JPS61210643A - 半導体組立装置 - Google Patents
半導体組立装置Info
- Publication number
- JPS61210643A JPS61210643A JP60052742A JP5274285A JPS61210643A JP S61210643 A JPS61210643 A JP S61210643A JP 60052742 A JP60052742 A JP 60052742A JP 5274285 A JP5274285 A JP 5274285A JP S61210643 A JPS61210643 A JP S61210643A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- winding
- gap
- core
- heated
- lead frame
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07331—Connecting techniques
-
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/07331—Connecting techniques
- H10W72/07335—Applying EM radiation, e.g. induction heating or using a laser
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
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- H10W72/07337—Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy
- H10W72/07338—Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy hardening the adhesive by curing, e.g. thermosetting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体組立装置に関するものである。
半導体組立装置には、リードフレームを加熱しつつ該リ
ードフレーム上に半導体素子をダイボンする ディング方式のものがある。
ードフレーム上に半導体素子をダイボンする ディング方式のものがある。
ム
従来、リードフレームの加熱は一般にヒーターを用いた
抵抗加熱により行なわれていた。
抵抗加熱により行なわれていた。
しかしながら、従来の抵抗加熱では、リードフレームの
加熱を必要とする部分のみに限定して局部的な加熱を行
うことはできず、その周辺もあわせて加熱される。IC
1特にプラスチックICにおいて、周辺部が加熱される
と、リードフレーム表面全体の酸化を引き起し、後工程
での処理が必要となる。
加熱を必要とする部分のみに限定して局部的な加熱を行
うことはできず、その周辺もあわせて加熱される。IC
1特にプラスチックICにおいて、周辺部が加熱される
と、リードフレーム表面全体の酸化を引き起し、後工程
での処理が必要となる。
本発明は前記問題点を解消するもので、リードフレーム
に対し加熱を必要とする部分にのみ局部的に加熱を行う
装置を提供するものである。
に対し加熱を必要とする部分にのみ局部的に加熱を行う
装置を提供するものである。
本発明はリードフレームを加熱しつつ該リードフレーム
上に半導体素子をダイボンディングする半導体組立装置
において、ギャップを備えたコア[巻線を捲回し、該コ
アのギャップをリードフレームの加熱部分に接近させて
配設し、かつ前記巻線を高周波発振器に接続したことを
特徴とする半導体組立装置である。
上に半導体素子をダイボンディングする半導体組立装置
において、ギャップを備えたコア[巻線を捲回し、該コ
アのギャップをリードフレームの加熱部分に接近させて
配設し、かつ前記巻線を高周波発振器に接続したことを
特徴とする半導体組立装置である。
以下、本発明の一実施例を図によって説明する。
第1図は本発明を、熱硬化性エポキシ・ペーストによる
ダイボンディング装置に適用した場合の例を示すもので
ある。図において、ギャップ4を備えたコア3に巻線2
を捲回し、該コア3のギャップ4にリードフレーム5の
加熱を必要とする部分に接近させて配設し、かつ巻線2
を高周波発振器1に接続する。
ダイボンディング装置に適用した場合の例を示すもので
ある。図において、ギャップ4を備えたコア3に巻線2
を捲回し、該コア3のギャップ4にリードフレーム5の
加熱を必要とする部分に接近させて配設し、かつ巻線2
を高周波発振器1に接続する。
実施例において、半導体素子6をリードフレーム5上に
ダイポンディングするには、リードフレーム5の加熱部
分をコア3のギヤツブ4正面に近接して対面させる。高
周波発振器1からの電流が巻線2に流れると、ギャップ
4を含めたコア3内に磁束が通り、ギャップ4に発生し
た高周波磁界はリードフレーム5の半導体素子載置部分
7に誘導電流を誘起し、これによって、載置部分7のみ
がスポット加熱されて熱硬化性エポキシペースト8が溶
解し、その接着力にて半導体素子6をリードフレーム5
上の載置部分7に接合する。
ダイポンディングするには、リードフレーム5の加熱部
分をコア3のギヤツブ4正面に近接して対面させる。高
周波発振器1からの電流が巻線2に流れると、ギャップ
4を含めたコア3内に磁束が通り、ギャップ4に発生し
た高周波磁界はリードフレーム5の半導体素子載置部分
7に誘導電流を誘起し、これによって、載置部分7のみ
がスポット加熱されて熱硬化性エポキシペースト8が溶
解し、その接着力にて半導体素子6をリードフレーム5
上の載置部分7に接合する。
以上説明したように、本発明はコアのギャップにリード
フレームの加熱を必要とする部分を接近させて配置し、
ギャップ内に発生させた高周波磁界によって加熱部分に
誘導電流を誘起させることによシスポット加熱するよう
にしたので、コアのギャップの長さ範囲に加熱部分が限
定され、リードフレームのみを局部的に加熱することが
でき、これによって従来必須とされていた酸化防止の後
工程が不要となり、製造ラインを簡素化し、しかもリー
ドフレームに限って加熱されるため、装置自体が加熱さ
れず、装置の熱対策に対する要求を緩和できる効果を有
するものである。
フレームの加熱を必要とする部分を接近させて配置し、
ギャップ内に発生させた高周波磁界によって加熱部分に
誘導電流を誘起させることによシスポット加熱するよう
にしたので、コアのギャップの長さ範囲に加熱部分が限
定され、リードフレームのみを局部的に加熱することが
でき、これによって従来必須とされていた酸化防止の後
工程が不要となり、製造ラインを簡素化し、しかもリー
ドフレームに限って加熱されるため、装置自体が加熱さ
れず、装置の熱対策に対する要求を緩和できる効果を有
するものである。
第一図は本発明の一実施例を示す縦断面図である。
1・・・高周波発振器、2・・・巻線、3・・・コア、
4・・・ギャップ、5・・・リードフレーム、6・・・
半導体素子、7・・・リードフレームの半導体素子載置
部分、8・・・熱硬化性エポキシペースト。
4・・・ギャップ、5・・・リードフレーム、6・・・
半導体素子、7・・・リードフレームの半導体素子載置
部分、8・・・熱硬化性エポキシペースト。
Claims (1)
- (1)リードフレームを加熱しつつ該リードフレーム上
に半導体素子をダイボンディングする半導体組立装置に
おいて、ギャップを備えたコアに巻線を捲回し、該コア
のギャップをリードフレームの加熱部分に接近させて配
設し、かつ前記巻線を高周波発振器に接続したことを特
徴とする半導体組立装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60052742A JPS61210643A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 半導体組立装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60052742A JPS61210643A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 半導体組立装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61210643A true JPS61210643A (ja) | 1986-09-18 |
Family
ID=12923374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60052742A Pending JPS61210643A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 半導体組立装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61210643A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5558795A (en) * | 1989-10-31 | 1996-09-24 | International Business Machines Corporation | Module encapsulation by induction heating |
| JP2007335836A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-12-27 | Hitachi Chem Co Ltd | ダイボンディング用樹脂ペーストの硬化方法及びダイボンディング方法 |
-
1985
- 1985-03-15 JP JP60052742A patent/JPS61210643A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5558795A (en) * | 1989-10-31 | 1996-09-24 | International Business Machines Corporation | Module encapsulation by induction heating |
| JP2007335836A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-12-27 | Hitachi Chem Co Ltd | ダイボンディング用樹脂ペーストの硬化方法及びダイボンディング方法 |
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