- pickup tube
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、Ｓｅ、Ａｓ、Ｔｅを主成分とする光導電膜を
用いた撮像管ターゲットに関するものである。
用いた撮像管ターゲットに関するものである。
従来この種の光導電膜を備えた撮像管、例えば光入射側
から順次積層したＳｅとＡｓ とからなる第１層、Ｔｅ
を含む第２層、高濃度のＡｓを含む第３層、Ｍ２層と同
様に低Ａｓ濃度でかつＴｅを含まず、全膜厚の大部分を
占めるＳｅとＡ、ｓとからなる第４層によって構成され
る光導電膜、あるいはこれにハイライトスティッキング
、すなわち高輝度被写体撮像時に生ずる尾引き現象防止
のためにＬｉＦ等の不純物を添加した光導電膜等を備え
た撮像管（％願昭５５−１５７０８４号）などにおいて
は、例えばコントラストのはつきりし次静止被写体を撮
像すると、その像が残って消えない現象、すなわち焼付
現象が生じ問題となっていた。
から順次積層したＳｅとＡｓ とからなる第１層、Ｔｅ
を含む第２層、高濃度のＡｓを含む第３層、Ｍ２層と同
様に低Ａｓ濃度でかつＴｅを含まず、全膜厚の大部分を
占めるＳｅとＡ、ｓとからなる第４層によって構成され
る光導電膜、あるいはこれにハイライトスティッキング
、すなわち高輝度被写体撮像時に生ずる尾引き現象防止
のためにＬｉＦ等の不純物を添加した光導電膜等を備え
た撮像管（％願昭５５−１５７０８４号）などにおいて
は、例えばコントラストのはつきりし次静止被写体を撮
像すると、その像が残って消えない現象、すなわち焼付
現象が生じ問題となっていた。
本発明は、このような問題を解決するためになされたも
のであ多、その目的は、焼付を実用上識別できないレベ
ルまで低減させ良好な撮像画面を得ることを可能にした
撮像管ターゲットを提供することにある。
のであ多、その目的は、焼付を実用上識別できないレベ
ルまで低減させ良好な撮像画面を得ることを可能にした
撮像管ターゲットを提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明は、Ｔｅ含有
第２層上に位置する高Ａｓ濃度分布を有する第３層の積
算Ａｓ量を１５０〜５００ｗｔ、９６＊ ｎｍとしたも
のである。
第２層上に位置する高Ａｓ濃度分布を有する第３層の積
算Ａｓ量を１５０〜５００ｗｔ、９６＊ ｎｍとしたも
のである。
ここで積算Ａｓ量とは、第１図に示すように光入射側か
らの膜厚（ｎｍ）を横軸に、光導ｆ「膜を構成する各成
分の濃３ （ｗ ｔ ％ｉ ）を縦軸にとってｉｌＡｌ
分度を表わしたとさ、第２層および第４層のδ［を越え
る第３眉Ａｓ濃度と膜厚で形成される図形（ｍ３図でけ
ｆ＋緑を付した３角形）の面積で示されるものである。
らの膜厚（ｎｍ）を横軸に、光導ｆ「膜を構成する各成
分の濃３ （ｗ ｔ ％ｉ ）を縦軸にとってｉｌＡｌ
分度を表わしたとさ、第２層および第４層のδ［を越え
る第３眉Ａｓ濃度と膜厚で形成される図形（ｍ３図でけ
ｆ＋緑を付した３角形）の面積で示されるものである。
なお、第１図において、Ｉは５ｅ−Ａｓからなる第１層
、■はＴｅを含む第２層、■は上記第３層、■はＳ ｅ
−Ａ ｓからなる第４層の領域を示す。
、■はＴｅを含む第２層、■は上記第３層、■はＳ ｅ
−Ａ ｓからなる第４層の領域を示す。
すなわち、本発明は、前述したような焼付の大小と上記
第３層の積算Ａｓ量との間に第２図に示すような相関関
係があること、および同図から上記積算Ａｓ量を５ＱＱ
ｗｔ％・ｎｌｎ以下にすれば焼付は十分に改善されるこ
との発見に基いてなされたものである。なお、第２図に
おいて焼付量はＥＩＡＪ規格に基き、焼付パターンによ
るコントラストを１００％とし、パターンを１０分間照
射し除去後の焼付のコントラストを九で表わしたもので
、図中の数値は通常カメラ実装時の光導電膜温度４０°
Ｃで測定した値である。また、ポジ焼付は光照射部分が
周囲よシ白く浮いて残る現象、ネガ焼付は逆に暗く残る
現象をいう。第２図において、Ａはモニタ検出限界レベ
ル、すなわち焼付像が目視で観察できなくなるレベルを
示す。
第３層の積算Ａｓ量との間に第２図に示すような相関関
係があること、および同図から上記積算Ａｓ量を５ＱＱ
ｗｔ％・ｎｌｎ以下にすれば焼付は十分に改善されるこ
との発見に基いてなされたものである。なお、第２図に
おいて焼付量はＥＩＡＪ規格に基き、焼付パターンによ
るコントラストを１００％とし、パターンを１０分間照
射し除去後の焼付のコントラストを九で表わしたもので
、図中の数値は通常カメラ実装時の光導電膜温度４０°
Ｃで測定した値である。また、ポジ焼付は光照射部分が
周囲よシ白く浮いて残る現象、ネガ焼付は逆に暗く残る
現象をいう。第２図において、Ａはモニタ検出限界レベ
ル、すなわち焼付像が目視で観察できなくなるレベルを
