JPS61202146A - スル−ホ−ル検査方法とその装置 - Google Patents
スル−ホ−ル検査方法とその装置Info
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- JPS61202146A JPS61202146A JP4407285A JP4407285A JPS61202146A JP S61202146 A JPS61202146 A JP S61202146A JP 4407285 A JP4407285 A JP 4407285A JP 4407285 A JP4407285 A JP 4407285A JP S61202146 A JPS61202146 A JP S61202146A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95692—Patterns showing hole parts, e.g. honeycomb filtering structures
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- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は透光性を有する回路基板に形成したスルーホー
ルの導体側壁の欠陥を検査する方法および装置の改良に
関する。
ルの導体側壁の欠陥を検査する方法および装置の改良に
関する。
両面印刷配線板や多層印刷配線板の層間配線の電気的接
続に利用されるスルーホールは、該基板に透孔を明けた
のち、電気的或いは化学的に導電層を前記透孔の側壁に
めっきしているが、導電層に切れ目やピンホール等の欠
陥の生じることがある。
続に利用されるスルーホールは、該基板に透孔を明けた
のち、電気的或いは化学的に導電層を前記透孔の側壁に
めっきしているが、導電層に切れ目やピンホール等の欠
陥の生じることがある。
そして、かかる欠陥は前記接続を阻害し回路基板の信頼
性を低下させるため、回路基板に回路素子等を搭載する
前に検査する必要があり、各種検査方法および装置が開
発されているが、小径の透孔内を検査する難しさを実現
させるそれらには、未だ改良の余地がある。
性を低下させるため、回路基板に回路素子等を搭載する
前に検査する必要があり、各種検査方法および装置が開
発されているが、小径の透孔内を検査する難しさを実現
させるそれらには、未だ改良の余地がある。
前記スルーホールの欠陥検査に際して、回路基板に使用
する絶縁材料の透光性を利用した方法、即ち基板内に投
光し、スルーホールに欠陥があれば該欠陥部から前記投
光の洩れることを利用した方法がある。
する絶縁材料の透光性を利用した方法、即ち基板内に投
光し、スルーホールに欠陥があれば該欠陥部から前記投
光の洩れることを利用した方法がある。
そして旧来の前記方法は、スルーホールの一側に遮光性
マスクを密着させてスルーポールを直通する光を遮断し
、スルーホールの欠陥から洩れる光を検出していたが、
かかる方法には回路基板にマスクを密着させることが必
須要件であるため、速やかに検査できないのみならず、
回路基板毎にマスクとスルーホールとを位置合わせしな
ければならない煩わしさがあった。
マスクを密着させてスルーポールを直通する光を遮断し
、スルーホールの欠陥から洩れる光を検出していたが、
かかる方法には回路基板にマスクを密着させることが必
須要件であるため、速やかに検査できないのみならず、
回路基板毎にマスクとスルーホールとを位置合わせしな
ければならない煩わしさがあった。
そこで、本出願人は昭和57年12月28日付けで出願
した特願昭57−228672に詳述したスルーホール
検査法を提案した。
した特願昭57−228672に詳述したスルーホール
検査法を提案した。
即ち、第1および第2の発明にてなる前記スルーホール
検査法には、透孔性基板に導電層を内壁面に形成してい
るスルーホールを形成した電気部材(回路基板)の該導
電層の欠陥を検査するに際し、上部電気部材への照明側
に遮光可能な手段を、欠陥の有無を検出せんとするスル
ーホールから予めきめられた距離だけ離隔して位置させ
ることを特徴とする第1の発明と、透孔性基板に、導電
層を内壁面に形成しているスルーホールを形成した電気
部材(回路基板)の該導電層の欠陥を検査するに際し、
上部電気部材への照明側に遮光可能な手段を、欠陥の有
無を検出せんとするスルーホールから予めきめられた距
離だけ離隔して位置させ、上記照明側とは反対側に配置
された検出系からスルーホール位置信号および欠陥表示
信号を得、これらの両信号に応答して当該スルーホール
の導電層の欠陥の有無を検出することを特徴とする第2
