JPS61198244A - 電子写真用感光体の下地処理方法 - Google Patents
電子写真用感光体の下地処理方法Info
- Publication number
- JPS61198244A JPS61198244A JP3991985A JP3991985A JPS61198244A JP S61198244 A JPS61198244 A JP S61198244A JP 3991985 A JP3991985 A JP 3991985A JP 3991985 A JP3991985 A JP 3991985A JP S61198244 A JPS61198244 A JP S61198244A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- treatment
- film
- photoconductive layer
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
- G03G5/144—Inert intermediate layers comprising inorganic material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、静電式複写機あるいは電算機のプリンタな
どに使用される電子写真用感光体に関する。
どに使用される電子写真用感光体に関する。
従来の技術
この種の感光体は、一般にアルミニウム（この明細書に
おいて「アルミニウム」の語はその合金を含む意味に於
いて用いられる。）からなるｓＴｉ性支持体上に、密着
性を向上するための界面層を介して光導電性絶縁材から
なる光導電層が形成されたものとなされている。光導電
性材料としては、従来から無定形セレンを主体とする各
種材料が広く用いられているところであるが、最近、光
感度、スペクトル特性、受容電位、電荷保持性等の面で
一段と優れた性質を有しかつ無公害である等の利点から
、アモルファスシリコン（以下ａ −３ｉ と略記する
）の使用の有望性が着目され、その実用化が進められて
いる。
おいて「アルミニウム」の語はその合金を含む意味に於
いて用いられる。）からなるｓＴｉ性支持体上に、密着
性を向上するための界面層を介して光導電性絶縁材から
なる光導電層が形成されたものとなされている。光導電
性材料としては、従来から無定形セレンを主体とする各
種材料が広く用いられているところであるが、最近、光
感度、スペクトル特性、受容電位、電荷保持性等の面で
一段と優れた性質を有しかつ無公害である等の利点から
、アモルファスシリコン（以下ａ −３ｉ と略記する
）の使用の有望性が着目され、その実用化が進められて
いる。
ところが、従来のセレン系光導電性材料を用いる場合に
おいても勿論であるが、殊にａ −８ｉで光導電層を形
成する場合、該光導電層の導電性支持体に対する密着性
、及び帯電・露光後の残留電位特性の点で問題を生ずる
ことが多い。
おいても勿論であるが、殊にａ −８ｉで光導電層を形
成する場合、該光導電層の導電性支持体に対する密着性
、及び帯電・露光後の残留電位特性の点で問題を生ずる
ことが多い。
従来、アルミニウム類の導電性支持体を用いる場合、主
として光Ｉｆ層の密着性の向上をはかるために、該支持
体に予め下地処理として硫酸法等による陽極酸化処理を
施し、支持体表面に界面層としての陽極酸化皮膜を形成
することが知られている（例えば特公昭５７−１０４９
３８号）。
として光Ｉｆ層の密着性の向上をはかるために、該支持
体に予め下地処理として硫酸法等による陽極酸化処理を
施し、支持体表面に界面層としての陽極酸化皮膜を形成
することが知られている（例えば特公昭５７−１０４９
３８号）。
発明が解決しようとプる問題点
ところが、確かにこのような下地処理による陽極酸化皮
膜、なかでも特に硫酸皮膜は、封孔処理しない場合、表
