JPH02137250A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び半導体装置Info
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- JPH02137250A JPH02137250A JP63292981A JP29298188A JPH02137250A JP H02137250 A JPH02137250 A JP H02137250A JP 63292981 A JP63292981 A JP 63292981A JP 29298188 A JP29298188 A JP 29298188A JP H02137250 A JPH02137250 A JP H02137250A
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体素子をそれとほぼ同程度の寸法のパ
ッケージに封止する際も信頼性上問題の起こらない半導
体装置及びその製造方法に関するものである。
ッケージに封止する際も信頼性上問題の起こらない半導
体装置及びその製造方法に関するものである。
（第１の従来例）
第６図は従来の半導体装置の一例を示す平面図りであり
、図において、１は集積回路等が形成され、その上に電
極パッド１１が設けられた半導体素子、２１はこの半導
体素子が半田４１に接合されたダイスパッド、３はイン
ナーリード２２と前記電極パッド１１とを電気的に結ぶ
金属細線である。また１点鎖線７０はモールド等の封止
ラインを示す。
、図において、１は集積回路等が形成され、その上に電
極パッド１１が設けられた半導体素子、２１はこの半導
体素子が半田４１に接合されたダイスパッド、３はイン
ナーリード２２と前記電極パッド１１とを電気的に結ぶ
金属細線である。また１点鎖線７０はモールド等の封止
ラインを示す。
次に第７〜８図により前記従来の半導体装置の製造方法
について説明する。この製造工程は、半導体素子１をダ
イスパッド２１に固定するグイボンド工程（第７図）と
、半導体素子１の電極バッド１１とインナーリード２２
とを金属線１Ｉ１３で結線するワイヤボンド工程（第８
図）から成り立っている。
について説明する。この製造工程は、半導体素子１をダ
イスパッド２１に固定するグイボンド工程（第７図）と
、半導体素子１の電極バッド１１とインナーリード２２
とを金属線１Ｉ１３で結線するワイヤボンド工程（第８
図）から成り立っている。
なお、第７図、第８図において、５１は半導体素子１を
吸引するグイコレット、６１．６２はそれぞれ半導体素
子１を熱するためのダイボンド用ヒートブロック及びワ
イヤボンド用ヒートブロックである。
吸引するグイコレット、６１．６２はそれぞれ半導体素
子１を熱するためのダイボンド用ヒートブロック及びワ
イヤボンド用ヒートブロックである。
まず第７図に示すように、ダイスパッド２１に前もって
付けた半田４１をヒートブロック６１上で溶融させる。
付けた半田４１をヒートブロック６１上で溶融させる。
そしてその上に半導体素子１をグイコレット５１により
吸着してグイパッド２１上に加圧することによりグイボ
ンドを行う０次に第８図に示すように、半導体素子１を
ヒートブロック６２上に搬送し、２８０℃に加熱した状
態で、金属細線（ワイヤ）３の先端に入熱して生成させ
た金属ボールを前記半導体素子１上の電極パッド１１に
加圧しながら超音波振動を加えて接合する。そしてその
後、ワイヤ３を繰出し、同じく圧力と超音波振動を印加
して、インナーリード２２表面に接合することによりワ
イヤボンドを完了する。以上の工程により第６図に示し
た半導体装置が完成する。
吸着してグイパッド２１上に加圧することによりグイボ
ンドを行う０次に第８図に示すように、半導体素子１を
ヒートブロック６２上に搬送し、２８０℃に加熱した状
態で、金属細線（ワイヤ）３の先端に入熱して生成させ
た金属ボールを前記半導体素子１上の電極パッド１１に
加圧しながら超音波振動を加えて接合する。そしてその
後、ワイヤ３を繰出し、同じく圧力と超音波振動を印加
して、インナーリード２２表面に接合することによりワ
イヤボンドを完了する。以上の工程により第６図に示し
た半導体装置が完成する。
（第２の従来例）
第９図は従来の半導体装置の他の例を示す平面図であり
、図において、１はその上に電極１１が形成された半導
体素子、３は前記半導体素子１の電極１１とインナーリ
