JPS61202148A - 微小欠陥の検出方法 - Google Patents
微小欠陥の検出方法Info
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- JPS61202148A JPS61202148A JP60043931A JP4393185A JPS61202148A JP S61202148 A JPS61202148 A JP S61202148A JP 60043931 A JP60043931 A JP 60043931A JP 4393185 A JP4393185 A JP 4393185A JP S61202148 A JPS61202148 A JP S61202148A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ボイ２やタービン等に使用される金属及び非
金属材料の表面に発生する微小欠陥の検出方法の改良に
関する。
金属材料の表面に発生する微小欠陥の検出方法の改良に
関する。
金属及び非金属材料は、過酷な雰囲気で使用されると、
欠陥が生じ、最終的には破断に至る。
欠陥が生じ、最終的には破断に至る。
例えば、高温で長時間使用されたボイラ鋼管は化学成分
により結晶粒界にＦｅ−Ｃｒ系のσ相が発生する。この
σ相は、硬度（ＨＶ）が９００と非常に硬くて脆い相で
あり、熱応力が加わると、これを起点にして欠陥（空孔
）が発生し、最終的には欠陥の連結により破断する。
により結晶粒界にＦｅ−Ｃｒ系のσ相が発生する。この
σ相は、硬度（ＨＶ）が９００と非常に硬くて脆い相で
あり、熱応力が加わると、これを起点にして欠陥（空孔
）が発生し、最終的には欠陥の連結により破断する。
このようなことから、高温で長時間使用された材料の損
傷状況調査及び残寿命予測を目的として、欠陥を調査す
ることが検討されている。
傷状況調査及び残寿命予測を目的として、欠陥を調査す
ることが検討されている。
この種の欠陥を調査する場合には、従来より材料表面を
鏡面仕上げ後、材料表面を腐食液でエツチングを行ない
、更に走査型電子顕微鏡により観察して欠陥の有無の判
定を行なう方法が採用されている。
鏡面仕上げ後、材料表面を腐食液でエツチングを行ない
、更に走査型電子顕微鏡により観察して欠陥の有無の判
定を行なう方法が採用されている。
しかしながら、上記従来方法では材料表面を鏡面仕上げ
後、腐食液にてエツチングを行なう際に母材の一部が欠
陥状にエツチングされる場合があり、それが欠陥か、又
はエツチングによる影響かの判別が困難であった。
後、腐食液にてエツチングを行なう際に母材の一部が欠
陥状にエツチングされる場合があり、それが欠陥か、又
はエツチングによる影響かの判別が困難であった。
本発明は、上記問題点を解決するためになさ。
れたもので、被検査物表面の肉眼で確認不可能な微小欠
陥の有無と位置を確実に検出し得る方法を提供しようと
するものである◎ 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、被検査物の表面に開口した肉眼で検出不可能
な微小欠陥を検出する方法において、前記被検査物表面
に所定の物質を含む塗布剤を塗布し、更に被検査物の平
滑面に付着した塗布剤を除去した後、被検査物の表面を
Ｘ線検出器によって検査し、欠陥位置に存在する塗布剤
の所定物質を検出することを特徴とするものである。
陥の有無と位置を確実に検出し得る方法を提供しようと
するものである◎ 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、被検査物の表面に開口した肉眼で検出不可能
な微小欠陥を検出する方法において、前記被検査物表面
に所定の物質を含む塗布剤を塗布し、更に被検査物の平
滑面に付着した塗布剤を除去した後、被検査物の表面を
Ｘ線検出器によって検査し、欠陥位置に存在する塗布剤
の所定物質を検出することを特徴とするものである。
上述した本発明方法によれば所定物質を含む塗布剤を被
検査物表面に塗布し、該塗布剤を被検査物表面の微小欠
陥に浸入させ、Ｘ線検出器で塗布剤中の所定物質を検出
することによって、該物質の検出に基づいて被検査物の
微小欠陥の有無及び位置を簡単かつ確実に検出できる。
検査物表面に塗布し、該塗布剤を被検査物表面の微小欠
陥に浸入させ、Ｘ線検出器で塗布剤中の所定物質を検出
することによって、該物質の検出に基づいて被検査物の
微小欠陥の有無及び位置を簡単かつ確実に検出できる。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の詳細な説明する。
被検査物として、２１図に示す平面状況の５Ｏ８３１６
ＨＴＢ材を使用した。このＨＴＢ材は、６００〜６５０
°Ｃで約１０万時間使用され、かつ熱応力による残留応
力発生のために結晶粒界した微小欠陥２が発生している
。次いで、前記ＨＴＢ材の微小欠陥を含む表面にＳｎ
を含む塗布剤を塗布した後、表面を軽く研摩して同、１
−１図に示すように微小欠陥２のみに塗布剤３を残存さ
せた。
