JPS61208648A - 光記録媒体の製造方法 - Google Patents
光記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS61208648A JPS61208648A JP4938185A JP4938185A JPS61208648A JP S61208648 A JPS61208648 A JP S61208648A JP 4938185 A JP4938185 A JP 4938185A JP 4938185 A JP4938185 A JP 4938185A JP S61208648 A JPS61208648 A JP S61208648A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- recording
- current
- optical recording
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
光記録媒体において、書き込みを行なう前に記録膜を結
晶化する際に、記録膜に電流を流しながら熱処理を行な
うことによって、記録膜として最適の結晶状態を達成す
ることが可能である。
晶化する際に、記録膜に電流を流しながら熱処理を行な
うことによって、記録膜として最適の結晶状態を達成す
ることが可能である。
本発明は光記録媒体の製造方法、特に、記録膜に光を照
射して反射率または透過率を選択的に変化させて信号を
記録する光記録媒体の製造方法に係る。
射して反射率または透過率を選択的に変化させて信号を
記録する光記録媒体の製造方法に係る。
反射率または透過率の変化を利用して信号や記録を行な
う光記録媒体は、一般的に、光を選択的に照射して非結
晶質と結晶質の間、あるいは結晶質の間で、記録膜の状
態を変化させて記録を行なうことができる。
う光記録媒体は、一般的に、光を選択的に照射して非結
晶質と結晶質の間、あるいは結晶質の間で、記録膜の状
態を変化させて記録を行なうことができる。
従来、反射率、透過率の変化を利用した光ディスクは、
アクリル基板あるいはガラス基板上にカルコゲナイド系
合金、ｍ−ｖ族化合物その他の半導体などの記録材料を
蒸着法あるいはスパッタ法で成膜する。しかし、こうし
て堆積しただけの記録膜は一般に結晶構造の乱れた不安
定な状態であり、そのまま書き込みに用いるのに適当な
状態ではない。そこで、我々は、これを最適化するため
に、記録膜を恒温槽中で熱処理して結晶化する方法をと
っている。
アクリル基板あるいはガラス基板上にカルコゲナイド系
合金、ｍ−ｖ族化合物その他の半導体などの記録材料を
蒸着法あるいはスパッタ法で成膜する。しかし、こうし
て堆積しただけの記録膜は一般に結晶構造の乱れた不安
定な状態であり、そのまま書き込みに用いるのに適当な
状態ではない。そこで、我々は、これを最適化するため
に、記録膜を恒温槽中で熱処理して結晶化する方法をと
っている。
しかしながら、記録膜を恒温槽中で熱処理した場合、結
晶粒が大きく成長したり、また結晶化にムラが生じたり
して、光記録におけるノイズレベルが増大するという問
題点があった。
晶粒が大きく成長したり、また結晶化にムラが生じたり
して、光記録におけるノイズレベルが増大するという問
題点があった。
本発明は、上記問題点を解決するために、記録膜を成膜
後、結晶化のために熱処理する際に、記録膜に電流を流
すものである。
後、結晶化のために熱処理する際に、記録膜に電流を流
すものである。
カルコゲナイド系合金などの記録材料は結晶化の際に電
流を流すと、結晶を形成する原子間の結合が電荷により
切断されるので、記録膜の結晶化における粒成長が抑制
され、光記録膜にとって所望な、粒径のそろった、微結
晶を得ることが可能になる。こうした通電が結晶成表に
及ぼす作用は薄膜技術の分野では周知の事項である。こ
うして、印加電流、電圧、熱処理の温度、時間を適宜調
整することによって、所望の結晶状態を達成することが
可能になる。
流を流すと、結晶を形成する原子間の結合が電荷により
切断されるので、記録膜の結晶化における粒成長が抑制
され、光記録膜にとって所望な、粒径のそろった、微結
晶を得ることが可能になる。こうした通電が結晶成表に
及ぼす作用は薄膜技術の分野では周知の事項である。こ
うして、印加電流、電圧、熱処理の温度、時間を適宜調
整することによって、所望の結晶状態を達成することが
可能になる。
〔実施例〕
例１
第１図を参照して説明する。外径３０抛ｍの円板状ガラ
ス基板１上に透明電極膜２としてＳｎｕｇあるいはＩＴ
Ｏ（インジウム−スズ−酸化物）を蒸着した。膜厚は５
０〜５００ｎａ＋の範囲内が適当である。
ス基板１上に透明電極膜２としてＳｎｕｇあるいはＩＴ
