JPS61204257A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
- Publication number
- JPS61204257A JPS61204257A JP4460385A JP4460385A JPS61204257A JP S61204257 A JPS61204257 A JP S61204257A JP 4460385 A JP4460385 A JP 4460385A JP 4460385 A JP4460385 A JP 4460385A JP S61204257 A JPS61204257 A JP S61204257A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rubber
- silica
- resin composition
- microns
- filler
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、熱衝撃を受けた場合の応力変動が小さく且つ
耐クラツク性に優れる仮名カニＩキシ樹脂組成物に関す
るものであシ、その特徴は合成ゴム変性微粒子シリカを
充填材として用いるととろくある。
耐クラツク性に優れる仮名カニＩキシ樹脂組成物に関す
るものであシ、その特徴は合成ゴム変性微粒子シリカを
充填材として用いるととろくある。
従来から合成ゴムを使用した仮名カニＩキシ樹脂組成物
は色々と検討されている。しかし、これらはいずれも単
なる混合であったシ、エポキシ樹脂変性で・あった。（
例特開昭５３−１４４９５８、特開昭５６−１２２８２
３、特開昭５８−１７４４１６）このため成形性に問題
があった。例えば、混合の場合ゴムが溶出しパリや離型
不良といりた問題を生じたシエデキシ樹脂変性の場合硬
化不良を招くといった問題を生じた。
は色々と検討されている。しかし、これらはいずれも単
なる混合であったシ、エポキシ樹脂変性で・あった。（
例特開昭５３−１４４９５８、特開昭５６−１２２８２
３、特開昭５８−１７４４１６）このため成形性に問題
があった。例えば、混合の場合ゴムが溶出しパリや離型
不良といりた問題を生じたシエデキシ樹脂変性の場合硬
化不良を招くといった問題を生じた。
又、一般には充填材としてシリカが用いられている。従
来のシリカは平均粒径が２０ミクロン最大粒径が１５０
ミクロンの破砕状で粗いものや角ばっ九ものが混じって
いる。このため肉薄のフラットノぞツケージ等で未充填
不良を起こしたシ、超ＬＳＩでノぞツシペーションクラ
ックといった不良ｔ−発生していた。
来のシリカは平均粒径が２０ミクロン最大粒径が１５０
ミクロンの破砕状で粗いものや角ばっ九ものが混じって
いる。このため肉薄のフラットノぞツケージ等で未充填
不良を起こしたシ、超ＬＳＩでノぞツシペーションクラ
ックといった不良ｔ−発生していた。
現在、半導体対土用エポキシ樹脂組成物に要求されてい
るのは汎用で且つ均一な低応力である。
るのは汎用で且つ均一な低応力である。
生産性が高く低コストで且つ超ＬＳＩＩＣも適用できる
仮名カブラスチックである。
仮名カブラスチックである。
本発明は従来熱衝撃を受けた場合の特性変動や耐クラツ
ク性に問題のあった半導体プラスチックノクツケージを
改良せんと検討した結果、合成ゴム変性微粒子シリカを
充填材として用いることによシ所期の目的を安価に達成
できることを見い出したものである。本発明によシ市場
が要求する汎用仮名カブラスチックが現実のものとなシ
プラスチックノソツケージの用途を飛躍的に拡大した産
業上の役割は極めて大きい。
ク性に問題のあった半導体プラスチックノクツケージを
改良せんと検討した結果、合成ゴム変性微粒子シリカを
充填材として用いることによシ所期の目的を安価に達成
できることを見い出したものである。本発明によシ市場
が要求する汎用仮名カブラスチックが現実のものとなシ
プラスチックノソツケージの用途を飛躍的に拡大した産
業上の役割は極めて大きい。
本発明は重量平均粒径が１０ミクロン以下で最大粒径が
５０ミクロン以下の破砕状もしくは及び球状のシリカと
末端反応性官能基を有する合成ゴムとで構成されるゴム
変性シリカを充填材の一部もしくは全部として使用する
ことを特徴とする半導体対土用ニーキシ樹脂組成物であ
る。
５０ミクロン以下の破砕状もしくは及び球状のシリカと
末端反応性官能基を有する合成ゴムとで構成されるゴム
変性シリカを充填材の一部もしくは全部として使用する