面が吸着性に富み、比較的光導電層との良好な密着性を
実現しうるが、反面、電子写真の画像形成プロセスにお
いて、光照射後の残留電位、即ち晃減衰後の残留電位が
比較的高いものとなり、特に連続階調の画像形成に有害
な影響を及ぼすという難点がある。例えば、最も一般的
な陽極酸化処理条件である硫１！！！濃度１５％、温度
２０℃の電解液を用いて、電流密度１．３Ａ／ ｄ′Ｉ
Ｉｔの条件でアルミニウム製電極支持体を陽極酸化処理
した場合、そのときの化成電圧は使用材料によって多少
異なるが約１５〜２０Ｖ程度となり、その結果化成され
る陽極酸化皮膜のバリヤ一層（表面の多孔質層下の絶縁
層）の厚さは１５０〜２０ＯＡ程度になるといわれてい
る。而して、このような皮膜を支持体と光導電層との界
面層として用いた場合、表面の吸着性に富む多孔質層の
存在によって比較的良好な密着性を得ることができるも
のの、露光後の残留電位が高いものとなり、電気特性の
面で必ずしも高品質の感光体を得ることができないとい
う問題があった。
膜、なかでも特に硫酸皮膜は、封孔処理しない場合、表
面が吸着性に富み、比較的光導電層との良好な密着性を
実現しうるが、反面、電子写真の画像形成プロセスにお
いて、光照射後の残留電位、即ち晃減衰後の残留電位が
比較的高いものとなり、特に連続階調の画像形成に有害
な影響を及ぼすという難点がある。例えば、最も一般的
な陽極酸化処理条件である硫１！！！濃度１５％、温度
２０℃の電解液を用いて、電流密度１．３Ａ／ ｄ′Ｉ
Ｉｔの条件でアルミニウム製電極支持体を陽極酸化処理
した場合、そのときの化成電圧は使用材料によって多少
異なるが約１５〜２０Ｖ程度となり、その結果化成され
る陽極酸化皮膜のバリヤ一層（表面の多孔質層下の絶縁
層）の厚さは１５０〜２０ＯＡ程度になるといわれてい
る。而して、このような皮膜を支持体と光導電層との界
面層として用いた場合、表面の吸着性に富む多孔質層の
存在によって比較的良好な密着性を得ることができるも
のの、露光後の残留電位が高いものとなり、電気特性の
面で必ずしも高品質の感光体を得ることができないとい
う問題があった。
本発明者等は、上記のような問題点を克服することを目
的として鋭意研究した結果、電気的特性の低下の原因が
、主に陽極酸化皮膜の下層部分に不可避的に形成される
バリヤ一層の有する比較的高い絶縁性にあることをつき
とめ、かかる知見に基づいてこの発明を完成したもので
ある。
的として鋭意研究した結果、電気的特性の低下の原因が
、主に陽極酸化皮膜の下層部分に不可避的に形成される
バリヤ一層の有する比較的高い絶縁性にあることをつき
とめ、かかる知見に基づいてこの発明を完成したもので
ある。
従って、この発明の所期目的は、先導′ＲＩＩｌに対す
る密着性を比較的良好に保ちながらも、パリ（ア一層の
厚さを好ましくは１００Ａ以下の極めて薄いものに制御
して、露光後の残留電位の低減化をはかりうるような界
面陽極酸化皮膜の形成方法、即ち導電性支持層に対する
陽極酸化下地処理方法を提示することにある。
る密着性を比較的良好に保ちながらも、パリ（ア一層の
厚さを好ましくは１００Ａ以下の極めて薄いものに制御
して、露光後の残留電位の低減化をはかりうるような界
面陽極酸化皮膜の形成方法、即ち導電性支持層に対する
陽極酸化下地処理方法を提示することにある。
問題点を解決するための手段
而して、この発明は、表面に光導電層（３）を密着状に
被覆形成するためにアルミニウムからなる導電性支持体
（１）の表面に界面層としての陽極酸化皮膜（２）を形
成するに際して、特に電解電圧を２〜１０ｖの低電圧に
保持して前記導電性支持体（１）の陽極酸化電解処理を
行うことを特徴とする電子写真用感光体の下地処理方法
を要旨とする。
被覆形成するためにアルミニウムからなる導電性支持体
（１）の表面に界面層としての陽極酸化皮膜（２）を形
成するに際して、特に電解電圧を２〜１０ｖの低電圧に
保持して前記導電性支持体（１）の陽極酸化電解処理を
