JPS61198151A - ポジ型フオトレジスト組成物 - Google Patents
ポジ型フオトレジスト組成物Info
- Publication number
- JPS61198151A JPS61198151A JP3859285A JP3859285A JPS61198151A JP S61198151 A JPS61198151 A JP S61198151A JP 3859285 A JP3859285 A JP 3859285A JP 3859285 A JP3859285 A JP 3859285A JP S61198151 A JPS61198151 A JP S61198151A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist composition
- cresol
- photosensitizer
- hydroxyl groups
- sulfonic acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
- G03F7/0758—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds with silicon- containing groups in the side chains
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は輻射線に感光するポジ型フォトレジスト組成物
に関するものであり、詳しくは、特定の有機ケイ素化合
物とメタクレゾールまたはパラクレゾールの混合物とア
ルデヒドとを縮合させる事によって得られるノボラック
樹脂と、ナフトキノンジアジド系感光剤を含むポジ型フ
ォトレジスト組成物に関するものである。
に関するものであり、詳しくは、特定の有機ケイ素化合
物とメタクレゾールまたはパラクレゾールの混合物とア
ルデヒドとを縮合させる事によって得られるノボラック
樹脂と、ナフトキノンジアジド系感光剤を含むポジ型フ
ォトレジスト組成物に関するものである。
半導体集積回路の高集積化は年々加速度的に進み、現在
ではいわゆるＬＥｊＸから超ＬＳＩの時代へと移行しつ
つある。それに伴いより微細なパターンのフォトリソグ
ラフィー技術が要求される様になって来た。この様な要
求に対応してす７トキノンジアジド系ポジ型フオトレジ
ストがフォトリソグラフィーにおいて多用される様にな
った。
ではいわゆるＬＥｊＸから超ＬＳＩの時代へと移行しつ
つある。それに伴いより微細なパターンのフォトリソグ
ラフィー技術が要求される様になって来た。この様な要
求に対応してす７トキノンジアジド系ポジ型フオトレジ
ストがフォトリソグラフィーにおいて多用される様にな
った。
しかしながら、バインダー樹脂としてクレゾールノボラ
ック樹脂、ビニルフェノール重合体などを用いた従来の
す７トキノンジアジド糸ポジ型フオトレジストにおいて
はドライエツチング耐性が必ずしも十分ではない。
ック樹脂、ビニルフェノール重合体などを用いた従来の
す７トキノンジアジド糸ポジ型フオトレジストにおいて
はドライエツチング耐性が必ずしも十分ではない。
また、リンゲラフィバターンの微細化に伴いレジストの
解像力もコμｍから１μｍさらにはサブミクロンのバタ
ン形式が可能なものが要求されている。
解像力もコμｍから１μｍさらにはサブミクロンのバタ
ン形式が可能なものが要求されている。
さらに超ＬＳＩの上部のように凹凸の激しい表面に／μ
レベルもしくはサブミクロンのパターンを描く技術とし
て非感光性の樹脂を皇布して表面を平坦化した後、上層
にさらにレジストを塗布しパターニングを行ない、この
パターンをマスクとして酸素リアクティブイオンエツチ
ングで下層の非感光性樹脂をエツチングして全体のレジ
ストレリーフパターンを形成するいわゆる多層レジスト
の技法が開発されたが、上層に用いるレジストは酸素リ
アクティブイオンエツチングに対して充分な耐性が要求
され、従来提案されていたものはシリコーン系の樹脂で