ことを特徴とする半導体対土用ニーキシ樹脂組成物であ
る。
末端反応性官能基を有する合成ゴム、とは、末端にビニ
ル基、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、イミノ基等
の重合反応が可能な官能基を有するブタジェンゴム、イ
ソプレンゴム、アクリロニトリルゴム及びこれらの共重
合体や変性品のことをいい、例えば、Ｎｌ５ＳＯ−ＰＢ
−Ｂ−ＣφＧシリーズ（日本１違）、クラプレンＬＩＲ
−３０・５０・４０３・４１０（り５１ｚ） 、Ｈｙｃ
ａｒ Ｃ’１１３． ＣＴ１３Ｘ、 ＣＴ１３Ｎ、 Ａ
ＴＢＮ１ＨＴＢシリーズ（グツドリッチ社） 、Ｐｏ１
ｙ −ＢＤ （アーコ社）、ＴｃｌｏｇｃｎＣＴＩＩＳ
ＬＩ）ｒｒシリーズ（ゼネラルタイヤ社） 、Ｂｕｔａ
ｒｅｚ ＣＴＬ −ＨＴＰＢ−Ｙｒシリーズ（フィリッ
プス社”） 、Ｂ−ＩＣ＋シリーズ（日本石油化学）、
ＰＴ４５−ＥＰＩ・ＥＰＴ （三井石油化学）を挙げる
ことができる。
ル基、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、イミノ基等
の重合反応が可能な官能基を有するブタジェンゴム、イ
ソプレンゴム、アクリロニトリルゴム及びこれらの共重
合体や変性品のことをいい、例えば、Ｎｌ５ＳＯ−ＰＢ
−Ｂ−ＣφＧシリーズ（日本１違）、クラプレンＬＩＲ
−３０・５０・４０３・４１０（り５１ｚ） 、Ｈｙｃ
ａｒ Ｃ’１１３． ＣＴ１３Ｘ、 ＣＴ１３Ｎ、 Ａ
ＴＢＮ１ＨＴＢシリーズ（グツドリッチ社） 、Ｐｏ１
ｙ −ＢＤ （アーコ社）、ＴｃｌｏｇｃｎＣＴＩＩＳ
ＬＩ）ｒｒシリーズ（ゼネラルタイヤ社） 、Ｂｕｔａ
ｒｅｚ ＣＴＬ −ＨＴＰＢ−Ｙｒシリーズ（フィリッ
プス社”） 、Ｂ−ＩＣ＋シリーズ（日本石油化学）、
ＰＴ４５−ＥＰＩ・ＥＰＴ （三井石油化学）を挙げる
ことができる。
又、シリカとしては重量平均が１０ミクロン以下最大粒
径が５０ミクロン以下であることが必須である。望まし
くは重量平均が７ミクロン以下最大粒径が３０ミクロン
以下が良い。熱衝撃後故障発生した半導体製品を解析し
た結果、■シリカ／樹脂界面のマイクロクラック・■ノ
２ツシペーシ璽ンクラック拳■アルミ回路の変形が発見
されこれらを詳細に検討した結果、これらの原因がシリ
カであること及び不良発生箇所には必ず大きなシリカが
存在することが判りた。そこでシリカの粒径を検討した
結果、上記粒径を持つシリカが必要なことが判った。
径が５０ミクロン以下であることが必須である。望まし
くは重量平均が７ミクロン以下最大粒径が３０ミクロン
以下が良い。熱衝撃後故障発生した半導体製品を解析し
た結果、■シリカ／樹脂界面のマイクロクラック・■ノ
２ツシペーシ璽ンクラック拳■アルミ回路の変形が発見
されこれらを詳細に検討した結果、これらの原因がシリ
カであること及び不良発生箇所には必ず大きなシリカが
存在することが判りた。そこでシリカの粒径を検討した
結果、上記粒径を持つシリカが必要なことが判った。
本発明のゴム変性シリカは任意に選ばれ九シリカと合成
ゴム各１種もしくは２種以上を混合反応させシリカ表面
をゴムで被覆して得ることができる。
ゴム各１種もしくは２種以上を混合反応させシリカ表面
をゴムで被覆して得ることができる。
反応は加熱等を行ったり触媒を添加するととＫよシ促進
できる。例えば、加熱条件としては６０〜２００℃、０
．１〜８時間時間様触媒ては金属酸化物、金属水酸化物
、金属塩、チタネート類、アミン類、ホスフィン類、ア
ルミニウム化合物類、ルイス酸を挙げることができる。
できる。例えば、加熱条件としては６０〜２００℃、０
．１〜８時間時間様触媒ては金属酸化物、金属水酸化物
、金属塩、チタネート類、アミン類、ホスフィン類、ア
ルミニウム化合物類、ルイス酸を挙げることができる。
促進条件は反応性官能基のタイプによって適切なものを
選ぶことが必要である。ゴムでシリカを被覆させるとと
Ｋよシシリカ自体がゴム弾性を有するようになる。
選ぶことが必要である。ゴムでシリカを被覆させるとと
Ｋよシシリカ自体がゴム弾性を有するようになる。
ゴムとシリカとは、シリカ表面の凹凸とゴムが物理的に
からみついたシシリカ表面のシラノール基とゴムの末端
官能基が物理的、化学的に関係を持ったシゴム同士が化
学的に結合するととくよシ一体化している。
からみついたシシリカ表面のシラノール基とゴムの末端
官能基が物理的、化学的に関係を持ったシゴム同士が化
学的に結合するととくよシ一体化している。
