JPH11186447A - 樹脂封止半導体装置、その製造方法及びその製造装置 - Google Patents
樹脂封止半導体装置、その製造方法及びその製造装置Info
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- JPH11186447A JPH11186447A JP9355933A JP35593397A JPH11186447A JP H11186447 A JPH11186447 A JP H11186447A JP 9355933 A JP9355933 A JP 9355933A JP 35593397 A JP35593397 A JP 35593397A JP H11186447 A JPH11186447 A JP H11186447A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂封止サイズを小さくし、外部電極を低コ
ストで形成することができる樹脂封止半導体装置、その
製造方法及びその製造装置を提供する。 【解決手段】 半導体素子１１上の電極パッド１２に接
合された金属細線１３が樹脂封止部１４の端面に露出し
ている。その露出した金属細線１３に、半田ボール１５
が接合されている。その半田ボール１５は、半導体素子
１１のテーパ部１１Ａに接合されている。このように、
樹脂封止部１４の端面に露出した金属細線１３を直接外
部電極としている。
ストで形成することができる樹脂封止半導体装置、その
製造方法及びその製造装置を提供する。 【解決手段】 半導体素子１１上の電極パッド１２に接
合された金属細線１３が樹脂封止部１４の端面に露出し
ている。その露出した金属細線１３に、半田ボール１５
が接合されている。その半田ボール１５は、半導体素子
１１のテーパ部１１Ａに接合されている。このように、
樹脂封止部１４の端面に露出した金属細線１３を直接外
部電極としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止半導体装
置の構造、その製造方法及びその製造装置に関するもの
である。
置の構造、その製造方法及びその製造装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の樹脂封止半導体
装置としては、以下に示すようなものがあった。図９は
かかる従来の樹脂封止半導体装置の断面図である。この
図に示すように、従来の樹脂封止半導体装置は、ダイパ
ット１上に導電性、及び絶縁性のペースト剤２により接
着された半導体素子３上の電極パッド４と外部電極５を
金属細線６により電気的に接続したものを樹脂７で封止
した構造であった。
装置としては、以下に示すようなものがあった。図９は
かかる従来の樹脂封止半導体装置の断面図である。この
図に示すように、従来の樹脂封止半導体装置は、ダイパ
ット１上に導電性、及び絶縁性のペースト剤２により接
着された半導体素子３上の電極パッド４と外部電極５を
金属細線６により電気的に接続したものを樹脂７で封止
した構造であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の樹脂封止半導体装置の構造では、半導体素子上
の電極パッドと外部電極を金属細線により接続するた
め、樹脂封止サイズが大きくなってしまう。また、リー
ドフレームにより外部電極を設けるため半導体装置の製
造コストが高くなってしまうという問題があった。
た従来の樹脂封止半導体装置の構造では、半導体素子上
の電極パッドと外部電極を金属細線により接続するた
め、樹脂封止サイズが大きくなってしまう。また、リー
ドフレームにより外部電極を設けるため半導体装置の製
造コストが高くなってしまうという問題があった。
【０００４】本発明は、上記問題点を除去し、樹脂封止
サイズを小さくし、外部電極を低コストで形成すること
ができる樹脂封止半導体装置、その製造方法及びその製
造装置を提供することを目的とする。
サイズを小さくし、外部電極を低コストで形成すること
ができる樹脂封止半導体装置、その製造方法及びその製
造装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕樹脂封止半導体装置において、半導体素子上の電