ード２２とを電気的に結ぶ金属細線、４１は前記半導体
素子１とインナーリード２２とを接合しているポリイミ
ドテープ等の絶縁材である。また−点鎖線７０はモール
ド又は気密の封止ラインを示す。
、図において、１はその上に電極１１が形成された半導
体素子、３は前記半導体素子１の電極１１とインナーリ
ード２２とを電気的に結ぶ金属細線、４１は前記半導体
素子１とインナーリード２２とを接合しているポリイミ
ドテープ等の絶縁材である。また−点鎖線７０はモール
ド又は気密の封止ラインを示す。
次に、第１０図、第Ｕ図により第９図に示す半導体装置
の製造方法について説明する。第１θ図、第１１図にお
いて、５２は半導体素子１を吸引固定するグイコレット
、６３はインナーリード２２を絶縁材４２（ポリイミド
テープ）に熱して押し当てるためのヒートダイ、６４は
ワイヤボンド用のヒートブロックである。
の製造方法について説明する。第１θ図、第１１図にお
いて、５２は半導体素子１を吸引固定するグイコレット
、６３はインナーリード２２を絶縁材４２（ポリイミド
テープ）に熱して押し当てるためのヒートダイ、６４は
ワイヤボンド用のヒートブロックである。
まず第１Ｏ図において、グイコレット５２上に吸着した
半導体素子１の回路側にはポリイミドテープ４２が貼り
付けてあり、これをヒートブロック６３で加熱しながら
インナーリード２２に圧接することにより、半導体素子
１、ポリイミドテープ４２、及びインナーリード２２が
一体化され、グイボンドが完了する。次に第１１図にお
いて、ヒートブロック６４上で加熱された状態で、圧力
及び超音波振動を加えながら電極バッド１１とインナー
リード２２とを金属細線３により結線してワイヤボンド
作業を行う。
半導体素子１の回路側にはポリイミドテープ４２が貼り
付けてあり、これをヒートブロック６３で加熱しながら
インナーリード２２に圧接することにより、半導体素子
１、ポリイミドテープ４２、及びインナーリード２２が
一体化され、グイボンドが完了する。次に第１１図にお
いて、ヒートブロック６４上で加熱された状態で、圧力
及び超音波振動を加えながら電極バッド１１とインナー
リード２２とを金属細線３により結線してワイヤボンド
作業を行う。
従来の半導体装置では以上のような構成及び製造方法を
採用しているので、下記の問題点が指摘される。
採用しているので、下記の問題点が指摘される。
すなわち、前記第１の従来例においては、半導体素子１
とほぼ同程度のパッケージに絶縁封止しようとする場合
、ダイスパッド２１のダイボンドエリアが限られてきて
、グイボンドの位置決め精度が非常にきびしく、またモ
ールド等の封止ライン７０内部に存在するインナーリー
ド２２が短くなり、かつ封止ライン７０ぎりぎりにワイ
ヤボンドするようになるため耐湿上問題があった。
とほぼ同程度のパッケージに絶縁封止しようとする場合
、ダイスパッド２１のダイボンドエリアが限られてきて
、グイボンドの位置決め精度が非常にきびしく、またモ
ールド等の封止ライン７０内部に存在するインナーリー
ド２２が短くなり、かつ封止ライン７０ぎりぎりにワイ
ヤボンドするようになるため耐湿上問題があった。
また第２の従来例においては、前記問題点は解消するが
、そのワイヤボンド工程において半導体素子１上のイン
ナーリード２２にワイヤーを加圧して超音波振動を加え
るために、半導体素子１に形成された能動回路等にダメ
ージを与えることが避けられない等の問題点があった。
、そのワイヤボンド工程において半導体素子１上のイン
ナーリード２２にワイヤーを加圧して超音波振動を加え
るために、半導体素子１に形成された能動回路等にダメ
ージを与えることが避けられない等の問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するなめになされ
たもので、半導体素子をほぼ同じ大きさの寸法のパッケ
ージに封止する上で信頼性上問題がない半導体装置を得
るとともに、ワイヤボンド工程において半導体素子の能
動回路にダメージを与えない半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
たもので、半導体素子をほぼ同じ大きさの寸法のパッケ
ージに封止する上で信頼性上問題がない半導体装置を得
るとともに、ワイヤボンド工程において半導体素子の能
動回路にダメージを与えない半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
