JPS61199672A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
- Publication number
- JPS61199672A JPS61199672A JP60040081A JP4008185A JPS61199672A JP S61199672 A JPS61199672 A JP S61199672A JP 60040081 A JP60040081 A JP 60040081A JP 4008185 A JP4008185 A JP 4008185A JP S61199672 A JPS61199672 A JP S61199672A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power generation
- layer
- electrodes
- electrode
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、１枚の絶縁基板の主面上に光の入射により発
電に寄与する電子および正孔を発生するアモルファス半
導体層と、発生した電子および正孔を集電する電極とか
らなる発電区域の複数個を有し、各発電区域が互いに電
気的に接続されている光起雪力焚Ｆｆに間すＬ
電に寄与する電子および正孔を発生するアモルファス半
導体層と、発生した電子および正孔を集電する電極とか
らなる発電区域の複数個を有し、各発電区域が互いに電
気的に接続されている光起雪力焚Ｆｆに間すＬ
太陽光線を直接エネルギに変換する装置として、アモル
ファスシリコンを使用したアモルファス太陽電池が実用
化されているが、この種装置の問題点の一つとして光起
電圧が０．８ｖ程度と低いことがあげられる。そのため
、実際に使用する場合には１枚の絶縁基板上に複数の発
電区域を形成し、それら相互を直列接続することが行わ
れる。第２図はそのような光起電力装置を示し、ガラス
板のような光を透過する絶縁基板１の上面に透明電極２
１．２２．２３を形成し、その上に全面に発電のための
アモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｔと記す）層３、さ
らにこのａ−Ｓｉ層をサンドインチ状に挟んで透明電極
と対をなす金属電極４１，４２．４３が形成される。 ａ−３ｉ層３は一般にＰ型層、ノンドープ層、Ｎ型層の
積層からなり、光５の入射時に主にノンドープ層におい
て自由状態の電子、正孔が発生し、これらは前記各層の
作るＰＩＮ接合電界に引かれて移動し、透明電極２１．
２２．２３あるいは上部電極４１゜４２、４３に集めら
れて電圧が発生する。ａ−Ｓｉ層３は比抵抗が大きく生
成されており、はぼ絶縁体と考えてよいため、電極２１
，２２．２３のそれぞれの間隔、あるいは電極４１．４
２．４３のそれぞれの間隔が１ｍ程度あればリーク電流
は実用上無視し得る値となる。 しかしこのようにして形成された三つの発電区域１０．
２０．３０を直列接続するために、ａ−Ｓｉ層３の区域
の外に透明電極２２．２３ 、上部電極４１．４２が延
長され、接続部６１．６２において接触させ、また透明
電極２１．上部電８ｉ４３の延長部が電力取り出しのた
めの端子７１．７２となっている。このように各発電区
域から電極がａ −３ｉ層の区域外に延長されているた
め、基板上の発電区域の有効面積が大きくとれないとい
う欠点があった。
ファスシリコンを使用したアモルファス太陽電池が実用
化されているが、この種装置の問題点の一つとして光起
電圧が０．８ｖ程度と低いことがあげられる。そのため
、実際に使用する場合には１枚の絶縁基板上に複数の発
電区域を形成し、それら相互を直列接続することが行わ
れる。第２図はそのような光起電力装置を示し、ガラス
板のような光を透過する絶縁基板１の上面に透明電極２
１．２２．２３を形成し、その上に全面に発電のための
アモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｔと記す）層３、さ
らにこのａ−Ｓｉ層をサンドインチ状に挟んで透明電極
と対をなす金属電極４１，４２．４３が形成される。 ａ−３ｉ層３は一般にＰ型層、ノンドープ層、Ｎ型層の
積層からなり、光５の入射時に主にノンドープ層におい
て自由状態の電子、正孔が発生し、これらは前記各層の
作るＰＩＮ接合電界に引かれて移動し、透明電極２１．
２２．２３あるいは上部電極４１゜４２、４３に集めら
れて電圧が発生する。ａ−Ｓｉ層３は比抵抗が大きく生
成されており、はぼ絶縁体と考えてよいため、電極２１
，２２．２３のそれぞれの間隔、あるいは電極４１．４
２．４３のそれぞれの間隔が１ｍ程度あればリーク電流
は実用上無視し得る値となる。 しかしこのようにして形成された三つの発電区域１０．
２０．３０を直列接続するために、ａ−Ｓｉ層３の区域
の外に透明電極２２．２３ 、上部電極４１．４２が延
長され、接続部６１．６２において接触させ、また透明
電極２１．上部電８ｉ４３の延長部が電力取り出しのた
めの端子７１．７２となっている。このように各発電区
域から電極がａ −３ｉ層の区域外に延長されているた
め、基板上の発電区域の有効面積が大きくとれないとい
