JPS61205917A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野］
この発明は、液晶層と液晶駆動用電極間は、液晶と直列
は、非線形抵抗膜を設は九液晶表示装置に関する。
は、非線形抵抗膜を設は九液晶表示装置に関する。
（発明の概要〕
この発明は、非線形抵抗膜として、シリコンリッチな酸
化謀ま７ｃは窒化膜を用い、非線形抵抗膜内を流れる［
流が基板面と平行に流ｎ１非線形抵抗、膜の両端の電極
間隔が１μｍ以上とすることにより、製造工程が減少し
、非線形抵抗膜の容量力ζ液晶の容量より極めて小さく
することができ、懺示画質を同上させｔ、液晶表示装置
を提供する。
化謀ま７ｃは窒化膜を用い、非線形抵抗膜内を流れる［
流が基板面と平行に流ｎ１非線形抵抗、膜の両端の電極
間隔が１μｍ以上とすることにより、製造工程が減少し
、非線形抵抗膜の容量力ζ液晶の容量より極めて小さく
することができ、懺示画質を同上させｔ、液晶表示装置
を提供する。
（従来技術〕
小厘、軽量、低消費電力の狭示装置として液晶表示装置
が実用化さｎてきた。近年この種の表示装置の光示情報
量増大化を計る目的で、２．０バリスターや、金属−絶
縁膜−金属構造からなるＭ工Ｍ！非線形抵抗素子による
液晶表示装置が研究さｎている。本発明は上記従来例と
は異なり、非線形抵抗素子として、導体−半導電性絶縁
膜（以後ｓａ 工 、、、、、 ５ｅｆｒＬｉ （Ｏｏ
ｎｄｗｃｔｓｖａ 工ｎｓｗＬａｔｏｖと記。
が実用化さｎてきた。近年この種の表示装置の光示情報
量増大化を計る目的で、２．０バリスターや、金属−絶
縁膜−金属構造からなるＭ工Ｍ！非線形抵抗素子による
液晶表示装置が研究さｎている。本発明は上記従来例と
は異なり、非線形抵抗素子として、導体−半導電性絶縁
膜（以後ｓａ 工 、、、、、 ５ｅｆｒＬｉ （Ｏｏ
ｎｄｗｃｔｓｖａ 工ｎｓｗＬａｔｏｖと記。
す）−導体からなる新規液晶表示装置であり、特は、非
線形抵抗膜内ｔ−流れる電流方向が、基板平面と同一平
面方向に流れるブレーナ型または弐面型電極構造を有す
る表示装置である。
線形抵抗膜内ｔ−流れる電流方向が、基板平面と同一平
面方向に流れるブレーナ型または弐面型電極構造を有す
る表示装置である。
（発明が解決しようとする問題点〕
第２図は従来から知らｎた非線形抵抗素子を用い九液晶
ドツトマトリクスパネル回路図である。
ドツトマトリクスパネル回路図である。
第２図の２１は行電極群、２２に列電極群であり、通常
おのおの２００本から１０００本形成し、表示画素数５
万から１００万ドツト数を有するノ（ネルである。Ｘ電
極とＹ電極の交叉点は、液晶層と非線形抵抗素子２４が
形成さｎる。この種の液晶駆動はマルチプレックス駆動
とよばｎる方式で、線順次方式で−ラインナつデータを
画き込む。第３図は従来から知らｎた液晶表示装置の縦
断面図であり、Ｍ工１ｆｌｌＪ非線形抵抗素子を用い几
場合の一画素について示し、公知である。第３図の３１
は上側透明基板、３２は下側透明基板、おは液晶層、讃
は液晶駆動用電極で第２図の２１に対応する電極群であ
り、金属メンタルを使用、第３図の３７は前記金属タン
タルを陽極酸化して作成し九τα、０．絶縁膜であり、
膜厚１００Ａ〜５００Ａ％あは金属タンタルま几は金属
クロムからなる電極、あは透明電極からなる画素電極で
あり、非線形抵抗素子をタンタル−Ｔ、、○、−タンタ
ル又はクロムである一Ｍ工Ｍ構造を有し、ＭＩＭの面積
は約１０ ｐ ｔｎ７〜１００μ惰０である。第４図は
一画素の等価回路を示し、Ｏｂ−は液晶の容量、 Ｒｔ
ｃは液晶の抵抗、０！は非線形抵抗素子の容量、Ｒｘは