■この出願に係る第１の半導体装置の製造方法の発明は
、リードフレームのインナーリードに接合用樹脂を付着
した後、前記インナーリードを半導体素子上に加圧する
ことにより、前記インナーリードと前記半導体素子とを
接合する工程と、前起生導体素子と前記インナーリード
とをそれぞれ反対方向に引張り固定した状態で、前記半
導体素子上の！極と前記インナーリードとを金属細線に
より接続する工程とからなるものである。
、リードフレームのインナーリードに接合用樹脂を付着
した後、前記インナーリードを半導体素子上に加圧する
ことにより、前記インナーリードと前記半導体素子とを
接合する工程と、前起生導体素子と前記インナーリード
とをそれぞれ反対方向に引張り固定した状態で、前記半
導体素子上の！極と前記インナーリードとを金属細線に
より接続する工程とからなるものである。
■この出願に係る第２の半導体装置の発明は、半導体素
子上にリードフレームのインナーリード部を接合用樹脂
を介して固定したものにおいて、前記インナーリード部
に、半導体素子上へ接合するためのチップ接合部と、半
導体素子上の電極からの金属細線を接合させるためのワ
イヤ接合部とを設けたことを特徴とする半導体装置であ
る。
子上にリードフレームのインナーリード部を接合用樹脂
を介して固定したものにおいて、前記インナーリード部
に、半導体素子上へ接合するためのチップ接合部と、半
導体素子上の電極からの金属細線を接合させるためのワ
イヤ接合部とを設けたことを特徴とする半導体装置であ
る。
■この出願に係る第３の半導体装置の発明は、半導体素
子上にリードフレームのインナーリード部を接合用樹脂
を介して固定した半導体装置において、前記接合用樹脂
をシリコーン系樹脂としたことを特徴とするものである
。
子上にリードフレームのインナーリード部を接合用樹脂
を介して固定した半導体装置において、前記接合用樹脂
をシリコーン系樹脂としたことを特徴とするものである
。
■この出願に係る第１の半導体装置の製造方法の発明は
、半導体素子とインナーリードとを接合用樹脂で固着し
た後、前記半導体素子と前記インナーリードとをそれぞ
れ反対方向に向けて引張り固定したので、ワイヤボンド
作業時（特に金属細線を前記インナーリードに接続する
際）の振動などのストレスが半導体素子に形成された能
動回路等に伝わらない。
、半導体素子とインナーリードとを接合用樹脂で固着し
た後、前記半導体素子と前記インナーリードとをそれぞ
れ反対方向に向けて引張り固定したので、ワイヤボンド
作業時（特に金属細線を前記インナーリードに接続する
際）の振動などのストレスが半導体素子に形成された能
動回路等に伝わらない。
■そして、この出願に係る第２の半導体装置の発明は、
インナーリード部にチップ接合部とワイヤ接合部を設け
、チップ接合部には接合用樹脂を付着させて半導体素子
上に接合させ、ワイヤ接合端には半導体素子上の電極か
ら繰り出された金属細線を接合させる役目を果す。
インナーリード部にチップ接合部とワイヤ接合部を設け
、チップ接合部には接合用樹脂を付着させて半導体素子
上に接合させ、ワイヤ接合端には半導体素子上の電極か
ら繰り出された金属細線を接合させる役目を果す。
■また、この出願に係る第３の半導体装置の発明は、接
合用樹脂をシリコーン系樹脂とすることで、ワイヤボン
ド時にインナーリードに発生するストレスが半導体素子
の能動回路等に伝達しにくく、高温において安定なので
作業しやすい。
合用樹脂をシリコーン系樹脂とすることで、ワイヤボン
ド時にインナーリードに発生するストレスが半導体素子
の能動回路等に伝達しにくく、高温において安定なので
作業しやすい。
以下、この発明による半導体装置及びその製造方法の一
実施例を図について説明する。第１図は本実施例の半導
体装置を示す平面図、第２図〜第５ヌは前記半導体装置
の製造工程を説明するための構成図である。
実施例を図について説明する。第１図は本実施例の半導
体装置を示す平面図、第２図〜第５ヌは前記半導体装置
の製造工程を説明するための構成図である。
第１図において、１は集積回路等が形成され、その上に
電極１１を有する半導体素子、３は前記電極１１とイン
ナーリード２２とを電気的に導通させるための金属細線
である。またインナーリード２２には、前記半導体素子
１上に接合するためのチップ接合部２３と、前記金属細
線３がワイヤボンディングされるためのワイヤ接合部２
４を有している。また−点鎖線７０はモールド等の封止
