JPH02163954A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02163954A JPH02163954A JP63318968A JP31896888A JPH02163954A JP H02163954 A JPH02163954 A JP H02163954A JP 63318968 A JP63318968 A JP 63318968A JP 31896888 A JP31896888 A JP 31896888A JP H02163954 A JPH02163954 A JP H02163954A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- chip
- high heat
- protrusion
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、樹脂封止型半導体装置に関して、熱抵抗を
低くして放熱性を高めようとするものである。
低くして放熱性を高めようとするものである。
第６図は従来の樹脂封止型半導体装置を示す平面断面図
であり、第７図は第６図の■−■線断面図である６図に
おいて、１は半導体集積回路装置（以下ＩＣと称する）
チップ、２は上記ＩＣチップ１を搭載するアイランド、
３は上記アイランド２を固定する吊リード、４はアイラ
ンド２を囲むように配置されたインナーリード、５は上
記ＩＣチップ１上の電極とインナーリード４とを接続す
る金属細線（金線等）、６はモールド樹脂である。
であり、第７図は第６図の■−■線断面図である６図に
おいて、１は半導体集積回路装置（以下ＩＣと称する）
チップ、２は上記ＩＣチップ１を搭載するアイランド、
３は上記アイランド２を固定する吊リード、４はアイラ
ンド２を囲むように配置されたインナーリード、５は上
記ＩＣチップ１上の電極とインナーリード４とを接続す
る金属細線（金線等）、６はモールド樹脂である。
上記の様な従来の樹脂封止型半導体装置では、構成材料
であるモールド封止樹脂の熱伝導率が低いため、パッケ
ージ全体に熱が放散せず、放熱性が悪かっな。
であるモールド封止樹脂の熱伝導率が低いため、パッケ
ージ全体に熱が放散せず、放熱性が悪かっな。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、パッケージの全体の熱抵抗を低くして、放熱
性を高めることを目的とする。
たもので、パッケージの全体の熱抵抗を低くして、放熱
性を高めることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、半導体集積回路チップを
搭載したリードフレームと、位置決め及び仮固定用の突
起並びに支持用の突起を有する広面積の高熱伝導板を備
え、前記高熱伝導板の位置決め及び仮固定用の突起を前
記リードフレームに設けた穴部に係合し、さらに支持用
の突起を外部より保持して樹脂封止成形したものである
。
搭載したリードフレームと、位置決め及び仮固定用の突
起並びに支持用の突起を有する広面積の高熱伝導板を備
え、前記高熱伝導板の位置決め及び仮固定用の突起を前
記リードフレームに設けた穴部に係合し、さらに支持用
の突起を外部より保持して樹脂封止成形したものである
。
この発明の半導体装置は、高熱伝導板を半導体集積回路
チップを搭載したアイランドに近づけることができ、チ
ップで発生した熱を抵抗なく高熱伝導板に伝えることが
でき、さらに高熱伝導板が広面積を有しているので装置
全体に放熱される。
チップを搭載したアイランドに近づけることができ、チ
ップで発生した熱を抵抗なく高熱伝導板に伝えることが
でき、さらに高熱伝導板が広面積を有しているので装置
全体に放熱される。
さらに高熱伝導板に設けた支持用突起を外部より支持し
て樹脂封止することにより伝導板自体が流れることがな
い。
て樹脂封止することにより伝導板自体が流れることがな
い。
第１図は、この発明の一実施例による半導体装置の構成
部品であるリードフレームを示す平面図、第２図は上記
実施例の半導体装置の構成部品である高熱伝導材を示す
平面図、第３図は第２図の１−■線断面図である。また
、第４図は第１図のリードフレームと第２図の高熱伝導
板を用いて樹脂封止成形した半導体装置の平面断面図、
第５図は第４図の■−Ｖ線断面図である。
部品であるリードフレームを示す平面図、第２図は上記
実施例の半導体装置の構成部品である高熱伝導材を示す
平面図、第３図は第２図の１−■線断面図である。また
、第４図は第１図のリードフレームと第２図の高熱伝導
板を用いて樹脂封止成形した半導体装置の平面断面図、
第５図は第４図の■−Ｖ線断面図である。
図において、１は半導体集積回路（以下ＩＣと称する）
チップ、２は上記ＩＣチップ１を搭載するアイランド、
３は上記アイランド２を固定する吊リード、４はインナ
ーリード、５は金属細線、６は封止樹脂、７はリードフ
レームの吊リード３に設けられた位置決め及び仮固定用
の穴である。
チップ、２は上記ＩＣチップ１を搭載するアイランド、
３は上記アイランド２を固定する吊リード、４はインナ
ーリード、５は金属細線、６は封止樹脂、７はリードフ