の発明とが開示されている。
検査法には、透孔性基板に導電層を内壁面に形成してい
るスルーホールを形成した電気部材(回路基板)の該導
電層の欠陥を検査するに際し、上部電気部材への照明側
に遮光可能な手段を、欠陥の有無を検出せんとするスル
ーホールから予めきめられた距離だけ離隔して位置させ
ることを特徴とする第1の発明と、透孔性基板に、導電
層を内壁面に形成しているスルーホールを形成した電気
部材(回路基板)の該導電層の欠陥を検査するに際し、
上部電気部材への照明側に遮光可能な手段を、欠陥の有
無を検出せんとするスルーホールから予めきめられた距
離だけ離隔して位置させ、上記照明側とは反対側に配置
された検出系からスルーホール位置信号および欠陥表示
信号を得、これらの両信号に応答して当該スルーホール
の導電層の欠陥の有無を検出することを特徴とする第2
の発明とが開示されている。
第4図は前記スルーホール検査法の第1の発明の詳細な
説明するための図、第5図は前記スルーホール検査法の
第2の発明の詳細な説明するための図である。
説明するための図、第5図は前記スルーホール検査法の
第2の発明の詳細な説明するための図である。
第4図において、1は透孔性基板2にスルーポール4を
形成した回路基板、3はスルーホール4の内側面に形成
して導電層、5はスルーホール4の照明側開口を覆うマ
スク(遮光可能な手段)、7は光学系を構成するレンズ
、8は光検知器であり、マスク5は回路基板1の照明側
において回路基板1から予め決められた距離だけ離隔し
位置されている。
形成した回路基板、3はスルーホール4の内側面に形成
して導電層、5はスルーホール4の照明側開口を覆うマ
スク(遮光可能な手段)、7は光学系を構成するレンズ
、8は光検知器であり、マスク5は回路基板1の照明側
において回路基板1から予め決められた距離だけ離隔し
位置されている。
かから構成される装置は、マスク5に遮蔽されたスルー
ホール4を含む領域を照明光6照明し、もし導電層3に
欠陥9があれば、基板2内に入射し分散した光が欠陥9
からスルーホール4内に洩れるため、その光をレンズ7
を介し光検知器8により検知することで欠陥9の有無を
知ることができる。
ホール4を含む領域を照明光6照明し、もし導電層3に
欠陥9があれば、基板2内に入射し分散した光が欠陥9
からスルーホール4内に洩れるため、その光をレンズ7
を介し光検知器8により検知することで欠陥9の有無を
知ることができる。
従って、第4図に示す装置は、マスク5等と回路基板1
との相対的な移動手段が容易となり、検査の高速化を大
いに進展させることができた。
との相対的な移動手段が容易となり、検査の高速化を大
いに進展させることができた。
第4図と共通部分に同一符号を使用した第5図において
、10はコントローラ11によって駆動制御されるステ
ージ、12.13はそれぞれ光学系を構成するレンズ、
ハーフミラ−114,15は光検出器であり、光検出器
14は回路基板1のステージIOによる移動方向へ先行
するスルーホールからの直接光を検知し、光検出器15
はマスク5が位置付けられているスルーホールからの光
を検知する。
、10はコントローラ11によって駆動制御されるステ
ージ、12.13はそれぞれ光学系を構成するレンズ、
ハーフミラ−114,15は光検出器であり、光検出器
14は回路基板1のステージIOによる移動方向へ先行
するスルーホールからの直接光を検知し、光検出器15
はマスク5が位置付けられているスルーホールからの光
を検知する。
これらの光検出器14.15は、それぞれが対応する二
値化回路16.17を経てシフトレジスタ18.19に
接続され、シフトレジスタ18.19は光検出器14゜
15が検知する位置差分に相当する領域を収容しうる容
量を有して構成されている。
値化回路16.17を経てシフトレジスタ18.19に
接続され、シフトレジスタ18.19は光検出器14゜
15が検知する位置差分に相当する領域を収容しうる容
量を有して構成されている。
そして、シフトレジスタ18.19内の回路基板Iに関
する位置的対応部分出力A、B、Cは、出力A、Bがア
ンドゲート20に、出力Cがアンドゲート21に接続さ
れ、アンドゲート20,21の出力がアンドゲート22
を経てコントローラ11に接続されている。
する位置的対応部分出力A、B、Cは、出力A、Bがア
ンドゲート20に、出力Cがアンドゲート21に接続さ
れ、アンドゲート20,21の出力がアンドゲート22
を経てコントローラ11に接続されている。
かから構成される装置は、斜め照射光6を照射し、ステ
ージ10をコントローラ11の制御の下に予め決められ
た方向(例えば右横方向)へ移動させると、例えばスル
ーホール4aの位置がそこからの直接光をレンズ12.