示す。
ところが上記積算Ａｓ量を小さくした場合、一方でＴｅ
の拡散による感度の劣化が大きくなシ信頼性上問題が生
じて実用的でない。すなわち、Ａｓには感度劣化防止効
果があシ、それは高濃度はど大きい。したがって、Ａｓ
１ｌの減少には感度劣化防止効果を損わないという観点
から限度がある。
の拡散による感度の劣化が大きくなシ信頼性上問題が生
じて実用的でない。すなわち、Ａｓには感度劣化防止効
果があシ、それは高濃度はど大きい。したがって、Ａｓ
１ｌの減少には感度劣化防止効果を損わないという観点
から限度がある。
そこで、第３図に示すように第３層の膜厚りを１２ｎｍ
に固定し、第２層および第４層の濃度を越える第３層Ａ
ｓ１度、すなわち第３図に矢印Ｂで示す濃度をＱ ｗ
ｔ％から４Ｑｗｔ％まで変えて赤色光感度劣化を調べた
ところ、第４図に示すような結果が得られた。なお、赤
色光感度劣化は初期値との比で示したものである。同図
から、この場合約２３ｗｔ％以上のＡｓａ度があれば赤
色感度劣化は１０％まで防止できることが分る。
に固定し、第２層および第４層の濃度を越える第３層Ａ
ｓ１度、すなわち第３図に矢印Ｂで示す濃度をＱ ｗ
ｔ％から４Ｑｗｔ％まで変えて赤色光感度劣化を調べた
ところ、第４図に示すような結果が得られた。なお、赤
色光感度劣化は初期値との比で示したものである。同図
から、この場合約２３ｗｔ％以上のＡｓａ度があれば赤
色感度劣化は１０％まで防止できることが分る。
また、同様に第３図に矢印Ｂで示すＡｓ濃度を’
２５ ｗ ｔ Ｘに固定し、膜厚りをＱｎｍから３Ｑ
ｎｍまで変えて調べたところ、第・５図に示すような結
果が得られ、同図から赤色感度劣化をｌＯＳまで許容す
れば約１１−２ｎ以上の膜厚が必要であることが分かる
。
２５ ｗ ｔ Ｘに固定し、膜厚りをＱｎｍから３Ｑ
ｎｍまで変えて調べたところ、第・５図に示すような結
果が得られ、同図から赤色感度劣化をｌＯＳまで許容す
れば約１１−２ｎ以上の膜厚が必要であることが分かる
。
以上の結果から、焼付抑制に効果がめり、かつ赤色光感
度劣化を例えば約１５９６まで許容すればａｌ分度とし
て、積算Ａｓ ｆを１５０〜５００ ｗｔ％＊ｎｍとす
ればよいことが分かる。
度劣化を例えば約１５９６まで許容すればａｌ分度とし
て、積算Ａｓ ｆを１５０〜５００ ｗｔ％＊ｎｍとす
ればよいことが分かる。
なお、上記第３図に示した例は第３層積算Ａｓ量算出の
対象となる図形全矩形状とした例であるが本発明はこれ
に限定されるものではなく、上記図形は三角形状であっ
てもよい。また、ハイライトスティッキング対策として
ＬｉＦ、ＣａＦｓのようなフッ化物、あるいはＩｎ５ｅ
３のような金属酸化物−などの不純物を添加した光導電
膜を用いた場合にも同様の効果が得られることは言うま
でもない。
対象となる図形全矩形状とした例であるが本発明はこれ
に限定されるものではなく、上記図形は三角形状であっ
てもよい。また、ハイライトスティッキング対策として
ＬｉＦ、ＣａＦｓのようなフッ化物、あるいはＩｎ５ｅ
３のような金属酸化物−などの不純物を添加した光導電
膜を用いた場合にも同様の効果が得られることは言うま
でもない。
例えば、第６図に示すように第１層から第２層−今一
の厚みの１／２にかけてＬｉＦを添加し、かつ第３眉Ａ
ｓ濃度Ｂを２５ｗｔ％、膜厚Ｄ ’ｒ Ｉ ２ ｎｍに
すると共にＩｎ、０３を添加した構造のターゲットを用
いた撮像管において、焼付量は第３層積算Ａｓ量を本発
明限定の範囲にしない従来例に比較して！／４以下に改
善することができた。
ｓ濃度Ｂを２５ｗｔ％、膜厚Ｄ ’ｒ Ｉ ２ ｎｍに
すると共にＩｎ、０３を添加した構造のターゲットを用
いた撮像管において、焼付量は第３層積算Ａｓ量を本発
明限定の範囲にしない従来例に比較して！／４以下に改
善することができた。
また、第１図にＬＩＦを添加した濃度分布において第３
層の鴨を１７２にして積算Ａｓ ｍを半減した構造のタ
ーゲットを用いた撮像管においても焼付量は約１／２に
改善することができた。
層の鴨を１７２にして積算Ａｓ ｍを半減した構造のタ
ーゲットを用いた撮像管においても焼付量は約１／２に
改善することができた。
以上説明したように、本発明によれば、第３層の積算Ａ
ｓ１ｉを１５０〜５００ ｗｔ％・ｎｍとしたことに゛
より、感度劣化防止効果を損わずに焼付を減少させる
ことができるという効果が得られる。
ｓ１ｉを１５０〜５００ ｗｔ％・ｎｍとしたことに゛
より、感度劣化防止効果を損わずに焼付を減少させる
ことができるという効果が得られる。
第・１図はＳｅ、Ａｓ、Ｔｅからなる光導１１Ｌ膜の濃
度分布例を示す図、第２図は焼付量の第３層積算Ａｓ量
依存性を示す図、第３図は光４電膜の濃度分布例を示す
図、第４図は第３図において第３層膜厚を固定した時の
赤色光感度劣化のＡｓａ度依存性を示す図、第５図は第
