JPS6119792A - 異方性ピロリン酸銅メツキ液 - Google Patents
異方性ピロリン酸銅メツキ液Info
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- JPS6119792A JPS6119792A JP13722084A JP13722084A JPS6119792A JP S6119792 A JPS6119792 A JP S6119792A JP 13722084 A JP13722084 A JP 13722084A JP 13722084 A JP13722084 A JP 13722084A JP S6119792 A JPS6119792 A JP S6119792A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、微細パターンメッキ等に適する異方性ピロリ
ン酸銅メッキ液に関するものである。
ン酸銅メッキ液に関するものである。
ここでいう異方性にとは、あるメッキ面に対してそれと
平行な方向へのメッキの伸びＡに対して垂直な方向への
メッキの伸びＢを示したもので、弐に＝Ｂ／Ａで表わさ
れる。
平行な方向へのメッキの伸びＡに対して垂直な方向への
メッキの伸びＢを示したもので、弐に＝Ｂ／Ａで表わさ
れる。
従来から精密な印刷回路基板をつくる場合フォトリング
ラフィがよく用いられてきたが特にアディティブ法を用
いることによって冒配線密度の回路基板ができ、かなり
有利な製造法であるとされてきている。
ラフィがよく用いられてきたが特にアディティブ法を用
いることによって冒配線密度の回路基板ができ、かなり
有利な製造法であるとされてきている。
しかしながらこの製造法を用いた印刷回路基板では、異
方性にの値が１を越えないことがら厚くて微細なパター
ンを製造することが困難であった。
方性にの値が１を越えないことがら厚くて微細なパター
ンを製造することが困難であった。
例えば、ある線状に並んだパターンにメッキを行う場合
、メッキ前のパターンの線間隔が１００μｍであシ、そ
れに５０μｍの厚さのメッキをつければ異方性Ｋが１だ
から、メッキ幅も５０μｍずつ広がシ線間でショートし
てしまう。一方、本発明者らはすでに％願昭５５−１６
６６１４号の中でメッキの電流密度を高くすることでＫ
の値を大きくすることを明らかにした。
、メッキ前のパターンの線間隔が１００μｍであシ、そ
れに５０μｍの厚さのメッキをつければ異方性Ｋが１だ
から、メッキ幅も５０μｍずつ広がシ線間でショートし
てしまう。一方、本発明者らはすでに％願昭５５−１６
６６１４号の中でメッキの電流密度を高くすることでＫ
の値を大きくすることを明らかにした。
また、特願昭５９−８７８７６号で、■銅イオン濃度（
Ｏｕ”） ＝ ２５〜３８ ｆ／４■ピロリン酸イオン
濃度ＣＰｔ０ｙ’ ）／銅イオン濃度（□ｕ１１＋）重
量比６．５〜７．５、■アンモニア濃度〔ＮＨ３〕 ＝
０．０５〜０ 、２０ ｍｏｌ ／Ｌ カらなるピロ
リン酸銅メッキ液においてＫの値が更に大きくなること
を明らかにし、そのために微細な印刷回路基板を厚くメ
ッキすることができる様になった。
Ｏｕ”） ＝ ２５〜３８ ｆ／４■ピロリン酸イオン
濃度ＣＰｔ０ｙ’ ）／銅イオン濃度（□ｕ１１＋）重
量比６．５〜７．５、■アンモニア濃度〔ＮＨ３〕 ＝
０．０５〜０ 、２０ ｍｏｌ ／Ｌ カらなるピロ
リン酸銅メッキ液においてＫの値が更に大きくなること
を明らかにし、そのために微細な印刷回路基板を厚くメ
