JPS6120211A - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
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- JPS6120211A JPS6120211A JP13966384A JP13966384A JPS6120211A JP S6120211 A JPS6120211 A JP S6120211A JP 13966384 A JP13966384 A JP 13966384A JP 13966384 A JP13966384 A JP 13966384A JP S6120211 A JPS6120211 A JP S6120211A
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- JP
- Japan
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- head
- terminal
- shield plate
- shield
- magnetic head
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/17—Construction or disposition of windings
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/10—Structure or manufacture of housings or shields for heads
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、磁気ヘッドに関し、特にスペース的に安定し
て薄膜素子からリード線を引き出すことができる構造を
備えた磁気ヘッドに関するものである。
て薄膜素子からリード線を引き出すことができる構造を
備えた磁気ヘッドに関するものである。
磁気テープ装置等においては、磁気コアやコイル等が薄
膜技術で製造された薄膜磁気ヘッドを用いることにより
、高性能化を図っている。
膜技術で製造された薄膜磁気ヘッドを用いることにより
、高性能化を図っている。
第2図は、薄膜磁気ヘッドの一般的構造を示す斜視図で
ある。
ある。
薄膜素子が形成された素子ブロック3を支持ブロック養
に接着した記録ヘッドlと再生ヘッド2、および記録時
に記録ヘッド1から再生ヘッド2に回り込むノイズ(ク
ロスカップリング・ノイズ)を遮蔽するため、両ヘッド
lと2の中間に挿入されたシールド板5を組合わせて構
成されている。
に接着した記録ヘッドlと再生ヘッド2、および記録時
に記録ヘッド1から再生ヘッド2に回り込むノイズ(ク
ロスカップリング・ノイズ)を遮蔽するため、両ヘッド
lと2の中間に挿入されたシールド板5を組合わせて構
成されている。
第3図は、第2図の磁気ヘッドをA−Aで切断した内部
断面構造図である。
断面構造図である。
素子ブロック3は、非磁性セラミック材等の基板6に電
磁変換部の薄膜素子7と端子9を設けたものである。記
録ヘッド1と再生ヘッド2の素子ブロック3では、記録
・再生ヘッドのギャップ間隔を小さくする必要がある場
合、必然的に薄膜素子7をシールド板5側に配置する必
要があり、それに伴ってリード′dA9も、シールド板
5の対向面から引出す必要がある。何故ならば、薄膜技
術により基板c上に端子を形成する場合、端子9とリー
ド1Is8との接続面積を大きくとることは信頼性上の
問題から必要であり、これはシールド対向面上の平面で
は可能である。しかし、通常は、この平面と直交する磁
気テープ摺動向と反対側の端面を研磨して、端子断面を
介してリード線8を接続しなければならず、この場合端
子9の厚さをせいぜい数lOミクロン程度にしかできな
いため、接続が困難となる。そこで、上記摺動面の裏面
にある端子断面の小さな厚さを補うため、薄膜技術によ
り端子断面と接続する補助端子を形成する方法が考えら
れた。しかし、その製造方法は、薄膜素子7を一括形成
