JPH0120554B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0120554B2 JPH0120554B2 JP56080914A JP8091481A JPH0120554B2 JP H0120554 B2 JPH0120554 B2 JP H0120554B2 JP 56080914 A JP56080914 A JP 56080914A JP 8091481 A JP8091481 A JP 8091481A JP H0120554 B2 JPH0120554 B2 JP H0120554B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- group
- concentration
- selenium
- deposited
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/26—Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
- H01J29/451—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions
- H01J29/456—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen with photosensitive junctions exhibiting no discontinuities, e.g. consisting of uniform layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光導電形撮像管のターゲツト等に用
いる光導電層の構造に関するものである。特に整
流性接触形光導電層の光応答特性のうち、強い入
射光により生ずる焼付を軽減するための光導電層
の構造に関するものである。
いる光導電層の構造に関するものである。特に整
流性接触形光導電層の光応答特性のうち、強い入
射光により生ずる焼付を軽減するための光導電層
の構造に関するものである。
すでに知られているように、非晶質Seは光導
電性を示し、ｎ型導電性の信号電極と組合せるこ
とにより、ホトダイオード型の光導電性ターゲツ
トを作ることができる。この場合、Seは長波長
光に対する感度を持たないので、これを改善する
ため、Se層の膜厚方向の１部にTeを添加する方
法がとられている。この例はたとえば特願昭50−
45198号にみられる。
電性を示し、ｎ型導電性の信号電極と組合せるこ
とにより、ホトダイオード型の光導電性ターゲツ
トを作ることができる。この場合、Seは長波長
光に対する感度を持たないので、これを改善する
ため、Se層の膜厚方向の１部にTeを添加する方
法がとられている。この例はたとえば特願昭50−
45198号にみられる。
第１図に、従来技術によるターゲツトの原理的
構造図を示す。図において１は透光性基板、２は
透明導電膜、３はｐ型光導電膜の増感部分、４は
ｐ型光導電膜でターゲツトの蓄積容量を減少させ
る層、５は走査電子ビームのランデイングを補助
するための層である。３はSe、As、Teを含有す
る非晶質材料、４はSe、Asを含有する非晶質材
料、５はSb2S3等で構成されている。第２図は第
１図におけるｐ型光導電膜の増感部分３の膜厚方
向の成分分布の１例を示したものである。この例
では、感度を増すためのTeは、透明導電膜２と
の界面にあたる膜厚ゼロの位置には全く存在せず
（ａの部分）、膜厚1000Åの部分から急速に濃度を
増し、膜厚1500Åにわたつて添加されている（ｂ
の部分）。ａ，ｂに添加されているAsは、Seの熱
的安定性を高めるためのものである。ｃの部分に
は、増感効果を高めるため、Se中で深い準位を
形成すると考えられるAsが添加されている。As
の濃度は膜厚2500Åにわたつて一様な勾配で減少
している。このAsはSeの熱的安定性を高める効
果を持つている。このような構造を持つターゲツ
トは、長波長光に対する感度を増加させるという
目的は達しており、残像、焼付など撮像管として
通常要求される特性は良好である。しかし、この
ターゲツトは、太陽などを撮像するときのよう
に、強い光が入射する場合には焼付を生じ、消滅
するのに長時間を要する欠点があつた。
構造図を示す。図において１は透光性基板、２は
透明導電膜、３はｐ型光導電膜の増感部分、４は
ｐ型光導電膜でターゲツトの蓄積容量を減少させ
る層、５は走査電子ビームのランデイングを補助
するための層である。３はSe、As、Teを含有す
る非晶質材料、４はSe、Asを含有する非晶質材
料、５はSb2S3等で構成されている。第２図は第
１図におけるｐ型光導電膜の増感部分３の膜厚方
向の成分分布の１例を示したものである。この例
では、感度を増すためのTeは、透明導電膜２と
の界面にあたる膜厚ゼロの位置には全く存在せず
（ａの部分）、膜厚1000Åの部分から急速に濃度を
増し、膜厚1500Åにわたつて添加されている（ｂ
の部分）。ａ，ｂに添加されているAsは、Seの熱
的安定性を高めるためのものである。ｃの部分に
は、増感効果を高めるため、Se中で深い準位を
形成すると考えられるAsが添加されている。As
の濃度は膜厚2500Åにわたつて一様な勾配で減少
している。このAsはSeの熱的安定性を高める効
果を持つている。このような構造を持つターゲツ
トは、長波長光に対する感度を増加させるという
目的は達しており、残像、焼付など撮像管として
通常要求される特性は良好である。しかし、この
ターゲツトは、太陽などを撮像するときのよう
に、強い光が入射する場合には焼付を生じ、消滅
するのに長時間を要する欠点があつた。
本発明の目的は、強い光により生ずる焼付を改
善したターゲツトを提供することにある。
善したターゲツトを提供することにある。
本発明においては、Se中で負の空間電荷を形
成する酸化物、弗化物、或いは特定の元素を、前
述のテルルを添加した領域の少なくとも一部と、
このテルルを添加した領域に隣接した領域のうち