ッキすることができる様になった。
しかしながら、Ｋの値を大きくするためには、ピロリン
酸銅メッキ液中のアンモニア濃度〔ＮＨ３〕を常に０
、０５ ｍｏｌ／Ｌ以上に保たなければならず、そのた
め罠多量のアンモニア水を消費せざるを得なかった。
酸銅メッキ液中のアンモニア濃度〔ＮＨ３〕を常に０
、０５ ｍｏｌ／Ｌ以上に保たなければならず、そのた
め罠多量のアンモニア水を消費せざるを得なかった。
〔問題点を解決するだめの手段及び作用〕そこで本発明
者ら＃′ｉ、ピロリン酸銅溶液の組成条件について詳細
に検討した結呆、アンモニア濃度（ＮＨｓ ’）が０．
０５ ｍｏｌｌＬよシ低一度でもよ、ｉ５に＋７）値が
高く表面性の良やメッキができる′組成物を見い出した
。
者ら＃′ｉ、ピロリン酸銅溶液の組成条件について詳細
に検討した結呆、アンモニア濃度（ＮＨｓ ’）が０．
０５ ｍｏｌｌＬよシ低一度でもよ、ｉ５に＋７）値が
高く表面性の良やメッキができる′組成物を見い出した
。
すなわち、本発明は、
（Ａｌ 鋼イオン＃度（Ｏｕ”） ２２〜４２ ｆ／
ｌ。
ｌ。
（Ｂ） ピロリン酸イオン濃度（Ｐｌｏｔ’ ）／銅
イオン濃度（Ｏｕ”）（重量比）６．０〜ｓ、ｏ、（Ｃ
） ７ ｙ ％ ＝ ｙ濃度〔ＮＨ３〕 ０．０１〜
０−２０ ｒｒｉｏＬ／Ｚｓの） アルミニウムイオン
濃Ｗ （Ａｔ”） ０．０１〜５００■／ｌ からなる異方性ピロリン酸銅メッキ液である。
イオン濃度（Ｏｕ”）（重量比）６．０〜ｓ、ｏ、（Ｃ
） ７ ｙ ％ ＝ ｙ濃度〔ＮＨ３〕 ０．０１〜
０−２０ ｒｒｉｏＬ／Ｚｓの） アルミニウムイオン
濃Ｗ （Ａｔ”） ０．０１〜５００■／ｌ からなる異方性ピロリン酸銅メッキ液である。
本発明の組成物をつくるには市販のピロリン酸銅メッキ
液にピロリン酸カリウムとピロ゛リン酸銅を加え、更に
アンモニア水及びアルミニウムイオン含有水溶液を加え
前記組成条件に調節するか、またはピロリン酸カリウム
とピロリン散銅を水に所定量溶解させ、更にアンモニア
水及びアルミニウムイオン含有水溶液を加える方法でも
よい。尚、必要に応じて通常使用されている添加剤、安
定剤を加えてもよい。
液にピロリン酸カリウムとピロ゛リン酸銅を加え、更に
アンモニア水及びアルミニウムイオン含有水溶液を加え
前記組成条件に調節するか、またはピロリン酸カリウム
とピロリン散銅を水に所定量溶解させ、更にアンモニア
水及びアルミニウムイオン含有水溶液を加える方法でも
よい。尚、必要に応じて通常使用されている添加剤、安
定剤を加えてもよい。
本発明においては、ピロリン酸イオンＰ、０？’ −〇
銅イオンＣ（−１に対する重量濃度の比をＰ比という。
銅イオンＣ（−１に対する重量濃度の比をＰ比という。
Ｐ比の範囲は６．０〜８．０．好ましくは６．０〜７．
８、さらに好ましく Ｖｉ６．３〜７．５である。Ｐ比
が６．０より低い場合にはいわゆるくもりが生じる。ま
た８、０より高い場合には限界電流密度が低くなシやけ
やすくなる。銅イオン濃度（Ｏｔｓ”）ｌｄ ２２〜４
２２／１１好ましくは２８〜４２ ｆ／ｌ、さらに好捷
しくは３０〜４０ｆ／／ｌである。銅イオン濃度が２２
９７’Ｌより低い場合は限界電流密度が低くなシやけや
すくなり、４ｚｆ／ｌより誦い場合はくもシが生じる。
８、さらに好ましく Ｖｉ６．３〜７．５である。Ｐ比
が６．０より低い場合にはいわゆるくもりが生じる。ま
た８、０より高い場合には限界電流密度が低くなシやけ
やすくなる。銅イオン濃度（Ｏｔｓ”）ｌｄ ２２〜４
２２／１１好ましくは２８〜４２ ｆ／ｌ、さらに好捷