レームの吊リード３に設けられた位置決め及び仮固定用
の穴である。
８は高熱伝導材１０の一方に設けられた突起であり、上
記穴７に係合して位置決め及び仮固定の役目を果たすも
のである。９は高熱伝導部材１０の他の一方に設けられ
た突起であり、樹脂封止作業中に封止樹脂６の流れによ
り高熱伝導部材が働くことのないように支持するための
ものである。また上記仮固定用の突起７はできるだけ短
くして、組立時にリードフレーム入のアイランド２とで
きるだけ接近する構成とする。そして高熱伝導板ＩＯは
放熱性を良くするためできるだけ広範囲に拡がる形状と
するのが望ましい。
記穴７に係合して位置決め及び仮固定の役目を果たすも
のである。９は高熱伝導部材１０の他の一方に設けられ
た突起であり、樹脂封止作業中に封止樹脂６の流れによ
り高熱伝導部材が働くことのないように支持するための
ものである。また上記仮固定用の突起７はできるだけ短
くして、組立時にリードフレーム入のアイランド２とで
きるだけ接近する構成とする。そして高熱伝導板ＩＯは
放熱性を良くするためできるだけ広範囲に拡がる形状と
するのが望ましい。
上記のように構成された半導体装置において、リードフ
レームの穴７はあらかじめエツチング及びパンチング等
により形成されており、又高熱伝導材１０もエツチング
又はパンチング等によりパターンが形成され、曲げ加工
等で突起部８，９が形成されている。
レームの穴７はあらかじめエツチング及びパンチング等
により形成されており、又高熱伝導材１０もエツチング
又はパンチング等によりパターンが形成され、曲げ加工
等で突起部８，９が形成されている。
次に組立工程について説明する。まずＩＣチップ１をア
イランド２に半田等により接続する。そして、ＩＣチッ
プ１とインナーリード４間を金属細線５で電気的に接続
する。そして、このフレームをＩＣチップ１を下面にし
て、樹脂封止金型に設置する。更にこのリードフレーム
の穴７に高熱伝導材１０の突起８を差し込み、位置決め
及び仮固定を行う、この状態で、封止樹脂６を注入して
樹脂封止成形する。この時、高熱伝導材１０の突起９を
外部より支持して樹脂の流れで高熱伝導材ｌＯが動かな
いようにしている。その後は従来通り、メツキ及びリー
ド加工を行う、上記実施例において、ＩＣチップ１を搭
載したアイランド２と高熱伝導板１０との間を狭く構成
しているため、その間の封止樹脂６が薄くなり熱抵抗は
低くなる。さらに装置全体に熱伝導性の良い板が広がる
様に構成したので、熱が装置全体に広がり、結果的に装
置全面からの放熱となって放熱性が良好となる。
イランド２に半田等により接続する。そして、ＩＣチッ
プ１とインナーリード４間を金属細線５で電気的に接続
する。そして、このフレームをＩＣチップ１を下面にし
て、樹脂封止金型に設置する。更にこのリードフレーム
の穴７に高熱伝導材１０の突起８を差し込み、位置決め
及び仮固定を行う、この状態で、封止樹脂６を注入して
樹脂封止成形する。この時、高熱伝導材１０の突起９を
外部より支持して樹脂の流れで高熱伝導材ｌＯが動かな
いようにしている。その後は従来通り、メツキ及びリー
ド加工を行う、上記実施例において、ＩＣチップ１を搭
載したアイランド２と高熱伝導板１０との間を狭く構成
しているため、その間の封止樹脂６が薄くなり熱抵抗は
低くなる。さらに装置全体に熱伝導性の良い板が広がる
様に構成したので、熱が装置全体に広がり、結果的に装
置全面からの放熱となって放熱性が良好となる。
以上のようにこの発明によれば、高熱伝導板を簡単な方
法で取りつけることができ、熱抵抗が低くて放熱性の良
好な半導体装置が得られる効果がある。
法で取りつけることができ、熱抵抗が低くて放熱性の良
好な半導体装置が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置のリード
フレームを示す平面図、第２図は上記実施例の半導体装
置の高熱伝導板を示す平面図、第３図は第２図のＩ−１
［線断面図、第４図は上記実施例による半導体装置の完
成品を示す平面断面図、第５図は第４図の■−■線断面
図、第６図は従来の半導体装置を示す平面断面図、第７
図は第６図の■−■線断面図である。 図において、１は半導体集積回路チップ、２はアイラン
ド、３は吊リード、４はインナーリード、５は金属細線
、６は封止樹脂、７は穴、ＩＯは高熱伝導板、８，９は
突起である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 第１図 第２［４ δ 第４図 第５図
フレームを示す平面図、第２図は上記実施例の半導体装
置の高熱伝導板を示す平面図、第３図は第２図のＩ−１
［線断面図、第４図は上記実施例による半導体装置の完
成品を示す平面断面図、第５図は第４図の■−■線断面
図、第６図は従来の半導体装置を示す平面断面図、第７
図は第６図の■−■線断面図である。 図において、１は半導体集積回路チップ、２はアイラン
ド、３は吊リード、４はインナーリード、５は金属細線
、６は封止樹脂、７は穴、ＩＯは高熱伝導板、８，９は
突起である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 第１図 第２［４ δ 第４図 第５図
Claims (1)