の少なくとも一部分のいずれか、または双方にセ
レンの中で深い準位を形成する物質とセレンの中
で負の空間電荷を形成する所定物質とを共存せし
めることを骨子とする。即ち、両性質の物質を共
存せしめて、入射光によつて信号電流の大部分を
発生する増感領域よりキヤリアを引き出すごとく
なす。
成する酸化物、弗化物、或いは特定の元素を、前
述のテルルを添加した領域の少なくとも一部と、
このテルルを添加した領域に隣接した領域のうち
の少なくとも一部分のいずれか、または双方にセ
レンの中で深い準位を形成する物質とセレンの中
で負の空間電荷を形成する所定物質とを共存せし
めることを骨子とする。即ち、両性質の物質を共
存せしめて、入射光によつて信号電流の大部分を
発生する増感領域よりキヤリアを引き出すごとく
なす。
本発明によれば、第２図ｃの部分（増感補助
層）にSe中で負の空間電荷を形成すると考えら
れる物質、たとえばCuO、In2O3、SeO2、V2O5、
MoO3、WO3、GaF3、InF3、Zn、Ga、In、Cl、
Ｉ、Br等のうち少なくとも１種類を添加するこ
とにより、従来提案されているSe中で深い準位
を形成すると考えられる物質の添加量をｃの部分
で減少させても、従来以上に、第２図ａ，ｂの部
分（感光層）で入射光により生成されたキヤリア
を信号電流として有効に取り出せて増感効果を高
めることができるだけでなく、強い入射光により
生ずる焼付を軽減できることが明らかとなつた。
層）にSe中で負の空間電荷を形成すると考えら
れる物質、たとえばCuO、In2O3、SeO2、V2O5、
MoO3、WO3、GaF3、InF3、Zn、Ga、In、Cl、
Ｉ、Br等のうち少なくとも１種類を添加するこ
とにより、従来提案されているSe中で深い準位
を形成すると考えられる物質の添加量をｃの部分
で減少させても、従来以上に、第２図ａ，ｂの部
分（感光層）で入射光により生成されたキヤリア
を信号電流として有効に取り出せて増感効果を高
めることができるだけでなく、強い入射光により
生ずる焼付を軽減できることが明らかとなつた。
第３図は、本発明を説明するための図で、光導
電膜の増感領域における成分分布の１例を示した
ものである。以下、本発明の説明中へ成分比は重
量比で表示する。第３図の例では、Teは透明導
電膜の界面のあたる膜厚ゼロの位置には全く存在
せず（a′の部分）、膜厚500Åの部分から急速に濃
度を増し、30％の濃度で膜厚1000Åにわたつて添
加されている（b′部分）。Asはa′の部分には６％、
b′の部分には３％の濃度で膜厚方向に一様に分布
している。a′，b′の部分の構成は、原理的には第
２図の場合と同じである。第２図と異なるのは、
増感効果を高める層、c′の部分である。c′の部分
は膜厚は1000Åで、As濃度は、始め20％で、厚
くなるに従つてなめらかに減少し、c′の部分の終
りでは３％になつている。又、c′の部分には、
GaF3が2000ppmの濃度で膜厚方向に一様に分布
している。
電膜の増感領域における成分分布の１例を示した
ものである。以下、本発明の説明中へ成分比は重
量比で表示する。第３図の例では、Teは透明導
電膜の界面のあたる膜厚ゼロの位置には全く存在
せず（a′の部分）、膜厚500Åの部分から急速に濃
度を増し、30％の濃度で膜厚1000Åにわたつて添
加されている（b′部分）。Asはa′の部分には６％、
b′の部分には３％の濃度で膜厚方向に一様に分布
している。a′，b′の部分の構成は、原理的には第
２図の場合と同じである。第２図と異なるのは、
増感効果を高める層、c′の部分である。c′の部分
は膜厚は1000Åで、As濃度は、始め20％で、厚
くなるに従つてなめらかに減少し、c′の部分の終
りでは３％になつている。又、c′の部分には、
GaF3が2000ppmの濃度で膜厚方向に一様に分布
している。
この例では、GaF3は膜厚方向に一様な濃度で、
c′の部分全体に分布しているが、必ずしも一様で
ある必要はなく、濃度勾配をもつていてもかまわ
ない。また、c′の部分の１部分に分布しても良
く、c′の部分と隣接するb′の部分または第１図４
の部分の、界面近傍に分布していても良い。Te
を添加した領域の端部より1μｍ程度離れた領域
迄、所定物質添加の効果は認められる。さらにま
た、この例では、As濃度はなめらかに減少して
いるが、膜厚方向に一様な濃度であつてもよく、
急激な濃度変化を持つていてもよい。また、
GaF3の量を増やせばAsをなくすこともできる
が、AsはTeの拡散を防止するはたらきもあるの
で、実用上は、安定性を高める上で少くとも５重
量％以上添加しておくことが望ましい。必要なこ
とは、c′の部分、またはc′の部分に隣接する層の
界面近傍にGaF3を添加することである。
c′の部分全体に分布しているが、必ずしも一様で
ある必要はなく、濃度勾配をもつていてもかまわ
ない。また、c′の部分の１部分に分布しても良
く、c′の部分と隣接するb′の部分または第１図４
の部分の、界面近傍に分布していても良い。Te
を添加した領域の端部より1μｍ程度離れた領域
迄、所定物質添加の効果は認められる。さらにま
た、この例では、As濃度はなめらかに減少して
いるが、膜厚方向に一様な濃度であつてもよく、
急激な濃度変化を持つていてもよい。また、
GaF3の量を増やせばAsをなくすこともできる
が、AsはTeの拡散を防止するはたらきもあるの
で、実用上は、安定性を高める上で少くとも５重
量％以上添加しておくことが望ましい。必要なこ
とは、c′の部分、またはc′の部分に隣接する層の
界面近傍にGaF3を添加することである。
すでにまた、信号電流の大部分を生成する領域
a′，b′の部分に、浅い準位を形成するような弗化
物、たとえばLiF、NaF、MgF2、CaF2、AlF3、
CrF3、MnF3、CoF2、PbF2、BaF2、CeF3、TlF
の群から選ばれた少くとも一者を添加することに
より、強い光に対する残像を改良する方法（特願
昭54−71767）が提案されている。この方法と本
発明を組合せれば、上記強い光に対する残像改善
効果をそこなうことなしに、本発明の目的である