う欠点があった。
本発明は、上述の欠点を除去し、基板面積のできるだけ
多くの部分が発電区域として利用されるような光起電力
装置を提供することを目的とする。
多くの部分が発電区域として利用されるような光起電力
装置を提供することを目的とする。
本発明による光起電力装置は、一方の端に位置する発電
区域を除いた各発電区域のアモルファス半導体層に貫通
孔を有し、隣接発電区域の一方の電極がその貫通孔内に
延びて他方の電極と接触していることにより上記の目的
を達成する。
区域を除いた各発電区域のアモルファス半導体層に貫通
孔を有し、隣接発電区域の一方の電極がその貫通孔内に
延びて他方の電極と接触していることにより上記の目的
を達成する。
第１図は本発明の一実施例を示し、第１図ｉａ）は上面
図、第１図（ｂｌはそのＱ−Ｑ線断面図で、第２図と共
通の部分に同一の符号が付されている。この場合、基板
ｌの上に、例えばＩＴＯのような透明電極膜により形成
された透明電極２１，２２．２３の上に全面に堆積され
たａ−３ｉ層３には透明電極２２゜２３の縁部に達する
貫通孔８１．８２が設けられている。 ａ−Ｓｉ層３を挟んで透明電８ｉ２１ 、２２に対向す
る金属電極４１．４２は隣接発電区域側の辺の中央に延
長部９１ 、９２が形成され、その端部が貫通孔８１．
８２に延びて接続部６１．６２において透明電極２２．
２３と接触している。このように接続部６１．６２をａ
−Ｓｔ層３によって囲まれた位置に設けているため、
接続のために用いられる基板上の面積が少なく、発電区
域の有効面積が大きくなる。なお端子７１．７２は第２
図の場合と同様、ａ−３ｉ層３の区域外に延長された透
明電極２１．上部電極４３の部分に設けられるが、その
ために費やされる基板面積は少ない。 第３図は別の実施例を示すもので、貫通孔が透明電極２
２．２３の縁部にそれぞれ二つづつ形成され、接続部６
３．６４および６５．６６が設けられている。この場合
は第１図の実施例に比して、貫通孔の大きさおよび接続
部までの上部電極４１．４２の延長部を小さくできる効
果がある。 貫通孔は、ａ−３ｉ層３の成膜後のマスクによる選択エ
ツチングあるいは最適に調整されたレーザのスポット照
射により簡単に作成することができる。 【発明の効果］ 本発明によれば上述のように光起電力装置の各発電区域
を電気的に接続する接続部を、発電に寄与するアモルフ
ァス半導体層の区域内に設ぽた貫通孔をコンタクトホー
ルとして用いることにより形成するので、接続のために
要する基板上の面積は、はぼ貫通孔の大きさと、接続部
への一方の電極の延長部のみとな杓、発電区域の側方に
培鮪のためにアモルファス半導体層を被着しない区域を
設ける必要のあった従来方式に比して発電区域の有効面
積を大きくとれる優れた効果がある。
図、第１図（ｂｌはそのＱ−Ｑ線断面図で、第２図と共
通の部分に同一の符号が付されている。この場合、基板
ｌの上に、例えばＩＴＯのような透明電極膜により形成
された透明電極２１，２２．２３の上に全面に堆積され
たａ−３ｉ層３には透明電極２２゜２３の縁部に達する
貫通孔８１．８２が設けられている。 ａ−Ｓｉ層３を挟んで透明電８ｉ２１ 、２２に対向す
る金属電極４１．４２は隣接発電区域側の辺の中央に延
長部９１ 、９２が形成され、その端部が貫通孔８１．
８２に延びて接続部６１．６２において透明電極２２．
２３と接触している。このように接続部６１．６２をａ
−Ｓｔ層３によって囲まれた位置に設けているため、
接続のために用いられる基板上の面積が少なく、発電区
域の有効面積が大きくなる。なお端子７１．７２は第２
図の場合と同様、ａ−３ｉ層３の区域外に延長された透
明電極２１．上部電極４３の部分に設けられるが、その
ために費やされる基板面積は少ない。 第３図は別の実施例を示すもので、貫通孔が透明電極２
２．２３の縁部にそれぞれ二つづつ形成され、接続部６
３．６４および６５．６６が設けられている。この場合
は第１図の実施例に比して、貫通孔の大きさおよび接続
部までの上部電極４１．４２の延長部を小さくできる効
果がある。 貫通孔は、ａ−３ｉ層３の成膜後のマスクによる選択エ
ツチングあるいは最適に調整されたレーザのスポット照
射により簡単に作成することができる。 【発明の効果］ 本発明によれば上述のように光起電力装置の各発電区域
を電気的に接続する接続部を、発電に寄与するアモルフ
ァス半導体層の区域内に設ぽた貫通孔をコンタクトホー
ルとして用いることにより形成するので、接続のために
要する基板上の面積は、はぼ貫通孔の大きさと、接続部
への一方の電極の延長部のみとな杓、発電区域の側方に
培鮪のためにアモルファス半導体層を被着しない区域を
設ける必要のあった従来方式に比して発電区域の有効面
積を大きくとれる優れた効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示し、＋ａ）が上面図、−
）が（ａ）のＱ−Ｑ線断面図、第２図は従来例を示し、
＋ａｌが上面図、伽）が断面図、第３図は本発明の別の
実施例の上面図である。 １：透光性絶縁基板、 ２１，２２，２３ ： ｉ３明
電極、３：ａ−３ｉ層、４１，４２．４３ ：上部電極
、６１〜６６：接続部、ａｔ、ａ２：貫通孔、９Ｌ９２