電子ビームもしくは遠紫外領域にのみ感度をもつもので
あり、税在汎用されている水銀の２輝線（１１，７Ａ
ｎｍ ）に感度を持つものは無いというのが実情であっ
た。
レベルもしくはサブミクロンのパターンを描く技術とし
て非感光性の樹脂を皇布して表面を平坦化した後、上層
にさらにレジストを塗布しパターニングを行ない、この
パターンをマスクとして酸素リアクティブイオンエツチ
ングで下層の非感光性樹脂をエツチングして全体のレジ
ストレリーフパターンを形成するいわゆる多層レジスト
の技法が開発されたが、上層に用いるレジストは酸素リ
アクティブイオンエツチングに対して充分な耐性が要求
され、従来提案されていたものはシリコーン系の樹脂で
電子ビームもしくは遠紫外領域にのみ感度をもつもので
あり、税在汎用されている水銀の２輝線（１１，７Ａ
ｎｍ ）に感度を持つものは無いというのが実情であっ
た。
本発明者等はこれらの点に鑑み鋭意検討を進めた結果、
ナフトキノンジアジド系感光剤と特定の有機ケイ素化合
物を縮合成分として含むノボラック樹脂とを組合せる事
によってドライエツチング耐性特に酸素リアクティブイ
オンエツチング耐性にすぐれかつ解像力の高いポジ型フ
ォトレジスト組成物が得られる事を知得し、本発明を完
成するに到った。
ナフトキノンジアジド系感光剤と特定の有機ケイ素化合
物を縮合成分として含むノボラック樹脂とを組合せる事
によってドライエツチング耐性特に酸素リアクティブイ
オンエツチング耐性にすぐれかつ解像力の高いポジ型フ
ォトレジスト組成物が得られる事を知得し、本発明を完
成するに到った。
すなわち本発明の要旨は、
（ａ） す７トキノンジアジド系感光剤、及び（ｂ）
メタクレゾール、パラクレゾールの少なくとも一方
と、 一般式 （Ｒ１”＋ Ｒ３はアルキル基又はアリール基を示し、
Ｒ４−Ｒ７は水素、アルキル基又はフェニル基を示す。
メタクレゾール、パラクレゾールの少なくとも一方
と、 一般式 （Ｒ１”＋ Ｒ３はアルキル基又はアリール基を示し、
Ｒ４−Ｒ７は水素、アルキル基又はフェニル基を示す。
）
で表わされる有機ケイ素化合物との混合物と、アルデヒ
ド類とを縮合させる事によって得られるノボラック樹脂 を含有する事を特徴とするポジ型フォトレジスト組成物
に存する。
ド類とを縮合させる事によって得られるノボラック樹脂 を含有する事を特徴とするポジ型フォトレジスト組成物
に存する。
次に本発明の詳細な説明する。
ナフトキノンジアジド系感光剤としては、ハコ−ナフト
キノンジアジド−５−スルホ／酸とフェノール性水酸基
を有する化合物とのエステルが用いられ、ポジ型フォト
レジストとして適度の現像特性を示すものであれば、す
べて用いうるが、フェノール性水酸基を有する化合物と
しては、例えば、コ、３．’Ｉ −）リヒドロキシベン
ゾフエノン、コ、ｊ、４（，４（−７トフヒドロキシペ
ンゾフエノン、ケルセチン等が好適に用いられる。フェ
ノール性水酸基を有する化合物の水酸基は、２．Ｊ、Ｉ
Ｉ −トリヒドロキシベンゾフェノ／の場合、その水酸
基の５ｏｑｂ以上、コ、 、、７． ｌＩ、ダノーテト
ラヒドロキシベンゾフェノンの場合５、その水酸基の７
０％以上、またケルセチンの場合、その水酸基のＡθ％
以上が７．コーナブトキノンジアジド−３−スルホン酸
のエステルとなっている／、２−ナフトキノンジアジド
系感光剤が好適に用いられる。フェノール性水酸基のエ
ステル化率が低い場合は一般に未露光部レジスト膜・の
残膜率が低下する。
キノンジアジド−５−スルホ／酸とフェノール性水酸基
を有する化合物とのエステルが用いられ、ポジ型フォト
レジストとして適度の現像特性を示すものであれば、す
べて用いうるが、フェノール性水酸基を有する化合物と
しては、例えば、コ、３．’Ｉ −）リヒドロキシベン
ゾフエノン、コ、ｊ、４（，４（−７トフヒドロキシペ
ンゾフエノン、ケルセチン等が好適に用いられる。フェ
ノール性水酸基を有する化合物の水酸基は、２．Ｊ、Ｉ
Ｉ −トリヒドロキシベンゾフェノ／の場合、その水酸
基の５ｏｑｂ以上、コ、 、、７． ｌＩ、ダノーテト