極パッドに接合された金属細線を樹脂封止部の端面に露
出させ、この露出した金属細線を外部電極とするように
したものである。
成するために、 〔１〕樹脂封止半導体装置において、半導体素子上の電
極パッドに接合された金属細線を樹脂封止部の端面に露
出させ、この露出した金属細線を外部電極とするように
したものである。
【０００６】〔２〕樹脂封止半導体装置の製造方法にお
いて、半導体ウエハ状態で、隣り合う半導体素子の電極
パッド同志を金属細線で接合する工程と、半導体ウエハ
状態で樹脂封止し、樹脂封止部を形成する工程と、ダイ
シングブレードで個々の半導体素子に分割し、前記金属
細線を分割された樹脂封止部の表面に露出させ、前記金
属細線の露出部を外部電極として形成する工程とを施す
ようにしたものである。
いて、半導体ウエハ状態で、隣り合う半導体素子の電極
パッド同志を金属細線で接合する工程と、半導体ウエハ
状態で樹脂封止し、樹脂封止部を形成する工程と、ダイ
シングブレードで個々の半導体素子に分割し、前記金属
細線を分割された樹脂封止部の表面に露出させ、前記金
属細線の露出部を外部電極として形成する工程とを施す
ようにしたものである。
【０００７】〔３〕上記〔２〕記載の樹脂封止半導体装
置の製造方法において、半導体ウエハ状態で樹脂封止さ
れた半導体ウエハを個々の半導体素子に分割する際のア
ライメントを決めるためのグリットラインを前記半導体
ウエハの樹脂封止領域外に延長して残して樹脂封止する
ようにしたものである。 〔４〕上記〔２〕記載の樹脂封止半導体装置の製造方法
において、前記ダイシングブレードで個々の半導体素子
に分割する際に、前記金属細線が表面実装可能な位置に
露出するように前記ダイシングブレードの両側にテーパ
を備えたダイシングブレードで分割し、個々の半導体素
子の前記金属細線をテーパ部に露出させるようにしたも
のである。
置の製造方法において、半導体ウエハ状態で樹脂封止さ
れた半導体ウエハを個々の半導体素子に分割する際のア
ライメントを決めるためのグリットラインを前記半導体
ウエハの樹脂封止領域外に延長して残して樹脂封止する
ようにしたものである。 〔４〕上記〔２〕記載の樹脂封止半導体装置の製造方法
において、前記ダイシングブレードで個々の半導体素子
に分割する際に、前記金属細線が表面実装可能な位置に
露出するように前記ダイシングブレードの両側にテーパ
を備えたダイシングブレードで分割し、個々の半導体素
子の前記金属細線をテーパ部に露出させるようにしたも
のである。
【０００８】〔５〕樹脂封止半導体装置の製造装置にお
いて、半導体ウエハ状態で樹脂封止するためのモールド
金型に半導体ウエハをクランプする際に半導体ウエハの
破損を防止するウエハ割れ防止ブロックを具備するよう
にしたものである。
いて、半導体ウエハ状態で樹脂封止するためのモールド
金型に半導体ウエハをクランプする際に半導体ウエハの
破損を防止するウエハ割れ防止ブロックを具備するよう
にしたものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示す樹脂封
止半導体装置の断面図である。この図において、１１は
半導体素子、１２は電極パッド、１３は金属細線、１４
は樹脂封止部（パッケージ）、１５は半田ボール（又は
半田バンプ）である。
て詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示す樹脂封
止半導体装置の断面図である。この図において、１１は
半導体素子、１２は電極パッド、１３は金属細線、１４
は樹脂封止部（パッケージ）、１５は半田ボール（又は
半田バンプ）である。
【００１０】このように、半導体素子１１上の電極パッ
ド１２に接続された金属細線１３が樹脂封止部１４の表
面に露出している。その露出した金属細線１３に、半田
ボール１５が接合されている。なお、１１Ａは半導体素
子１１のテーパ部である。ここでは、樹脂封止部１４の
表面に露出した金属細線１３を直接外部電極としてい
る。樹脂封止部１４の表面に露出した金属細線１３に
は、接合性を良くするための半田ボール１５を設ける。
ド１２に接続された金属細線１３が樹脂封止部１４の表
面に露出している。その露出した金属細線１３に、半田
ボール１５が接合されている。なお、１１Ａは半導体素