ラインを示す。
電極１１を有する半導体素子、３は前記電極１１とイン
ナーリード２２とを電気的に導通させるための金属細線
である。またインナーリード２２には、前記半導体素子
１上に接合するためのチップ接合部２３と、前記金属細
線３がワイヤボンディングされるためのワイヤ接合部２
４を有している。また−点鎖線７０はモールド等の封止
ラインを示す。
第２図はリードフレーム２２のチップ接合部２３に接合
用樹脂４３を付着させる工程を示した構成図であり、図
において、７は樹脂４３（特にシリコーン系樹脂）の入
ったシリンジ、８は樹脂供給用治具であり、治具内には
樹脂ランナー８ａが形成されている。なお、第３図は前
記樹脂供給用治具８の平面図を示す。
用樹脂４３を付着させる工程を示した構成図であり、図
において、７は樹脂４３（特にシリコーン系樹脂）の入
ったシリンジ、８は樹脂供給用治具であり、治具内には
樹脂ランナー８ａが形成されている。なお、第３図は前
記樹脂供給用治具８の平面図を示す。
第４図はリードフレーム２２を半導体素子１上に接合す
る工程を示した構成図であり、図において、５２は半導
体素子１を吸引固定するグイコレット、６５は接合用の
樹脂４３を硬化させるためのヒートブロックである。
る工程を示した構成図であり、図において、５２は半導
体素子１を吸引固定するグイコレット、６５は接合用の
樹脂４３を硬化させるためのヒートブロックである。
第５図はリードフレーム２２のワイヤ接合部２４と電極
１１とを金属細線３で結線するワイヤボンド工程を示す
構成図であり、９はインナーリード２２を上方へ吸引し
て固定する電磁コイル、６６は半導体素子１を加熱する
ヒートブロックであり、その中には半導体素子１を下方
へ吸引し固定する吸引路６６ａが設けられている。
１１とを金属細線３で結線するワイヤボンド工程を示す
構成図であり、９はインナーリード２２を上方へ吸引し
て固定する電磁コイル、６６は半導体素子１を加熱する
ヒートブロックであり、その中には半導体素子１を下方
へ吸引し固定する吸引路６６ａが設けられている。
次に半導体装置の製造方法について説明する。
まず第２図及び第３図によりインナーリード２２に接合
用の樹脂４３を付着する工程を説明する。シリンジ７内
に貯えられた樹脂４３（特にシリコーン系樹脂）は、加
圧装置５０からの空気圧により樹脂供給油具８内の樹脂
ランナー８ａを通って、インナーリード２２のチップ接
合部２３に付着供給される。
用の樹脂４３を付着する工程を説明する。シリンジ７内
に貯えられた樹脂４３（特にシリコーン系樹脂）は、加
圧装置５０からの空気圧により樹脂供給油具８内の樹脂
ランナー８ａを通って、インナーリード２２のチップ接
合部２３に付着供給される。
次に第４図により半導体素子１とインナーリード２２と
を接合する工程を説明する。グイコレット５２上に吸引
され位置決めされた半導体素子ｌを、接合用の樹脂４３
が付着したインナーリードのチップ接合部２３に加圧し
、それと同時に約２００℃に熱したヒートブロック６５
を、反対方向（上側）よりチップ接合端２３に１〜２分
間加圧することにより、樹脂４３（特にシリコーン系樹
脂）が硬化して半導体素子１とインナーリード２２とが
接合される。
を接合する工程を説明する。グイコレット５２上に吸引
され位置決めされた半導体素子ｌを、接合用の樹脂４３
が付着したインナーリードのチップ接合部２３に加圧し
、それと同時に約２００℃に熱したヒートブロック６５
を、反対方向（上側）よりチップ接合端２３に１〜２分
間加圧することにより、樹脂４３（特にシリコーン系樹
脂）が硬化して半導体素子１とインナーリード２２とが
接合される。
最後に第５図によりワイヤボンド工程について説明する
。・まずインナーリード２２が接合された半導体素子１
をヒートブロック６６上に置くと同時に、ヒートブロッ
ク６６内の吸引路６６ａからの負圧により半導体素子１
を下向きに吸引固定する。そしてそれとは逆に、インナ
ーリードのチップ接合部２３を、半導体素子１と反対側
に配置した電磁コイル９により上向きに吸引固定する。
。・まずインナーリード２２が接合された半導体素子１
をヒートブロック６６上に置くと同時に、ヒートブロッ
ク６６内の吸引路６６ａからの負圧により半導体素子１
を下向きに吸引固定する。そしてそれとは逆に、インナ
ーリードのチップ接合部２３を、半導体素子１と反対側
に配置した電磁コイル９により上向きに吸引固定する。