ラヒドロキシベンゾフェノンの場合５、その水酸基の７
０％以上、またケルセチンの場合、その水酸基のＡθ％
以上が７．コーナブトキノンジアジド−３−スルホン酸
のエステルとなっている／、２−ナフトキノンジアジド
系感光剤が好適に用いられる。フェノール性水酸基のエ
ステル化率が低い場合は一般に未露光部レジスト膜・の
残膜率が低下する。
該ノボラック樹脂としては、特定の有機ケイ素化合物と
少なくともメタクレゾールまたはパラクレゾールの一方
を含む混合物とホルムアルデヒドとを常法に従って縮合
することによって得られるノボラック樹脂であり、ポジ
型フォトレジストとして適度の現像特性を示すものであ
ればすべて用いうるが、好ましくはゲルパーメーション
クロマトグラフイーにおけるスチレン換算重量平均分子
量が／、０００〜３０，０００のノボラック樹脂が挙げ
られる。
少なくともメタクレゾールまたはパラクレゾールの一方
を含む混合物とホルムアルデヒドとを常法に従って縮合
することによって得られるノボラック樹脂であり、ポジ
型フォトレジストとして適度の現像特性を示すものであ
ればすべて用いうるが、好ましくはゲルパーメーション
クロマトグラフイーにおけるスチレン換算重量平均分子
量が／、０００〜３０，０００のノボラック樹脂が挙げ
られる。
有機ケイ素化合物としてパラトリアルキル７リルフエノ
ールを縮合成分として用いた場合、ノボラック樹脂合成
時、触媒である酸によってトリアルキルシリル基が脱離
し、すべてフェノールとなってしまうので本発明におい
ては下記一般式で表わされる有機ケイ素化合物を使用す
る必要がある。
ールを縮合成分として用いた場合、ノボラック樹脂合成
時、触媒である酸によってトリアルキルシリル基が脱離
し、すべてフェノールとなってしまうので本発明におい
ては下記一般式で表わされる有機ケイ素化合物を使用す
る必要がある。
ＨＯＲ’
（Ｒ′〜Ｒ３はアルキル基又はアリール基を示し、Ｒ４
−Ｒ１は水素、アルキル基又はフェニル基を示す。） 上記一般式の有機ケイ素化合物の具体例を挙げれば、メ
タトリメチル７リルフエノール、メタトリエチルシリル
フェノール、ジメチルフェニルシリルフェノール、ジ７
工１ルメチル７リルフェノール、メタトリフェニルシリ
ルフェノール等が挙げられる。
−Ｒ１は水素、アルキル基又はフェニル基を示す。） 上記一般式の有機ケイ素化合物の具体例を挙げれば、メ
タトリメチル７リルフエノール、メタトリエチルシリル
フェノール、ジメチルフェニルシリルフェノール、ジ７
工１ルメチル７リルフェノール、メタトリフェニルシリ
ルフェノール等が挙げられる。
ノボ２ツク樹脂中の有機ケイ素化合物の含有率が高くな
る程ドライエツチング耐性が向上するが、感度との兼合
いから、通常、上記有機ケイ素化合物は２０−１０モル
条、メタクレゾールまたはパラクレゾールはｇθ〜２０
モルチの範囲から選ばれる。
る程ドライエツチング耐性が向上するが、感度との兼合
いから、通常、上記有機ケイ素化合物は２０−１０モル
条、メタクレゾールまたはパラクレゾールはｇθ〜２０
モルチの範囲から選ばれる。
ナフトキノンジアジド系感光剤とノボラック −樹脂の
比率は、通常ノボラック樹Ｂ￥Ｈｏｏ重量部に対して、
感光剤１０−’７０重量部程度、好ましくは７３〜２６
重量部程度混合して用いら上記ノボラック樹脂ｌす７ト
キノンジアジド系感光剤をエチルセロソルブアセテート
等の溶媒に溶解し、シリコンウェーハー等の基板上に塗
布し、常法に従い露光、現像することＫよって、感度、
更には耐ドライエツチング性の良好なレジストを得るこ
とができる。
比率は、通常ノボラック樹Ｂ￥Ｈｏｏ重量部に対して、
感光剤１０−’７０重量部程度、好ましくは７３〜２６
重量部程度混合して用いら上記ノボラック樹脂ｌす７ト
キノンジアジド系感光剤をエチルセロソルブアセテート
等の溶媒に溶解し、シリコンウェーハー等の基板上に塗
布し、常法に従い露光、現像することＫよって、感度、
更には耐ドライエツチング性の良好なレジストを得るこ
とができる。
以下に本発明の実施例を掲げ、本発明を具体的に説明す