強い光により生ずる焼付に対する改善効果をさら
に高めることが出来る。
a′，b′の部分に、浅い準位を形成するような弗化
物、たとえばLiF、NaF、MgF2、CaF2、AlF3、
CrF3、MnF3、CoF2、PbF2、BaF2、CeF3、TlF
の群から選ばれた少くとも一者を添加することに
より、強い光に対する残像を改良する方法（特願
昭54−71767）が提案されている。この方法と本
発明を組合せれば、上記強い光に対する残像改善
効果をそこなうことなしに、本発明の目的である
強い光により生ずる焼付に対する改善効果をさら
に高めることが出来る。
なお、添加量は平均で50ppm〜５％である。
以下、本発明による光導電膜の構造を、実施例
に従つて説明する。
に従つて説明する。
実施例 １
ガラス基板上に酸化スズを主体とする透明導電
膜を形成し、その上に第１層としてSeを100〜
500Åの厚さに蒸着する。続いてSeとTeとMoO3
をそれぞれ別々の蒸着ボートから同時に蒸着し、
膜厚500〜1000Åの第２層を形成する。この場合、
Teは25〜35％の濃度で膜厚方向に一様に分布さ
せ、MoO3は第２層の表面側200Åのみに
2000ppm添加する。次に、SeとMoO3を別々のボ
ートから同時に蒸着し、MoO3の濃度2000ppm、
膜厚200Åの第３層を形成する。第３層の上にSe
を膜厚4μｍ蒸着する。第１層から第４層までは、
２×10-6Torrの真空中で蒸着する。第４層の上
に２×10-1Torrのアルゴン雰囲気中でSb2S3を
1000Å蒸着し、電子ビームランデング補助層を形
成する。この構造で撮像特性を測定したところ焼
付け特性が改善された。また、第１層から第４層
までにわたつてAsまたはGeを10％以下添加すれ
ば、Seの結晶化が防止されて熱的安定性を向上
することができる。上記の例ではMoO3を用いた
が、他の材料CuO、In2O3、SeO2、V2O3、WO3、
InF3或いはZn、Ga、In、Cl、Ｉ、Br等を用いて
も同等の効果を得ることができた。又、これらの
二者、或いは二者以上を含有せしめても良い。
膜を形成し、その上に第１層としてSeを100〜
500Åの厚さに蒸着する。続いてSeとTeとMoO3
をそれぞれ別々の蒸着ボートから同時に蒸着し、
膜厚500〜1000Åの第２層を形成する。この場合、
Teは25〜35％の濃度で膜厚方向に一様に分布さ
せ、MoO3は第２層の表面側200Åのみに
2000ppm添加する。次に、SeとMoO3を別々のボ
ートから同時に蒸着し、MoO3の濃度2000ppm、
膜厚200Åの第３層を形成する。第３層の上にSe
を膜厚4μｍ蒸着する。第１層から第４層までは、
２×10-6Torrの真空中で蒸着する。第４層の上
に２×10-1Torrのアルゴン雰囲気中でSb2S3を
1000Å蒸着し、電子ビームランデング補助層を形
成する。この構造で撮像特性を測定したところ焼
付け特性が改善された。また、第１層から第４層
までにわたつてAsまたはGeを10％以下添加すれ
ば、Seの結晶化が防止されて熱的安定性を向上
することができる。上記の例ではMoO3を用いた
が、他の材料CuO、In2O3、SeO2、V2O3、WO3、
InF3或いはZn、Ga、In、Cl、Ｉ、Br等を用いて
も同等の効果を得ることができた。又、これらの
二者、或いは二者以上を含有せしめても良い。
実施例 ２
ガラス基板上に酸化スズを主体とする透明導電
膜を形成し、さらに整流性接触補助層として
GeO2を200Å、CeO2を200Åの厚さに３×
10-6Torrの真空中で蒸着する。その上に第１層
としてSe、As2Se3を別々の蒸着ボートから100〜
500Åの厚さに蒸着する。このときAs濃度は３％
とし、膜厚方向に一様に分布させる。続いてSe、
As2Se3、Teを別々の蒸着ボートから蒸発させ、
500〜1000Åの第２層を形成する。このときTe濃
度は25〜35％、As濃度は２％で、膜厚方向に一
様に分布させる。第２層の上にSe、As、GaF3と
からなる第３層を400〜1000Åの厚さに蒸着する。
第３層を蒸着する場合、Se、As2Se3、GaF3を
別々の蒸着ボートから同時に蒸発させる。このと
きAs2Se3のボート電流を制御し、Asの濃度が始
め20〜25％で、蒸着が進むにつれてなめらかに減
少し、第３層の終りでは３％になるようにする。
又GaF3は、第３層の始めから200Åの厚さにわた
つて1000ppmの濃度で一様に分布させる。第３層
の上に、第４層としてSeとAs2Se3を同時に蒸着
し、全体の膜厚を4μｍとなるようにする。この
とき、第４層のAs濃度は３％とし、膜厚方向に
一様に分布させる。第１層から第４層までは２×
10-6Torrの真空中で蒸着する。第４層の上にビ
ームランデイング補助層として２×10-1Torrの
アルゴン雰囲気中でSb2S3を1000Åの厚さに蒸着
する。
膜を形成し、さらに整流性接触補助層として
GeO2を200Å、CeO2を200Åの厚さに３×
10-6Torrの真空中で蒸着する。その上に第１層
としてSe、As2Se3を別々の蒸着ボートから100〜
500Åの厚さに蒸着する。このときAs濃度は３％
とし、膜厚方向に一様に分布させる。続いてSe、
As2Se3、Teを別々の蒸着ボートから蒸発させ、
500〜1000Åの第２層を形成する。このときTe濃
度は25〜35％、As濃度は２％で、膜厚方向に一
様に分布させる。第２層の上にSe、As、GaF3と
からなる第３層を400〜1000Åの厚さに蒸着する。
第３層を蒸着する場合、Se、As2Se3、GaF3を
別々の蒸着ボートから同時に蒸発させる。このと
きAs2Se3のボート電流を制御し、Asの濃度が始
め20〜25％で、蒸着が進むにつれてなめらかに減
少し、第３層の終りでは３％になるようにする。
又GaF3は、第３層の始めから200Åの厚さにわた
つて1000ppmの濃度で一様に分布させる。第３層
の上に、第４層としてSeとAs2Se3を同時に蒸着
し、全体の膜厚を4μｍとなるようにする。この
とき、第４層のAs濃度は３％とし、膜厚方向に
一様に分布させる。第１層から第４層までは２×