子１１のテーパ部である。ここでは、樹脂封止部１４の
表面に露出した金属細線１３を直接外部電極としてい
る。樹脂封止部１４の表面に露出した金属細線１３に
は、接合性を良くするための半田ボール１５を設ける。
【００１１】以下、この実施例の樹脂封止半導体装置の
製造方法について説明する。 （１）まず、図２（ａ）〜図２（ｃ）に示すように、半
導体ウエハ１０上の隣り合う半導体素子１１の電極パッ
ド１２同志を金属細線１３にて接続する。このときのワ
イヤボンディング方法は、低ループ及びループ形状を左
右対象にするためにウェッジボンドであることが望まし
い。なお、１０Ａはグリッドラインを示している。
製造方法について説明する。 （１）まず、図２（ａ）〜図２（ｃ）に示すように、半
導体ウエハ１０上の隣り合う半導体素子１１の電極パッ
ド１２同志を金属細線１３にて接続する。このときのワ
イヤボンディング方法は、低ループ及びループ形状を左
右対象にするためにウェッジボンドであることが望まし
い。なお、１０Ａはグリッドラインを示している。
【００１２】（２）次に、図３（ａ）に示すように、半
導体ウエハ１０の全体に樹脂封止部１４を形成する。そ
の断面を示すと、図３（ｂ）のようになる。 （３）次いで、図４に示すように、樹脂封止後、ダイシ
ングブレード（図示なし）により、個々の半導体素子１
１に分割し、その半導体素子のテーパ部１１Ａに金属細
線１３の先端を露出させる。
導体ウエハ１０の全体に樹脂封止部１４を形成する。そ
の断面を示すと、図３（ｂ）のようになる。 （３）次いで、図４に示すように、樹脂封止後、ダイシ
ングブレード（図示なし）により、個々の半導体素子１
１に分割し、その半導体素子のテーパ部１１Ａに金属細
線１３の先端を露出させる。
【００１３】（４）最後に、図５に示すように、金属細
線１３が露出した部分に半田ボール１５を形成する。 以下、上記した各製造工程を詳細に説明する。図６は本
発明の実施例の金属細線を接合済の半導体ウエハをモー
ルド上金型、モールド下金型でクランプした状態を示す
図である。
線１３が露出した部分に半田ボール１５を形成する。 以下、上記した各製造工程を詳細に説明する。図６は本
発明の実施例の金属細線を接合済の半導体ウエハをモー
ルド上金型、モールド下金型でクランプした状態を示す
図である。
【００１４】この図に示すように、モールド上金型２
１、モールド下金型２２には、ウエハ割れ防止ブロック
２６が設けられている。なお、２３は樹脂注入ランナ
ー、２４は上部キャビティ、２５は下部キャビティ、２
７は樹脂洩れ防止部材である。そこで、まず、モールド
下金型２２に半導体ウエハ１０をセットし、モールド上
金型２１とモールド下金型２２で半導体ウエハ１０をク
ランプする。クランプ位置については、ウエハ割れ防止
ブロック２６にて決定する。
１、モールド下金型２２には、ウエハ割れ防止ブロック
２６が設けられている。なお、２３は樹脂注入ランナ
ー、２４は上部キャビティ、２５は下部キャビティ、２
７は樹脂洩れ防止部材である。そこで、まず、モールド
下金型２２に半導体ウエハ１０をセットし、モールド上
金型２１とモールド下金型２２で半導体ウエハ１０をク
ランプする。クランプ位置については、ウエハ割れ防止
ブロック２６にて決定する。
【００１５】このように、モールド上金型２１とモール
ド下金型２２にまず当接するウエハ割れ防止ブロック２
６を設けることにより、半導体ウエハ１０をクランプす
る際に、半導体ウエハ１０を過度に押さえ付けることが
なくなり、半導体ウエハ１０が破損することを防ぐこと
ができる。ウエハ割れ防止ブロック２６のサイズについ
ては、半導体ウエハ１０の厚さ、反り量等を考慮し決定
する。
ド下金型２２にまず当接するウエハ割れ防止ブロック２
６を設けることにより、半導体ウエハ１０をクランプす
る際に、半導体ウエハ１０を過度に押さえ付けることが
なくなり、半導体ウエハ１０が破損することを防ぐこと
ができる。ウエハ割れ防止ブロック２６のサイズについ
ては、半導体ウエハ１０の厚さ、反り量等を考慮し決定
する。
【００１６】ここで、図７に示すように、半導体ウエハ
１０の樹脂封止領域端面からは、グリットライン１０Ａ
が適当にはみ出すようにしている。したがって、半導体
ウエハ１０を、樹脂封止する際に用いるモールド上金型