るが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に
限定されるものではない。
るが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に
限定されるものではない。
合成例／
メタトリメチルシリルフェノール！； Ｏｍｍｏｌ。
メタクレゾール！； Ｏｍ１ｍ１０１及び３７％ホルム
アルデヒド水溶液７０ｍｍｏｌの混合物を攪拌下ｉｏｏ
℃に加熱、シュウ酸ハＡ ｍｍｏｌを加え １００℃〜
７０５℃で３．Ｓ時間反応させた後、減圧下水及び未反
応モノマーを留去してｇ、Ｊ９のノボラック樹脂を得た
。
アルデヒド水溶液７０ｍｍｏｌの混合物を攪拌下ｉｏｏ
℃に加熱、シュウ酸ハＡ ｍｍｏｌを加え １００℃〜
７０５℃で３．Ｓ時間反応させた後、減圧下水及び未反
応モノマーを留去してｇ、Ｊ９のノボラック樹脂を得た
。
合成例コ
メタトリメチルシリルフェノールＪ Ｏｍｍｏｌ、メタ
クレゾール３０ ｍｍｏｌ、パラクンゾール３０ｆｎＩ
＋１０１及び３クチホルムアルデヒド水溶液６３ｍｍｏ
ｌを攪拌下／ＤＯ℃に加熱、シュウ酸／、ｑ皿０１を加
え１００℃〜ｌＯ５℃で３．３時間反応後、減圧下水及
び未反応モノマーを留去して７、ＡＩのノボラック樹脂
を得た。
クレゾール３０ ｍｍｏｌ、パラクンゾール３０ｆｎＩ
＋１０１及び３クチホルムアルデヒド水溶液６３ｍｍｏ
ｌを攪拌下／ＤＯ℃に加熱、シュウ酸／、ｑ皿０１を加
え１００℃〜ｌＯ５℃で３．３時間反応後、減圧下水及
び未反応モノマーを留去して７、ＡＩのノボラック樹脂
を得た。
実施例１
合成例／で得たトリメチルシリルフェノールとメタクレ
ゾールとのモル比／対／からなるノボラック樹脂３．０
１１及びコ、３．ダートリヒドロキシペンゾフエノンの
水酸基の９０％以上が、／、２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸のエステルであるナフトキノンジアジ
ド系感光１ｄＪＯ，、！；Ｉ！ｆエチルセロソルブアセ
テート？、Ｊｌｌに溶解させ、Ｏｌ−μｍの ７０ロボ
アフイルター（住友電工製）で戸遇した。
ゾールとのモル比／対／からなるノボラック樹脂３．０
１１及びコ、３．ダートリヒドロキシペンゾフエノンの
水酸基の９０％以上が、／、２−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸のエステルであるナフトキノンジアジ
ド系感光１ｄＪＯ，、！；Ｉ！ｆエチルセロソルブアセ
テート？、Ｊｌｌに溶解させ、Ｏｌ−μｍの ７０ロボ
アフイルター（住友電工製）で戸遇した。
得られたＰ液をコインチクリコンウエハに７．５５μｍ
の膜厚となるように回転塗布して試料を得た。オープン
中で９ｇ℃で３０分間プリベーク後、ミカサマスクアラ
イナＭＡ−／θ及び凸版印刷（株制ステップタブレット
を用い露光し、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
コ、３ Ｆｌチ水溶液を用い２ＳＣで７分間浸漬法によ
り現像した。ステップタブレット各段における残膜率を
測定し、感度曲線を求め、該感度曲線で残膜率がθチと
なる電光秒数を外挿したところ１２秒であった。
の膜厚となるように回転塗布して試料を得た。オープン
中で９ｇ℃で３０分間プリベーク後、ミカサマスクアラ
イナＭＡ−／θ及び凸版印刷（株制ステップタブレット
を用い露光し、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
コ、３ Ｆｌチ水溶液を用い２ＳＣで７分間浸漬法によ
り現像した。ステップタブレット各段における残膜率を
測定し、感度曲線を求め、該感度曲線で残膜率がθチと
なる電光秒数を外挿したところ１２秒であった。
次に該フォトレジスト感光液をコインチクリコンウエハ
に１μｍの膜厚となるように回転塗布後、オーブン中９
０℃、３０分間プリベークし、？ＰＡ−／ｌｆｉ／ （
キャノン製ステッパー）及び曲板印刷■製解像度テスト