：上部電極延長部。 ・−、ン、（・ ）ン ｙ、、−：：Ｊ〆′−５改
）が（ａ）のＱ−Ｑ線断面図、第２図は従来例を示し、
＋ａｌが上面図、伽）が断面図、第３図は本発明の別の
実施例の上面図である。 １：透光性絶縁基板、 ２１，２２，２３ ： ｉ３明
電極、３：ａ−３ｉ層、４１，４２．４３ ：上部電極
、６１〜６６：接続部、ａｔ、ａ２：貫通孔、９Ｌ９２
：上部電極延長部。 ・−、ン、（・ ）ン ｙ、、−：：Ｊ〆′−５改
Claims (1)
- １）１枚の絶縁基板の主面上に光の入射により発電に寄
与する電子および正孔を発生するアモルファス半導体層
と発生した電子および正孔を集電する電極とからなる発
電区域の複数個を備え、各発電区域が互いに電気的に接
続されるものにおいて、一方の端に位置する発電区域を
除いた各発電区域のアモルファス半導体層に貫通孔を有
し、隣接発電区域の一方の電極がその貫通孔内に延びて
他方の電極と接触したことを特徴とする光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60040081A JPS61199672A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60040081A JPS61199672A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61199672A true JPS61199672A (ja) | 1986-09-04 |
Family
ID=12570952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60040081A Pending JPS61199672A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61199672A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62232176A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-12 | Kyocera Corp | 光起電力装置 |
| JPH0193174A (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-12 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01175241A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置のマスタスライス方法 |
| JP2009224399A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-10-01 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌデバイス |
| JP2017174999A (ja) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | ローム株式会社 | 有機薄膜太陽電池モジュールおよび電子機器 |
| CN109920867A (zh) * | 2019-03-11 | 2019-06-21 | 天合光能股份有限公司 | 一种光伏电池 |
-
1985
- 1985-02-28 JP JP60040081A patent/JPS61199672A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62232176A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-12 | Kyocera Corp | 光起電力装置 |
| JPH0193174A (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-12 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01175241A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-11 | Fujitsu Ltd | 半導体装置のマスタスライス方法 |
| JP2009224399A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-10-01 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌデバイス |
| JP2017174999A (ja) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | ローム株式会社 | 有機薄膜太陽電池モジュールおよび電子機器 |
| CN109920867A (zh) * | 2019-03-11 | 2019-06-21 | 天合光能股份有限公司 | 一种光伏电池 |
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