しくは３０〜４０ｆ／／ｌである。銅イオン濃度が２２
９７’Ｌより低い場合は限界電流密度が低くなシやけや
すくなり、４ｚｆ／ｌより誦い場合はくもシが生じる。
アンモニア濃度（ＮＨｓ）は０゜０１〜０．２０ ｍｏ
ｌｌＬ、好捷しくけ０．０３〜０ 、１６ ｍｏｌｌＬ
である。アンモニア濃度が０゜０１ｍｏＬ／ｌよシ低い
場合は限界電流密度が下がシ光沢範囲が狭くなる。また
、アンモニア濃度が０ 、２０ ｍ’ｚ／ｌよシ高くな
ると銅の展性が著しく劣化し、内部応力もかなシ高くな
る。
ｌｌＬ、好捷しくけ０．０３〜０ 、１６ ｍｏｌｌＬ
である。アンモニア濃度が０゜０１ｍｏＬ／ｌよシ低い
場合は限界電流密度が下がシ光沢範囲が狭くなる。また
、アンモニア濃度が０ 、２０ ｍ’ｚ／ｌよシ高くな
ると銅の展性が著しく劣化し、内部応力もかなシ高くな
る。
アルミニウムイオン濃度（Ａｔ３＋ ）は０．１〜５０
０７７９／ｌ、好１しくは０゜ｌ〜２００１９／４更に
は１．０〜１００ｙｎｙ／ｌ−が好ましい。アルミニウ
ムイオン濃度が０．１１ｎ９／を以下であると異方性を
向上させる効果が現われない。５０−０■／を以上にな
ると異常突起物の発生密着不良などの現象がおこる。ア
ルミニウムイオンをメッキ液中に溶解させる方法に関し
てはどのような方法を用いても良く、例えば市販されて
いる試薬で硝酸アルミニウムＡｔ（ＮＯｘ）ｓ等を用い
て、それをメッキ液中に溶解しても良い。また直接金属
アルミニウムをメッキ液に浸漬して溶解させても良い。
０７７９／ｌ、好１しくは０゜ｌ〜２００１９／４更に
は１．０〜１００ｙｎｙ／ｌ−が好ましい。アルミニウ
ムイオン濃度が０．１１ｎ９／を以下であると異方性を
向上させる効果が現われない。５０−０■／を以上にな
ると異常突起物の発生密着不良などの現象がおこる。ア
ルミニウムイオンをメッキ液中に溶解させる方法に関し
てはどのような方法を用いても良く、例えば市販されて
いる試薬で硝酸アルミニウムＡｔ（ＮＯｘ）ｓ等を用い
て、それをメッキ液中に溶解しても良い。また直接金属
アルミニウムをメッキ液に浸漬して溶解させても良い。
アルミニウムイオンが異方性を高める原因はよくわから
ないが、メッキ液中にアルミニウムイオンが存在するこ
とによって、メッキ銅の結晶成長方向がある特定方向に
なるのではないかと思われる。
ないが、メッキ液中にアルミニウムイオンが存在するこ
とによって、メッキ銅の結晶成長方向がある特定方向に
なるのではないかと思われる。
以上の様な組成条件においては、ｐＨは８．２〜９．０
の間になるはずであるが、もしもｐＨがこれより低い時
はＫＯＨ，高い時はポリリン酸或いはクエン酸や各メッ
キ液メーカーから市販されているｐＨ調整剤で８．２〜
９．０、好ましくはｐＨ８，４〜８．８に調節する。
の間になるはずであるが、もしもｐＨがこれより低い時
はＫＯＨ，高い時はポリリン酸或いはクエン酸や各メッ
キ液メーカーから市販されているｐＨ調整剤で８．２〜
９．０、好ましくはｐＨ８，４〜８．８に調節する。
カソードの電流密度は３〜５６ Ａｌｄｍ” 、好まし
くは５〜２０ Ａ／ｄ ｍ”が良い。Ｋの値を高くする
為には、カソードの電流密度Ｆｉ高い程良い。上限はヤ
ケ現象によシ決定される。
くは５〜２０ Ａ／ｄ ｍ”が良い。Ｋの値を高くする
為には、カソードの電流密度Ｆｉ高い程良い。上限はヤ
ケ現象によシ決定される。
攪拌は必峨で、望気攪拌でもポンプ攪拌でも、カッーＰ
揺動でもまたそれらを組み合わせても良いが、例えば空
気攪拌ならそのエアー流量はｏ、ｏｉ〜２．００Ｍ”７