ハーフミラ−13,光検出器14からなる検出系により
検知されてアナログのスルーホール位置表示信号かえら
れ、その信号が二値化回路16で二値化され、前記移動
と同期してシフトレジスタ18に送り込まれる。
ージ10をコントローラ11の制御の下に予め決められ
た方向(例えば右横方向)へ移動させると、例えばスル
ーホール4aの位置がそこからの直接光をレンズ12.
ハーフミラ−13,光検出器14からなる検出系により
検知されてアナログのスルーホール位置表示信号かえら
れ、その信号が二値化回路16で二値化され、前記移動
と同期してシフトレジスタ18に送り込まれる。
そして、ステージ10の移動が進みスルーホール4aが
レンズ12.光検出器15からなる検出系により検出さ
れるようになると、スルーホール4aの導電層に生じる
ことのある欠陥の有無を表す欠陥表示信号が発生し、こ
の信号は二値化回路17で二値化され、前記移動と同期
してシフトレジスタ19に送り込まれる。
レンズ12.光検出器15からなる検出系により検出さ
れるようになると、スルーホール4aの導電層に生じる
ことのある欠陥の有無を表す欠陥表示信号が発生し、こ
の信号は二値化回路17で二値化され、前記移動と同期
してシフトレジスタ19に送り込まれる。
シフトレジスタ19に送り込まれた欠陥表示信号は、そ
の送り込み完了時、または予め決められた時間経過後に
シフトレジスタ19の予め決められた出力に現れると共
に、それに先立ってシフトレジスタ18に送り込まれた
スルーホール位置表示信号ちまた、シフトレジスタ18
の予め決められた出力に現れるようになる。なお、これ
ら出力関係は第5図に図式的(第5図のA、B、C参照
)に示されている。
の送り込み完了時、または予め決められた時間経過後に
シフトレジスタ19の予め決められた出力に現れると共
に、それに先立ってシフトレジスタ18に送り込まれた
スルーホール位置表示信号ちまた、シフトレジスタ18
の予め決められた出力に現れるようになる。なお、これ
ら出力関係は第5図に図式的(第5図のA、B、C参照
)に示されている。
これらの出力A、B、Cの中で、出力A、Bはアンドゲ
ート20ヘスルーホール位置表示信号を供給し、出力C
が欠陥表示信号をアンドゲート21に供給するから、ア
ンドゲート22からそのスルーホールの導電層に欠陥が
あったか否かの欠陥検出信号が発生され、この信号は次
の処理制御のためコントローラ11に供給される。
ート20ヘスルーホール位置表示信号を供給し、出力C
が欠陥表示信号をアンドゲート21に供給するから、ア
ンドゲート22からそのスルーホールの導電層に欠陥が
あったか否かの欠陥検出信号が発生され、この信号は次
の処理制御のためコントローラ11に供給される。
従って、第5図に示す構成になる装置は、マスク5に対
し何んらの操作をとる必要なく、後続するスルーホール
に対し連続的に遂行し得る。
し何んらの操作をとる必要なく、後続するスルーホール
に対し連続的に遂行し得る。
しかしながら、上記従来の方法および装置において、マ
スク5と被検スルーホール4とレンズ7(12)と光検
出器8 (14,15)は、欠陥検出用光学系の光軸に
一致するように配設されており、スルーホール4の欠陥
から洩れる微弱な光を検出する光検出器、または撮像素
子を必要とするも、かかる検出器の性能には自ずから限
界がある。
スク5と被検スルーホール4とレンズ7(12)と光検
出器8 (14,15)は、欠陥検出用光学系の光軸に
一致するように配設されており、スルーホール4の欠陥
から洩れる微弱な光を検出する光検出器、または撮像素
子を必要とするも、かかる検出器の性能には自ずから限
界がある。
一方、スルーホール4の欠陥9から洩れる放射光の強度
分布は放射光が3次元分布であるため、その平面分布は
第6図(イ) 、 (11)に示す如く、垂直放射光の
強度を1.垂直放射光に対し角度φ方向の放射光強度を
Iφとすれば、 Iφ=■・cos φ となり、スルーホール4のほぼ真上に向かう検出放射光
の強度1oは極めて微弱になる。
分布は放射光が3次元分布であるため、その平面分布は
第6図(イ) 、 (11)に示す如く、垂直放射光の