そして、その状態でヒートブロック６６により半導体素
子１を加熱するとともに、金属細線３の先端に入熱して
生成された金属ボールを半導体素子１上の電極バッド１
１に加圧しながら超音波振動を加えて接合し、その後ワ
イヤ３を繰り出し、同じく圧力と超音波振動を印加して
、ワイヤ接合部２４上に接合しワイヤボンドを完了する
。
子１を加熱するとともに、金属細線３の先端に入熱して
生成された金属ボールを半導体素子１上の電極バッド１
１に加圧しながら超音波振動を加えて接合し、その後ワ
イヤ３を繰り出し、同じく圧力と超音波振動を印加して
、ワイヤ接合部２４上に接合しワイヤボンドを完了する
。
ここで上記実施例の利点について説明する。まず、上記
製造方法によれば、半導体素子１とインナーリード２２
とをワイヤボンドする工程において、半導体素子１をヒ
ートブロック６６内の吸引路６６ａにより吸引固定する
とともに、インナーリードのチップ接合端２４を半導体
素子１とは反対方向に電磁コイル９の磁力により吸引固
定するので、ワイヤボンド作業を行うとき（特にリード
フレーム上にワイヤボンドを行うとき）に加わるストレ
スが、半導体素子１内に形成された能動回路等に伝わる
ことがなくなる。
製造方法によれば、半導体素子１とインナーリード２２
とをワイヤボンドする工程において、半導体素子１をヒ
ートブロック６６内の吸引路６６ａにより吸引固定する
とともに、インナーリードのチップ接合端２４を半導体
素子１とは反対方向に電磁コイル９の磁力により吸引固
定するので、ワイヤボンド作業を行うとき（特にリード
フレーム上にワイヤボンドを行うとき）に加わるストレ
スが、半導体素子１内に形成された能動回路等に伝わる
ことがなくなる。
なお上記実施例では、インナーリード２２の固定を電磁
石９により行ったが空気等による吸引でもよい。
石９により行ったが空気等による吸引でもよい。
また、上記製造方法は、第１図に示した半導体装置のみ
に適用するに限らず、半導体素子上にインナーリードを
接合用樹脂を介して固定する半導体装Ｎ（例えば第９図
に示した従来の半導体装置等）全般に適用できる。
に適用するに限らず、半導体素子上にインナーリードを
接合用樹脂を介して固定する半導体装Ｎ（例えば第９図
に示した従来の半導体装置等）全般に適用できる。
次に、第１図に示した半導体装置において、インナーリ
ード部に半導体素子接合用のチップ接合部２３と金属細
線を接合するためのワイヤ接合部２４とを別々に設ける
ことにより、半導体素子１とインナーリード２２との固
着作業及びワイヤボンド作業が確実かつ能率的に行える
。特に上記製造方法により製作する場合、チップ接合部
２３を電磁石９により吸引固定した状態で、ワイヤ接合
部２４と半導体素子上の電ｉｌｌとをワイヤボンドする
ことができ最適である。栗にチップ接合部２３を設ける
ことにより半導体素子１への接合面も適宜かつ広範囲に
確保できる。
ード部に半導体素子接合用のチップ接合部２３と金属細
線を接合するためのワイヤ接合部２４とを別々に設ける
ことにより、半導体素子１とインナーリード２２との固
着作業及びワイヤボンド作業が確実かつ能率的に行える
。特に上記製造方法により製作する場合、チップ接合部
２３を電磁石９により吸引固定した状態で、ワイヤ接合
部２４と半導体素子上の電ｉｌｌとをワイヤボンドする
ことができ最適である。栗にチップ接合部２３を設ける
ことにより半導体素子１への接合面も適宜かつ広範囲に
確保できる。
また、第１図に示した半導体装置において、リードフレ
ームのインナーリード２２と半導体素子１との接合用樹
脂４３をシリコーン系樹脂にすることにより下記の利点
がある。すなわちシリコーン系樹脂は低弾性体であるの
で、インナーリード２２で発生する応力は半導体素子１
の能動回路へ伝達しにくく、また高温安定なので製造工
程中も扱い易くなる。よって本発明の製造方法において
特に最適の接合用樹脂となる。
ームのインナーリード２２と半導体素子１との接合用樹
脂４３をシリコーン系樹脂にすることにより下記の利点
がある。すなわちシリコーン系樹脂は低弾性体であるの
で、インナーリード２２で発生する応力は半導体素子１
の能動回路へ伝達しにくく、また高温安定なので製造工
程中も扱い易くなる。よって本発明の製造方法において
特に最適の接合用樹脂となる。
以上のように、この出願の発明によれば下記の効果があ
る。
る。
■まず、この出願の第１の半導体装置の製造方法の発明
によれば、半導体素子とインナーリードを接合用樹脂で