行うことを特徴とする電子写真用感光体の下地処理方法
を要旨とする。
手段の具体的な説明
陽極酸化皮膜を形成するための電解処理浴の種類はこの
発明において特に限定されるものではないが、一般的に
は硫酸、リン酸、シュウ酸等の溶液が好適に用いられる
。ただ、断る電解液を用いて導電性支持体を陽極酸化処
理する場合、通常の電解処理条件ではこの発明の所期す
る低残留電位効果をもった陽極酸化皮膜を形成せしめる
ことはできない。而して、この発明は、上記効果を発現
せしめうるような陽極酸化皮膜（２）を生成するため、
陽極酸化皮膜（２）における表面部の多孔質層（２ｂ）
下にあって殊に絶縁層として作用するバリヤー１（２ａ
）の厚さくむ１）を、１００Å以下の掻く薄いものに制
御しうるような特定の陽極酸化処理条件を提示するもの
である。即ち、この発明の方法による処理条件は、特に
電解電圧を２〜１０Ｖの極低電圧に保持するものである
。斯る電圧は、通常の陽極酸化電解の場合、１５〜２０
Ｖ程度の電圧が印加されるのに対し、これより著しく低
いものである。該電圧を２ｖ未満とするとぎは、作業上
許容されるような時間内に陽極酸化皮膜を化成するに必
要な電流が充分に流れず、密着性の良好な皮膜を得るこ
とができない。逆に１０ｖを超える電圧をかけると、陽
極酸化皮膜（２）のバリヤ一層（２ａ）が多くの場合１
００人をこえる厚さになり、感光体にこの発明の所期す
る低残留電位の特性を保持することが困難になる。最も
好ましい化成電圧の範囲は、３〜８ｖ楔度である。その
他の電解処理条件は一般的な普通の処理条件に従えば良
い。従って、例えば硫酸法の場合、１度は１０〜７０％
、特に好ましくは１０〜２０％、温度１５〜３０℃程度
の範囲で任意に変えることができる。かつ、電解時間は
１０〜６０分間程度の範囲で変えることができる。リン
酸溶液を用いる場合には、特に多孔質層の孔径の大きい
ものが得られ、密着性の更なる向上効果を期待すること
ができる点で有益である。リン酸法の場合の濃度は５〜
２０％程度が好適であり、温度１０〜３０℃程度、時間
３〜３０分間程度の範囲で適宜に変えることができる。
発明において特に限定されるものではないが、一般的に
は硫酸、リン酸、シュウ酸等の溶液が好適に用いられる
。ただ、断る電解液を用いて導電性支持体を陽極酸化処
理する場合、通常の電解処理条件ではこの発明の所期す
る低残留電位効果をもった陽極酸化皮膜を形成せしめる
ことはできない。而して、この発明は、上記効果を発現
せしめうるような陽極酸化皮膜（２）を生成するため、
陽極酸化皮膜（２）における表面部の多孔質層（２ｂ）
下にあって殊に絶縁層として作用するバリヤー１（２ａ
）の厚さくむ１）を、１００Å以下の掻く薄いものに制
御しうるような特定の陽極酸化処理条件を提示するもの
である。即ち、この発明の方法による処理条件は、特に
電解電圧を２〜１０Ｖの極低電圧に保持するものである
。斯る電圧は、通常の陽極酸化電解の場合、１５〜２０
Ｖ程度の電圧が印加されるのに対し、これより著しく低
いものである。該電圧を２ｖ未満とするとぎは、作業上
許容されるような時間内に陽極酸化皮膜を化成するに必
要な電流が充分に流れず、密着性の良好な皮膜を得るこ
とができない。逆に１０ｖを超える電圧をかけると、陽
極酸化皮膜（２）のバリヤ一層（２ａ）が多くの場合１
００人をこえる厚さになり、感光体にこの発明の所期す
る低残留電位の特性を保持することが困難になる。最も
好ましい化成電圧の範囲は、３〜８ｖ楔度である。その
他の電解処理条件は一般的な普通の処理条件に従えば良
い。従って、例えば硫酸法の場合、１度は１０〜７０％
、特に好ましくは１０〜２０％、温度１５〜３０℃程度
の範囲で任意に変えることができる。かつ、電解時間は
１０〜６０分間程度の範囲で変えることができる。リン
酸溶液を用いる場合には、特に多孔質層の孔径の大きい
ものが得られ、密着性の更なる向上効果を期待すること