10-6Torrの真空中で蒸着する。第４層の上にビ
ームランデイング補助層として２×10-1Torrの
アルゴン雰囲気中でSb2S3を1000Åの厚さに蒸着
する。
実施例 ３
ガラス基板上に酸化スズを主体とする透明導電
膜を形成し、その上に第１層としてSe、As2Se3
をそれぞれ別々の蒸着ボートから300Åの厚さに
蒸着する。As濃度は３％で、膜厚方向に一様に
分布させる。第１層の上に第２層としてSe、
As2Se3、Teをそれぞれ別の蒸着ボートから同時
に蒸発させ、500Åの厚さに蒸着する。Te濃度は
35％、As濃度は２％とし、膜厚方向に一様に分
布させる。第２層の上にSe、As、GaF3よりなる
第３層を蒸着する。第３層を蒸着する場合、Se、
As2Se3、GaF3を別々の蒸着ボートに入れ同時に
蒸発させる。第３層の膜厚は200Åとし、As濃度
は25％、GaF3濃度は2000ppmで膜厚方向に一様
に分布させる。次にSe、Asよりなる第４層を蒸
着し、全体の膜厚を6μｍとする。第４層のAs濃
度は２％とし膜厚方向に一様に分布させる。第１
層から第４層までの蒸着は２×10-6Torrの真空
中で行なう。第４層の上に２×10-1Torrのアル
ゴン雰囲気中でSb2S3を1000Åの厚さに蒸着す
る。
膜を形成し、その上に第１層としてSe、As2Se3
をそれぞれ別々の蒸着ボートから300Åの厚さに
蒸着する。As濃度は３％で、膜厚方向に一様に
分布させる。第１層の上に第２層としてSe、
As2Se3、Teをそれぞれ別の蒸着ボートから同時
に蒸発させ、500Åの厚さに蒸着する。Te濃度は
35％、As濃度は２％とし、膜厚方向に一様に分
布させる。第２層の上にSe、As、GaF3よりなる
第３層を蒸着する。第３層を蒸着する場合、Se、
As2Se3、GaF3を別々の蒸着ボートに入れ同時に
蒸発させる。第３層の膜厚は200Åとし、As濃度
は25％、GaF3濃度は2000ppmで膜厚方向に一様
に分布させる。次にSe、Asよりなる第４層を蒸
着し、全体の膜厚を6μｍとする。第４層のAs濃
度は２％とし膜厚方向に一様に分布させる。第１
層から第４層までの蒸着は２×10-6Torrの真空
中で行なう。第４層の上に２×10-1Torrのアル
ゴン雰囲気中でSb2S3を1000Åの厚さに蒸着す
る。
実施例 ４
ガラス基板上に酸化インジウムを主体とする透
明導電膜を形成し、さらに整流性接触補助層とし
てCeO2を３×10-6Torrの真空中で300Åの厚さに
蒸着する。その上にｐ型光導電膜の増感部分の第
１層として、Se、As2Se3をそれぞれ別々の蒸着
ボートから同時に300Åの厚さに蒸着する。この
ときAsが12％の濃度で、膜厚方向に一様に添加
されるようにする。続いて第２層としてSe、
As2Se3、Teを別々の蒸着ボートから600Åの厚さ
に蒸着する。このときTe濃度は30％、As濃度は
３％とし、膜厚方向に一様に分布させる。第１
層、第２層で感光層を形成する。第２層の上に増
感補助層として、Se、As、In2O3よりなる第３層
を蒸着する。第３層を蒸着する場合、Seと
As2Se3を別々の蒸着ボートから100Åの厚さに蒸
着する。このときAs濃度は25％で膜厚方向に一
様に分布させる。続いてSe、As2Se3、In2O3を
別々の蒸着ボートから100Åの厚さに蒸着する。
このとき、As濃度は２％、In2O3濃度は700ppm
で膜厚方向に一様に分布させる。以上で第３層の
蒸着を終り、続いて第４層を蒸着する。第４層
は、SeとAs2Se3を別々の蒸着ボートから同時に
蒸着し、第１層から第４層までの膜厚を5μｍと
なるようにする。第４層のAs濃度は２％で、膜
厚方向に一様に分布させる。第４層までの蒸着
は、３×10-6Torrの真空中で行なう。第４層の
上に、２×10-1Torrのアルゴン雰囲気中で、
Sb2S3を1000Åの厚さに蒸着する。
明導電膜を形成し、さらに整流性接触補助層とし
てCeO2を３×10-6Torrの真空中で300Åの厚さに
蒸着する。その上にｐ型光導電膜の増感部分の第
１層として、Se、As2Se3をそれぞれ別々の蒸着
ボートから同時に300Åの厚さに蒸着する。この
ときAsが12％の濃度で、膜厚方向に一様に添加
されるようにする。続いて第２層としてSe、
As2Se3、Teを別々の蒸着ボートから600Åの厚さ
に蒸着する。このときTe濃度は30％、As濃度は
３％とし、膜厚方向に一様に分布させる。第１
層、第２層で感光層を形成する。第２層の上に増
感補助層として、Se、As、In2O3よりなる第３層
を蒸着する。第３層を蒸着する場合、Seと
As2Se3を別々の蒸着ボートから100Åの厚さに蒸
着する。このときAs濃度は25％で膜厚方向に一
様に分布させる。続いてSe、As2Se3、In2O3を
別々の蒸着ボートから100Åの厚さに蒸着する。
このとき、As濃度は２％、In2O3濃度は700ppm
で膜厚方向に一様に分布させる。以上で第３層の
蒸着を終り、続いて第４層を蒸着する。第４層
は、SeとAs2Se3を別々の蒸着ボートから同時に
蒸着し、第１層から第４層までの膜厚を5μｍと
なるようにする。第４層のAs濃度は２％で、膜
厚方向に一様に分布させる。第４層までの蒸着
は、３×10-6Torrの真空中で行なう。第４層の
上に、２×10-1Torrのアルゴン雰囲気中で、
Sb2S3を1000Åの厚さに蒸着する。
実施例 ５
ガラス基板上に酸化スズを主体とする透明導電
膜を形成し、さらに整流性接触補助層として
CeO2を200Åの厚さに蒸着する。この蒸着は２×
10-6Torrの真空中で行なう。次に、第１層とし
てSe、As2Se3を別々の蒸着ボートから500Åの厚
さに蒸着する。このときAs濃度は６％とし、膜
厚方向に一様に分布させる。第１層の上にSe、
Te、Asよりなる第２層を600Åの厚さに蒸着す
る。Te濃度は30％、As濃度は３％で、膜厚方向
に一様に分布させる。次にSe、As、In2O3よりな
る第３層を蒸着する。第３層の蒸着は次の手順に
より行なう。まずSe、As2Se3をそれぞれ別々の
蒸着ボートから同時に蒸発させ、120Åの厚さに