強度を1.垂直放射光に対し角度φ方向の放射光強度を
Iφとすれば、 Iφ=■・cos φ となり、スルーホール4のほぼ真上に向かう検出放射光
の強度1oは極めて微弱になる。
そこで、スルーホール4の上方から観察できる最大の放
射光、即ち観察可能範囲で角度φが最小になる方向の放
射光を■θとし、放射光Iθが入力されるように光検出
器または損保素子を配設すれば、Ioを検出する装置よ
りも検出能力が著しく増大可能である。
射光、即ち観察可能範囲で角度φが最小になる方向の放
射光を■θとし、放射光Iθが入力されるように光検出
器または損保素子を配設すれば、Ioを検出する装置よ
りも検出能力が著しく増大可能である。
しかし、放射光Iθを検出する装置は、欠陥9の対向方
向に位置する欠陥をも検出可能ならしめるためには、光
検出器を2個必要とする不都合があるのみならず、その
ことにより装置の制御が複雑化するという問題点があり
、その解決手段が強く要請されていた。
向に位置する欠陥をも検出可能ならしめるためには、光
検出器を2個必要とする不都合があるのみならず、その
ことにより装置の制御が複雑化するという問題点があり
、その解決手段が強く要請されていた。
上記問題点の除去を目的とした本発明は、透光性回路基
板に形成したスルーホール内壁の導電層の欠陥を、前記
基板の照明側の前記スルーホールの開口部を遮光し前記
欠陥からの漏洩光で検査するに際し、前記スルーホール
をほぼ真上から見た第1の像と、前記スルーホールを斜
視した第2の像と、前記斜視と対象方向から斜視した第
3の像とが、共通の光学系を介し同一撮像面に結像され
ることを特徴としたスルーホール検査方法、および透光
性回路基板に形成したスルーホール内壁の導電層の欠陥
を、前記基板の照明側の前記スルーホールの開口部を遮
光し前記欠陥からの漏洩光で検査するに際し、前記スル
ーホールをほぼ真上から見た第1の像と、前記スルーホ
ールを斜視した第2の像と、前記斜視と対象方向から斜
視した第3の像とを、同一撮像面に結像させる共通の光
学系を具えてなることを特徴としたスルーホール検査装
置である。
板に形成したスルーホール内壁の導電層の欠陥を、前記
基板の照明側の前記スルーホールの開口部を遮光し前記
欠陥からの漏洩光で検査するに際し、前記スルーホール
をほぼ真上から見た第1の像と、前記スルーホールを斜
視した第2の像と、前記斜視と対象方向から斜視した第
3の像とが、共通の光学系を介し同一撮像面に結像され
ることを特徴としたスルーホール検査方法、および透光
性回路基板に形成したスルーホール内壁の導電層の欠陥
を、前記基板の照明側の前記スルーホールの開口部を遮
光し前記欠陥からの漏洩光で検査するに際し、前記スル
ーホールをほぼ真上から見た第1の像と、前記スルーホ
ールを斜視した第2の像と、前記斜視と対象方向から斜
視した第3の像とを、同一撮像面に結像させる共通の光
学系を具えてなることを特徴としたスルーホール検査装
置である。
上記手段によれば、スルーホールの導電層に生じた欠陥
からの傾斜放射光を捉え検出するに際し、従来は2個必
要とした検知器、または複数個の検知器をマトリックス
状に配設した撮像素子が1個で済むため、装置構成が簡
易化されると共に、装置制御が容易化される。
からの傾斜放射光を捉え検出するに際し、従来は2個必
要とした検知器、または複数個の検知器をマトリックス
状に配設した撮像素子が1個で済むため、装置構成が簡
易化されると共に、装置制御が容易化される。
以下に、図面を用いて本発明の実施例に係わるスルーホ
ール検査方法、およびその装置を説明する。
ール検査方法、およびその装置を説明する。
第1図は本発明の一実施例になるスルーホール検査装置
の主要構成を説明するための模式側面図、第2図は前記
装置の撮像例を示す拡大図、第3図は本発明の他の一実
施例になるスルーホール検査装置の主要構成を説明する
ための模式側面図である。
の主要構成を説明するための模式側面図、第2図は前記
装置の撮像例を示す拡大図、第3図は本発明の他の一実
施例になるスルーホール検査装置の主要構成を説明する
ための模式側面図である。