Ｍ”・分（単位メッキ層液面積当りに１分間に流す空気
量の標準状態での体積）が好ましい。またメッキ中の浴
温は一般に行われている様に５０〜６０℃が好ましい。
揺動でもまたそれらを組み合わせても良いが、例えば空
気攪拌ならそのエアー流量はｏ、ｏｉ〜２．００Ｍ”７
Ｍ”・分（単位メッキ層液面積当りに１分間に流す空気
量の標準状態での体積）が好ましい。またメッキ中の浴
温は一般に行われている様に５０〜６０℃が好ましい。
メッキの下地としては、導電性があれば何んでもよく１
例えば金属なら銅、ニッケル、アルミニウム等が考えら
れる。
例えば金属なら銅、ニッケル、アルミニウム等が考えら
れる。
メッキ装置等については、一般に行われているｔのなら
特に問題はない。
特に問題はない。
以下に本発明の態様を一層明確にする為に、実施例を挙
げて説明する。
げて説明する。
実施例１〜４
絶縁性ポリイミドフィルム（デュポン社製「カプトン」
、厚み；２５μｍ）上に、５μｍ厚銅箔をぎメチツク社
製フェノール樹脂系接着剤（商品名；ＸＡ−５６４−４
）を使って接着する。次にイーストマンコダック社製ネ
ガ凰レジスト［マイクロレジスト７４７−１１０ｃｓｔ
Ｊを、乾燥後レジスト厚が３〜５μｍになる様に銅面
に塗布し、プリベーク後、回路）ぞターンマスクを通し
て高圧水銀ランプで露光し、専用の現像液（イーストラ
ンプダック社製、マイクロレジストデベロッパー）及び
リンス液（イーストランプダック社製、マイクロレジス
トリンス）で現像し、ポストベークして、回路ノぞター
ン状にレジストを形成した。続いて、塩化第２鉄５０％
溶液にふり銅箔をエツチング除去した。
、厚み；２５μｍ）上に、５μｍ厚銅箔をぎメチツク社
製フェノール樹脂系接着剤（商品名；ＸＡ−５６４−４
）を使って接着する。次にイーストマンコダック社製ネ
ガ凰レジスト［マイクロレジスト７４７−１１０ｃｓｔ
Ｊを、乾燥後レジスト厚が３〜５μｍになる様に銅面
に塗布し、プリベーク後、回路）ぞターンマスクを通し
て高圧水銀ランプで露光し、専用の現像液（イーストラ
ンプダック社製、マイクロレジストデベロッパー）及び
リンス液（イーストランプダック社製、マイクロレジス
トリンス）で現像し、ポストベークして、回路ノぞター
ン状にレジストを形成した。続いて、塩化第２鉄５０％
溶液にふり銅箔をエツチング除去した。
更にナガセ化成工業社製レジスト剥離剤「、ｒ −１０
０Ｊを使用し銅箔上のレジストを除去する。この結果、
膜厚５μｍ１幅１３０μｍ１配列ピッチ２００μｍの線
状ノミターンが得られた。
０Ｊを使用し銅箔上のレジストを除去する。この結果、
膜厚５μｍ１幅１３０μｍ１配列ピッチ２００μｍの線
状ノミターンが得られた。
ついで、バーショウ打出社製ピロリン酸銅メッキ液に、
ピロリン酸カリ、ピロリン鍍銅及び水を適量加えて、そ
の組成が銅イオン濃度３４ｆ／ｌ。
ピロリン酸カリ、ピロリン鍍銅及び水を適量加えて、そ
の組成が銅イオン濃度３４ｆ／ｌ。
１’ζ−７になる様調節し、さらに濃度２８％のアンモ
ニア水をアンモニアに換算して０．０８ｍｏＬの濃度に
なるまで加えたのち、アルミニウムイオン濃度が３０■
／ｌになるように硝酸アルミニウム試薬を溶解させ、さ
らにこの調合されたメッキ液のｐＨが８．７になるまで
ＫＯＨ５％溶液又はＩ・−ショウ村田社製ｐＨｇ整液を
加えたメッキ液を用いて、上記の紳状銅パターンを電流
顕度５−８ Ａ／ｄ ｍ” 、空気攪拌０．１Ｍ”７Ｍ
”分、浴温５５℃の条件でメッキを行った。この結果得