ＨＴＢ材を使用した。このＨＴＢ材は、６００〜６５０
°Ｃで約１０万時間使用され、かつ熱応力による残留応
力発生のために結晶粒界した微小欠陥２が発生している
。次いで、前記ＨＴＢ材の微小欠陥を含む表面にＳｎ
を含む塗布剤を塗布した後、表面を軽く研摩して同、１
−１図に示すように微小欠陥２のみに塗布剤３を残存さ
せた。
この後、欠陥に残存した塗布剤を含む表面をＸ線検出器
、例えばＸ線マイクロアナライザで検査、分析した。そ
の結果、牙２図に示すＸ線マイクロアナライザによるス
ペクトル図を得た。
、例えばＸ線マイクロアナライザで検査、分析した。そ
の結果、牙２図に示すＸ線マイクロアナライザによるス
ペクトル図を得た。
なお、矛２図中の横軸は２１図に示した結晶粒界１及び
欠陥２を直線で分析した距離を示し、縦軸はＳＯの吸収
密度を示す。
欠陥２を直線で分析した距離を示し、縦軸はＳＯの吸収
密度を示す。
上述した矛２図より被検青物表面の微小欠陥ではＳｎ
を確実に検出でき、これにより微小欠陥の有無及び位
置を検出できる。
を確実に検出でき、これにより微小欠陥の有無及び位
置を検出できる。
なお、上記実施例では塗布剤に含有させる物質としてＳ
ｎ を例にして説明したが、Ｓｉ、Ｆｅ。
ｎ を例にして説明したが、Ｓｉ、Ｆｅ。
Ｃ４’ 、Ｂｒ 、 Ｉ 、 ｐｂ 等を用いても同
様な効果を達成できた。
様な効果を達成できた。
以上詳述した如く１本発明によれば被検査物の表面に特
定物質を含む塗布剤を塗布して微小欠陥に特定物質を浸
透させ、表面からＸｌｓ検出器を用いて欠陥に浸透して
いる該物質を検査することによって、肉眼で確認不可能
な微小欠陥の有無と位置を確実に検出し得る方法を提供
できる。
定物質を含む塗布剤を塗布して微小欠陥に特定物質を浸
透させ、表面からＸｌｓ検出器を用いて欠陥に浸透して
いる該物質を検査することによって、肉眼で確認不可能
な微小欠陥の有無と位置を確実に検出し得る方法を提供
できる。
矛１図は本実施例で用いた被検査物Ｃ３Ｕ８３１６ＨＴ
Ｂ材）の表面状況を示す図、牙２図はＸ゛線マイクロア
ナライザによるＳｎのスペクトル図である。 ｌ・・・結晶粒界、２・・・微小欠陥、３・・・塗布剤
。
Ｂ材）の表面状況を示す図、牙２図はＸ゛線マイクロア
ナライザによるＳｎのスペクトル図である。 ｌ・・・結晶粒界、２・・・微小欠陥、３・・・塗布剤
。
Claims (1)
- 被検査物の表面に開口した肉眼で検出不可能な微小欠陥
を検出する方法において、前記被検査物表面に所定の物
質を含む塗布剤を塗布し、更に被検査物の平滑面に付着
した塗布剤を除去した後、被検査物の表面をＸ線検出器
によって検査し、欠陥位置に存在する塗布剤の所定物質
を検出することを特徴とする微小欠陥の検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60043931A JPS61202148A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | 微小欠陥の検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60043931A JPS61202148A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | 微小欠陥の検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61202148A true JPS61202148A (ja) | 1986-09-06 |
Family
ID=12677432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60043931A Pending JPS61202148A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | 微小欠陥の検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61202148A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6435349A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-06 | Shimadzu Corp | Fine pinhole detecting method |
-
1985
- 1985-03-06 JP JP60043931A patent/JPS61202148A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6435349A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-06 | Shimadzu Corp | Fine pinhole detecting method |
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