JPS61207391A - トリシリルエタン誘導体化合物の製法 - Google Patents
トリシリルエタン誘導体化合物の製法Info
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- JPS61207391A JPS61207391A JP60047100A JP4710085A JPS61207391A JP S61207391 A JPS61207391 A JP S61207391A JP 60047100 A JP60047100 A JP 60047100A JP 4710085 A JP4710085 A JP 4710085A JP S61207391 A JPS61207391 A JP S61207391A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
リマー化合物の架橋方法としても有用な方法に関する。
従来、ビニルジシランのＳｉ −Ｓｉ結合の開裂を伴な
う反応としては、一般式： 〔式中、ｖｉ： ビニル基、Ｍｅ： メチル基、Ｌ：
リガンド〕 で表わされるモノビニルジシランとジシラシクロペンタ
ンとのパラジウム触媒による不均化反応、および次式： ［１ ％式％ で表わされるモノビニルジシランとエタノールとの白金
触媒によるソルボリシス反応が知られているのみである
（Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌ
ｉｃＣｈｅ＋−Ｓｉｓｔｒｙ、 １９（Ｉ９８１） ２
１３−２５５）。
う反応としては、一般式： 〔式中、ｖｉ： ビニル基、Ｍｅ： メチル基、Ｌ：
リガンド〕 で表わされるモノビニルジシランとジシラシクロペンタ
ンとのパラジウム触媒による不均化反応、および次式： ［１ ％式％ で表わされるモノビニルジシランとエタノールとの白金
触媒によるソルボリシス反応が知られているのみである
（Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌ
ｉｃＣｈｅ＋−Ｓｉｓｔｒｙ、 １９（Ｉ９８１） ２
１３−２５５）。
本発明の製法に用いられる反応はビニルジシランの開裂
を伴なう反応であるが、従来の反応とはまったく異なる
反応で、ビニルシラン化合物に対するビニルジシランの
付加を内容とするものである。
を伴なう反応であるが、従来の反応とはまったく異なる
反応で、ビニルシラン化合物に対するビニルジシランの
付加を内容とするものである。
本発明の目的は１種々の化合物合成の中間体等として有
用な新規トリシリルエタン誘導体化合物を１段階の反応
で合成できる製法を提供することにある。
用な新規トリシリルエタン誘導体化合物を１段階の反応
で合成できる製法を提供することにある。
本発明の別の目的は、化合物に官能基を導入する方法、
ポリマーの架橋方法としても有用なビニルシラン化合物
に対するビニルジシランの付加方法を提供することにあ
る。
ポリマーの架橋方法としても有用なビニルシラン化合物
に対するビニルジシランの付加方法を提供することにあ
る。
本発明は。
一般式（Ｉ）：
〔式中、Ｒは、同一でも異なってもよく、エチニル基を
除く一価の置換もしくは非置換の炭化水素基、ハロゲン
原子、シロキシ基、またはポリマー残基であり；Ｒ′は
同一でも異なってもよく、低級アルキル基である。〕 で表わされるトリシリルエタン誘導体化合物の製法であ
って。
除く一価の置換もしくは非置換の炭化水素基、ハロゲン
原子、シロキシ基、またはポリマー残基であり；Ｒ′は
同一でも異なってもよく、低級アルキル基である。〕 で表わされるトリシリルエタン誘導体化合物の製法であ
って。
一般式（ＩＩ）：
（Ｒ）３ＳｉＣＨ＝ＣＨ２・・・（ＩＩ）〔式中、Ｒは
同一でも異なってもよく、前記一般式（Ｉ）で定義のと
おりである〕 で表わされるとビニルシランと、 一般式（ｍ） ＣＨ２＝ＣＨ−８Ｌ（Ｒ’）２−８ｉ（Ｒ’）ｚ（Ｒ）
・・・（ｍ）〔式中、Ｒ′は同一でも異なって
もよ＜、ＲおよびＲ′は一般式（Ｉ）で定義のとおりで
ある〕で表わされるビニルジシランとを、白金系触媒の
存在下で反応させることからなる方法を提供するもので
ある。