非線形抵抗素子の抵抗を示し、Ｒ１は印加電圧に対して
非線形な抵抗である。この種のパネルは通常１／２〜１
１５バイアス駆動とよばｎる方法で駆動するが、このと
き上記ＯＬ６ 、 ＲＬＣ，Ｏｘ 、Ｒｚの間に制約条
件が発生する。すなわち、Ｏｂ６／（３ｘ比は２以上の
できるだけ大きいこと、第４図の端子ムとＢの間に印加
される電圧Ｖ６ｐに対して、およそ Ｒｔ、ｃ ／ １
００ ＜ＲＸ （Ｖｏｐ／２） ＜ １００Ｒｔ、ｃ？
６ ルコト、ＲＺ ハｉｉ 圧Ｋ 対してできる急峻に
豆ち上るととである。今一画素面積を５００μｍＸ５０
０μ情とすると、液晶の誘電ｖ４ｔ−１０、セ／Ｌ’ギ
’ｒツブ８ｐｍ、ｔ７ｔ”Ｇｔ 。
おのおの２００本から１０００本形成し、表示画素数５
万から１００万ドツト数を有するノ（ネルである。Ｘ電
極とＹ電極の交叉点は、液晶層と非線形抵抗素子２４が
形成さｎる。この種の液晶駆動はマルチプレックス駆動
とよばｎる方式で、線順次方式で−ラインナつデータを
画き込む。第３図は従来から知らｎた液晶表示装置の縦
断面図であり、Ｍ工１ｆｌｌＪ非線形抵抗素子を用い几
場合の一画素について示し、公知である。第３図の３１
は上側透明基板、３２は下側透明基板、おは液晶層、讃
は液晶駆動用電極で第２図の２１に対応する電極群であ
り、金属メンタルを使用、第３図の３７は前記金属タン
タルを陽極酸化して作成し九τα、０．絶縁膜であり、
膜厚１００Ａ〜５００Ａ％あは金属タンタルま几は金属
クロムからなる電極、あは透明電極からなる画素電極で
あり、非線形抵抗素子をタンタル−Ｔ、、○、−タンタ
ル又はクロムである一Ｍ工Ｍ構造を有し、ＭＩＭの面積
は約１０ ｐ ｔｎ７〜１００μ惰０である。第４図は
一画素の等価回路を示し、Ｏｂ−は液晶の容量、 Ｒｔ
ｃは液晶の抵抗、０！は非線形抵抗素子の容量、Ｒｘは
非線形抵抗素子の抵抗を示し、Ｒ１は印加電圧に対して
非線形な抵抗である。この種のパネルは通常１／２〜１
１５バイアス駆動とよばｎる方法で駆動するが、このと
き上記ＯＬ６ 、 ＲＬＣ，Ｏｘ 、Ｒｚの間に制約条
件が発生する。すなわち、Ｏｂ６／（３ｘ比は２以上の
できるだけ大きいこと、第４図の端子ムとＢの間に印加
される電圧Ｖ６ｐに対して、およそ Ｒｔ、ｃ ／ １
００ ＜ＲＸ （Ｖｏｐ／２） ＜ １００Ｒｔ、ｃ？
６ ルコト、ＲＺ ハｉｉ 圧Ｋ 対してできる急峻に
豆ち上るととである。今一画素面積を５００μｍＸ５０
０μ情とすると、液晶の誘電ｖ４ｔ−１０、セ／Ｌ’ギ
’ｒツブ８ｐｍ、ｔ７ｔ”Ｇｔ 。
蓼の訝電率ｔ−加、膜厚を４００人とすると、 ａｐ６
１０ｚｉ大きくとる几めにはＭＩＭの重なり面積はおよ
そ１０１１ 営Ｘ １０μ鵠以下としなけｎばならない
。外径が１０譚以上の大型液晶ノ（ネル作成するとき一
パターンの合せ精度が数μｍ以下と極めて高精度プロセ
スが要求さｎ、製造プロセスが複雑になり、製造コスト
が高くなる原因の一つであつ几。
１０ｚｉ大きくとる几めにはＭＩＭの重なり面積はおよ
そ１０１１ 営Ｘ １０μ鵠以下としなけｎばならない
。外径が１０譚以上の大型液晶ノ（ネル作成するとき一
パターンの合せ精度が数μｍ以下と極めて高精度プロセ
スが要求さｎ、製造プロセスが複雑になり、製造コスト
が高くなる原因の一つであつ几。
ま几、前記ＭＩＭ型表不表示装置非線形抵抗素子部は、
膜厚およそ４００ＡのＴα、ｏ、絶啜ｇをメタル金属で
積層した構造であり、この部分のゴミや液晶配向処理時
のラビングなどによってブレークダウンを起こしやすく
、製造歩留り低下の原因でちった。また従来例である第
３図の製造方法は、液晶駆動用電極３３ｔ−形成バター