ができる点で有益である。リン酸法の場合の濃度は５〜
２０％程度が好適であり、温度１０〜３０℃程度、時間
３〜３０分間程度の範囲で適宜に変えることができる。
更にシュウ酸洗による場合、濃度１〜５％、温度１０〜
３０℃程度とされ、処理時間は５〜３０分間程度の範囲
とされる。
３０℃程度とされ、処理時間は５〜３０分間程度の範囲
とされる。
なお、この発明において、導電性支持体（１）の構成材
料として用いられるアルミニウム材の種類は特に限定さ
れるものではなく、切削性、強度、硬さ等を考慮して市
販の各種アルミニウム材の中から適宜のものを選択使用
することができる。一般的には、純アルミニウム系、Ａ
３０Ｏｏ番系専のアルミニウム展伸材が好適に用いられ
る。
料として用いられるアルミニウム材の種類は特に限定さ
れるものではなく、切削性、強度、硬さ等を考慮して市
販の各種アルミニウム材の中から適宜のものを選択使用
することができる。一般的には、純アルミニウム系、Ａ
３０Ｏｏ番系専のアルミニウム展伸材が好適に用いられ
る。
発明の効果
この発明による下地処理方法においては、導電性支持体
とその上に形成される光導電層との間に界面層として介
在されることになる陽極酸化皮膜が、特にそのバリＶ一
層の厚さにおいて１００Å以下の極めて薄いものとして
形成される。従って、界面層が陽極酸化皮膜であるにも
拘わらず、それ自体の絶縁性が低く、帯電・霧光時の光
導′ｆ４ＷＩの速やかな光減衰を妨げることがなく、ひ
いては露光後の残留電位を充分に低いものとすることが
可能となる。従って、連続階調の画徴の解像力にも優れ
た電気特性の良好な感光体を提供しうる。もとより、界
面層がアルミニウム製導電性支持体の表面の陽極酸化皮
膜として形成されるものであるから、表面にポーラスな
多孔質層を有してこれが光導電性に対する良好な密着性
を示し、セレン系の光３ｊｊ電性材料を用いる場合はも
ちろんのこと、ａ −３ｉ系の光導電性材料を用いる場
合においても、光導電層の成層形成後、放冷過程等にお
いて該層の別離、ふくれ、亀裂等の現象を生じることの
ない安定した感光体の＠造に貢献する効果を奏する。
とその上に形成される光導電層との間に界面層として介
在されることになる陽極酸化皮膜が、特にそのバリＶ一
層の厚さにおいて１００Å以下の極めて薄いものとして
形成される。従って、界面層が陽極酸化皮膜であるにも
拘わらず、それ自体の絶縁性が低く、帯電・霧光時の光
導′ｆ４ＷＩの速やかな光減衰を妨げることがなく、ひ
いては露光後の残留電位を充分に低いものとすることが
可能となる。従って、連続階調の画徴の解像力にも優れ
た電気特性の良好な感光体を提供しうる。もとより、界
面層がアルミニウム製導電性支持体の表面の陽極酸化皮
膜として形成されるものであるから、表面にポーラスな
多孔質層を有してこれが光導電性に対する良好な密着性
を示し、セレン系の光３ｊｊ電性材料を用いる場合はも
ちろんのこと、ａ −３ｉ系の光導電性材料を用いる場
合においても、光導電層の成層形成後、放冷過程等にお
いて該層の別離、ふくれ、亀裂等の現象を生じることの
ない安定した感光体の＠造に貢献する効果を奏する。
実施例
実施例１
Ａ１０７０−Ｈ１４からなる外径８０ｍ、内径７４ｔｍ
１長さ３４０鷹のアルミニウム円筒体を導電性支持体と
して用い、表面を鏡面切削仕上げし、かつ弱アルカリ系
脱脂剤で脱脂処理したのち、１５％硫酸電解液中で、液
温２０”Ｃにおいて、３ｖの定電圧電解により２０分間
陽極酸化電解処理を行った。そして、これを充分に水洗
し、自然乾燥したのち、上記支持体上に、グロー放電法
によりａ−３ｉからなる厚さ約２０μｍの光導電層を形
成し、常温下に自然冷却して電子写真用感光体の本発明
試料Ｎ０１１を得た。
１長さ３４０鷹のアルミニウム円筒体を導電性支持体と
して用い、表面を鏡面切削仕上げし、かつ弱アルカリ系
脱脂剤で脱脂処理したのち、１５％硫酸電解液中で、液