し、第2図に示す素子ブロック3に切り出した後、所望
の形状に成形加工して、再度薄膜技術で端子形成しなけ
ればならないため、工程が複雑となり、しかも歩留りも
低下する。このような理由により、記録ヘッドlと再生
ヘッド2の端子9にリードaaを接続する部分の構造は
、端子9をシールド対向面側に設け、シールド板5側K
IJ−ド線8を接続するための逃げ溝を設けなければ
ならなくなった(第3図参照)。しかし、記録・再生ギ
ャップ間隔が小さい場合、シールド板5の厚さは、例え
ば0.3〜1.0龍と薄くしなければならず、した−か
って、さらに逃げ溝を設けたシールド板5は機械的強度
が弱くなり、磁気ヘッド組み立て時に破損する等の問題
が生じる。
磁変換部の薄膜素子7と端子9を設けたものである。記
録ヘッド1と再生ヘッド2の素子ブロック3では、記録
・再生ヘッドのギャップ間隔を小さくする必要がある場
合、必然的に薄膜素子7をシールド板5側に配置する必
要があり、それに伴ってリード′dA9も、シールド板
5の対向面から引出す必要がある。何故ならば、薄膜技
術により基板c上に端子を形成する場合、端子9とリー
ド1Is8との接続面積を大きくとることは信頼性上の
問題から必要であり、これはシールド対向面上の平面で
は可能である。しかし、通常は、この平面と直交する磁
気テープ摺動向と反対側の端面を研磨して、端子断面を
介してリード線8を接続しなければならず、この場合端
子9の厚さをせいぜい数lOミクロン程度にしかできな
いため、接続が困難となる。そこで、上記摺動面の裏面
にある端子断面の小さな厚さを補うため、薄膜技術によ
り端子断面と接続する補助端子を形成する方法が考えら
れた。しかし、その製造方法は、薄膜素子7を一括形成
し、第2図に示す素子ブロック3に切り出した後、所望
の形状に成形加工して、再度薄膜技術で端子形成しなけ
ればならないため、工程が複雑となり、しかも歩留りも
低下する。このような理由により、記録ヘッドlと再生
ヘッド2の端子9にリードaaを接続する部分の構造は
、端子9をシールド対向面側に設け、シールド板5側K
IJ−ド線8を接続するための逃げ溝を設けなければ
ならなくなった(第3図参照)。しかし、記録・再生ギ
ャップ間隔が小さい場合、シールド板5の厚さは、例え
ば0.3〜1.0龍と薄くしなければならず、した−か
って、さらに逃げ溝を設けたシールド板5は機械的強度
が弱くなり、磁気ヘッド組み立て時に破損する等の問題
が生じる。
さらに、薄膜素子7は軟弱であるため、磁気ヘッドの摺
動面を磁気テープが接触して走行するときに摺動面に欠
陥があると、その箇所から欠落が進行して、その結果、
薄膜素子7が損傷し、記録再生特性が劣化するという問
題もある。したがって、シールド板5の摺動面側は、素
子ブロック3の基板6と同等の材質または同程度の機械
的強度をもつ材料を配置する必要がある。一方、クロス
カップリング・ノイズを遮蔽する電磁シールド構造にす
る必要もあるため、シールド板5の構造は複雑となる。
動面を磁気テープが接触して走行するときに摺動面に欠
陥があると、その箇所から欠落が進行して、その結果、
薄膜素子7が損傷し、記録再生特性が劣化するという問
題もある。したがって、シールド板5の摺動面側は、素
子ブロック3の基板6と同等の材質または同程度の機械
的強度をもつ材料を配置する必要がある。一方、クロス
カップリング・ノイズを遮蔽する電磁シールド構造にす
る必要もあるため、シールド板5の構造は複雑となる。
機械的強度が弱く、かつ構造的にも複雑なものを組み合
わせた磁気ヘッドでは、歩留り低下もさることなからS
/N等の記録再生特性の低下が問題となる。
わせた磁気ヘッドでは、歩留り低下もさることなからS
/N等の記録再生特性の低下が問題となる。
なお、従来の磁気ヘッドの他の例としては、シールド板
50表裏面に対して、第1の素子ブロック3と第2の素
子ブロック3の各表面が、端面(至)動面)において最
も接近するように、画素子ブロック3を傾斜させること
により、シールド板5を厚く構成して十分なシールド効
果を得るものがある(特開昭57−109118号公報