同一でも異なってもよく、前記一般式（Ｉ）で定義のと
おりである〕 で表わされるとビニルシランと、 一般式（ｍ） ＣＨ２＝ＣＨ−８Ｌ（Ｒ’）２−８ｉ（Ｒ’）ｚ（Ｒ）
・・・（ｍ）〔式中、Ｒ′は同一でも異なって
もよ＜、ＲおよびＲ′は一般式（Ｉ）で定義のとおりで
ある〕で表わされるビニルジシランとを、白金系触媒の
存在下で反応させることからなる方法を提供するもので
ある。
本発明において、置換基Ｒが表わす１価炭化水素基とし
ては、例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ビニ
ル、アリル等の脂肪族炭化水素基；シクロヘキシル基、
メチルシクロヘキシル基、シクロペンチル基等の脂環式
炭化水素基；フェニル、トリル、キシリル、ベンジル等
の芳香族炭化水素基などが挙げることができ、これらは
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲン、アルコキシ基
、シリル基、シロキシ基等により置換されていてもよい
Ｒ／は、さらにフッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ン原子；トリメチルシロキシ基、トリエチルシロキシ基
等のシロキシ基；並びにオルガノポリシロキサン、ポリ
エーテル等の各種高分子化合物の残基であってもよい。
ては、例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ビニ
ル、アリル等の脂肪族炭化水素基；シクロヘキシル基、
メチルシクロヘキシル基、シクロペンチル基等の脂環式
炭化水素基；フェニル、トリル、キシリル、ベンジル等
の芳香族炭化水素基などが挙げることができ、これらは
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲン、アルコキシ基
、シリル基、シロキシ基等により置換されていてもよい
Ｒ／は、さらにフッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲ
ン原子；トリメチルシロキシ基、トリエチルシロキシ基
等のシロキシ基；並びにオルガノポリシロキサン、ポリ
エーテル等の各種高分子化合物の残基であってもよい。
また、Ｒ′としては、メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ヘキシル等の低級アルキル基を挙げることができる
。
ル、ヘキシル等の低級アルキル基を挙げることができる
。
上記の製法に用いられる白金系触媒は特に限定されず、
例えば、塩化白金酸、アルコール変性塩化白金酸、白金
ビニルシロキサン、白金黒、塩化白金酸とオレフィンも
しくはアルデヒドとの錯体等を挙げることができ、特に
塩化白金酸およびアルコール変性、塩化白金酸、白金ビ
ニルシロキサンが高活性で好ましい。反応に用いられる
白金系触媒の適量は反応液全体に対し白金分で５〜５０
ｐｐｎ＋の範囲である。５ｐｐｍより少ないと反応が遅
く能率的でな（、５０ｐｐｍより多くしてもそれ以上の
効果は期待できず経済的でない。
例えば、塩化白金酸、アルコール変性塩化白金酸、白金
ビニルシロキサン、白金黒、塩化白金酸とオレフィンも
しくはアルデヒドとの錯体等を挙げることができ、特に
塩化白金酸およびアルコール変性、塩化白金酸、白金ビ
ニルシロキサンが高活性で好ましい。反応に用いられる
白金系触媒の適量は反応液全体に対し白金分で５〜５０
ｐｐｎ＋の範囲である。５ｐｐｍより少ないと反応が遅
く能率的でな（、５０ｐｐｍより多くしてもそれ以上の
効果は期待できず経済的でない。
上記製法は、通常有機溶媒中で行われ、好ましい有機溶
媒としては、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタ
ン等の脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン
等の芳香族炭化水素；テトラヒドロフラン、ジオキサン
、ジブチルエーテル等のエーテル類を挙げることができ
る。溶媒の使用量は、特に限定されないが反応成分であ
る一般式（Ｕ）および（ＩＩＩ）の化合物の濃度が５〜