Ｏ（インジウム−スズ−酸化物）を蒸着した。膜厚は５
０〜５００ｎａ＋の範囲内が適当である。
従来の光ディスク等では基板１と記録膜３の間にＳｉＯ
□等の保護膜を形成していたが、この例では透明電極膜
２が記録膜３の下側の保護膜の役割をも担うので、特別
に保護膜を付加する必要はない。
□等の保護膜を形成していたが、この例では透明電極膜
２が記録膜３の下側の保護膜の役割をも担うので、特別
に保護膜を付加する必要はない。
透明電極膜２の上に記録膜３としてＴｅ −Ｓｎ合金膜
を形成した。真空蒸着装置内に装着した基板を回転しな
がら、独立に温度制御できる２つの蒸着源からそれぞれ
ＴｅとＳｎを蒸着することによって、Ｔｅ：Ｓｎの原子
比が８＝２の合金膜３を基板（透明電極膜）上に堆積し
た。膜厚は１５０ｎｓであった。このような堆積しただ
けの合金膜は、・結晶構想が乱れた不規則な状態（非結
晶状態）である。
を形成した。真空蒸着装置内に装着した基板を回転しな
がら、独立に温度制御できる２つの蒸着源からそれぞれ
ＴｅとＳｎを蒸着することによって、Ｔｅ：Ｓｎの原子
比が８＝２の合金膜３を基板（透明電極膜）上に堆積し
た。膜厚は１５０ｎｓであった。このような堆積しただ
けの合金膜は、・結晶構想が乱れた不規則な状態（非結
晶状態）である。
合金膜３上に保護膜４としてＳｎＯ□あるいはＩＴＯを
厚さ１５０ｎａ＋に蒸着した。このような円板を２枚用
意し、そのうち１方には、保護ＩＩ！４の上にさらに金
属電極膜５としてクロムを厚さ２００ｎｍはと蒸着した
。
厚さ１５０ｎａ＋に蒸着した。このような円板を２枚用
意し、そのうち１方には、保護ＩＩ！４の上にさらに金
属電極膜５としてクロムを厚さ２００ｎｍはと蒸着した
。
これらの円板を恒温槽に入れ、１５０℃で１時間加熱し
た。但し、その間、金属電極膜５を有する円板は、第１
図に示す如く、金属電極膜５と透明電極膜２の間に１０
０ｖの電圧をかけて電流を流した。
た。但し、その間、金属電極膜５を有する円板は、第１
図に示す如く、金属電極膜５と透明電極膜２の間に１０
０ｖの電圧をかけて電流を流した。
加熱終了後、それぞれの円板から記録膜３の小片を剥が
して透過型電子顕微鏡で観察したところ、どちらの円板
の記録膜も多結晶状態であった。電流を流さなかった円
板の結晶粒の粒径は約数１００ｎＩ１１〜２μｍの範囲
内、電流を流した円板のそれは約５ｏｎ１ｍ〜１００ｎ
ｓの範囲内であった。すなわち、電流を流した方が、結
晶粒の大きさは小さくかつ大きさがそろっている。
して透過型電子顕微鏡で観察したところ、どちらの円板
の記録膜も多結晶状態であった。電流を流さなかった円
板の結晶粒の粒径は約数１００ｎＩ１１〜２μｍの範囲
内、電流を流した円板のそれは約５ｏｎ１ｍ〜１００ｎ
ｓの範囲内であった。すなわち、電流を流した方が、結
晶粒の大きさは小さくかつ大きさがそろっている。
これらの円板（記録媒体）に、回転数６００ｒｐａ＋で
’ｌ ＭＨｚの信号を記録してＣ／Ｎ比（キャリヤ対ノ
イズ比）を測定（バンド幅３０ｋＨｚ）したところ、電
流を流さなかった円板では４３ｄＢ、電流を流した円板
では４７ｄＢであうた。すなわち、熱処理の際に電流を
流したことによってＣ／Ｎの４ｄＢの増加が認められた
。 □ｌｕ 例１の手順を繰り返した。但し、例１では直流電圧を印
加して電流を流したが、この例では１００Ｖ、５０Ｈｚ
の交流電圧を印加して電流を流した。
’ｌ ＭＨｚの信号を記録してＣ／Ｎ比（キャリヤ対ノ
イズ比）を測定（バンド幅３０ｋＨｚ）したところ、電
流を流さなかった円板では４３ｄＢ、電流を流した円板
では４７ｄＢであうた。すなわち、熱処理の際に電流を
流したことによってＣ／Ｎの４ｄＢの増加が認められた
。 □ｌｕ 例１の手順を繰り返した。但し、例１では直流電圧を印
加して電流を流したが、この例では１００Ｖ、５０Ｈｚ
の交流電圧を印加して電流を流した。
電流を流さなかうた円板のＣ／Ｎ比は４３ｄＢ、電流を
流した円板のＣ／Ｎ比は４８ｄＢであった。
流した円板のＣ／Ｎ比は４８ｄＢであった。
例３
例１と同様にしてＴｅ−Ｓｎ合金を記録材料とする円板
状光記録媒体を２枚作成した。但し、この例では透明電
極膜２の代りにＳｉｎ、膜を作成し、また、記録膜にお
けるＴｅ：Ｓｎの原子比を８５：１５、膜厚を１０ｏｎ
−とした。また、合金膜上にはＳｉＯ□保護膜のみを形
成し、金属電極膜は形成しなかった。
状光記録媒体を２枚作成した。但し、この例では透明電
極膜２の代りにＳｉｎ、膜を作成し、また、記録膜にお
けるＴｅ：Ｓｎの原子比を８５：１５、膜厚を１０ｏｎ
−とした。また、合金膜上にはＳｉＯ□保護膜のみを形
成し、金属電極膜は形成しなかった。
次に、円板の中心を通る断面図である第２図を参照して
１枚の円板への電流の流し方を説明する。
