JPS6122462B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6122462B2 JPS6122462B2 JP55155342A JP15534280A JPS6122462B2 JP S6122462 B2 JPS6122462 B2 JP S6122462B2 JP 55155342 A JP55155342 A JP 55155342A JP 15534280 A JP15534280 A JP 15534280A JP S6122462 B2 JPS6122462 B2 JP S6122462B2
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- JP
- Japan
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- capillary
- semiconductor element
- thermocompression bonding
- thin metal
- metal wire
- Prior art date
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07521—Aligning
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体素子の電極部に金属細線を熱
圧着する工程を含む半導体装置の組立方法に関す
る。
圧着する工程を含む半導体装置の組立方法に関す
る。
従来、半導体素子表面上の電極部に金属細線を
熱圧着する工程を含む半導体装置の組立方法は、
第1図に示す様に、ヒータブロツク6により、リ
ードフレーム5、ソルダ4、半導体素子3を加熱
し、キヤピラリー1を下げて荷重を加え、金属細
線2を熱圧着する方法である。
熱圧着する工程を含む半導体装置の組立方法は、
第1図に示す様に、ヒータブロツク6により、リ
ードフレーム5、ソルダ4、半導体素子3を加熱
し、キヤピラリー1を下げて荷重を加え、金属細
線2を熱圧着する方法である。
このような従来の方法では、熱源が半導体素子
3に対してリードフレーム5の反対側のヒータブ
ロツク6内にあるので、リードフレーム5、ソル
ダ4、そして半導体素子をよく加熱する。しか
し、リードフレーム5、ソルダ4など加熱しなく
ても良い所まで加熱することになるので熱の消費
量が多い。また、ある一定の熱圧着強度を維持す
る為には、温度を高くしなければならないが、低
融点のソルダを使用した時、ソルダ4が溶融して
半導体素子3が動き、所定の電極部への熱圧着が
困難である。しかも、熱圧着が出来ても、その後
金線を張る時に、半導体素子3がリードフレーム
5に固定されていないので半導体素子が浮いてし
まい、その後の作業が出来なくなる。その為、温
度を下げて熱圧着しなければならず、ある一定の
熱圧着強度が維持出来ないという欠点があつた。
3に対してリードフレーム5の反対側のヒータブ
ロツク6内にあるので、リードフレーム5、ソル
ダ4、そして半導体素子をよく加熱する。しか
し、リードフレーム5、ソルダ4など加熱しなく
ても良い所まで加熱することになるので熱の消費
量が多い。また、ある一定の熱圧着強度を維持す
る為には、温度を高くしなければならないが、低
融点のソルダを使用した時、ソルダ4が溶融して
半導体素子3が動き、所定の電極部への熱圧着が
困難である。しかも、熱圧着が出来ても、その後
金線を張る時に、半導体素子3がリードフレーム
5に固定されていないので半導体素子が浮いてし
まい、その後の作業が出来なくなる。その為、温
度を下げて熱圧着しなければならず、ある一定の
熱圧着強度が維持出来ないという欠点があつた。
本発明の目的は、半導体素子に対する金属細線
の熱圧着に際し、半導体素子を固着しているソル
ダの溶融を引起すことなく、一定強度以上の熱圧
着が、従来より少ない加熱電力の下で容易に得る
ことができる半導体装置の組立方法を提供するに
ある。
の熱圧着に際し、半導体素子を固着しているソル
ダの溶融を引起すことなく、一定強度以上の熱圧
着が、従来より少ない加熱電力の下で容易に得る
ことができる半導体装置の組立方法を提供するに
ある。
本発明の方法は、半導体素子表面上の電極部に
金属細線を熱圧着するのに際し、前記金属細線を
供給するキヤピラリーの外周に加熱手段を設け、
この加熱手段により前記キヤピラリーを熱圧着に
必要な温度に加熱して前記金属細線を熱圧着する
工程を含んでいる。
金属細線を熱圧着するのに際し、前記金属細線を
供給するキヤピラリーの外周に加熱手段を設け、
この加熱手段により前記キヤピラリーを熱圧着に
必要な温度に加熱して前記金属細線を熱圧着する
工程を含んでいる。
つぎに本発明を実施例により説明する。
第2図は本発明の一実施例を説明するためのキ
ヤピラリーおよび金属細線、半導体素子などを示
す側面図である。
ヤピラリーおよび金属細線、半導体素子などを示
す側面図である。
第2図において、加工台8は、何らの熱源を含
まず、単に金細線2が熱圧着される半導体素子3
を支持するだけのものである。キヤピラリー11
は、外周にニクロム線7が巻かれており、キヤピ
ラリー11を下げて金ボルール2aを半導体素子
3の表面の電極部に熱圧着するときに、ニクロム