第1図において、31は透光性基板32にスルーホール
34を形成した回路基板、33はスルーホール34の内
側面に形成して導電層、35はスルーホール34の照明
側開口部に対向し従来のマスク5に相当する遮光用ロッ
ド、36はロッド35の−E方に対向し同紙の厚さ方向
に長さを有する台形断面のプリズム、37は光学系を構
成するレンズ、38は撮像素子である。
34を形成した回路基板、33はスルーホール34の内
側面に形成して導電層、35はスルーホール34の照明
側開口部に対向し従来のマスク5に相当する遮光用ロッ
ド、36はロッド35の−E方に対向し同紙の厚さ方向
に長さを有する台形断面のプリズム、37は光学系を構
成するレンズ、38は撮像素子である。
表面に黒色の非光沢加工が施され同紙の厚さ方向に長さ
を有するロッド35は、回路基板31の照明側において
回路基板31と接するようになり、図示しないステージ
等に搭載された回路基板31は、該ステージ等と共に矢
印方向へ移動するようになっている。
を有するロッド35は、回路基板31の照明側において
回路基板31と接するようになり、図示しないステージ
等に搭載された回路基板31は、該ステージ等と共に矢
印方向へ移動するようになっている。
一方、撮像素子38は二値化回路39を経てロッド35
の上方に位置したスルーホール34の検出情報を記憶す
る画像メモリ40と、前記位置よりも手前に位置したス
ルーホール34の画像情報を記憶する画像メモリ41と
に接続されている。
の上方に位置したスルーホール34の検出情報を記憶す
る画像メモリ40と、前記位置よりも手前に位置したス
ルーホール34の画像情報を記憶する画像メモリ41と
に接続されている。
かから構成される装置は、ロッド35に遮蔽されたスル
ーホール34およびロッド35に遮蔽されない位置にあ
った該スルーホール34(点線で図示)を含む領域を照
明光42が照明し、点線位置のスルーホール像がレンズ
37を介し撮像素子38のa部に結像する。
ーホール34およびロッド35に遮蔽されない位置にあ
った該スルーホール34(点線で図示)を含む領域を照
明光42が照明し、点線位置のスルーホール像がレンズ
37を介し撮像素子38のa部に結像する。
次いで、スルーホール34はロッド35に下面が遮蔽さ
れる位置まで移動し、そのスルーホール34の導体層3
3に欠陥があると、スルーホール34のほぼ中心軸より
右側の像がプリズム36のr面で反射し撮像素子38の
b1部、はぼ中心軸より左側の像がプリズム36の3面
で反射し撮像素子38のb2部、スルーホール34を直
通する像がプリズム36を直通し撮像素子38の50部
にそれぞれ結像する。
れる位置まで移動し、そのスルーホール34の導体層3
3に欠陥があると、スルーホール34のほぼ中心軸より
右側の像がプリズム36のr面で反射し撮像素子38の
b1部、はぼ中心軸より左側の像がプリズム36の3面
で反射し撮像素子38のb2部、スルーホール34を直
通する像がプリズム36を直通し撮像素子38の50部
にそれぞれ結像する。
そして、第2図(イ)に示す如く二値化回路39で二値
化されたa部の結像a′は画像メモ1月Oに記。
化されたa部の結像a′は画像メモ1月Oに記。
憶され、第2図(El) 、 (++) 、 (=)に
示す如く二値化回路39で二値化されたわ1部の結像b
+′、bo部の結像bo’、bz部の結像bg′はそれ
ぞれ画像メモリ41に重なることなく記憶される。
示す如く二値化回路39で二値化されたわ1部の結像b
+′、bo部の結像bo’、bz部の結像bg′はそれ
ぞれ画像メモリ41に重なることなく記憶される。
そこで、第1図に点線で示すスルーホール34の位置と
マスク35に遮蔽されたスルーホール34の位置(実線
で示す位置)との間隔を予め設定し、結像a′から結像
bo′、b+ ′、bz ′がメモリ41に記録さ
れる領域45G、45..45□を予測し、該予測領域
45、.45..45□について漏洩放射光の有無(結
像b0、bl ’ +bZ ′の有無)を、結像b
o’、b+ ’、bz′から高性能に検出することが
できる。
マスク35に遮蔽されたスルーホール34の位置(実線