参照)。しかし、傾斜構造であるため、構造が複雑化し
、組み立て工程における作業が面倒になる。
50表裏面に対して、第1の素子ブロック3と第2の素
子ブロック3の各表面が、端面(至)動面)において最
も接近するように、画素子ブロック3を傾斜させること
により、シールド板5を厚く構成して十分なシールド効
果を得るものがある(特開昭57−109118号公報
参照)。しかし、傾斜構造であるため、構造が複雑化し
、組み立て工程における作業が面倒になる。
本発明の目的は、このような従来の問題点を改善し、簡
単な構造で機械的強度が大きく、長寿命で、記録・再生
ヘッドからの引出し線の取付けが簡単であり、しかも組
み立て工程中の作業が容易な構造を持つ磁気ヘッドを提
供することにある。
単な構造で機械的強度が大きく、長寿命で、記録・再生
ヘッドからの引出し線の取付けが簡単であり、しかも組
み立て工程中の作業が容易な構造を持つ磁気ヘッドを提
供することにある。
上記目的を達成するため、本発明の磁気ヘッドでは、記
録ヘッドと再生ヘッドの間にシールド板を挿入して組み
立てられた磁気ヘッドにおいて、上記記録ヘッドと再生
ヘッドの接続端子列、または該接続端子列に対向して上
記シールド板上に配置されている補助接続端子列の下方
に埋込まれた抵抗発熱体、および該抵抗発熱体を通電、
加熱して上記接続端子列または補助接続端子列と、被接
続ケーブルとを迎え半田層を溶融して接続するための通
電用導体を有することに特徴がある。
録ヘッドと再生ヘッドの間にシールド板を挿入して組み
立てられた磁気ヘッドにおいて、上記記録ヘッドと再生
ヘッドの接続端子列、または該接続端子列に対向して上
記シールド板上に配置されている補助接続端子列の下方
に埋込まれた抵抗発熱体、および該抵抗発熱体を通電、
加熱して上記接続端子列または補助接続端子列と、被接
続ケーブルとを迎え半田層を溶融して接続するための通
電用導体を有することに特徴がある。
以下、本発明の一実施例を、図面により説明する。
第4図は、本発明の実施例を示す磁気ヘッドの主要構造
体分割斜視図であり、第1図は第4図の磁気ヘッドをネ
ジで締結して一体化し、B−Bで切断した場合の内部断
面構造図である。
体分割斜視図であり、第1図は第4図の磁気ヘッドをネ
ジで締結して一体化し、B−Bで切断した場合の内部断
面構造図である。
本実施例では、リード線接続用端子11と薄膜素子接続
端子10とを有するシールド板5を構成し、薄膜素子の
端子9およびリード線8と上記各接続端子10.11と
の接続を、シールド板5に内蔵された抵抗発熱体により
行うことが第10要点である。
端子10とを有するシールド板5を構成し、薄膜素子の
端子9およびリード線8と上記各接続端子10.11と
の接続を、シールド板5に内蔵された抵抗発熱体により
行うことが第10要点である。
記録ヘッドl、再生ヘッド2をそれぞれ取付けた素子ブ
ロック3は、支持休養に合成樹脂等によって接着される
。素子ブロック3は、例えば非磁性セラミック材料やフ
ェライト等の基板6に、薄膜素子7と接続端子9をスパ
ッタリングや蒸着等で形成されたものであり、薄膜素子
7と端子9は電気的に導通されるように形成される。
ロック3は、支持休養に合成樹脂等によって接着される
。素子ブロック3は、例えば非磁性セラミック材料やフ
ェライト等の基板6に、薄膜素子7と接続端子9をスパ
ッタリングや蒸着等で形成されたものであり、薄膜素子
7と端子9は電気的に導通されるように形成される。
もし、端子9に′直接リード線8を接続する場合には、
接続のためのスペースをシールド板δ側に設ける必要が
あることから、第1図においてはこの必要をなくすため
、シールド板6に、端子9に接続するための端子10.
およびリード線8に接続するための端子11を離れた位
置に設け、両端子10.11を電気的導通にしたので、
シールド板5を実質的にフラットな板とすることができ
る。
接続のためのスペースをシールド板δ側に設ける必要が
あることから、第1図においてはこの必要をなくすため
、シールド板6に、端子9に接続するための端子10.