られた銅線状ノ？ターンの幅、厚みからに＝１゜９５で
あシ、高い異方性が発揮された。
ニア水をアンモニアに換算して０．０８ｍｏＬの濃度に
なるまで加えたのち、アルミニウムイオン濃度が３０■
／ｌになるように硝酸アルミニウム試薬を溶解させ、さ
らにこの調合されたメッキ液のｐＨが８．７になるまで
ＫＯＨ５％溶液又はＩ・−ショウ村田社製ｐＨｇ整液を
加えたメッキ液を用いて、上記の紳状銅パターンを電流
顕度５−８ Ａ／ｄ ｍ” 、空気攪拌０．１Ｍ”７Ｍ
”分、浴温５５℃の条件でメッキを行った。この結果得
られた銅線状ノ？ターンの幅、厚みからに＝１゜９５で
あシ、高い異方性が発揮された。
更に実施例２〜４は、衣−１の如くアルミニウムイオン
濃度を調節し、更にｐＨを調節したメッキ浴を用い前記
と同神の銅線状パターンに同一の条件でメッキを行なっ
た。その結果得られた・にターンの厚今、幅を測足した
結果を表−ＩＶＣ，示す。なおいずれの場合も鍋物性は
実用上充分なものであった。
濃度を調節し、更にｐＨを調節したメッキ浴を用い前記
と同神の銅線状パターンに同一の条件でメッキを行なっ
た。その結果得られた・にターンの厚今、幅を測足した
結果を表−ＩＶＣ，示す。なおいずれの場合も鍋物性は
実用上充分なものであった。
以下余白
表−１
表面性：パターンを目視して調べた。良好とはメッキ面
全体が緻密で光沢があり、くもりやヤケのないことを言
う。
全体が緻密で光沢があり、くもりやヤケのないことを言
う。
比較例１
絶縁性基板上に、５μｍ厚鋼箔をぎスチツク社製［ＸＡ
−５６４−４Ｊ フェノール樹脂系接着剤を使って接着
する。次にイーストマンゴダック社製ネガ型レジスト「
マイクロレジス・ドア４７−１１０ ｃｓｔ Ｊを、乾
燥後、レジスト厚が３〜５μｍになる様に銅面に塗布し
、シリベーク後、回路パターンマスクを通して高圧水銀
ランプで露光し、専用の現像液及びリンス液で現像し、
ポストベークして回路・ξターン状にレジストを形成す
る。続いて塩化第２鉄５０％溶液によシ銅箔をエツチン
グ除去した。更にナガセ化成工業社製レジスト剥離剤「
、ｒ−１００Ｊを使用し銅箔上のレジストを除去する。
−５６４−４Ｊ フェノール樹脂系接着剤を使って接着
する。次にイーストマンゴダック社製ネガ型レジスト「
マイクロレジス・ドア４７−１１０ ｃｓｔ Ｊを、乾
燥後、レジスト厚が３〜５μｍになる様に銅面に塗布し
、シリベーク後、回路パターンマスクを通して高圧水銀
ランプで露光し、専用の現像液及びリンス液で現像し、
ポストベークして回路・ξターン状にレジストを形成す
る。続いて塩化第２鉄５０％溶液によシ銅箔をエツチン
グ除去した。更にナガセ化成工業社製レジスト剥離剤「
、ｒ−１００Ｊを使用し銅箔上のレジストを除去する。
この結果、膜厚５１ｔｍ、幅１３０ ｔｔｍ、配列ピッ
チ２００μｍの線状パターンが４Ｕられた。次にバーシ
ョウ打出社製ピロリン鍍銅メッキ故に、ピロリン酸カリ
、ピロリン閾銅及び水を適量加えて、その組成が銅イオ
ン濃ＬＵＧ ３４ ｆ／／ｌ、 Ｐ比＝７．０になる
様調節し、さらに濃度２８％のアンモア水を適量加え、
アンモニアに換算して０゜０３ ｍａｔ／Ｌの濃度に調
節し、さらに調合し、さらに調合されたメッキ液のｐａ
ｌが８．７ になる様ＫＯＩ（５％溶液又はハーゾヨン
打出社製ｐＨ調整液を加えた。
チ２００μｍの線状パターンが４Ｕられた。次にバーシ
ョウ打出社製ピロリン鍍銅メッキ故に、ピロリン酸カリ
、ピロリン閾銅及び水を適量加えて、その組成が銅イオ
ン濃ＬＵＧ ３４ ｆ／／ｌ、 Ｐ比＝７．０になる