接合した後、前記半導体素子と前記インナーリードとを
それぞれ反対方向に引張り固定した状態でワイヤボンド
を行うこととしたので、ワイヤボンド時のストレスが半
導体素子に形成された能動回路等に伝わらなく信顆性の
高い半導体装置が得られる効果がある。
によれば、半導体素子とインナーリードを接合用樹脂で
接合した後、前記半導体素子と前記インナーリードとを
それぞれ反対方向に引張り固定した状態でワイヤボンド
を行うこととしたので、ワイヤボンド時のストレスが半
導体素子に形成された能動回路等に伝わらなく信顆性の
高い半導体装置が得られる効果がある。
■次に、この出願の第２の半導体装置の発明によれば、
インナーリード部をチップ接合端とワイヤ接合端により
構成したので、半導体素子とインナーリードとの固着作
業およびワイヤボンド作業が確実かつ能率的に行える。
インナーリード部をチップ接合端とワイヤ接合端により
構成したので、半導体素子とインナーリードとの固着作
業およびワイヤボンド作業が確実かつ能率的に行える。
■さらに、この出願の第３の半導体装置の発明によれば
、半導体素子とインナーリードとを接合する樹脂をシリ
コーン系樹脂とすることにより、製造工程中卒導体素子
にストレスが加わりにくく、かつ高温安定となる効果が
ある。
、半導体素子とインナーリードとを接合する樹脂をシリ
コーン系樹脂とすることにより、製造工程中卒導体素子
にストレスが加わりにくく、かつ高温安定となる効果が
ある。
■また、総合的に上記半導体装置及びその製造方法の発
明によれば、半導体素子と同程度の寸法のパッケージに
封止する際に、ステッチボンドの位置をできる限り封止
ラインの内部に入れて耐湿性の確保ができるとともに、
半導体素子にできる限りダメージを与えることがなく信
頼性が確保できる。
明によれば、半導体素子と同程度の寸法のパッケージに
封止する際に、ステッチボンドの位置をできる限り封止
ラインの内部に入れて耐湿性の確保ができるとともに、
半導体素子にできる限りダメージを与えることがなく信
頼性が確保できる。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す平
面図、第２図〜第５図はこの発明の一実施例による半導
体装置の製造方法を説明するための構成ヌ、第６図、第
９図はそれぞれ従来の半導体装置を示す平面図、第７〜
８図および第１０〜１１図はそれぞれ第６図、第９図の
半導体装置の製造方法を示す構成図である。 図において、１は半導体素子、３は金属細線、７はシリ
ンジ、８は樹脂供給用治具、８ａは樹脂ランナー、９は
電磁コイル、１１は電極パッド、２２はインナーリード
、２３はチップ接合部、２４はワイヤ接合部、４３は接
合用樹脂、５０は加圧装置、５２はグイコレット、６５
．６６はヒートブロック、６６ａは吸引路、７０は封止
ラインである。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
面図、第２図〜第５図はこの発明の一実施例による半導
体装置の製造方法を説明するための構成ヌ、第６図、第
９図はそれぞれ従来の半導体装置を示す平面図、第７〜
８図および第１０〜１１図はそれぞれ第６図、第９図の
半導体装置の製造方法を示す構成図である。 図において、１は半導体素子、３は金属細線、７はシリ
ンジ、８は樹脂供給用治具、８ａは樹脂ランナー、９は
電磁コイル、１１は電極パッド、２２はインナーリード
、２３はチップ接合部、２４はワイヤ接合部、４３は接
合用樹脂、５０は加圧装置、５２はグイコレット、６５
．６６はヒートブロック、６６ａは吸引路、７０は封止
ラインである。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）リードフレームのインナーリードに接合用樹脂を
付着した後、前記インナーリードを半導体素子上に加圧
することにより、前記インナーリードと前記半導体素子
とを接合する工程と、 前記半導体素子と前記インナーリードとをそれぞれ反対
方向に引張り固定した状態で、前記半導体素子上の電極
と前記インナーリードとを金属細線により接続する工程
とからなる半導体装置の製造方法。 - （２）半導体素子上にリードフレームのインナーリード
部を接合用樹脂を介して固定した半導体装置において、
前記インナーリード部に、半導体素子上へ接合するため
のチップ接合部と、半導体素子上の電極からの金属細線
を接合させるためのワイヤ接合部とを設けたことを特徴