合成ゴム被覆シリカを予め作る場合の合成ゴム量はシリ
カ表面に合成ゴムの単分子膜を形成する量以上が好まし
い。一般的、にはシリカに対して合成ゴム０．５〜２０
ｗｔ％使用し被覆するのが好ましい０ 本発明でのゴム変性シリカの使用量としては、大填材の
１０％以上使用するのが好ましい。１０チ未満では低応
力化の効果に乏しく目的とする特性が得られない場合も
起こシ得る。
カ表面に合成ゴムの単分子膜を形成する量以上が好まし
い。一般的、にはシリカに対して合成ゴム０．５〜２０
ｗｔ％使用し被覆するのが好ましい０ 本発明でのゴム変性シリカの使用量としては、大填材の
１０％以上使用するのが好ましい。１０チ未満では低応
力化の効果に乏しく目的とする特性が得られない場合も
起こシ得る。
本発明に従うと、熱衝撃後の特性変動や耐クラツク性に
優れる汎用の半導体対土用ニーキシ樹脂組成物が得られ
る。半導体封止用途では今後ますますプラスチックノぐ
ツケージ化が予想され、又そのためにプラスチックの低
応力化が要求されている今日Ｋかいては本発明の産業的
意味役割は非常に大きい。
優れる汎用の半導体対土用ニーキシ樹脂組成物が得られ
る。半導体封止用途では今後ますますプラスチックノぐ
ツケージ化が予想され、又そのためにプラスチックの低
応力化が要求されている今日Ｋかいては本発明の産業的
意味役割は非常に大きい。
以下、検討例で説明する。例で用いた部は全て重量部で
ある。本発明による実施例は従来の技術による比較例に
比べ成形性、耐湿性、耐クラツク性の点で優れている。
ある。本発明による実施例は従来の技術による比較例に
比べ成形性、耐湿性、耐クラツク性の点で優れている。
実施例１−２
平均粒径５ミクロン最大粒径２０ミクロンの破砕状溶融
シリカ（電機）１００部と合成ゴム５部及び２メチルイ
きダゾール（四国化成）α２部を別表のように配合し加
熱ニーダ−中で１６０℃、３０分混合する。このゴム変
性シリカ７０部と工４ｄｒ−シ樹脂（日本化薬ＥＯＣＮ
−１０２７） ２０部、７ｚノールノボラツク（注文ベ
ークライト）１０部、表面処理剤（チッソＥＥＳ −Ｍ
） ０．５部、顔料（三菱化成）０．２部、離型剤（ヘ
キストジャノぞン・ヘキストワックスＳ）０．５部を混
合後９０℃の熱ロールで３分間混練し成形材料２種を得
た。これら成形材料の成形性、耐クラツク性、耐湿性を
測定した結果、別表のように比較例に比べて優れること
がわかった。
シリカ（電機）１００部と合成ゴム５部及び２メチルイ
きダゾール（四国化成）α２部を別表のように配合し加
熱ニーダ−中で１６０℃、３０分混合する。このゴム変
性シリカ７０部と工４ｄｒ−シ樹脂（日本化薬ＥＯＣＮ
−１０２７） ２０部、７ｚノールノボラツク（注文ベ
ークライト）１０部、表面処理剤（チッソＥＥＳ −Ｍ
） ０．５部、顔料（三菱化成）０．２部、離型剤（ヘ
キストジャノぞン・ヘキストワックスＳ）０．５部を混
合後９０℃の熱ロールで３分間混練し成形材料２種を得
た。これら成形材料の成形性、耐クラツク性、耐湿性を
測定した結果、別表のように比較例に比べて優れること
がわかった。
実施例３−４
平均粒径７ミクロン最大粒径５０ミクロンの球状溶融シ
リカ（播磨耐火レンガ）１００部をスプレードライヤー
中で攪拌しながら、１５０℃で加熱溶融させた側鎖ニー
キシ基型ポリブタジェン（出光石油化学Ｒ−４５ＥＰＩ
”） Ｘ部を噴霧添加した。
リカ（播磨耐火レンガ）１００部をスプレードライヤー
中で攪拌しながら、１５０℃で加熱溶融させた側鎖ニー
キシ基型ポリブタジェン（出光石油化学Ｒ−４５ＥＰＩ
”） Ｘ部を噴霧添加した。
この時触媒としてトリフェニルホスフィンα２部を使用
した。このゴム変性シリカを使用する以外は実施例１と
同様にして成形材料２種を得た。これら成形材料の成形
性、耐クラツク性、耐湿性を測定したところ別表のよう
に比較例に比べて優れることがわかった。
した。このゴム変性シリカを使用する以外は実施例１と
同様にして成形材料２種を得た。これら成形材料の成形
性、耐クラツク性、耐湿性を測定したところ別表のよう
に比較例に比べて優れることがわかった。
比較例１
シリカとして平均粒径２０ミクロン最大粒径１５０ミク
ロンの破砕状溶融シリカ（電機）を使用する以外は実施
例１と同様に材料化し成形材料を得た。この材料は耐ク
ラツク性の点で実施例よシ劣る。
ロンの破砕状溶融シリカ（電機）を使用する以外は実施
例１と同様に材料化し成形材料を得た。この材料は耐ク
ラツク性の点で実施例よシ劣る。
比較例２
実施例１と同一のシリカを用いているがゴム変性を行な