およびリード線8に接続するための端子11を離れた位
置に設け、両端子10.11を電気的導通にしたので、
シールド板5を実質的にフラットな板とすることができ
る。
すなわち、端子9とリード線8との接続を、素子ブロッ
ク3とシールド板5とが接合する面内の狭スペースで行
う場合には、構造的および寸法的制約から、前述のよう
な問題、つまり接続困難、工程複雑、歩留り低下、シー
ルド板5の機械的強度低下、破損、および記録再生特性
の劣化が起こるため、第1図においては、素子ブロック
3から離れた位置の支持ブロック養の空間を利用する゛
のである。支持ブロック養の空間では、リード#j8を
接続するためのスペースを十分域ることが可能であるた
め、リード線8として可撓性導体(FPC)を使用する
場合でも、ベースおよびカバーフィルムの厚さ、導体の
厚さのいずれも大きくすることができ、信頼性を向上す
ることができる。また、端子11は、支持ブロック養の
空間内であれば、トラック幅方向にも高さ方向にも広げ
ることができるため、端子11の配列ピッチの拡大、お
よび端子面積の拡大が可能となり、かつリード線半田付
は時の信頼性を向上することもできる。
ク3とシールド板5とが接合する面内の狭スペースで行
う場合には、構造的および寸法的制約から、前述のよう
な問題、つまり接続困難、工程複雑、歩留り低下、シー
ルド板5の機械的強度低下、破損、および記録再生特性
の劣化が起こるため、第1図においては、素子ブロック
3から離れた位置の支持ブロック養の空間を利用する゛
のである。支持ブロック養の空間では、リード#j8を
接続するためのスペースを十分域ることが可能であるた
め、リード線8として可撓性導体(FPC)を使用する
場合でも、ベースおよびカバーフィルムの厚さ、導体の
厚さのいずれも大きくすることができ、信頼性を向上す
ることができる。また、端子11は、支持ブロック養の
空間内であれば、トラック幅方向にも高さ方向にも広げ
ることができるため、端子11の配列ピッチの拡大、お
よび端子面積の拡大が可能となり、かつリード線半田付
は時の信頼性を向上することもできる。
第5図、第6図は、第1図のクールド板構造の一例を示
す平面図および断面図である。
す平面図および断面図である。
先ず、非磁性セラミック材のシールド基板12に、クロ
スカップリング・ノイズ遮蔽効果をより高めるため、銅
等の導電体やパーマロイ等の磁性体あるいは導電体と磁
性体を積層したシールド層13を設ける。これは、シー
ルド基板12の片側あるいは両側に、メッキまたはスパ
ッタリング等でシールド層13を形成し、両シールド基
板12をガラス・ポンディング等で接合して構成する。
スカップリング・ノイズ遮蔽効果をより高めるため、銅
等の導電体やパーマロイ等の磁性体あるいは導電体と磁
性体を積層したシールド層13を設ける。これは、シー
ルド基板12の片側あるいは両側に、メッキまたはスパ
ッタリング等でシールド層13を形成し、両シールド基
板12をガラス・ポンディング等で接合して構成する。
次に、シールド基板12の両側面にスパッタリングや蒸
着等でAl、0.、 Sin、等の第1絶縁層14を
形成した上に、Ni−Cr等の発熱体層15を形成し端
子10と11を接続するための5導体層16、端子10
および11を形成する。なお、絶縁層]4は、シールド
基板12が絶縁体であれば、無くてもよい。また、発熱
体層15は、端子10.11のすべての下面に敷かれる
ものとする。このように、絶縁層14、銅等の導電体材
料の導電層16、端子10,11.絶縁層14の順に形
成し、最後に端子10.11が表面に露出するように、
両側面をラップ仕上げして完成する。なお、シールド板
5の端子10.11には、メッキ等であらかじめ迎え半
田をしておく。このようにして形成された端子11には
、発熱体層15に通電してこれを発熱させ、迎え半田を
溶融させることKよりリード線8を接続する。端子10
も同じようにして薄膜素子7の端子9と接続する。なお
、発熱体層15を通電するための導電体は、図示されて
いないが、絶縁層14の一部で形成されるものとする。
着等でAl、0.、 Sin、等の第1絶縁層14を
形成した上に、Ni−Cr等の発熱体層15を形成し端
子10と11を接続するための5導体層16、端子10
および11を形成する。なお、絶縁層]4は、シールド
基板12が絶縁体であれば、無くてもよい。また、発熱