ニング、次に電極３３の陽極酸化、熱処理、次に電極あ
の形成パターニング、次に画素光示用透明電極形成パタ
ーニング、パッド部のパターニング、の工程であり少な
くともフォトマスクを使った）（ターニングが４回必要
でらつ九。一般に光示欠陥の発生率にフォトプロセスの
回数に比例する関係にあり、この工程数を減少させるこ
とが製造歩留り同上をはかる究めに重要なファクターで
ある。
膜厚およそ４００ＡのＴα、ｏ、絶啜ｇをメタル金属で
積層した構造であり、この部分のゴミや液晶配向処理時
のラビングなどによってブレークダウンを起こしやすく
、製造歩留り低下の原因でちった。また従来例である第
３図の製造方法は、液晶駆動用電極３３ｔ−形成バター
ニング、次に電極３３の陽極酸化、熱処理、次に電極あ
の形成パターニング、次に画素光示用透明電極形成パタ
ーニング、パッド部のパターニング、の工程であり少な
くともフォトマスクを使った）（ターニングが４回必要
でらつ九。一般に光示欠陥の発生率にフォトプロセスの
回数に比例する関係にあり、この工程数を減少させるこ
とが製造歩留り同上をはかる究めに重要なファクターで
ある。
Ｃ問題点を解決するための手段］
本発明は上記の欠点を除去するために非線形抵抗層とし
てｓａ工脹を使用し、液晶、駆動用電極と画素電極をブ
レーナ厘ま几は平面製とする。この結果、フォトマスク
の使用回数が１回ｔ７ｔは２回で良い。非線形抵抗素子
を基板と平行な方向に形成するためは、電極の重なり部
分がない。Ｓｏ工膜を介在し元画素電極と駆動用電極の
間隔ｔ−１μ倶以上に形成する。
てｓａ工脹を使用し、液晶、駆動用電極と画素電極をブ
レーナ厘ま几は平面製とする。この結果、フォトマスク
の使用回数が１回ｔ７ｔは２回で良い。非線形抵抗素子
を基板と平行な方向に形成するためは、電極の重なり部
分がない。Ｓｏ工膜を介在し元画素電極と駆動用電極の
間隔ｔ−１μ倶以上に形成する。
（作用〕
前述のごとく、本発明は使用フォトマスク数が１回また
は２回である几めは、製造プロセスにおいてパターン合
せが全九く必要としないか、ま九は大巾に緩和さｎ１工
程数が減少し、画素欠陥の発生率が減少する。電極の重
なり部がない九めにゴミや、液晶配回ラビング時の圧力
によるブレークダウンが除去できる。画素電極と液晶、
ｒＫ駆動用電極の間隔が１μ倶以上であるためは、Ｏｂ
Ｃ／ Ｏｘをきわめて大きく設定することができ、その
結果、駆動条件の限定条件が大巾に緩和さｎる。
は２回である几めは、製造プロセスにおいてパターン合
せが全九く必要としないか、ま九は大巾に緩和さｎ１工
程数が減少し、画素欠陥の発生率が減少する。電極の重
なり部がない九めにゴミや、液晶配回ラビング時の圧力
によるブレークダウンが除去できる。画素電極と液晶、
ｒＫ駆動用電極の間隔が１μ倶以上であるためは、Ｏｂ
Ｃ／ Ｏｘをきわめて大きく設定することができ、その
結果、駆動条件の限定条件が大巾に緩和さｎる。
（実施例〕
次に本発明による液晶表示装置について、実施例にもと
づいて詳細に説明する。第１図ω嫁本発明による液晶表
示装置の下側基板の斜視図であり、非線形抵抗素子とし
て日Ｃ工ａｔ使用している。第１図（へ）の１は下側ガ
ラス基板、２および８はおのおの液晶駆動用電極、光示
用画素電極であり、スパッターによって作成し九膜厚１
０００ムの透明導電膜工Ｔｏ（インジウムスズ酸化物］
であり、選択エッチによって分離し九。本発明の実施例
においては１．”ＥＫ駆動用電極は５００本形成し、第
１図（ロ）においてはその１画素分について示す。
づいて詳細に説明する。第１図ω嫁本発明による液晶表