温２０”Ｃにおいて、３ｖの定電圧電解により２０分間
陽極酸化電解処理を行った。そして、これを充分に水洗
し、自然乾燥したのち、上記支持体上に、グロー放電法
によりａ−３ｉからなる厚さ約２０μｍの光導電層を形
成し、常温下に自然冷却して電子写真用感光体の本発明
試料Ｎ０１１を得た。
実施例２
実施例１と同じ方法で前処理したアルミニウム製導電性
支持体を、１０％リンＩＩ電解液中で、温度３０℃、化
成電圧５ｖの条件で１５分間定電圧陽極酸化電解処理し
た。以降は実施例１と同様に処理して表面にａ−３ｉ光
導電層を有する感光体の本発明試料Ｎ００２を得た。
支持体を、１０％リンＩＩ電解液中で、温度３０℃、化
成電圧５ｖの条件で１５分間定電圧陽極酸化電解処理し
た。以降は実施例１と同様に処理して表面にａ−３ｉ光
導電層を有する感光体の本発明試料Ｎ００２を得た。
実施例３
実施例１と同じ方法で前処理したアルミニウム製導電性
支持体を、２％シュウ酸電解液中で、温度３５℃、化成
電圧５ｖの条件で１０分間定電圧陽極酸化電解処理した
。以降は実施例１と同様に処理して表面にａ−８ｉ光導
電層を右する感光体の本発明試料Ｎ０８３を得た。
支持体を、２％シュウ酸電解液中で、温度３５℃、化成
電圧５ｖの条件で１０分間定電圧陽極酸化電解処理した
。以降は実施例１と同様に処理して表面にａ−８ｉ光導
電層を右する感光体の本発明試料Ｎ０８３を得た。
比較例１〜２
実施例１〜３と同様のアルミニウム製円筒状導電性支持
体を前処理したのら、常法に従・つて、１５％１ｉＩＩ
Ｉ′ｆＩｉ雷解液により、温度２０℃において、電流密
度１．３Ａ／ ｄ尻の定電流条件で１．５分間陽極酸化
電解処理した。そして、陽極酸化皮膜の未封孔のもの（
比較例試料Ｎ０．１）と、更に続いて常法による封孔処
理を施したもの（比較例試料Ｎｏ、２＞とをつくり、以
降は前記実施例１〜３の場合と同様にして、表面にａ−
８１光導Ｍ層を有する感光体の比較例試Ｆ！ｌＮ０１〜
２を得た。
体を前処理したのら、常法に従・つて、１５％１ｉＩＩ
Ｉ′ｆＩｉ雷解液により、温度２０℃において、電流密
度１．３Ａ／ ｄ尻の定電流条件で１．５分間陽極酸化
電解処理した。そして、陽極酸化皮膜の未封孔のもの（
比較例試料Ｎ０．１）と、更に続いて常法による封孔処
理を施したもの（比較例試料Ｎｏ、２＞とをつくり、以
降は前記実施例１〜３の場合と同様にして、表面にａ−
８１光導Ｍ層を有する感光体の比較例試Ｆ！ｌＮ０１〜
２を得た。
上記実施例の本発明試料Ｎ０１１〜３及び比較例試料Ｎ
０１１〜２のそれぞれにつき、その陽極酸化皮膜（２）
のバリヤ一層（２ａ）及び多孔質層（２ｂ）の厚さくｊ
ｌ ）（ｔ２ ）を測定すると共に、光導電層の密着性
を評価した。モして又、これらの感光体試料を、暗中に
おいてコロナ電圧５．５ＫＶで帯電させ、次いでハロゲ
ンランプにて１０ρχ・Ｓ露光したのちの残留電位を測
定した。
０１１〜２のそれぞれにつき、その陽極酸化皮膜（２）
のバリヤ一層（２ａ）及び多孔質層（２ｂ）の厚さくｊ
ｌ ）（ｔ２ ）を測定すると共に、光導電層の密着性
を評価した。モして又、これらの感光体試料を、暗中に
おいてコロナ電圧５．５ＫＶで帯電させ、次いでハロゲ
ンランプにて１０ρχ・Ｓ露光したのちの残留電位を測
定した。
これらの結果を下表に示す。
（以下余白）
上表の結果により、この発明に係る下地処理方法を採用
して製作した感光体は、光導電層の密着性を良好に保ち
つつ、殊に露光後の残留電位の低下効果を認め得るもの
であった。
して製作した感光体は、光導電層の密着性を良好に保ち
つつ、殊に露光後の残留電位の低下効果を認め得るもの
であった。
図面はこの発明の下地処理を施して製作される感光体の
支持体と光導電層との界面部分の構造を示す模式図であ
る。 （１）・・・導電性支持体、（２）・・・陽極酸化皮膜
、（２ａ）・・・バリヤ一層、（２ｂ）・・・多孔質層
、（３〉・・・光導電層。 以 上