体層15は、端子10.11のすべての下面に敷かれる
ものとする。このように、絶縁層14、銅等の導電体材
料の導電層16、端子10,11.絶縁層14の順に形
成し、最後に端子10.11が表面に露出するように、
両側面をラップ仕上げして完成する。なお、シールド板
5の端子10.11には、メッキ等であらかじめ迎え半
田をしておく。このようにして形成された端子11には
、発熱体層15に通電してこれを発熱させ、迎え半田を
溶融させることKよりリード線8を接続する。端子10
も同じようにして薄膜素子7の端子9と接続する。なお
、発熱体層15を通電するための導電体は、図示されて
いないが、絶縁層14の一部で形成されるものとする。
端子9と端子lOを接続する場合には、磁気ヘッド組み
立て時に、記録ヘッドlと再生ヘッド2およびシールド
板5を、素子ブロック3の端子列とシールド板5の端子
列が合致するように組み合わせた後、端子10の下に形
成された発熱体層15に通電しこれを発熱させることに
より、端子9と端子10を一括して接続する。
立て時に、記録ヘッドlと再生ヘッド2およびシールド
板5を、素子ブロック3の端子列とシールド板5の端子
列が合致するように組み合わせた後、端子10の下に形
成された発熱体層15に通電しこれを発熱させることに
より、端子9と端子10を一括して接続する。
なお、端子11の下に形成された発熱体層15は、この
部分とリード線8との接続を、外部熱源、例えば赤外#
!千手半田て加熱を利用する場合には無くても差し支え
ない。また、発熱体層15の熱容量が弱い場合には、磁
気ヘッド全体をあらかじめ加熱しておくことにより、端
子間の接続がより確実となる。
部分とリード線8との接続を、外部熱源、例えば赤外#
!千手半田て加熱を利用する場合には無くても差し支え
ない。また、発熱体層15の熱容量が弱い場合には、磁
気ヘッド全体をあらかじめ加熱しておくことにより、端
子間の接続がより確実となる。
また、第6図の構造の変形例として、シールド基板12
をフェライト等の磁性材料とし、シールド層を銅等の導
電材料としても、全く同じ効果を得ることができる。
をフェライト等の磁性材料とし、シールド層を銅等の導
電材料としても、全く同じ効果を得ることができる。
第7図、第8図は、それぞれ本発明の他の実施例を示す
シールド板構造の断面図である。
シールド板構造の断面図である。
第7図では、シールド基板12をフェライト等の磁性材
料とし、その両側面に第6図と同じ絶縁層14、発熱体
層15、導体層16、端子10゜11を同じような方法
で形成する。
料とし、その両側面に第6図と同じ絶縁層14、発熱体
層15、導体層16、端子10゜11を同じような方法
で形成する。
第8図では、シールド基板12をフェライト等の磁性材
料として、その両側面に銅等の導電材料のシールド層1
3をスパッタリングや蒸着等により形成する。そしてさ
らに両側面に、第6図と同じ絶縁層14、発熱体層15
、端子10,11導体層16を同じような方法で形成す
る。
料として、その両側面に銅等の導電材料のシールド層1
3をスパッタリングや蒸着等により形成する。そしてさ
らに両側面に、第6図と同じ絶縁層14、発熱体層15
、端子10,11導体層16を同じような方法で形成す
る。
なお、第8図の構造の変形例として、シールド基板12
を非磁性セラミック材料とし、シールド層13を銅等の
導電材料やパーマロイ等の磁性劇料、あるいは導電材料
と磁性材料の積層構造としても、全く同じ効果が得られ
る。
を非磁性セラミック材料とし、シールド層13を銅等の
導電材料やパーマロイ等の磁性劇料、あるいは導電材料
と磁性材料の積層構造としても、全く同じ効果が得られ
る。
第9図(a) (b)は、本発明の他の実施例を示す磁
気ヘッドの素子ブロックの平面図、およびD−D線で切
断した断面図である。
気ヘッドの素子ブロックの平面図、およびD−D線で切
断した断面図である。
第4図〜第8図の実施例は、記録・再生ヘッド1.2の
ギャップ間隔が小さく、センターシールドの強度や実装
スペースの問題等から、第3図に示す構造を採用するこ
とが困難な場合の実施例であった。しかし、このような
制約がない場合、つまり第3図に示す構造を採用するこ
とが可能な場合にも、本発明を適用することができ、第
9図はこのような場合の実施例である。この場合には、
記録・再生ヘッドの薄膜素子7の接続端子9の下面に、