- 半導体集積回路チップを搭載したリードフレームと、位
置決め及び仮固定用の突起並びに支持用の突起を有する
広面積の高熱伝導板を備え、前記高熱伝導板の位置決め
及び仮固定用の突起を前記リードフレームに設けた穴部
に係合し、さらに支持用の突起を外部より保持して樹脂
封止成形した半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63318968A JPH0732216B2 (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63318968A JPH0732216B2 (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02163954A true JPH02163954A (ja) | 1990-06-25 |
| JPH0732216B2 JPH0732216B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=18105005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63318968A Expired - Fee Related JPH0732216B2 (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732216B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994006154A1 (en) * | 1992-09-10 | 1994-03-17 | Vlsi Technology, Inc. | Method for thermally coupling a heat sink to a lead frame |
| JPH0794654A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-04-07 | Nec Corp | 半導体装置用リードフレーム |
| US6255742B1 (en) | 1997-10-08 | 2001-07-03 | Nec Corporation | Semiconductor package incorporating heat dispersion plate inside resin molding |
| EP1769538A4 (en) * | 2004-06-18 | 2009-01-07 | Texas Instruments Inc | SEMICONDUCTOR HOUSING WITH INTEGRATED METAL PARTS FOR THERMAL REINFORCEMENT |
| JP2009010208A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Mitsui High Tec Inc | 複合リードフレーム及びこの複合リードフレームを用いた半導体装置 |
-
1988
- 1988-12-16 JP JP63318968A patent/JPH0732216B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994006154A1 (en) * | 1992-09-10 | 1994-03-17 | Vlsi Technology, Inc. | Method for thermally coupling a heat sink to a lead frame |
| JPH0794654A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-04-07 | Nec Corp | 半導体装置用リードフレーム |
| US6255742B1 (en) | 1997-10-08 | 2001-07-03 | Nec Corporation | Semiconductor package incorporating heat dispersion plate inside resin molding |
| EP1769538A4 (en) * | 2004-06-18 | 2009-01-07 | Texas Instruments Inc | SEMICONDUCTOR HOUSING WITH INTEGRATED METAL PARTS FOR THERMAL REINFORCEMENT |
| JP2009010208A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Mitsui High Tec Inc | 複合リードフレーム及びこの複合リードフレームを用いた半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0732216B2 (ja) | 1995-04-10 |
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Legal Events
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