様調節し、さらに濃度２８％のアンモア水を適量加え、
アンモニアに換算して０゜０３ ｍａｔ／Ｌの濃度に調
節し、さらに調合し、さらに調合されたメッキ液のｐａ
ｌが８．７ になる様ＫＯＩ（５％溶液又はハーゾヨン
打出社製ｐＨ調整液を加えた。
この様なアルミニウムイオンが全く入っていないメッキ
液を用いて、前記の線状鋼）ξターンを電・流密度ｓ、
ｓＡ／ｄｍ”、空気攪拌０．１Ｍ”７’Ｍ”分、浴温５
５℃の条件化でメッキを行った。この結果得られた銅線
状パターンの幅・厚みからＫを計算したところ１．５８
であった。
液を用いて、前記の線状鋼）ξターンを電・流密度ｓ、
ｓＡ／ｄｍ”、空気攪拌０．１Ｍ”７’Ｍ”分、浴温５
５℃の条件化でメッキを行った。この結果得られた銅線
状パターンの幅・厚みからＫを計算したところ１．５８
であった。
比較例２
絶縁性基板上に、５μｍ厚銅箔合キスチック社製［ｘＡ
−５６４−４ｊフ工ノール樹脂系接着剤を使って接着す
る。次にイーストマンゴダック社製ネガ型レジスト［マ
イクロレジスト７４７−１１０ｃｓｔｊを、乾燥後、レ
ジスト厚が３〜５μｍになる様に銅面に塗布し、シリベ
ーク後、回路パターンマスクを通して高圧水銀ランプで
露光し、専用の現像液及びリンス液で現像し、ポストベ
ークして回路パターン状にレジストを形成する。続いて
塩化第２鉄５０％溶液により銅箔をエツチング除去した
。更にナガセ化成工業社製レジスト剥離剤［、ｒ−１０
０Ｊを使用し銅箔上のレジストを除去する。この結果、
膜厚５ Ｊｉｍ、幅１３０１１ｍ５配列ピッチ２００１
１ｍの線状パターンが得られた。次にバーショウ行田ネ
１製ピロ 。
−５６４−４ｊフ工ノール樹脂系接着剤を使って接着す
る。次にイーストマンゴダック社製ネガ型レジスト［マ
イクロレジスト７４７−１１０ｃｓｔｊを、乾燥後、レ
ジスト厚が３〜５μｍになる様に銅面に塗布し、シリベ
ーク後、回路パターンマスクを通して高圧水銀ランプで
露光し、専用の現像液及びリンス液で現像し、ポストベ
ークして回路パターン状にレジストを形成する。続いて
塩化第２鉄５０％溶液により銅箔をエツチング除去した
。更にナガセ化成工業社製レジスト剥離剤［、ｒ−１０
０Ｊを使用し銅箔上のレジストを除去する。この結果、
膜厚５ Ｊｉｍ、幅１３０１１ｍ５配列ピッチ２００１
１ｍの線状パターンが得られた。次にバーショウ行田ネ
１製ピロ 。
リン酸銅メッキ液に、ピロリン酸カリ、ピロリン鍍銅及
び水を適量加えて、その組成が銅イオン濃度３４１／１
％ Ｐ比＝７．０になる様調節し、さらに濃ＦＩＬ２８
％のアンモア水を適量加え、アンモニアに換算して０．
０３ｍｏｔ／ｌの濃度に調節し、アルミニウムイオン濃
度がｌグ／ｌになる様に硝酸アルミニウム試薬を溶解さ
せ、さらに調合されたメッキ液のｐＨが８．７になる様
ＫＯＨ５％溶液又は）・−ショウ材用社製１）Ｈ調整液
を加えた。
び水を適量加えて、その組成が銅イオン濃度３４１／１
％ Ｐ比＝７．０になる様調節し、さらに濃ＦＩＬ２８
％のアンモア水を適量加え、アンモニアに換算して０．
０３ｍｏｔ／ｌの濃度に調節し、アルミニウムイオン濃
度がｌグ／ｌになる様に硝酸アルミニウム試薬を溶解さ
せ、さらに調合されたメッキ液のｐＨが８．７になる様
ＫＯＨ５％溶液又は）・−ショウ材用社製１）Ｈ調整液
を加えた。
この様なメッキ液を用いて、前記の線状鋼ノξターンを
′電流密度ｓ、ｓ Ａ／ｄｍ”、空気攪拌０．１Ｍ３／
Ｍ２分、浴温５５℃の条件化でメッキを行ったところ、
パターン表面上に異常突起物が多数見られた。