第5図〜第8図の場合と同じく、発熱体15が形成され
ている。このような発熱体15は、薄膜素子7の形成プ
ロセスの一部として、ウエーノア上に一括して形成でき
るので、コストアップ分は極く僅かである。
ギャップ間隔が小さく、センターシールドの強度や実装
スペースの問題等から、第3図に示す構造を採用するこ
とが困難な場合の実施例であった。しかし、このような
制約がない場合、つまり第3図に示す構造を採用するこ
とが可能な場合にも、本発明を適用することができ、第
9図はこのような場合の実施例である。この場合には、
記録・再生ヘッドの薄膜素子7の接続端子9の下面に、
第5図〜第8図の場合と同じく、発熱体15が形成され
ている。このような発熱体15は、薄膜素子7の形成プ
ロセスの一部として、ウエーノア上に一括して形成でき
るので、コストアップ分は極く僅かである。
先ず、AltO,−TiCやフェライト等のウェー77
基板上K % Al1 On等の絶縁膜をスパッタリン
グ法等によって形成する。次に、この上に発熱体15を
一括形成した後、再度AJ、 0.等の絶縁膜をスパッ
タリング法等により形成する。必要により、ウェー7ア
表面を平面研磨した後、よく知られている方法でこの上
に記録・再生用薄膜素子7と端子9を形成すればよい。
基板上K % Al1 On等の絶縁膜をスパッタリン
グ法等によって形成する。次に、この上に発熱体15を
一括形成した後、再度AJ、 0.等の絶縁膜をスパッ
タリング法等により形成する。必要により、ウェー7ア
表面を平面研磨した後、よく知られている方法でこの上
に記録・再生用薄膜素子7と端子9を形成すればよい。
このとき、発熱体15は、第9図(a) K示すように
、各端子9の下面に位置させる必要がある。なお、この
発熱体15を加熱するための通電用端子の取り出し方法
は、通常の薄膜素子7の端子と同じプロセスで行われる
。このようにして、第9図(a) (b)に示す発熱体
15が設けられた素子ブロック6を、第3図に示すよう
に可撓性導体8と一括接続することにより、あらかじめ
薄膜素子7を別の外部熱源で導体8に接続した後に組み
合わせる必要がなくなるので、組み立て作業が簡単とな
り、効率よく行うことができる。
、各端子9の下面に位置させる必要がある。なお、この
発熱体15を加熱するための通電用端子の取り出し方法
は、通常の薄膜素子7の端子と同じプロセスで行われる
。このようにして、第9図(a) (b)に示す発熱体
15が設けられた素子ブロック6を、第3図に示すよう
に可撓性導体8と一括接続することにより、あらかじめ
薄膜素子7を別の外部熱源で導体8に接続した後に組み
合わせる必要がなくなるので、組み立て作業が簡単とな
り、効率よく行うことができる。
そして、本発明の各実施例においては、薄膜素子7とリ
ード線8を一括して接続することができるので、シール
ド板5の記録ヘッドlおよび再生ヘッド2に対向する面
間の平行度、ならびに対向面の平坦度の各精度を向上で
きる。また、それにより記録ヘッド1および再生ヘッド
2とシールド板5との突き合わせ部の間隙を無くすこと
ができるので、磁気テープ摺動による突き合わせ部のエ
ツジの欠落等はなくなり、記録再生特性の低下もなく、
磁気ヘッドの信頼性は向上する。また、本発明のヘッド
構造により、微小な部分の接続が簡単かつ効率よ〈実施
でき、かつ微小な接続面積をもつ多端子を一括接続する
ことによって、磁気ヘッド構造の任意の接続にこれを適
用することが可能である。
ード線8を一括して接続することができるので、シール
ド板5の記録ヘッドlおよび再生ヘッド2に対向する面
間の平行度、ならびに対向面の平坦度の各精度を向上で
きる。また、それにより記録ヘッド1および再生ヘッド
2とシールド板5との突き合わせ部の間隙を無くすこと
ができるので、磁気テープ摺動による突き合わせ部のエ
ツジの欠落等はなくなり、記録再生特性の低下もなく、
磁気ヘッドの信頼性は向上する。また、本発明のヘッド
構造により、微小な部分の接続が簡単かつ効率よ〈実施
でき、かつ微小な接続面積をもつ多端子を一括接続する
ことによって、磁気ヘッド構造の任意の接続にこれを適
用することが可能である。
以上説明したように、本発明によれば記録ヘッドと再生
ヘッドの間にシールド板を挿入して構成される磁気ヘッ
ドにおいて、微小な端子の多数一括接続が可能であるた
め、薄膜素子の端子とリード線との接続に要するスペー