で示す位置)との間隔を予め設定し、結像a′から結像
bo′、b+ ′、bz ′がメモリ41に記録さ
れる領域45G、45..45□を予測し、該予測領域
45、.45..45□について漏洩放射光の有無(結
像b0、bl ’ +bZ ′の有無)を、結像b
o’、b+ ’、bz′から高性能に検出することが
できる。
第1図の装置と共通部分に同一符号を用いた第3図にお
いて、43は撮像素子、44は撮像素子43とレンズ3
7との間に配設され間紙の厚さ方向に長さを有する台形
断面のプリズムであり、回路基板31の下方から照射す
る照明光42は遮光ロッド35を含む領域へ照明し、導
電層33に欠陥があれば、回路基板31内を伝播した光
が該欠陥からスルーホール34内へ放射される。
いて、43は撮像素子、44は撮像素子43とレンズ3
7との間に配設され間紙の厚さ方向に長さを有する台形
断面のプリズムであり、回路基板31の下方から照射す
る照明光42は遮光ロッド35を含む領域へ照明し、導
電層33に欠陥があれば、回路基板31内を伝播した光
が該欠陥からスルーホール34内へ放射される。
かから構成される装置は、ロッド35に下部開口部が遮
蔽されたスルーホール34の中心軸よりほぼ右側の像が
、プリズム36のr面で反射しレンズ37を経たのちプ
リズム44のr面で反射し撮像素子43に結像し、前記
中心軸よりほぼ左側の像が、プリズム36の3面で反射
しレンズ37を経たのちプリズム44の3面で反射し撮
像素子43に結像する。
蔽されたスルーホール34の中心軸よりほぼ右側の像が
、プリズム36のr面で反射しレンズ37を経たのちプ
リズム44のr面で反射し撮像素子43に結像し、前記
中心軸よりほぼ左側の像が、プリズム36の3面で反射
しレンズ37を経たのちプリズム44の3面で反射し撮
像素子43に結像する。
そこで、プリズム36.44を直通する像に、前記右側
の像および左側の像が重なるようにプリズム36、44
の反射面傾斜角度を設定すれば、それらは像bo’に結
像b+’とb2′が重なる状態になり、撮像素子43は
二次元素子よりも構成が簡易である一次元素子を使用す
ることができる。
の像および左側の像が重なるようにプリズム36、44
の反射面傾斜角度を設定すれば、それらは像bo’に結
像b+’とb2′が重なる状態になり、撮像素子43は
二次元素子よりも構成が簡易である一次元素子を使用す
ることができる。
以上説明した如く本発明になるスルーホール検査装置は
、従来2個の撮像素子または光検出器を使用して得られ
た性能が、その光学系にプリズムを組み込むことで必要
とする撮像素子または光検出器が1個となり、さらには
一対のプリズムを組み込むことで撮像素子に一次元素子
が用いられるようになり、装置構成を簡易化し得た効果
は顕著である。
、従来2個の撮像素子または光検出器を使用して得られ
た性能が、その光学系にプリズムを組み込むことで必要
とする撮像素子または光検出器が1個となり、さらには
一対のプリズムを組み込むことで撮像素子に一次元素子
が用いられるようになり、装置構成を簡易化し得た効果
は顕著である。
第1図は本発明の一実施例になるスルーホール検査装置
の主要構成を説明するための模式側面図、 第2図は前記装置の撮像例を示す拡大図、第3図は本発
明の他の一実施例になるスルーホール検査装置の主要構
成を説明するための模式側面図、 第4図は従来技術によるスルーホール検査法の第1の実
施例を説明するための模式側面図、 第5図は従来技術によるスルーホール検査法の第2の実
施例を説明するための模式側面図、 第6図はスルーホールの側壁からの放射光の強度、 である。 図中において、 1.31は回路基板、2.32は透光性基板、3.33
は導電層(側壁)、 4.34はスルーホール、 36.44はプリズム、38.43は撮像素子、を示す
。 第 1 図
の主要構成を説明するための模式側面図、 第2図は前記装置の撮像例を示す拡大図、第3図は本発
明の他の一実施例になるスルーホール検査装置の主要構
成を説明するための模式側面図、 第4図は従来技術によるスルーホール検査法の第1の実