示装置の下側基板の斜視図であり、非線形抵抗素子とし
て日Ｃ工ａｔ使用している。第１図（へ）の１は下側ガ
ラス基板、２および８はおのおの液晶駆動用電極、光示
用画素電極であり、スパッターによって作成し九膜厚１
０００ムの透明導電膜工Ｔｏ（インジウムスズ酸化物］
であり、選択エッチによって分離し九。本発明の実施例
においては１．”ＥＫ駆動用電極は５００本形成し、第
１図（ロ）においてはその１画素分について示す。
画素電極８は４００２ｍＸ４００／Ｊｍの面積を有し、
電極２と３の間隔は５μ漢である。４は非線形抵抗膜Ｓ
ａ工膜であり、プラズマｏｖｎ法により、シランガス、
ホスヒインガス、亜酸化窒素ガスを適切な流量比で混合
し、基板温度８００℃、膜厚約１ｐｍ形成し、次にフォ
トプロセスによる選択具ツチを行ない、画素部及び電極
とり出し用パッド部を除去し友。非線形抵抗素子部は、
駆動用電極２とＲｏｘ膜４と画素電極８から構成さｎる
。第１図の）は前記非線形抵抗素子部の電圧対電流特性
図でちり、電極２と電極８をａｎる電流である。印加電
圧１０ボルトにおいて前記条件内に入っており、まｔ極
めてすぐ１ｒＬ７を対称性、急峻な非線形性を有する。
電極２と３の間隔は５μ漢である。４は非線形抵抗膜Ｓ
ａ工膜であり、プラズマｏｖｎ法により、シランガス、
ホスヒインガス、亜酸化窒素ガスを適切な流量比で混合
し、基板温度８００℃、膜厚約１ｐｍ形成し、次にフォ
トプロセスによる選択具ツチを行ない、画素部及び電極
とり出し用パッド部を除去し友。非線形抵抗素子部は、
駆動用電極２とＲｏｘ膜４と画素電極８から構成さｎる
。第１図の）は前記非線形抵抗素子部の電圧対電流特性
図でちり、電極２と電極８をａｎる電流である。印加電
圧１０ボルトにおいて前記条件内に入っており、まｔ極
めてすぐ１ｒＬ７を対称性、急峻な非線形性を有する。
ＢＯ工膜の誘電率は、５〜１０である。この結果％ Ｏ
ｒ−Ｃ／ ＣＩは５０〜１０００の値となり、このため
は、駆動条件は大巾に緩和し友。
ｒ−Ｃ／ ＣＩは５０〜１０００の値となり、このため
は、駆動条件は大巾に緩和し友。
上側基板を電極数５００ライン形成して、１／８バイア
ス電圧平均化法により駆動し几績果、表示コントラスト
はほとんどスタティック駆動と同様となり１５：１が得
らｎ１一つの選択点の表示状態が、他の画素の光示状況
に全たく影響をうけることがなく、クロストークは発生
しない。
ス電圧平均化法により駆動し几績果、表示コントラスト
はほとんどスタティック駆動と同様となり１５：１が得
らｎ１一つの選択点の表示状態が、他の画素の光示状況
に全たく影響をうけることがなく、クロストークは発生
しない。
なお実施例第１図においてｓ ＳＣ工膜は不透明膜であ
る。こｎは駆動電圧Ｖｏｐ ｔ−低化させるためにＳａ
工劇中にリンをドープし、原子組成比ｓ６／ Ｏ＝ ｒ
；において ｚ（０，５としたシリコンリ。
る。こｎは駆動電圧Ｖｏｐ ｔ−低化させるためにＳａ
工劇中にリンをドープし、原子組成比ｓ６／ Ｏ＝ ｒ
；において ｚ（０，５としたシリコンリ。
ツチな酸化膜である理由による。この膜中には５ｉ−Ｈ
の波数２１００α″″１ふきんに赤外吸収ピークがみら
Ｃ１およそ１０１個／ ｃｍ ’含有する。なお第１図
において８０工膜を酸化膜としたが、こｎヲフラズマＯ
ＶＤ法によって、シランガス、ホスフィンガス、アンモ
ニアガス、Ｉｌｌガスナトヲ、適切な混合比でシリコン
窒化膜としても同様の結果を得ることができる。以上説
明した実施例は、フォトプロセスが２回でちる。
の波数２１００α″″１ふきんに赤外吸収ピークがみら
Ｃ１およそ１０１個／ ｃｍ ’含有する。なお第１図