８０重量％であることが良好な収率が得られる点で一般
に好ましい。
媒としては、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタ
ン等の脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン
等の芳香族炭化水素；テトラヒドロフラン、ジオキサン
、ジブチルエーテル等のエーテル類を挙げることができ
る。溶媒の使用量は、特に限定されないが反応成分であ
る一般式（Ｕ）および（ＩＩＩ）の化合物の濃度が５〜
８０重量％であることが良好な収率が得られる点で一般
に好ましい。
反応成分である一般式（ＩＩ）の化合物と一般式（ｍ）
の化合物の使用割合（モル比、（ＩＩ）／（Ｉ［［））
は、１〜５の範囲で適宜選択することが望ましい。一般
式（ＩＩ）のケイ素原子にビニル基が２以上結合してい
る場合には、（ＩＩ ）／（ＩＩＩ ）のモル比が１程
度でも好収率で一般式（ｍ）の化合物が得られるが、ビ
ニル基が１個のみである場合には（［［）／（ＩＩＩ）
のモル比を大きく選択した方が好収率が得られる。この
ように、一般式（ｎ）のケイ素原子に結合するビニル基
の数によっても一般式（ＩＩ）と一般式（Ｉｎ）の化合
物の使用割合を変えることが望ましい。
の化合物の使用割合（モル比、（ＩＩ）／（Ｉ［［））
は、１〜５の範囲で適宜選択することが望ましい。一般
式（ＩＩ）のケイ素原子にビニル基が２以上結合してい
る場合には、（ＩＩ ）／（ＩＩＩ ）のモル比が１程
度でも好収率で一般式（ｍ）の化合物が得られるが、ビ
ニル基が１個のみである場合には（［［）／（ＩＩＩ）
のモル比を大きく選択した方が好収率が得られる。この
ように、一般式（ｎ）のケイ素原子に結合するビニル基
の数によっても一般式（ＩＩ）と一般式（Ｉｎ）の化合
物の使用割合を変えることが望ましい。
反応の適温は約５０〜２００℃、好ましくは８０〜１４
０℃の範囲であり、通常２〜５時間で原料化合物が消滅
し反応は終了する。反応温度が低すぎると反応に長時間
を要し、しかも生成した一般式（Ｉ）の化合物が２次的
な反応により失われ収率が低下する原因となる。反応温
度が高すぎると反応成分である一般式（ＩＩ）および（
ｍ）の化合物が副反応に消費されたり、生成した一般式
（Ｉ）の化合物が２次的反応で失われるため収率が低下
する。前記の適温範囲において、反応が完了する必要に
して十分な範囲において反応時間は可能な限り短かくす
ることが望ましい。
０℃の範囲であり、通常２〜５時間で原料化合物が消滅
し反応は終了する。反応温度が低すぎると反応に長時間
を要し、しかも生成した一般式（Ｉ）の化合物が２次的
な反応により失われ収率が低下する原因となる。反応温
度が高すぎると反応成分である一般式（ＩＩ）および（
ｍ）の化合物が副反応に消費されたり、生成した一般式
（Ｉ）の化合物が２次的反応で失われるため収率が低下
する。前記の適温範囲において、反応が完了する必要に
して十分な範囲において反応時間は可能な限り短かくす
ることが望ましい。
なお、反応は窒素、アルゴン等の乾燥した不活性雰囲気
下で実施することが望ましい。
下で実施することが望ましい。
上記の反応により得られる反応混合物から、生成した一
般式（Ｉｌｒ）の化合物が比較的低分子量のものである
場合には、蒸留または分取ガスクロマトグラフィーによ
り分離することができる。
般式（Ｉｌｒ）の化合物が比較的低分子量のものである
場合には、蒸留または分取ガスクロマトグラフィーによ
り分離することができる。
以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが本発
明の範囲をこれら実施例に限定するものではない、特記
しない限り部は重量部を意味する。
明の範囲をこれら実施例に限定するものではない、特記
しない限り部は重量部を意味する。
実施例１
窒素ガスで置換した反応器の中に下記の式（３ｉ）で表
わされるビニルシランまたはビニルシロキサエンを式（
ｉｔ）の化合物１モル当り１０００ｇの量で用いた。ま
た、触媒として白金ビニルシロキサンを反応混合物中２
０ｐｐｍ （白金分）の濃度で仕込んだ、各２時間反応