施例を説明するための模式側面図、 第5図は従来技術によるスルーホール検査法の第2の実
施例を説明するための模式側面図、 第6図はスルーホールの側壁からの放射光の強度、 である。 図中において、 1.31は回路基板、2.32は透光性基板、3.33
は導電層(側壁)、 4.34はスルーホール、 36.44はプリズム、38.43は撮像素子、を示す
。 第 1 図
Claims (6)
- (1)透光性回路基板に形成したスルーホール内壁の導
電層の欠陥を、前記基板の照明側の前記スルーホールの
開口部を遮光し前記欠陥からの漏洩光で検査するに際し
、前記スルーホールをほぼ真上から見た第1の像と、前
記スルーホールを斜視した第2の像と、前記斜視と対象
方向から斜視した第3の像とが、共通の光学系を介し同
一撮像面に結像されることを特徴としたスルーホール検
査方法。 - (2)前記第1、第2、第3の像が重ならないで前記撮
像面に同時結像されることを特徴とした前記特許請求の
範囲第1項に記載したスルーホール検査方法。 - (3)前記第2、第3の像が前記第1の像に重なって前
記撮像面に同時結像されることを特徴とした前記特許請
求の範囲第1項に記載したスルーホール検査方法。 - (4)透光性回路基板に形成したスルーホール内壁の導
電層の欠陥を、前記基板の照明側の前記スルーホールの
開口部を遮光し前記欠陥からの漏洩光で検査するに際し
、前記スルーホールをほぼ真上から見た第1の像と、前
記スルーホールを斜視した第2の像と、前記斜視と対象
方向から斜視した第3の像とを、同一撮像面に結像させ
る共通の光学系を具えてなることを特徴としたスルーホ
ール検査装置。 - (5)前記光学系が前記スルーホールに対向する光学素
子を具え、前記第1の像が前記光学素子を直進し透過し
て前記撮像面に結像し、前記第2、第3の像が前記光学
素子で屈折して前記撮像面に結像し、前記第1、第2、
第3の像が重ならないで前記撮像面に同時結像されるこ
とを特徴とした前記特許請求の範囲第4項に記載したス
ルーホール検査装置。 - (6)前記光学系が前記スルーホールに対向する第1の
光学素子と前記撮像面に対向する第2の光学素子とを具
え、前記第1の像が前記第1、第2の光学素子を直進し
透過して前記撮像面に結像し、前記第2、第3の像が前
記第1、第2の光学素子で屈折し前記第1の像に重なっ
て前記撮像面に同時結像されることを特徴とした前記特
許請求の範囲第4項に記載したスルーホール検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4407285A JPS61202146A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | スル−ホ−ル検査方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4407285A JPS61202146A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | スル−ホ−ル検査方法とその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61202146A true JPS61202146A (ja) | 1986-09-06 |
Family
ID=12681424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4407285A Pending JPS61202146A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | スル−ホ−ル検査方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61202146A (ja) |
-
1985
- 1985-03-06 JP JP4407285A patent/JPS61202146A/ja active Pending
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