において８０工膜を酸化膜としたが、こｎヲフラズマＯ
ＶＤ法によって、シランガス、ホスフィンガス、アンモ
ニアガス、Ｉｌｌガスナトヲ、適切な混合比でシリコン
窒化膜としても同様の結果を得ることができる。以上説
明した実施例は、フォトプロセスが２回でちる。
第５図は本発明による液晶安水装置の他の実施例を示す
縦断面図である。第５図の５１はガラス基板、５２は本
発明によるＳＯＩ膜であり、プラズマａｖｎ装置によっ
て、シランガス、ホスフィンガス、亜酸化窒素ガスを混
合しグロー放電法によって膜厚約２μ慣形成し几シリコ
ン酸化膜で透明である。５８．５４は透明電極であり、
マグふトロンスパッターによって形成し、フォトマスク
を使用して、選択エッチを行い、画素電極５８１、駆動
相電極５４に分離し、間隔２μ倶のギャップを形成した
。画素電極の形状は４００ｐｍｘ４００μ惜であり、前
記２μ惧のギャップを４００μ情形成し几。液晶の容ｆ
Ｉ、ａｔｅとａＯ工腹膜５２容量ＯｘはＯｘ、Ｃ／ Ｏ
Ｘ ） ５ Ｑに設定でき、液晶の抵抗ＲＬＣとＳＯ工
膜の抵抗Ｒ１を、 Ｒｒ−ｃ ／ ｔｏｏ＜ ＲＸ ＜ １００ ＲＬＣの
領域内にＳｏ工腹の抵抗を入ｎることができ九。第５図
の５５は上側透明基板、５６は透明電極であり第２図の
２１行電極群であり、５７は液晶層である。
縦断面図である。第５図の５１はガラス基板、５２は本
発明によるＳＯＩ膜であり、プラズマａｖｎ装置によっ
て、シランガス、ホスフィンガス、亜酸化窒素ガスを混
合しグロー放電法によって膜厚約２μ慣形成し几シリコ
ン酸化膜で透明である。５８．５４は透明電極であり、
マグふトロンスパッターによって形成し、フォトマスク
を使用して、選択エッチを行い、画素電極５８１、駆動
相電極５４に分離し、間隔２μ倶のギャップを形成した
。画素電極の形状は４００ｐｍｘ４００μ惜であり、前
記２μ惧のギャップを４００μ情形成し几。液晶の容ｆ
Ｉ、ａｔｅとａＯ工腹膜５２容量ＯｘはＯｘ、Ｃ／ Ｏ
Ｘ ） ５ Ｑに設定でき、液晶の抵抗ＲＬＣとＳＯ工
膜の抵抗Ｒ１を、 Ｒｒ−ｃ ／ ｔｏｏ＜ ＲＸ ＜ １００ ＲＬＣの
領域内にＳｏ工腹の抵抗を入ｎることができ九。第５図
の５５は上側透明基板、５６は透明電極であり第２図の
２１行電極群であり、５７は液晶層である。
電極ライン数５００本形成し、１／２〜１１５電圧平均
化法によって駆動した結果、表示コントラストは、スタ
ティック、駆動と同等となり、表示パターンの種類によ
る点燈点のコントラストのバラつき、非点燈点のバラつ
きが発生しない表示装置を得ることができ九。なお本実
施例においては、ＳＣ工ｆｉ５２が透明であり、上記説
明してきたようは、使用フォトマスク回数は１回である
。
化法によって駆動した結果、表示コントラストは、スタ
ティック、駆動と同等となり、表示パターンの種類によ
る点燈点のコントラストのバラつき、非点燈点のバラつ
きが発生しない表示装置を得ることができ九。なお本実
施例においては、ＳＣ工ｆｉ５２が透明であり、上記説
明してきたようは、使用フォトマスク回数は１回である
。
（発明の効果〕
以上述べてきたようは、本発明による液晶表示装置は、
比較的大１！流が流せるリンドープＳＯ工ｇｔ−非線形
抵抗素子として使用することにより、プレーナー型を几
は表面型電極でおるためは、電極の重り部がなく、その
結果、製造雰囲気中のゴミによるブレークダウンの発生
率を極めて小さくすることができ、ま几液晶配向ラビン
グ処理時の圧力による欠陥発生がなく、シかも液晶の容
１ｉｋａＬ（ｊとＭＳ工膜の容−１０１の比Ｏｒ、６１
０ｘを５０以上と設定することができ、その友めに駆動