１枚の円板への電流の流し方を説明する。
ガラス基板１１上に記録膜に（この記録膜１２はＴｅ−
５層合金膜の上下をＳｉｎ、の保護膜で挟んだ３層から
なる。）が形成されている。すなわち、この記録媒体は
従来と同じ構造を有している。この記録膜１２の内周と
外周にそれぞれ銅製の内リング１３と外リング１４を載
せ、これを押え板１５で加圧して、リング１３．１４と
記録膜１２との間の接触を確実にする。そして、内リン
グ１３と外リング１４の間に１００ｖの電圧を印加する
ことによって記録膜１２に電流を流した。
５層合金膜の上下をＳｉｎ、の保護膜で挟んだ３層から
なる。）が形成されている。すなわち、この記録媒体は
従来と同じ構造を有している。この記録膜１２の内周と
外周にそれぞれ銅製の内リング１３と外リング１４を載
せ、これを押え板１５で加圧して、リング１３．１４と
記録膜１２との間の接触を確実にする。そして、内リン
グ１３と外リング１４の間に１００ｖの電圧を印加する
ことによって記録膜１２に電流を流した。
この例でも、熱処理の間、１枚の円板には上記の如くし
て電流し、またもう１枚の円板には電流を流さなかった
。熱処理は恒温槽中１５０℃で１０分間行なった。
て電流し、またもう１枚の円板には電流を流さなかった
。熱処理は恒温槽中１５０℃で１０分間行なった。
こうして得られた光記録媒体（円板）を光学顕微鏡（１
０００倍）で観察したところ、電流を流さなかったもの
は表面がざらついて見えるのに対し、電流を流したもの
は表面が均一でなめらかであった。
０００倍）で観察したところ、電流を流さなかったもの
は表面がざらついて見えるのに対し、電流を流したもの
は表面が均一でなめらかであった。
例１におけると同様にしてＣ／Ｎ比を測定したところ、
電流を流さなかったものは４３ｄＢであうたが、電流を
流した方は４７ｄＢであった。
電流を流さなかったものは４３ｄＢであうたが、電流を
流した方は４７ｄＢであった。
なお、例１〜３の各光記録媒体はいずれも書き換え可能
なものであるが、良好な書き換え特性を示した。
なものであるが、良好な書き換え特性を示した。
本発明の方法によれば、反射率、透過率の変化によって
信号を記録する光記録媒体の記録膜を均一にかつ望まし
い粒径に結晶化することができるので、光記録のノイズ
レベルを低減し、高信頼性の光記録媒体を提供すること
ができる。
信号を記録する光記録媒体の記録膜を均一にかつ望まし
い粒径に結晶化することができるので、光記録のノイズ
レベルを低減し、高信頼性の光記録媒体を提供すること
ができる。
第１図は本発明の第１の実施例の光ディスクの断面図、
第２図は本発明の第２の実施例における光ディスクの熱
処理の様子を示す断面図である。 １−・基板、 ２−・−・透明電極膜、３−
・記録膜、 ４曲保護膜、 ５−金属電極膜、 １１・−・基板、 １２−記録膜、 １３−・銅製内リング、１４・・
−・銅製外リング、１５−・・・押え板。
第２図は本発明の第２の実施例における光ディスクの熱
処理の様子を示す断面図である。 １−・基板、 ２−・−・透明電極膜、３−
・記録膜、 ４曲保護膜、 ５−金属電極膜、 １１・−・基板、 １２−記録膜、 １３−・銅製内リング、１４・・
−・銅製外リング、１５−・・・押え板。
Claims (1)
- １、記録膜に光を照射して該記録膜の反射率または透過
率を選択的に変化させて信号を記録する光記録媒体を製
造するに当り、基板上に上記記録膜を成膜後、該記録膜
をそれに電流を流しながら熱処理して結晶化することを
特徴とする光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4938185A JPS61208648A (ja) | 1985-03-14 | 1985-03-14 | 光記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4938185A JPS61208648A (ja) | 1985-03-14 | 1985-03-14 | 光記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61208648A true JPS61208648A (ja) | 1986-09-17 |
Family
ID=12829439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4938185A Pending JPS61208648A (ja) | 1985-03-14 | 1985-03-14 | 光記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61208648A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100248299B1 (ko) * | 1997-09-24 | 2000-03-15 | 구자홍 | 광기록매체의초기화방법및그의장치 |