′電流密度ｓ、ｓ Ａ／ｄｍ”、空気攪拌０．１Ｍ３／
Ｍ２分、浴温５５℃の条件化でメッキを行ったところ、
パターン表面上に異常突起物が多数見られた。
〔効果ｊ
本発明のピロリン酸銅メッキ液を用いると、アンモニア
譲度がｏ、ｏｓ ｍｏｔ／Ｌ以下であっても、異方性Ｋ
が高くなシ厚膜微細パターンの印刷回路基板を製造する
ことが可能となる。
譲度がｏ、ｏｓ ｍｏｔ／Ｌ以下であっても、異方性Ｋ
が高くなシ厚膜微細パターンの印刷回路基板を製造する
ことが可能となる。
特許出願人 旭化成工業株式会社
手続補正書（自発）
昭和５９年８月６日
特許庁長官 志 賀 学 殿
１、事件の表示 昭和５９年特許願第 １３７！２
Ｇ 号２ 発明の名称 異方性ピロリン酸銅メッキ液 ａ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 大阪府大阪市北区堂島浜１丁目２番６号４ 補正の対象 ＆ 補正の内容 （１） 明細書記ｓｉ第ｔ９〜２０行（７） ｒ ５
００ｍ９／／Ｊ以上になると異常突起物の発生密着不良
などの現象がおこる。」をｒ ５００ｍ９／１以上にな
ると異常突起物の発生、密着不良などの現象がおこる。
Ｇ 号２ 発明の名称 異方性ピロリン酸銅メッキ液 ａ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 大阪府大阪市北区堂島浜１丁目２番６号４ 補正の対象 ＆ 補正の内容 （１） 明細書記ｓｉ第ｔ９〜２０行（７） ｒ ５
００ｍ９／／Ｊ以上になると異常突起物の発生密着不良
などの現象がおこる。」をｒ ５００ｍ９／１以上にな
ると異常突起物の発生、密着不良などの現象がおこる。
」に訂正する。
（２） 同第８頁第１８行のｒｏ、０８ｍｏＡ’Ｊを
ｒ ０．０３ ｍｏｌＪに訂正する。
ｒ ０．０３ ｍｏｌＪに訂正する。
（３）同第１１員！；ｇ１４〜１５行の「換算して０、
０３ ｍａｉｌ／ｌの濃度に調節し、さらに調合し、さ
らに調合されたメッキ液のＰＨが＆７にな」を「換算し
て０．０３ ｍａｉｌ／１１の濃度に調節し、さらに調
合されたメッキ液のＰＨが＆７にな」に訂正する。
０３ ｍａｉｌ／ｌの濃度に調節し、さらに調合し、さ
らに調合されたメッキ液のＰＨが＆７にな」を「換算し
て０．０３ ｍａｉｌ／１１の濃度に調節し、さらに調
合されたメッキ液のＰＨが＆７にな」に訂正する。
以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （Ａ）銅イオン濃度〔Ｃｕ＾２＾＋〕２２〜４２ｇ／ｌ
、（Ｂ）ピロリン酸イオン濃度〔Ｐ＿２Ｏ＿７＾４＾−
〕／銅イオン濃度〔Ｃｕ＾２＾＋〕（重量比）６．０〜
８．０、（Ｃ）アンモニア濃度〔ＮＨ＿３〕０．０１〜
０．２０ｍｏｌ／ｌ、（Ｄ）アルミニウムイオン濃度〔
Ａｌ＾３＾＋〕０．１〜５００ｍｇ／ｌ からなる異方性ピロリン酸銅メッキ液
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59137220A JPH0633497B2 (ja) | 1984-07-04 | 1984-07-04 | 異方性ピロリン酸銅メッキ液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59137220A JPH0633497B2 (ja) | 1984-07-04 | 1984-07-04 | 異方性ピロリン酸銅メッキ液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6119792A true JPS6119792A (ja) | 1986-01-28 |