させた。得られた反応混合物を真空下フラッシュ蒸留し
て生成物を分離した後、分取ガスクロマトグラフィーに
より精製した。得られた生成化合物を、 ＮＭＲスペク
トル分析、ＧＣ／ＭＡＳＳ分析および元素分析に供した
。分析結果より、下記式（ｉ）の化合物が生成している
ことがわかった。
わされるビニルシランまたはビニルシロキサエンを式（
ｉｔ）の化合物１モル当り１０００ｇの量で用いた。ま
た、触媒として白金ビニルシロキサンを反応混合物中２
０ｐｐｍ （白金分）の濃度で仕込んだ、各２時間反応
させた。得られた反応混合物を真空下フラッシュ蒸留し
て生成物を分離した後、分取ガスクロマトグラフィーに
より精製した。得られた生成化合物を、 ＮＭＲスペク
トル分析、ＧＣ／ＭＡＳＳ分析および元素分析に供した
。分析結果より、下記式（ｉ）の化合物が生成している
ことがわかった。
（幻 Ｒ’ Ｒ２Ｒ３−ＳｉＣＨ＝＝ＣＨ２（ｉｆｆ）
Ｈ２＝ＣＨ−ＳｉＭｅ２ＳｉＭｅ２ＳｉＲ’ＣＨ＝
ＣＨ２ 分析結果は次のとおりであった。
Ｈ２＝ＣＨ−ＳｉＭｅ２ＳｉＭｅ２ＳｉＲ’ＣＨ＝
ＣＨ２ 分析結果は次のとおりであった。
（Ｉ）ＮＭＲスペクトル：第１表に示すとおり。
（２）元素分析：各実験とも、 Ｈ，Ｃ，Ｓｉについて
の分析値は理論値の誤差内に入る値であった。
の分析値は理論値の誤差内に入る値であった。
（３）ＧＣ／ＭＡＳＳ分析：各実験とも、分子イオンの
ピークが観測できた。
ピークが観測できた。
ス】１１先
白金触媒として白金ビニルシロキサンの代りに塩化白金
酸の２％２−エチルヘキシルアルコール溶液を用いた以
外は実施例１と同様に処理したところ、各実験とも実施
例１と同様の結果が得られた。
酸の２％２−エチルヘキシルアルコール溶液を用いた以
外は実施例１と同様に処理したところ、各実験とも実施
例１と同様の結果が得られた。
スＪｉｌＬ影
白金触媒として白金ビニルシロキサンの代りにアルコー
ル変性塩化白金酸を用いた以外は実施例１と同様に処理
したところ、各実験とも実施例１と同様の結果が得られ
た。
ル変性塩化白金酸を用いた以外は実施例１と同様に処理
したところ、各実験とも実施例１と同様の結果が得られ
た。
本発明の製法によるとビニルシラン化合物にビニル基、
ハロゲン原子、アルコキシ基等の官能基を一段階の反応
で容易に導入することができ、得られる本発明の新規化
合物は種々の化合物合成の中間体として有用である。ま
た、この製法はポリマーへの官能基の導入方法として、
ポリマー同士の架橋方法としても利用することができる
。
ハロゲン原子、アルコキシ基等の官能基を一段階の反応
で容易に導入することができ、得られる本発明の新規化
合物は種々の化合物合成の中間体として有用である。ま
た、この製法はポリマーへの官能基の導入方法として、
ポリマー同士の架橋方法としても利用することができる
。
特許出願人 信越化学工業株式会社
手続補正書印先 回
昭和６１年６り十日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）一般式（ I ）： ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） 〔式中、Ｒは、同一でも異なってもよく、エチニル基を
除く一価の置換もしくは非置換の炭化水素基、ハロゲン
原子、シロキシ基、またはポリマー残基であり；Ｒ′は
同一でも異なってもよく、低級アルキル基である。〕 で表わされるトリシリルエタン誘導体化合物の製法であ
って、 一般式（II）： （Ｒ）＿３ＳｉＣＨ＝ＣＨ＿２・・・（II）〔式中、Ｒ
は同一でも異なってもよく、前記一般式（ I ）で定義
のとおりである〕 で表わされるとビニルシランと、 一般式（III） ＣＨ＿２＝ＣＨ−Ｓｉ（Ｒ′）＿２−Ｓｉ（Ｒ′）＿２
（Ｒ）・・・（III）〔式中、Ｒ′は同一でも異なって
もよく、ＲおよびＲ′は一般式（ I ）で定義のとおり
である〕で表わされるビニルジシランとを、白金系触媒
の存在下で反応させることからなる方法。 ２）特許請求の範囲第１項に記載の方法であって、反応
溶媒として、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素およびエ