２１、モールド下金型２２は、各グリットライン１０Ａ
の両端が適当にはみ出すように上部キャビティ２４、下
部キャビティ２５のサイズが決められており、樹脂封止
部１４からはみ出したグリットライン１０Ａをアライメ
ントマークとすることにより、個々の半導体素子１１に
分割する際のアライメントが容易になる。
１０の樹脂封止領域端面からは、グリットライン１０Ａ
が適当にはみ出すようにしている。したがって、半導体
ウエハ１０を、樹脂封止する際に用いるモールド上金型
２１、モールド下金型２２は、各グリットライン１０Ａ
の両端が適当にはみ出すように上部キャビティ２４、下
部キャビティ２５のサイズが決められており、樹脂封止
部１４からはみ出したグリットライン１０Ａをアライメ
ントマークとすることにより、個々の半導体素子１１に
分割する際のアライメントが容易になる。
【００１７】図８は本発明の実施例を示す金属細線を接
合済の半導体ウエハを樹脂封止したもののダイシング工
程を示す断面図である。まず、図８（ａ）に示すよう
に、金属細線１３を接合済の半導体ウエハ１０が樹脂封
止された樹脂封止部１４が形成されている。その裏面に
ダイシングテープ３１を貼り付け、半導体ウエハ１０を
ダイシングテープ３１で固定する。
合済の半導体ウエハを樹脂封止したもののダイシング工
程を示す断面図である。まず、図８（ａ）に示すよう
に、金属細線１３を接合済の半導体ウエハ１０が樹脂封
止された樹脂封止部１４が形成されている。その裏面に
ダイシングテープ３１を貼り付け、半導体ウエハ１０を
ダイシングテープ３１で固定する。
【００１８】次に、図８（ｂ）に示すように、ダイシン
グブレード４１を用いて、個々の半導体素子１１に分割
する。ここで、ダイシングブレード４１には、その両肩
にテーパ４２を形成するようにすることが望ましい。こ
のダイシングブレード４１により、樹脂封止済の半導体
ウエハ１０を個々の半導体素子１１に分割することによ
り、その半導体素子１１の切断面にテーパ部１１Ａが形
成され、このテーパ部１１Ａから金属細線１３が露出す
る。
グブレード４１を用いて、個々の半導体素子１１に分割
する。ここで、ダイシングブレード４１には、その両肩
にテーパ４２を形成するようにすることが望ましい。こ
のダイシングブレード４１により、樹脂封止済の半導体
ウエハ１０を個々の半導体素子１１に分割することによ
り、その半導体素子１１の切断面にテーパ部１１Ａが形
成され、このテーパ部１１Ａから金属細線１３が露出す
る。
【００１９】このように、ダイシングブレード４１のテ
ーパ４２により、個々の半導体素子１１の切断面にテー
パ部１１Ａを設けることができ、このテーパ部１１Ａが
実装面となるため、露出した金属細線１３に半田ボール
１５を設けて、容易に実装することができる。そのテー
パ部１１Ａの角度については、用途により適当に決める
ことができる。
ーパ４２により、個々の半導体素子１１の切断面にテー
パ部１１Ａを設けることができ、このテーパ部１１Ａが
実装面となるため、露出した金属細線１３に半田ボール
１５を設けて、容易に実装することができる。そのテー
パ部１１Ａの角度については、用途により適当に決める
ことができる。
【００２０】したがって、この実施例の樹脂封止半導体
装置は、半導体素子１１上の電極パッド１２に接続した
金属細線１３部が外部電極となるため、従来のように、
リードフレームにより外部電極を設ける必要がなくな
り、樹脂封止部（パッケージ）のサイズが小さくなるた
め、リードフレーム・樹脂等の材料費を大幅に省くこと
ができる。よって、個々の半導体素子の製造コストを低
減することができる。
装置は、半導体素子１１上の電極パッド１２に接続した
金属細線１３部が外部電極となるため、従来のように、
リードフレームにより外部電極を設ける必要がなくな
り、樹脂封止部（パッケージ）のサイズが小さくなるた
め、リードフレーム・樹脂等の材料費を大幅に省くこと
ができる。よって、個々の半導体素子の製造コストを低
減することができる。
【００２１】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２２】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （Ａ）請求項１又は２記載の発明によれば、樹脂封止サ