３層Ａｓｆｉ［を固定した時の赤色光感度劣化の膜厚依
存性を示す図、第６図は本発明の一実施例における光導
電膜のＢ反発面を示す図でめる。 ■・・・・第１層領域、■・・・・第２層領域、■・・
・・第３層領域、■・・・・第４層領域。 ポＶ一体）
度分布例を示す図、第２図は焼付量の第３層積算Ａｓ量
依存性を示す図、第３図は光４電膜の濃度分布例を示す
図、第４図は第３図において第３層膜厚を固定した時の
赤色光感度劣化のＡｓａ度依存性を示す図、第５図は第
３層Ａｓｆｉ［を固定した時の赤色光感度劣化の膜厚依
存性を示す図、第６図は本発明の一実施例における光導
電膜のＢ反発面を示す図でめる。 ■・・・・第１層領域、■・・・・第２層領域、■・・
・・第３層領域、■・・・・第４層領域。 ポＶ一体）
Claims (1)
- ＳｅとＡｓとを主成分とする第１層と、Ｓｅ、Ａｓ、Ｔ
ｅを主成分とする第２層と、高濃度のＡｓを含むＳｅと
Ａｓとを主成分とする第３層と、第３層より低濃度のＡ
ｓを含むＳｅとＡｓとを主成分とする第４層とを光入射
側から順次積層してなる光導電膜を備えた撮像管ターゲ
ットにおいて、第３層の積算Ａｓ量を濃度×膜厚１５０
〜５００ｗｔ％・ｎｍとしたことを特徴とする撮像管タ
ーゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3039085A JPS61193335A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 撮像管タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3039085A JPS61193335A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 撮像管タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61193335A true JPS61193335A (ja) | 1986-08-27 |
Family
ID=12302581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3039085A Pending JPS61193335A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 撮像管タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61193335A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5399882A (en) * | 1992-06-19 | 1995-03-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Camera device and method of manufacturing the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51829A (ja) * | 1974-06-21 | 1976-01-07 | Hitachi Ltd | |
| JPS59132541A (ja) * | 1983-01-19 | 1984-07-30 | Hitachi Ltd | 撮像管タ−ゲツト |
-
1985
- 1985-02-20 JP JP3039085A patent/JPS61193335A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51829A (ja) * | 1974-06-21 | 1976-01-07 | Hitachi Ltd | |
| JPS59132541A (ja) * | 1983-01-19 | 1984-07-30 | Hitachi Ltd | 撮像管タ−ゲツト |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5399882A (en) * | 1992-06-19 | 1995-03-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Camera device and method of manufacturing the same |
| US5466613A (en) * | 1992-06-19 | 1995-11-14 | Nippon Hoso Kyokai | Method of manufacturing a camera device |
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