わずに材料化した。この材料は耐クラツク性で実施例よ
シ大幅に劣る。
わずに材料化した。この材料は耐クラツク性で実施例よ
シ大幅に劣る。
比較例３
配合比は実施例１と同じであるが合成ゴムとシリカを予
め反応させずに全原料を同時に混合、その後混練し成形
材料とした。この材料は成形性、耐湿性の点で実施例よ
シ大幅に劣る。
め反応させずに全原料を同時に混合、その後混練し成形
材料とした。この材料は成形性、耐湿性の点で実施例よ
シ大幅に劣る。
・耐クラック性；リンガラスノξツシベーシ１ンを施し
たアルミ模擬素子（４×６ Ｒｎ）を封止したモニターＩＣに 一６５℃、−１５０℃なる熱衝撃を１ ０００サイクル与えた時の不良 数／テスト総数；不良は特性変 動で判定 Ｏ耐 湿 性；ノξツシベーシ１ンのないアルミ模擬素
子（３Ｘ ３．５μｍ）を封止 したモニターＩＣを１２５℃、１ ００ｑ６の条件で１０００ｈｒ保管し た時の不良数／テスト総数；不 良は絶縁不良もしくは断線
たアルミ模擬素子（４×６ Ｒｎ）を封止したモニターＩＣに 一６５℃、−１５０℃なる熱衝撃を１ ０００サイクル与えた時の不良 数／テスト総数；不良は特性変 動で判定 Ｏ耐 湿 性；ノξツシベーシ１ンのないアルミ模擬素
子（３Ｘ ３．５μｍ）を封止 したモニターＩＣを１２５℃、１ ００ｑ６の条件で１０００ｈｒ保管し た時の不良数／テスト総数；不 良は絶縁不良もしくは断線
Claims (1)
- 重量平均粒径が１０ミクロン以下で最大粒径が５０ミク
ロン以下の破砕状もしくは及び球状のシリカと末端反応
性官能基を有する合成ゴムとで構成されるゴム変性シリ
カを充填材の一部もしくは全部として使用することを特
徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4460385A JPS61204257A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4460385A JPS61204257A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61204257A true JPS61204257A (ja) | 1986-09-10 |
Family
ID=12696022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4460385A Pending JPS61204257A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61204257A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63159422A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用絶縁樹脂ペ−スト |
| JPS63159428A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 絶縁樹脂ペ−スト |
| JPS6426625A (en) * | 1987-04-24 | 1989-01-27 | Matsushita Electric Works Ltd | Epoxy polymer composition and liquid epoxy polymer composition |
-
1985
- 1985-03-08 JP JP4460385A patent/JPS61204257A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63159422A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用絶縁樹脂ペ−スト |
| JPS63159428A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 絶縁樹脂ペ−スト |
| JPS6426625A (en) * | 1987-04-24 | 1989-01-27 | Matsushita Electric Works Ltd | Epoxy polymer composition and liquid epoxy polymer composition |
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