| JPH0633497B2 JPH0633497B2 (ja) | 1994-05-02 |
Family
ID=15193589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59137220A Expired - Lifetime JPH0633497B2 (ja) | 1984-07-04 | 1984-07-04 | 異方性ピロリン酸銅メッキ液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0633497B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103695972A (zh) * | 2012-09-27 | 2014-04-02 | Tdk株式会社 | 各向异性镀敷方法以及薄膜线圈 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5312893A (en) * | 1976-07-23 | 1978-02-04 | Sumitomo Chem Co Ltd | Preparation of tetraquinazolone derivatives |
| JPS5737898A (en) * | 1980-08-20 | 1982-03-02 | Asahi Chemical Ind | Thick film fine pattern |
| JPS5791590A (en) * | 1980-11-28 | 1982-06-07 | Asahi Chemical Ind | Method of producing thick film fine pattern conductor |
-
1984
- 1984-07-04 JP JP59137220A patent/JPH0633497B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5312893A (en) * | 1976-07-23 | 1978-02-04 | Sumitomo Chem Co Ltd | Preparation of tetraquinazolone derivatives |
| JPS5737898A (en) * | 1980-08-20 | 1982-03-02 | Asahi Chemical Ind | Thick film fine pattern |
| JPS5791590A (en) * | 1980-11-28 | 1982-06-07 | Asahi Chemical Ind | Method of producing thick film fine pattern conductor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103695972A (zh) * | 2012-09-27 | 2014-04-02 | Tdk株式会社 | 各向异性镀敷方法以及薄膜线圈 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0633497B2 (ja) | 1994-05-02 |
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