蒸着する。このときのAs濃度は25％とし、膜厚
方向に一様に分布させる。続いてSe、As2Se3を
別々のボートから同時に蒸着させ800Åの厚さに
蒸着する。このときのAs濃度は３％で、膜厚方
向に一様に分布させる。さらにSe、As2Se3、
In2O3を別々の蒸着ボートから120Åの厚さに蒸着
する。このときのAs濃度は３％、In2O3濃度は
1000ppmとし、膜厚方向に一様に分布させる。以
上で第３層の蒸着を終り、続いて、Se、Asより
なる第４層を蒸着する。第４層は、Se、As2Se3
を別々の蒸着ボートから蒸着し、第１層から第４
層までの膜厚が、全体で6μｍになるようにする。
第４層のAs濃度は２％とし、膜厚方向に一様に
分布させる。第１層から第４層までの蒸着は、２
×10-6Torrの真空中で行なう。続いて、ビーム
ランデイング補助層として、２×10-1Torrのア
ルゴン雰囲気中で、Sb2S3を1000Åの厚さに蒸着
する。
膜を形成し、さらに整流性接触補助層として
CeO2を200Åの厚さに蒸着する。この蒸着は２×
10-6Torrの真空中で行なう。次に、第１層とし
てSe、As2Se3を別々の蒸着ボートから500Åの厚
さに蒸着する。このときAs濃度は６％とし、膜
厚方向に一様に分布させる。第１層の上にSe、
Te、Asよりなる第２層を600Åの厚さに蒸着す
る。Te濃度は30％、As濃度は３％で、膜厚方向
に一様に分布させる。次にSe、As、In2O3よりな
る第３層を蒸着する。第３層の蒸着は次の手順に
より行なう。まずSe、As2Se3をそれぞれ別々の
蒸着ボートから同時に蒸発させ、120Åの厚さに
蒸着する。このときのAs濃度は25％とし、膜厚
方向に一様に分布させる。続いてSe、As2Se3を
別々のボートから同時に蒸着させ800Åの厚さに
蒸着する。このときのAs濃度は３％で、膜厚方
向に一様に分布させる。さらにSe、As2Se3、
In2O3を別々の蒸着ボートから120Åの厚さに蒸着
する。このときのAs濃度は３％、In2O3濃度は
1000ppmとし、膜厚方向に一様に分布させる。以
上で第３層の蒸着を終り、続いて、Se、Asより
なる第４層を蒸着する。第４層は、Se、As2Se3
を別々の蒸着ボートから蒸着し、第１層から第４
層までの膜厚が、全体で6μｍになるようにする。
第４層のAs濃度は２％とし、膜厚方向に一様に
分布させる。第１層から第４層までの蒸着は、２
×10-6Torrの真空中で行なう。続いて、ビーム
ランデイング補助層として、２×10-1Torrのア
ルゴン雰囲気中で、Sb2S3を1000Åの厚さに蒸着
する。
実施例 ６
ガラス基板上に酸化インジウムを主体とする透
明導電膜を形成し、さらに整流性接触を補助層と
して、GeO2、CeO2をそれぞれ200Åの厚さに３
×10-6Torrの真空中で蒸着する。その上にｐ型
光導電膜増感部分の第１層としてSe、As2Se3を
別々の蒸着ボートから300Åの厚さに蒸着する。
この場合Asの濃度は第１層の膜厚の中央より
CeO2側の部分で３％、残り部分で20％とする。
続いてSe、Teを別々の蒸着ボートから蒸着し、
Te濃度30％、膜厚600Åの第２層を形成する。次
に、Se、As2Se3、In2O3をそれぞれ別々の蒸着ボ
ートから蒸着し、膜厚300Åの第３層を形成する。
この場合、第３層のAsの濃度は第２層との界面
から膜厚100Åの部分で20％、残りの200Åの部分
で２％になるように分布させる。In2O3の濃度は
第３層の全体にわたつて500ppmとする。第３層
の上に、SeとAs2Se3を別々の蒸着ボートから同
時に蒸着し、As濃度２％、膜厚6μｍの第４層を
形成する。第１層から第４層までの蒸着は２×
10-6Torrの真空中で行う。第４層の上に２×
10-1Torrのアルゴン雰囲気中でSb2S3を1000Å蒸
着する。
明導電膜を形成し、さらに整流性接触を補助層と
して、GeO2、CeO2をそれぞれ200Åの厚さに３
×10-6Torrの真空中で蒸着する。その上にｐ型
光導電膜増感部分の第１層としてSe、As2Se3を
別々の蒸着ボートから300Åの厚さに蒸着する。
この場合Asの濃度は第１層の膜厚の中央より
CeO2側の部分で３％、残り部分で20％とする。
続いてSe、Teを別々の蒸着ボートから蒸着し、
Te濃度30％、膜厚600Åの第２層を形成する。次
に、Se、As2Se3、In2O3をそれぞれ別々の蒸着ボ
ートから蒸着し、膜厚300Åの第３層を形成する。
この場合、第３層のAsの濃度は第２層との界面
から膜厚100Åの部分で20％、残りの200Åの部分
で２％になるように分布させる。In2O3の濃度は
第３層の全体にわたつて500ppmとする。第３層
の上に、SeとAs2Se3を別々の蒸着ボートから同
時に蒸着し、As濃度２％、膜厚6μｍの第４層を
形成する。第１層から第４層までの蒸着は２×
10-6Torrの真空中で行う。第４層の上に２×
10-1Torrのアルゴン雰囲気中でSb2S3を1000Å蒸
着する。
本発明の具体的説明ならびに実施例では、Se
中で深い準位を形成する元素としてAsを添加し
た場合について述べたが、Sb、Bi、Si、Geのい
ずれかの元素、またはAsならびに上記元素のう
ち２種以上の元素であつても良い。
中で深い準位を形成する元素としてAsを添加し
た場合について述べたが、Sb、Bi、Si、Geのい
ずれかの元素、またはAsならびに上記元素のう
ち２種以上の元素であつても良い。
前記実施例に示した光導電膜において、感光部
（第１層ならびに第２層）の全部または１部に、
Se中で浅い準位を形成する弗化物LiF、NaF、
MgF2、CaF2、AlF3、CrF3、MnF2、CoF2、
PbF2、BaF2、CeF3の群から選ばれた少くとも一
者を添加してもよく、その場合には、該弗化物添
加による強い光に対する残像低減効果をそこなう
ことなしに、本発見の目的である太陽などの強光
撮像後に生ずる焼付改善効果が増すことは先に述
べた通りである。
（第１層ならびに第２層）の全部または１部に、
Se中で浅い準位を形成する弗化物LiF、NaF、