イズを小さくし、外部電極を低いコストで形成すること
ができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （Ａ）請求項１又は２記載の発明によれば、樹脂封止サ
イズを小さくし、外部電極を低いコストで形成すること
ができる。
【００２３】（Ｂ）請求項３記載の発明によれば、半導
体ウエハを、樹脂封止する際に用いるモールド上金型、
モールド下金型は、各グリットライン１０Ａの両端が適
当にはみ出すように上部キャビティ、下部キャビティの
サイズが決められており、樹脂封止部からはみ出したグ
リットラインをアライメントマークとすることにより、
個々の半導体素子に分割する際のアライメントが容易に
なる。
体ウエハを、樹脂封止する際に用いるモールド上金型、
モールド下金型は、各グリットライン１０Ａの両端が適
当にはみ出すように上部キャビティ、下部キャビティの
サイズが決められており、樹脂封止部からはみ出したグ
リットラインをアライメントマークとすることにより、
個々の半導体素子に分割する際のアライメントが容易に
なる。
【００２４】（Ｃ）請求項４記載の発明によれば、ダイ
シングブレードのテーパにより、個々の半導体素子の切
断面にテーパ部を設けることができ、このテーパ部が実
装面となるため、露出した金属細線に半田ボールを設け
て、容易に実装することができる。 （Ｄ）請求項５記載の発明によれば、モールド上金型と
モールド下金型にまず当接するウエハ割れ防止ブロック
を設けることにより、半導体ウエハをクランプする際
に、半導体ウエハを過度に押さえ付けることがなくな
り、半導体ウエハが破損することを防ぐことができる。
シングブレードのテーパにより、個々の半導体素子の切
断面にテーパ部を設けることができ、このテーパ部が実
装面となるため、露出した金属細線に半田ボールを設け
て、容易に実装することができる。 （Ｄ）請求項５記載の発明によれば、モールド上金型と
モールド下金型にまず当接するウエハ割れ防止ブロック
を設けることにより、半導体ウエハをクランプする際
に、半導体ウエハを過度に押さえ付けることがなくな
り、半導体ウエハが破損することを防ぐことができる。
【図１】本発明の実施例を示す樹脂封止半導体装置の断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の実施例を示す樹脂封止半導体装置の第
１製造工程の説明図である。
１製造工程の説明図である。
【図３】本発明の実施例を示す樹脂封止半導体装置の第
２製造工程の説明図である。
２製造工程の説明図である。
【図４】本発明の実施例を示す樹脂封止半導体装置の第
３製造工程の説明図である。
３製造工程の説明図である。
【図５】本発明の実施例を示す樹脂封止半導体装置の最
終工程の説明図である。
終工程の説明図である。
【図６】本発明の実施例の金属細線を接合済の半導体ウ
エハをモールド上金型、モールド下金型でクランプした
状態を示す図である。
エハをモールド上金型、モールド下金型でクランプした
状態を示す図である。
【図７】本発明の実施例を示す半導体ウエハの斜視図で
ある。
ある。
【図８】本発明の実施例を示す金属細線を接合済の半導
体ウエハを樹脂封止したもののダイシング工程を示す断
面図である。
体ウエハを樹脂封止したもののダイシング工程を示す断
面図である。
【図９】従来の樹脂封止半導体装置の断面図である。
１０ 半導体ウエハ １０Ａ グリッドライン １１ 半導体素子 １１Ａ テーパ部 １２ 電極パッド １３ 金属細線 １４ 樹脂封止部（パッケージ） １５ 半田ボール（又は半田バンプ） ２１ モールド上金型 ２２ モールド下金型 ２３ 樹脂注入ランナー ２４ 上部キャビティ ２５ 下部キャビティ ２６ ウエハ割れ防止ブロック ２７ 樹脂洩れ防止部材 ３１ ダイシングテープ ４１ ダイシングブレード ４２ テーパ
Claims (5)
- 【請求項１】 樹脂封止半導体装置において、 半導体素子上の電極パッドに接合された金属細線を樹脂
封止部の端面に露出させ、該露出した金属細線を外部電
極とすることを特徴とする樹脂封止半導体装置。 - 【請求項２】 樹脂封止半導体装置の製造方法におい
て、（ａ）半導体ウエハ状態で、隣り合う半導体素子の
電極パッド同志を金属細線で接合する工程と、（ｂ）半