線7により加熱されたキヤピラリーにより金ボー
ル2aに熱を加えて熱圧着するのである。
まず、単に金細線2が熱圧着される半導体素子3
を支持するだけのものである。キヤピラリー11
は、外周にニクロム線7が巻かれており、キヤピ
ラリー11を下げて金ボルール2aを半導体素子
3の表面の電極部に熱圧着するときに、ニクロム
線7により加熱されたキヤピラリーにより金ボー
ル2aに熱を加えて熱圧着するのである。
このように、本発明では、ヒータブロツクを使
用せずに、そのために、リードフレーム、ソルダ
は加熱されず、キヤピラリーのみがその外周の加
熱ヒータにより加熱されて熱圧着するので、熱の
消費が従来のヒータブロツクによる加熱に比べて
少くて済済む。さらに、低融点ソルダを使用した
ときでもソルダを溶融させることなしに熱圧着で
きる。すなわち、ソルダの温度を上げずに、金ボ
ール、半導体素子の方に充分高い温度に加熱でき
るので、強固な熱圧着が確実に得られる。なお、
加熱手段として、上記加熱ヒータの代わりに高周
波の誘導加熱を用いることもでき、これは、急速
加熱にとつて有利である。
用せずに、そのために、リードフレーム、ソルダ
は加熱されず、キヤピラリーのみがその外周の加
熱ヒータにより加熱されて熱圧着するので、熱の
消費が従来のヒータブロツクによる加熱に比べて
少くて済済む。さらに、低融点ソルダを使用した
ときでもソルダを溶融させることなしに熱圧着で
きる。すなわち、ソルダの温度を上げずに、金ボ
ール、半導体素子の方に充分高い温度に加熱でき
るので、強固な熱圧着が確実に得られる。なお、
加熱手段として、上記加熱ヒータの代わりに高周
波の誘導加熱を用いることもでき、これは、急速
加熱にとつて有利である。
第1図は従来の熱圧着を説明するための側面
図、第2図は本発明の一実施例を説明するための
側面図である。 1,11……キヤピラリー、2……金属細線、
2a……金ボール、3……半導体素子、4……ソ
ルダ、5……リードフレーム、6……ヒータブロ
ツク、7……ニクロム線、8……加工台。
図、第2図は本発明の一実施例を説明するための
側面図である。 1,11……キヤピラリー、2……金属細線、
2a……金ボール、3……半導体素子、4……ソ
ルダ、5……リードフレーム、6……ヒータブロ
ツク、7……ニクロム線、8……加工台。
Claims (1)
- 1 半導体素子表面上の電極部にキヤピラリーを
用いて金属細線を熱圧着する工程を含む半導体装
置の組立方法において、前記半導体素子を固着し
たリードフレームを加熱手段を有しない加工台上
に載置し、前記金属細線をキヤピラリーに通した
まま該キヤピラリーを外周から加熱し、熱圧着温
度に加熱したキヤピラリーで金属細線を前記電極
部に押し付け、キヤピラリーからの熱伝導により
熱圧着することを特徴とする半導体装置の組立方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55155342A JPS5779630A (en) | 1980-11-05 | 1980-11-05 | Assembling of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55155342A JPS5779630A (en) | 1980-11-05 | 1980-11-05 | Assembling of semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5779630A JPS5779630A (en) | 1982-05-18 |
| JPS6122462B2 true JPS6122462B2 (ja) | 1986-05-31 |
Family
ID=15603789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55155342A Granted JPS5779630A (en) | 1980-11-05 | 1980-11-05 | Assembling of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5779630A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0334764U (ja) * | 1989-08-10 | 1991-04-04 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51430A (ja) * | 1974-06-22 | 1976-01-06 | Goro Nishizawa | Shitsunaigorufujugiho |
-
1980
- 1980-11-05 JP JP55155342A patent/JPS5779630A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0334764U (ja) * | 1989-08-10 | 1991-04-04 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5779630A (en) | 1982-05-18 |
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