MgF2、CaF2、AlF3、CrF3、MnF2、CoF2、
PbF2、BaF2、CeF3の群から選ばれた少くとも一
者を添加してもよく、その場合には、該弗化物添
加による強い光に対する残像低減効果をそこなう
ことなしに、本発見の目的である太陽などの強光
撮像後に生ずる焼付改善効果が増すことは先に述
べた通りである。
本発明は、以上に述べた強い光に対する焼付低
減効果の他に、静止像を長時間撮像したあとに生
じる焼付を低減する効果がある。
減効果の他に、静止像を長時間撮像したあとに生
じる焼付を低減する効果がある。
本発明を実施することにより、強い入射光のあ
る場合に生ずる焼付を改善することができること
の物理的解釈は、まだ十分解明されてはいない
が、Se中で負の空間電荷を形成する新たな物質
を添加することにより、深い準位を形成する物質
のみを添加した場合に比較して、増感補助層内に
生ずる空間電荷の変動の時定数を短かくできるた
めと考えられる。
る場合に生ずる焼付を改善することができること
の物理的解釈は、まだ十分解明されてはいない
が、Se中で負の空間電荷を形成する新たな物質
を添加することにより、深い準位を形成する物質
のみを添加した場合に比較して、増感補助層内に
生ずる空間電荷の変動の時定数を短かくできるた
めと考えられる。
第４図は、通常使用状態の50万部相当の光が入
射した場合に生じた焼付の消滅の様子を示したも
のである。横軸は強い入射光遮断後の経過時間、
縦軸は焼付の強さで、通常使用状態の信号電流に
対する割合で示した。ここでは、強い光の入射を
受けた部分の感光が１時的に増加する場合を正極
性、逆に減少する場合を負極性として示してあ
る。増感領域の具体的構成は実施例４のものであ
る。図中の点線６は従来ターゲツトでIn2O3を含
有しない例、実線７は本発明を実施した場合であ
る。点線６は強い光の照射を受けた後、一時的に
感光低下をきたして負極性に焼付けを生じ、約40
分経過後消滅時間の長い正極性の焼付けに反転し
ている。これに対して実線７は焼付けの強さ、消
滅時間ともに大巾に改善されている。実施例１〜
実施例６においても、同等の焼付特性の改善がみ
られた。
射した場合に生じた焼付の消滅の様子を示したも
のである。横軸は強い入射光遮断後の経過時間、
縦軸は焼付の強さで、通常使用状態の信号電流に
対する割合で示した。ここでは、強い光の入射を
受けた部分の感光が１時的に増加する場合を正極
性、逆に減少する場合を負極性として示してあ
る。増感領域の具体的構成は実施例４のものであ
る。図中の点線６は従来ターゲツトでIn2O3を含
有しない例、実線７は本発明を実施した場合であ
る。点線６は強い光の照射を受けた後、一時的に
感光低下をきたして負極性に焼付けを生じ、約40
分経過後消滅時間の長い正極性の焼付けに反転し
ている。これに対して実線７は焼付けの強さ、消
滅時間ともに大巾に改善されている。実施例１〜
実施例６においても、同等の焼付特性の改善がみ
られた。
本発明による効果は、Se中で負の空間電荷を
形成する新たな物質を添加するものであり、同時
に深い準位を形成する物質の添加量を減少させ得
ることによるものである。負の空間電荷を形成す
る新たな物質の添加量が少ない場合には効果も少
ない。逆に、多量に添加しすぎると空間電荷の変
動がおきやすくなり、信号電流の変動など特性を
劣化させるので好ましくない。したがつて、負の
空間電荷を形成する新たな物質の濃度は一般に重
量比の平均でもつて10ppm〜１％を使用し得るが
平均で30ppmから5000ppmであることが望まし
い。
形成する新たな物質を添加するものであり、同時
に深い準位を形成する物質の添加量を減少させ得
ることによるものである。負の空間電荷を形成す
る新たな物質の添加量が少ない場合には効果も少
ない。逆に、多量に添加しすぎると空間電荷の変
動がおきやすくなり、信号電流の変動など特性を
劣化させるので好ましくない。したがつて、負の
空間電荷を形成する新たな物質の濃度は一般に重
量比の平均でもつて10ppm〜１％を使用し得るが
平均で30ppmから5000ppmであることが望まし
い。
なお、本発明は、撮像管ターゲツトを対象とし
てなされたものであるが、同等の材料を用いた受
光素子および電子写真感光板等の光導電層にも応
用できることはいうまでもない。
てなされたものであるが、同等の材料を用いた受
光素子および電子写真感光板等の光導電層にも応
用できることはいうまでもない。
第１図は従来技術による撮像管ターゲツトの原
理的構造図、第２図は第１図に示した撮像管ター
ゲツトの増感領域の成分分布の１例を示す図、第
３図は本発明による光導電膜の１部分の成分分布
の１例を示す図、第４図は強い入射光により生じ
た焼付の経時変化を示す図である。 １…透光性基板、２…透明導電膜、３…ｐ型光
導電増感部分、４…ｐ型光導電膜、５…ビームラ
ンデイング補助層。
理的構造図、第２図は第１図に示した撮像管ター
ゲツトの増感領域の成分分布の１例を示す図、第
３図は本発明による光導電膜の１部分の成分分布
の１例を示す図、第４図は強い入射光により生じ
た焼付の経時変化を示す図である。 １…透光性基板、２…透明導電膜、３…ｐ型光
導電増感部分、４…ｐ型光導電膜、５…ビームラ
ンデイング補助層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ セレンを主体とする光導電体層の膜厚方向の
一部にテルルを添加して感度を増加せしめた光導
電膜において、上記テルルを添加した領域の少な
くとも一部とこのテルルを添加した領域に隣接し
た領域のうちの少なくとも一部分のいずれか、ま
たは双方に、セレンの中で負の空間電荷を形成す
るような酸化物、弗化物、および族、族又は
族に属し且セレンの中で負の空間電荷を形成す
るような元素からなる群から選ばれた少なくとも
一者を重量比の平均でもつて10ppm以上１％以下
の濃度で含有せしめたことを特徴とする光導電
膜。 ２ 前記セレンの中で負の空間電荷を形成するよ
うな酸化物がCuO、In2O3、SeO2、V2O5、
MoO3、およびWO3から成る群より選ばれた少な