限定条件が大巾に緩和さｎクロストーク、表示むらのな
い液晶表示装置を得ることができ几。
比較的大１！流が流せるリンドープＳＯ工ｇｔ−非線形
抵抗素子として使用することにより、プレーナー型を几
は表面型電極でおるためは、電極の重り部がなく、その
結果、製造雰囲気中のゴミによるブレークダウンの発生
率を極めて小さくすることができ、ま几液晶配向ラビン
グ処理時の圧力による欠陥発生がなく、シかも液晶の容
１ｉｋａＬ（ｊとＭＳ工膜の容−１０１の比Ｏｒ、６１
０ｘを５０以上と設定することができ、その友めに駆動
限定条件が大巾に緩和さｎクロストーク、表示むらのな
い液晶表示装置を得ることができ几。
第１図＠は本発明による液晶表示装置の１画素について
の一方の基板の斜視図、第１図の）は本発明による液晶
表示装置のＳＯＩ膜の電圧対電流特性図、第２図は従来
から知らｎた非線形抵抗素子を用い几パネルの回路図、
第３図は従来から知らｒｔたＭＩＭ凰液晶表示装置の縦
断面図、第４図は１画素についての等価回路図、第５図
は本発明による液晶表示装置の縦断面図を示す。 １．５１．、基板 ２，５４．、駆動用電極８．５８
．、画素電極 ４ａ５２−、ＢＣＣ層膜２１２２．、行
列電極 田０．液晶 冴０．非線形抵抗素子 ３１．３２．、基板 ３３１．液晶層３４．３５．、
金属電極 ３６０．透明電極ｑ、。五酸化タンタル 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 ￥ｙ２図 第３図
の一方の基板の斜視図、第１図の）は本発明による液晶
表示装置のＳＯＩ膜の電圧対電流特性図、第２図は従来
から知らｎた非線形抵抗素子を用い几パネルの回路図、
第３図は従来から知らｒｔたＭＩＭ凰液晶表示装置の縦
断面図、第４図は１画素についての等価回路図、第５図
は本発明による液晶表示装置の縦断面図を示す。 １．５１．、基板 ２，５４．、駆動用電極８．５８
．、画素電極 ４ａ５２−、ＢＣＣ層膜２１２２．、行
列電極 田０．液晶 冴０．非線形抵抗素子 ３１．３２．、基板 ３３１．液晶層３４．３５．、
金属電極 ３６０．透明電極ｑ、。五酸化タンタル 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 ￥ｙ２図 第３図
Claims (6)
- （１）、２枚の対向する基板、該基板間に挟持された液
晶層、少なくとも一方の基板に設けた液晶駆動電極、非
線形抵抗膜、画素電極などからなる液晶表示装置におい
て、前記液晶駆動電極と画素電極の間に非線形抵抗膜が
介在し、前記液晶駆動電極と画素電極の最短距離が１μ
ｍ以上の距離を有し、非線形抵抗膜を流れる電流の方向
が、前記基板と同一平面方向に流れることを特徴とする
液晶表示装置。 - （２）、非線形抵抗膜を構成する原子は、少なくともシ
リコンと酸素からなり、前記シリコンと酸素の原子組成
比Ｓｉ／Ｏ＝ｘは、０．１≦ｘ≦１．９であることを特
徴とする特許請求範囲第１項記載の液晶表示装置。 - （３）、非線形抵抗膜を構成する原子は、少なくともシ
リコンと窒素からなり、前記シリコンと窒素の原子組成
比Ｓｉ／Ｎ＝ｙは、０．１＜ｙ＜１．３であることを特
徴とする特許請求範囲第１項記載の液晶表示装置。 - （４）、非線形抵抗膜を構成する原子は、少なくともシ
リコン、酸素、窒素からなるシリコン酸化窒化膜である
ことを特徴とする特許請求範囲第１項記載の液晶表示装
置。 - （５）、非線形抵抗膜を構成する原子は、少なくともリ
ンを含有することを特徴とする特許請求範囲第２項、第
３項、第４項記載の液晶表示装置。 - （６）、非線形抵抗膜を構成する原子は、少なくとも水
素を含有することを特徴とする特許請求範囲第２項から
第４項いずれか記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60045866A JPS61205917A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60045866A JPS61205917A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61205917A true JPS61205917A (ja) | 1986-09-12 |
Family
ID=12731127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60045866A Pending JPS61205917A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61205917A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63104081A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-09 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 電気光学装置 |
| JPH0588203A (ja) * | 1990-06-04 | 1993-04-09 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 金属−絶縁物−金属型装置配列を組み立てる方法とそのような配列を組み込んだ表示装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5732482A (en) * | 1980-08-07 | 1982-02-22 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Matrix type liquid crystal display unit |
-
1985
- 1985-03-08 JP JP60045866A patent/JPS61205917A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5732482A (en) * | 1980-08-07 | 1982-02-22 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Matrix type liquid crystal display unit |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63104081A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-09 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 電気光学装置 |
| JPH0588203A (ja) * | 1990-06-04 | 1993-04-09 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 金属−絶縁物−金属型装置配列を組み立てる方法とそのような配列を組み込んだ表示装置 |
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