用マスクを用い露光し、２．．３’１％テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液でコ５℃、１分間浸漬法
により現像した。走査型電子顕微鏡（明石製作新製Ｓ工
ＧＭＡ ＩＩ ）により、解像度を調べたところθ、ｔ
μｍまで良好に解像していた。
に１μｍの膜厚となるように回転塗布後、オーブン中９
０℃、３０分間プリベークし、？ＰＡ−／ｌｆｉ／ （
キャノン製ステッパー）及び曲板印刷■製解像度テスト
用マスクを用い露光し、２．．３’１％テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液でコ５℃、１分間浸漬法
により現像した。走査型電子顕微鏡（明石製作新製Ｓ工
ＧＭＡ ＩＩ ）により、解像度を調べたところθ、ｔ
μｍまで良好に解像していた。
また膜面をプラズマサーモ社製プラズマエツチング装置
で酸素をエツチングガスとして用いＲ工Ｅ（リアクティ
ブイオンエツチング）モードでエツチングした結果、残
膜率は９７チで実質的な膜減りはなかった。
で酸素をエツチングガスとして用いＲ工Ｅ（リアクティ
ブイオンエツチング）モードでエツチングした結果、残
膜率は９７チで実質的な膜減りはなかった。
実施例コ
合成例コで得たトリメチルシリルフェノール、パラクレ
ゾール及びメタクレゾールのモル比ｌ対／対／からなる
ノボラック樹脂３．ＯＩとａ、３．４１− トリヒドロ
キシベンゾフェノンノ水酸基の９０％以上かへλ−ナフ
トキノンジアジドーＳ−スルホ／酸のエステルであるす
７トキノンジアジド系感光剤ｏ、ｓ ｙをエチルセロソ
ルブアセテート９．３ｇに溶解させ０．コμｍの７０ロ
ボアフイルターで濾過し、実施例１と同様にして、シリ
コンウエノ・−に塗布して試料を得、以下同様にして感
度曲線を求め、該感度曲線で残膜率がθチとなる露光秒
数を外挿したところ７５秒であった。
ゾール及びメタクレゾールのモル比ｌ対／対／からなる
ノボラック樹脂３．ＯＩとａ、３．４１− トリヒドロ
キシベンゾフェノンノ水酸基の９０％以上かへλ−ナフ
トキノンジアジドーＳ−スルホ／酸のエステルであるす
７トキノンジアジド系感光剤ｏ、ｓ ｙをエチルセロソ
ルブアセテート９．３ｇに溶解させ０．コμｍの７０ロ
ボアフイルターで濾過し、実施例１と同様にして、シリ
コンウエノ・−に塗布して試料を得、以下同様にして感
度曲線を求め、該感度曲線で残膜率がθチとなる露光秒
数を外挿したところ７５秒であった。
次に実施例１と同様にしてＦＰＡ−／ＩＩ／ （キャノ
ンステッパー）で露光し、解像度を調べたところ００３
μｍのラインアンドスペースのパターンが解像された。
ンステッパー）で露光し、解像度を調べたところ００３
μｍのラインアンドスペースのパターンが解像された。
また膜面をプラズマサーム社プラズマエツチング装置で
酸素をエツチングガスとして用い、Ｒ工Ｋ（リアクティ
ブイオンエツチングモードでエツチングし九結果、残膜
率は１００％で膜減りはなかった。
酸素をエツチングガスとして用い、Ｒ工Ｋ（リアクティ
ブイオンエツチングモードでエツチングし九結果、残膜
率は１００％で膜減りはなかった。
本発明の組成物によれば、ドライエツチング耐性に大変
優れ、極めて細かいパターン形成が可能な感度を有し、
また９輝線に感度を有するものであるから超ＬＥＩ工製
造の際のフォト−シストとして大変好適に用い得るもの
である。
優れ、極めて細かいパターン形成が可能な感度を有し、
また９輝線に感度を有するものであるから超ＬＥＩ工製
造の際のフォト−シストとして大変好適に用い得るもの
である。
出 願 人 三菱化成工業株式会社
代 理 人 弁理士長谷用 −
（ほか１名）
Claims (4)
- （１）（ａ）ナフトキノンジアジド系感光剤、及び（ｂ
）メタクレゾール、パラクレゾールの少なくとも一方と
、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｒ＾１〜Ｒ＾３はアルキル基又はアリール基を示し、
Ｒ＾４〜Ｒ＾７は水素、アルキル基又はフェニル基を示
す。） で表わされる有機ケイ素化合物との混合物と、アルデヒ