くとも一者であり、セレンの中で負の空間電荷を
形成するような弗化物がGaF3、又はInF3の少な
くとも一者であり、族、族又は族に属し且
セレンの中で負の空間電荷を形成するような元素
がZn、Ga、In、Cl、Ｉ、およびBrから成る群よ
り選ばれた少なくとも一者なることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の光導電膜。 ３ 上記特許請求の範囲第１項記載の光導電膜に
おいて、少なくともテルルを添加した領域に隣接
する膜厚50Å以上5000Å以下の領域が、As、Bi、
Sb、Ge、Siからなる群の中から選ばれた単数ま
たは複数の元素を平均で１重量％以上30重量％以
下の濃度で含有することを特徴とする光導電膜。 ４ 上記特許請求の範囲第１項記載の光導電膜に
おいて、入射光を吸収して信号電流の大部分を生
成する領域の少なくとも一部にLiF、MgF2、
CaF2、AlF3、CrF3、MnF2、CoF2、PbF2、
BaF2、CeF3およびTlFから成る群の中から選ば
れた少なくとも一者を、重量平均で50ppm以上５
％以下の濃度で含有せしめる事を特徴とする光導
電膜。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56080914A JPS57197876A (en) | 1981-05-29 | 1981-05-29 | Photoconductive film |
| US06/380,779 US4463279A (en) | 1981-05-29 | 1982-05-21 | Doped photoconductive film comprising selenium and tellurium |
| DE8282302745T DE3273528D1 (en) | 1981-05-29 | 1982-05-27 | Photoconductive film |
| EP82302745A EP0067015B1 (en) | 1981-05-29 | 1982-05-27 | Photoconductive film |
| KR8202439A KR860000815B1 (ko) | 1981-05-29 | 1982-05-28 | 광도전막 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56080914A JPS57197876A (en) | 1981-05-29 | 1981-05-29 | Photoconductive film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57197876A JPS57197876A (en) | 1982-12-04 |
| JPH0120554B2 true JPH0120554B2 (ja) | 1989-04-17 |
Family
ID=13731655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56080914A Granted JPS57197876A (en) | 1981-05-29 | 1981-05-29 | Photoconductive film |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4463279A (ja) |
| EP (1) | EP0067015B1 (ja) |
| JP (1) | JPS57197876A (ja) |
| KR (1) | KR860000815B1 (ja) |
| DE (1) | DE3273528D1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59132541A (ja) * | 1983-01-19 | 1984-07-30 | Hitachi Ltd | 撮像管タ−ゲツト |
| US4587456A (en) * | 1984-01-17 | 1986-05-06 | Hitachi, Ltd. | Image pickup tube target |
| JPH0648616B2 (ja) * | 1984-05-21 | 1994-06-22 | 株式会社日立製作所 | 光導電膜 |
| JPS62223951A (ja) * | 1986-03-26 | 1987-10-01 | Hitachi Ltd | 光導電膜 |
| US4816715A (en) * | 1987-07-09 | 1989-03-28 | Hitachi, Ltd. | Image pick-up tube target |
| DE3925483A1 (de) * | 1988-08-05 | 1990-02-08 | Fuji Electric Co Ltd | Elektrofotografisches aufzeichnungsmaterial |
| US5017989A (en) * | 1989-12-06 | 1991-05-21 | Xerox Corporation | Solid state radiation sensor array panel |
| CA2184667C (en) * | 1996-09-03 | 2000-06-20 | Bradley Trent Polischuk | Multilayer plate for x-ray imaging and method of producing same |
| WO2011108116A1 (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-09 | Okano Ken | 太陽電池 |
| WO2015198388A1 (ja) * | 2014-06-24 | 2015-12-30 | パイオニア株式会社 | 光電変換膜およびこれを備えた撮像装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3391297A (en) * | 1965-03-29 | 1968-07-02 | Westinghouse Electric Corp | Photoconductive target having arsenicselenium layers of different densities on cryolite layer |