支持体と光導電層との界面部分の構造を示す模式図であ
る。 （１）・・・導電性支持体、（２）・・・陽極酸化皮膜
、（２ａ）・・・バリヤ一層、（２ｂ）・・・多孔質層
、（３〉・・・光導電層。 以 上
Claims (1)
- 表面に光導電層を密着状に被覆形成するためにアルミニ
ウムからなる導電性支持体の表面に界面層としての陽極
酸化皮膜を形成するに際して、特に電解電圧を２〜１０
Ｖの低電圧に保持して前記導電性支持体の陽極酸化電解
処理を行うことを特徴とする電子写真用感光体の下地処
理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3991985A JPS61198244A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 電子写真用感光体の下地処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3991985A JPS61198244A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 電子写真用感光体の下地処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61198244A true JPS61198244A (ja) | 1986-09-02 |
| JPH0355818B2 JPH0355818B2 (ja) | 1991-08-26 |
Family
ID=12566345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3991985A Granted JPS61198244A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 電子写真用感光体の下地処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61198244A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01116557A (ja) * | 1987-10-29 | 1989-05-09 | Mita Ind Co Ltd | 電子写真有機感光体の製造方法 |
| JPH025068A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-09 | Mitsubishi Kasei Corp | 電子写真感光体の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5022637A (ja) * | 1973-06-26 | 1975-03-11 |
-
1985
- 1985-02-28 JP JP3991985A patent/JPS61198244A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5022637A (ja) * | 1973-06-26 | 1975-03-11 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01116557A (ja) * | 1987-10-29 | 1989-05-09 | Mita Ind Co Ltd | 電子写真有機感光体の製造方法 |
| JPH025068A (ja) * | 1988-06-24 | 1990-01-09 | Mitsubishi Kasei Corp | 電子写真感光体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0355818B2 (ja) | 1991-08-26 |
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