JPS63216352A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS63216352A
JPS63216352A JP62050615A JP5061587A JPS63216352A JP S63216352 A JPS63216352 A JP S63216352A JP 62050615 A JP62050615 A JP 62050615A JP 5061587 A JP5061587 A JP 5061587A JP S63216352 A JPS63216352 A JP S63216352A
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JP
Japan
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aluminum
semiconductor chip
wire
pad
aluminum pad
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JP62050615A
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English (en)
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Kichiji Ogawa
吉司 小川
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Landscapes

  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔腫栗上の利用分野〕 本発明に半導体装置の装造方法に関し、特にワイヤボン
ティング部分の耐湿性を同上し得る製造方法に関する。
〔従来の技術〕
ＩＣあるいはＬＳＩ等の半導体装置を製造する場合、ト
ランジスタやダイオードなどが形成された半導体チップ
を、パッケージングするために。
従来次のような組立工程が行なわｎる。即ち、まず第３
図（ａ）の斜視図に示すように、リードフレームのアイ
ランド１１上に半導体チップ１２をマウントし、更に半
導体チップに形成されているアルミニウムパッド１３と
アイランド１１の周囲に配設されたリード１４との間を
金等のボンディングワイヤ１５を介して接続（ワイヤボ
ンディング）する。続いて、熱硬化性樹脂などのトラン
スファーモルトを行ない、第３凶（ｂ）の断面図に示す
ように、所要部分をモールド樹脂層１６で樹脂封止する
。また、ワイヤボンディング後に、パッドの表面にアル
ミニウムの自然酸化膜（自然酸化アルミニウム）よりも
厚いば化アルミニウムを形成するために水蒸気処理など
のウェット敗北を行なう場合もある。
〔発明が屏犬しようとする問題点〕
上述の従来法でに、パッドのアルミニウム表面１−）、
２０Ａ程度の薄い自然酸化アルミニウムで被われている
のみであって％組立工程で混入するゴミやモールド樹脂
中に含まれる塩素イオン、あるいは耐湿性試験で外部か
ら侵入する塩素イオン等のハロゲンイオンがパッドに作
用し、パッドの腐食を生じ、配線の断線を引きおこすと
いう欠点があった。このような欠点を解決する方法とし
て。
パッド上の酸化アルミニウムを厚くすることが考えらｎ
１水蒸気処理などによるウェット酸化方法が試みられた
。しかし、半導体チップの表面保諌膜としてリンケイ酸
ガラス膜（ＰＳＧ膜）が使用された半導体チップにおい
てに、これ等の酸化過程でＰＳＧ膜からのリンの溶出が
起り、ＰＳＧ＃の模員を劣化させるのみならず、浴出し
たリンが水と反応してリン酸となり、アルミニウム配線
の腐食を引＠起し、配線が断−してしまうという欠点が
あった。
〔問題点に１％犬するための手段〕 上記問題点に対し不発明では、ワイヤボンディングを行
ったアルミニウムパッドの露出表面に対し、従来性なわ
れた水蒸気による酸化の代わりに。
ドライ酸化ｆ２を用いて厚い欧化アルミニウムの保護層
を形成し、水＃気による従来の方法の欠点をなくしてい
る。
〔実施例〕
次ＶＣ％不発明を実施例に基づいて説明する。
第１図（ａ）　、　（ｂ）に不発明の紺１の実施例とし
てオゾン酸化法を用いた場合の製造方法について説明す
る工程断面図である。まず第１図（ａ）において。
１は半導体チップ表面を仮うＰＳＧ膜、２にアルミニウ
ムのパッド、３はパッド３にワイヤボンディングされた
金線である。このようなワイヤボンディングされたチッ
プに対し、つぎに同図（ｂ）に示すように、アルミニウ
ムパッド２の露出部分をオゾンガス４にエフ酸化し、酸
化アルミニウム５を形成する。ここでオゾンガス４は、
酸素ガス６を半導体チップ表面に導入し、紫外−１７を
照射することにエリ発生させ友。また、オゾン酸化に。
常圧下で３５０℃の温度で行なった。このような条件で
はＰＳＧ映１の膜質を変えることなく、アルミニウムパ
ッド２の露出部分にのみ膜厚８０Ａ程度の酸化アルミニ
ウム５を形成できる。次に、従来の製造方法と同様に、
樹脂で半導体チップを封止して半導体装ｒ１１を完成さ
せた。