| US3922579A (en) * | 1970-04-22 | 1975-11-25 | Hitachi Ltd | Photoconductive target |
| JPS5240809B2 (ja) * | 1972-04-07 | 1977-10-14 | ||
| US3890525A (en) * | 1972-07-03 | 1975-06-17 | Hitachi Ltd | Photoconductive target of an image pickup tube comprising graded selenium-tellurium layer |
| JPS5246772B2 (ja) * | 1973-05-21 | 1977-11-28 | ||
| JPS51120611A (en) * | 1975-04-16 | 1976-10-22 | Hitachi Ltd | Photoconducting film |
| JPS5488720A (en) * | 1977-12-26 | 1979-07-14 | Sony Corp | Image pick up tube unit |
| FR2455348B1 (fr) * | 1979-04-25 | 1985-10-18 | Hofsass P | Corps de bobine electrique a commutateur de protection contre la chaleur |
-
1981
- 1981-05-29 JP JP56080914A patent/JPS57197876A/ja active Granted
-
1982
- 1982-05-21 US US06/380,779 patent/US4463279A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-05-27 DE DE8282302745T patent/DE3273528D1/de not_active Expired
- 1982-05-27 EP EP82302745A patent/EP0067015B1/en not_active Expired
- 1982-05-28 KR KR8202439A patent/KR860000815B1/ko not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR860000815B1 (ko) | 1986-06-28 |
| EP0067015A3 (en) | 1983-02-09 |
| EP0067015A2 (en) | 1982-12-15 |
| DE3273528D1 (en) | 1986-11-06 |
| KR840000069A (ko) | 1984-01-30 |
| US4463279A (en) | 1984-07-31 |
| EP0067015B1 (en) | 1986-10-01 |
| JPS57197876A (en) | 1982-12-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0120554B2 (ja) | ||
| JPS6340311B2 (ja) | ||
| JPS54150995A (en) | Photo detector | |
| US4330733A (en) | Photoconductive target | |
| US4617248A (en) | Doped photoconductive film including selenium and tellurium | |
| JPS6129847A (ja) | 電子写真感光体 | |
| US4563611A (en) | Image pick-up tube target | |
| EP0021751B1 (en) | Electrophotographic plate and a process for preparation of such a plate | |
| EP0114652B1 (en) | Image pickup tube target | |
| JPS62148966A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| US4866332A (en) | Target of image pickup tube | |
| JPS622435A (ja) | 光導電膜 | |
| JPS6354171B2 (ja) | ||
| JP2008078597A (ja) | 放射線画像検出器 | |
| JPS6145543A (ja) | 光導電形撮像管 | |
| JPH04112433A (ja) | 撮像管およびその動作方法 | |
| CN1004732B (zh) | 摄象管靶 | |
| Taniguchi et al. | A New Chalcogenide Photoconductor for a Diode Laser Beam Printer | |
| JPS622426B2 (ja) | ||
| SU911446A1 (ru) | Электрофотографический многослойный материал | |
| JPS63211545A (ja) | 光導電膜 | |
| JPS6066254A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS6084545A (ja) | 電子写真用セレン感光体 | |
| JPS61193336A (ja) | 撮像管タ−ゲツト | |
| JPS5846344A (ja) | 電子写真用感光体 |