ーテル類から選ばれる少なくとも１つの有機溶媒が用い
られる方法。 ３）特許請求の範囲第１項記載の方法であって、白金系
触媒が塩化白金酸、アルコール変性塩化白金酸および白
金ビニルシロキサンから選ばれたものである方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60047100A JPS61207391A (ja) | 1985-03-09 | 1985-03-09 | トリシリルエタン誘導体化合物の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60047100A JPS61207391A (ja) | 1985-03-09 | 1985-03-09 | トリシリルエタン誘導体化合物の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61207391A true JPS61207391A (ja) | 1986-09-13 |
| JPS6328425B2 JPS6328425B2 (ja) | 1988-06-08 |
Family
ID=12765756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60047100A Granted JPS61207391A (ja) | 1985-03-09 | 1985-03-09 | トリシリルエタン誘導体化合物の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61207391A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH037294A (ja) * | 1989-01-13 | 1991-01-14 | Agency Of Ind Science & Technol | 有機ケイ素化合物の製造方法 |
| WO2018057411A1 (en) * | 2016-09-22 | 2018-03-29 | Dow Corning Corporation | SiH-FREE VINYLDISILANES |
-
1985
- 1985-03-09 JP JP60047100A patent/JPS61207391A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH037294A (ja) * | 1989-01-13 | 1991-01-14 | Agency Of Ind Science & Technol | 有機ケイ素化合物の製造方法 |
| WO2018057411A1 (en) * | 2016-09-22 | 2018-03-29 | Dow Corning Corporation | SiH-FREE VINYLDISILANES |
| CN109689569A (zh) * | 2016-09-22 | 2019-04-26 | 美国陶氏有机硅公司 | 不含SiH的乙烯基二硅烷 |
| KR20190049777A (ko) * | 2016-09-22 | 2019-05-09 | 다우 실리콘즈 코포레이션 | SiH-무함유 비닐다이실란 |
| JP2019529542A (ja) * | 2016-09-22 | 2019-10-17 | ダウ シリコーンズ コーポレーション | ＳｉＨ非含有ビニルジシラン |
| CN109689569B (zh) * | 2016-09-22 | 2022-05-27 | 美国陶氏有机硅公司 | 不含SiH的乙烯基二硅烷 |
| US11485642B2 (en) | 2016-09-22 | 2022-11-01 | Ddp Specialty Electronic Materials Us 9, Llc | SiH-free vinyldisilanes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6328425B2 (ja) | 1988-06-08 |
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