上記実施例により製造された半導体装置でに。
アルミニウムパッド２が、自然酸化アルミニウムエフも
厚い酸化アルミニウム　５、あるいに金製のボンディン
グワイヤ３で仮積されているために内部のアルミニウム
成分は塩素イオン等のノ１０ゲンイオンによる腐食作用
から保護される。従って耐湿性試験においても腐食によ
る惜続不良の発生全防止することができた。
ａ２図に本発明の第２実施例について説明するための断
面図である。第２凶において、ＰＳＧ膜１で被われた半
導体チップ上のアルミニウムのパッド２に対し、ボンデ
ィングワイヤ３を接続した債、アルミニウムパッド２の
露出表面を、放′酸に工り発生させた酸素プラズマ８に
（２）して酸化を行う。この場合、温度３５０”Ｃで、
ＲＦパワー５００ワットで行った。この鹸化条件で、第
１実施例と同様にＰＳＧ膜１の膜質に影響を与えず、７
０Ａ根度の酸化アルミニウムの層５が形成できた。その
後、従来例と同様に樹脂封止全行って半導体装置を完成
させる。
上記方法で製造された半導体装置は、アルミニウムパッ
ドの露出表面が自然酸化膜より厚い酸化アルミニウムの
層で被わ扛ているため、耐湿性試験においても腐食によ
る接続不良の発生全防止することができた。
〔発明の効果〕
以上説明した工うに１本発明方法にエフ半導体チップ表
面のＰＳＧ膜に対する患影響なしに、アルミニウムパッ
ドの露出表面を保護する厚いアルミニウムの酸化膜を形
成することができ、よって。
アルミニウムパッドとこれに接続したボンディングワイ
ヤの耐湿性の同上がなされ％信頼性の篩い半導体装！１
を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）　、　（ｂ）に不発明の第１の実施例の製
造工程全説明するための部分断面図、４２図μ本発明の
第２の実施例を説明するための部分断面図、第３図（ａ
）　、　（ｂｌに従来の半導体装置の製造方法のｇ！造
工程を説明するための図であって２図（ａ）に＠視図、
図（ｂ）に断面図である。 １・・・・・・ＰＳＧｉ、２．１３・・・・・・アルミ
ニウムパッド、３．１５・・・・・・ボンディングワイ
ヤ、４・・・・・・オゾンガス、５・・・・・・酸化ア
ルミニウム、６・・・・・・酸禦ガス、７・・・・・・
紫外凱　８−−−−−−敵累プラズマ％１１・・・・・
・リードフレームのアイランド、１２・・・・・・半導
体チップ、１４・・・・・・リードフレームのリード、
１６・・・・・・モールド樹脂。 ｌ　　　　　　　　　　ｊｊ〜７業列−５そ敦↓　　　
ル　　　↓　　　壷 禎　ｌ　図 筋２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. リードフレームに半導体チップをマウントし、この半導
    体チップのアルミニウムパッドにワイヤボンディングを
    行った後、前記アルミニウムパッドの露出表面に酸化ア
    ルミニウムの層を形成することを含む半導体装置の製造
    方法において、前記酸化アルミニウムの層をドライ酸化
    法により形成することを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
JP62050615A 1987-03-04 1987-03-04 半導体装置の製造方法 Pending JPS63216352A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0529379A (ja) * 1991-07-25 1993-02-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびそれの製造方法
US5565378A (en) * 1992-02-17 1996-10-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Process of passivating a semiconductor device bonding pad by immersion in O2 or O3 solution
JPH08316267A (ja) * 1995-05-17 1996-11-29 Samsung Electron Co Ltd 半導体チップのボンディングパッド保護膜形成方法
JP2010114880A (ja) * 2008-11-04 2010-05-20 Samsung Electronics Co Ltd 表面弾性波素子、表面弾性波装置、及びこれらの製造方法
CN105826183A (zh) * 2015-01-06 2016-08-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 减少焊盘结构结晶缺陷的方法
JP2019106480A (ja) * 2017-12-13 2019-06-27 株式会社デンソー 金属部材および当該金属部材を用いた半導体素子、樹脂金属複合体、半導体装置、異種金属複合体並びに当該金属部材の製造方法

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