スをシールド板側に設ける必要がな(なり、したかつ【
、記録・再生ヘッドからの引出し線の取付けが簡単とな
り、組み立て工程の作業が容易になる。また、形状的に
も安定するため、磁気ヘッドの加工、組み立て時にシー
ルド板が破損する等の問題もなくなり、長寿命となる。
ヘッドの間にシールド板を挿入して構成される磁気ヘッ
ドにおいて、微小な端子の多数一括接続が可能であるた
め、薄膜素子の端子とリード線との接続に要するスペー
スをシールド板側に設ける必要がな(なり、したかつ【
、記録・再生ヘッドからの引出し線の取付けが簡単とな
り、組み立て工程の作業が容易になる。また、形状的に
も安定するため、磁気ヘッドの加工、組み立て時にシー
ルド板が破損する等の問題もなくなり、長寿命となる。
さらにシールド板のクロスカップリング・ノイズ遮蔽効
果を損うことがなく、磁気ヘッドの摺動面の形状も安定
するので、記録再生特性を向上することができ、信頼性
の向上が図れる。
果を損うことがなく、磁気ヘッドの摺動面の形状も安定
するので、記録再生特性を向上することができ、信頼性
の向上が図れる。
先回面の簡単な説明
第1図は本発明の一実施例を示す磁気ヘッドの内部断面
構造図、第2図は薄膜磁気ヘッドの一般的構造を示す斜
視図、第3図は第2図の磁気ヘッドの内部断面構造図、
第4図は本発明の実施例を示す磁気ヘッドの主要構造体
分割斜視図、第5図、第6図は第1図のシールド板構造
の平面図と断面図、第7図、第8図はそれぞれ本発明の
他の実施例を示すシールド板構造の断面図、第9図は本
発明のさらに他の実施例を示す素子ブロックの平面図と
断面図である。
構造図、第2図は薄膜磁気ヘッドの一般的構造を示す斜
視図、第3図は第2図の磁気ヘッドの内部断面構造図、
第4図は本発明の実施例を示す磁気ヘッドの主要構造体
分割斜視図、第5図、第6図は第1図のシールド板構造
の平面図と断面図、第7図、第8図はそれぞれ本発明の
他の実施例を示すシールド板構造の断面図、第9図は本
発明のさらに他の実施例を示す素子ブロックの平面図と
断面図である。
1:記録ヘッド、2:再生ヘッド、3:素子ブロック、
4:支持ブロック、5:シールド板、0:基板、7:薄
膜素子、8:リード線、9,10゜11:端子、12:
シールド基板、13:シールド層、14=絶縁層、15
二発熱体、10:4体層。
4:支持ブロック、5:シールド板、0:基板、7:薄
膜素子、8:リード線、9,10゜11:端子、12:
シールド基板、13:シールド層、14=絶縁層、15
二発熱体、10:4体層。
Claims (1)
- (1)記録ヘッドと再生ヘッドの間にシールド板を挿入
して組み立てられた磁気ヘッドにおいて、上記記録ヘッ
ドと再生ヘッドの接続端子列、または該接続端子列に対
向して上記シールド板上に配置されている補助接続端子
列の下方に埋込まれた抵抗発熱体、および該抵抗発熱体
を通電、加熱して上記接続端子列または補助接続端子列
と、被接続ケーブルとを迎え半田層を溶融して接続する
ための通電用導体を有することを特徴とする磁気ヘッド
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13966384A JPS6120211A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13966384A JPS6120211A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | 磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6120211A true JPS6120211A (ja) | 1986-01-29 |
Family
ID=15250516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13966384A Pending JPS6120211A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6120211A (ja) |
-
1984
- 1984-07-05 JP JP13966384A patent/JPS6120211A/ja active Pending
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