とする半導体装置。 - （３）半導体素子上にリードフレームのインナーリード
部を接合用樹脂を介して固定した半導体装置において、
前記接合用樹脂をシリコーン系樹脂としたことを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63292981A JPH02137250A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63292981A JPH02137250A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02137250A true JPH02137250A (ja) | 1990-05-25 |
Family
ID=17788927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63292981A Pending JPH02137250A (ja) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02137250A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0329332A (ja) * | 1989-06-26 | 1991-02-07 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPH03167834A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-19 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH0613525A (ja) * | 1992-06-24 | 1994-01-21 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPH08255808A (ja) * | 1996-01-11 | 1996-10-01 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPH08255813A (ja) * | 1996-01-11 | 1996-10-01 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| EP0843356A3 (en) * | 1992-02-03 | 1998-10-28 | Motorola, Inc. | Lead-on-chip semiconductor device |
-
1988
- 1988-11-17 JP JP63292981A patent/JPH02137250A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0329332A (ja) * | 1989-06-26 | 1991-02-07 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPH03167834A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-19 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| EP0843356A3 (en) * | 1992-02-03 | 1998-10-28 | Motorola, Inc. | Lead-on-chip semiconductor device |
| JPH0613525A (ja) * | 1992-06-24 | 1994-01-21 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPH08255808A (ja) * | 1996-01-11 | 1996-10-01 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPH08255813A (ja) * | 1996-01-11 | 1996-10-01 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
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