ド類とを縮合させる事によって得られるノボラック樹脂
を含有する事を特徴とするポジ型フォトレジスト組成物
。 - （２）ナフトキノンジアジド系感光剤が、２，３，４−
トリヒドロキシベンゾフェノンの５０％以上の水酸基が
１，２−ナフトキノンアジド−５−スルホン酸のエステ
ルまたは、２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾ
フェノンの水酸基の６０％以上が１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸のエステルまたは、ケルセチ
ンの水酸基の６０％以上が１，２−ナフトキノンジアジ
ド−５−スルホン酸のエステルであるナフトキノンジア
ジド系感光剤であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のフォトレジスト組成物。 - （３）ノボラック樹脂が、メタトリアルキルシリルフェ
ノールと、メタクレゾール及びパラクレゾールとの混合
物とホルムアルデヒドとを縮合させる事によって得られ
るノボラック樹脂であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項又は第２項に記載のフォトレジスト組成物。 - （４）ノボラック樹脂の重量平均分子量が１，０００〜
３０，０００である事を特徴とする特許請求の範囲第１
項乃至第３項のいずれかに記載のフォトレジスト組成物
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3859285A JPS61198151A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3859285A JPS61198151A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61198151A true JPS61198151A (ja) | 1986-09-02 |
Family
ID=12529564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3859285A Pending JPS61198151A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61198151A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62121754A (ja) * | 1985-11-21 | 1987-06-03 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感放射線性樹脂組成物の製造方法 |
| US5393641A (en) * | 1992-02-03 | 1995-02-28 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Radiation-sensitive resin composition |
-
1985
- 1985-02-27 JP JP3859285A patent/JPS61198151A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62121754A (ja) * | 1985-11-21 | 1987-06-03 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感放射線性樹脂組成物の製造方法 |
| US5393641A (en) * | 1992-02-03 | 1995-02-28 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Radiation-sensitive resin composition |
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