| US7368223B2 (en) * | 2001-06-01 | 2008-05-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Multi-stack optical data storage medium and use of such a medium |
-
1985
- 1985-03-14 JP JP4938185A patent/JPS61208648A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100248299B1 (ko) * | 1997-09-24 | 2000-03-15 | 구자홍 | 광기록매체의초기화방법및그의장치 |
| US6570833B2 (en) | 1997-09-24 | 2003-05-27 | Lg Electronics Inc. | Method for crystallizing optical data storage media using joule heat and apparatus therefor |
| US7368223B2 (en) * | 2001-06-01 | 2008-05-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Multi-stack optical data storage medium and use of such a medium |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08221814A (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH0473387B2 (ja) | ||
| JPS61208648A (ja) | 光記録媒体の製造方法 | |
| JP2833190B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS62246788A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH0734271B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2864770B2 (ja) | 磁気ディスク用基板およびそれを用いた磁気記録媒体 | |
| JPH0327974B2 (ja) | ||
| JPH05142605A (ja) | 非線形光学材料およびその製造方法 | |
| JP2629717B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH0822614B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPS61272190A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2629749B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPS61195943A (ja) | 分光反射率可変合金及び記録材料 | |
| JPS62192047A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS61190028A (ja) | 分光反射率可変合金および記録材料 | |
| JPH04186538A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPS6214346A (ja) | 光記録媒体の製造法 | |
| JPS62124642A (ja) | 磁気光学薄膜の製造方法 | |
| JPS61283049A (ja) | 光デイスクの製造方法 | |
| JPS6220154A (ja) | 光記録媒体の製造方法 | |
| JPH01180387A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPS63247091A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPS62154341A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH03136895A (ja) | 光情報記録媒体の製造方法 |