導体ウエハ状態で樹脂封止し、樹脂封止部を形成する工
程と、（ｃ）ダイシングブレードで個々の半導体素子に
分割し、前記金属細線を分割された樹脂封止部の表面に
露出させ、前記金属細線の露出部を外部電極として形成
する工程とを施すことを特徴とする樹脂封止半導体装置
の製造方法。 - 【請求項３】 請求項２記載の樹脂封止半導体装置の製
造方法において、半導体ウエハ状態で樹脂封止された半
導体ウエハを個々の半導体素子に分割する際のアライメ
ントを決めるためのグリットラインを前記半導体ウエハ
の樹脂封止領域外に延長して残して樹脂封止することを
特徴とする樹脂封止半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項２記載の樹脂封止半導体装置の製
造方法において、前記ダイシングブレードで個々の半導
体素子に分割する際に、前記金属細線が表面実装可能な
位置に露出するように前記ダイシングブレードの両側に
テーパを備えたダイシングブレードで分割し、個々の半
導体素子の前記金属細線をテーパ部に露出させることを
特徴とする樹脂封止半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 樹脂封止半導体装置の製造装置におい
て、 半導体ウエハ状態で樹脂封止するためのモールド金型に
半導体ウエハをクランプする際の半導体ウエハの破損を
防止するウエハ割れ防止ブロックを具備することを特徴
とする樹脂封止半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP35593397A JP3847432B2 (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 樹脂封止半導体装置及びその製造方法 |
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| JP35593397A JP3847432B2 (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 樹脂封止半導体装置及びその製造方法 |
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| JPH11186447A true JPH11186447A (ja) | 1999-07-09 |
| JP3847432B2 JP3847432B2 (ja) | 2006-11-22 |
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| JP35593397A Expired - Fee Related JP3847432B2 (ja) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | 樹脂封止半導体装置及びその製造方法 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010147096A (ja) * | 2008-12-16 | 2010-07-01 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2010182904A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2011029581A (ja) * | 2008-11-28 | 2011-02-10 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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1997
- 1997-12-25 JP JP35593397A patent/JP3847432B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2010182904A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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