JPS61216109A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS61216109A JPS61216109A JP60056778A JP5677885A JPS61216109A JP S61216109 A JPS61216109 A JP S61216109A JP 60056778 A JP60056778 A JP 60056778A JP 5677885 A JP5677885 A JP 5677885A JP S61216109 A JPS61216109 A JP S61216109A
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- magnetic head
- film
- thin film
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/40—Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3133—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
磁気記録密度の向上に伴い、磁気ヘラ１゛のトラック幅
を小さくするために、あるいは多トラツク構成とするた
めに薄膜構造を採用した磁気ヘッドの実用化が進んでい
る。本発明はそれら薄膜磁気ヘッドに関するものである
。
を小さくするために、あるいは多トラツク構成とするた
めに薄膜構造を採用した磁気ヘッドの実用化が進んでい
る。本発明はそれら薄膜磁気ヘッドに関するものである
。
従来の技術
従来の薄膜磁気ヘッドの構成例を以下に説明する。
第２図は記録用薄膜磁気ヘッドの断面を説明する図であ
る［吉良 徹、他：ＰＣＭ録音用薄膜磁気ヘッド、シャ
ープ技術、 ／１７；２６ （１９８３）９７］。
る［吉良 徹、他：ＰＣＭ録音用薄膜磁気ヘッド、シャ
ープ技術、 ／１７；２６ （１９８３）９７］。
フェライト等の軟磁性材で、下部コアとなる基板１の上
に、絶縁層２を介して、１層で４タ一ン程度のスパイラ
ル状信号巻線３が形成され、絶縁層４を介して共通バイ
アス線６が積層されている。
に、絶縁層２を介して、１層で４タ一ン程度のスパイラ
ル状信号巻線３が形成され、絶縁層４を介して共通バイ
アス線６が積層されている。
バイアス線５および信号巻線３は２〜４μｍ厚のＣｕ膜
が使用され、巻線抵抗を下げるようにしている。
が使用され、巻線抵抗を下げるようにしている。
バイアス線５の上に、先端ギャップオオを兼ねる絶縁層
６を介して、上部コアとなる磁性層７が形成されている
。磁性層７としては、Ｎｉ−Ｆｅ合等が用いられる。磁
性層７の上には保護層８として８１０２等が１０〜２０
μｍ被着され、さらに非磁性の保護板１０が接着層９に
よって接着されている。保護層８の上面は、磁性層７よ
り下に積層された電磁変換部の凹凸を反映して数ミクロ
ンの凹凸が存在するが、この凹凸を研摩によって平坦化
した後に保護板１０を貼りつけている。
６を介して、上部コアとなる磁性層７が形成されている
。磁性層７としては、Ｎｉ−Ｆｅ合等が用いられる。磁
性層７の上には保護層８として８１０２等が１０〜２０
μｍ被着され、さらに非磁性の保護板１０が接着層９に
よって接着されている。保護層８の上面は、磁性層７よ
り下に積層された電磁変換部の凹凸を反映して数ミクロ
ンの凹凸が存在するが、この凹凸を研摩によって平坦化
した後に保護板１０を貼りつけている。
次に、第３図は再生用薄膜磁気ヘッドの断面を１００６
〕。
〕。
基板１１ｄ：フェライト笠の軟融イイ１月あるいはガラ
ス等の非磁性材が用いられるが、軟磁性高透磁率イ２の
場合には、磁気抵抗効果素子（以後λ４Ｒ素子と称する
）をシールドする効果と感度を高める効果が生じる。こ
こではフェライトを用いた例について説明する。基板１
１の上に、絶縁層１２を介してバイアス線１３が形成さ
れ、さらに絶縁層１４を介してＭＲ素子１５が形成され
ている。
ス等の非磁性材が用いられるが、軟磁性高透磁率イ２の
場合には、磁気抵抗効果素子（以後λ４Ｒ素子と称する
）をシールドする効果と感度を高める効果が生じる。こ
こではフェライトを用いた例について説明する。基板１
１の上に、絶縁層１２を介してバイアス線１３が形成さ
れ、さらに絶縁層１４を介してＭＲ素子１５が形成され
ている。
ＭＦｔ素子１６はパーマロイの薄膜であり、図にｄ、示
していないが両端に導電層が接続されている。
していないが両端に導電層が接続されている。
ＭＲ素子１６の上に、絶縁層１６を介して高透磁率月よ
Ｉ）なる磁性層１７が形成されている。磁性層１７の作
用は基板１１と同じ＜ＭＲ素子１５のシールドと感度の
向上である。磁性層１７の上にば５ｉ０２等の保護層１
８が１０〜２０１１ｍの厚みで形成されている。保護層
１８の上面は第１図の例と同様に平坦化され、この上に
非磁性の保護板２０が接着層１９によって接着されてい
る。
Ｉ）なる磁性層１７が形成されている。磁性層１７の作
用は基板１１と同じ＜ＭＲ素子１５のシールドと感度の
向上である。磁性層１７の上にば５ｉ０２等の保護層１
８が１０〜２０１１ｍの厚みで形成されている。保護層
１８の上面は第１図の例と同様に平坦化され、この上に
非磁性の保護板２０が接着層１９によって接着されてい
る。
発明が解決しようとする問題点
第２図で説明した記録用の薄膜磁気ヘット゛において記
録のだめの磁界の強さは、バイアス線お」：び信号巻線
の巻数と、流れる電流の積に比例するが、薄膜構造のヘ
ッドにおいてｄ、巻数を多くとることが困難であり、電
流値を大きくせざるを得ない。電流値が大きくなると、
巻線の電気抵抗にもとづくジュール熱が発生することに
なり、磁気テープに記録する場合等においてＣ２磁気テ
ープの走行を停止し、テープ摺動面２１に磁気テープが
接触した状態で記録電流を通じた場合には、発生したジ
ュール熱に」：って磁気テープが損傷を受けることもあ
る。寸だ、磁性層７や基板１の磁気特性も温度土Ｈによ
って劣化する。しだがって、この発４ｔりする熱を放散
させ磁気ヘッドの温度上昇を防ｔｌ＝することが必要で
ある。
録のだめの磁界の強さは、バイアス線お」：び信号巻線
の巻数と、流れる電流の積に比例するが、薄膜構造のヘ
ッドにおいてｄ、巻数を多くとることが困難であり、電
流値を大きくせざるを得ない。電流値が大きくなると、
巻線の電気抵抗にもとづくジュール熱が発生することに
なり、磁気テープに記録する場合等においてＣ２磁気テ
ープの走行を停止し、テープ摺動面２１に磁気テープが
接触した状態で記録電流を通じた場合には、発生したジ
ュール熱に」：って磁気テープが損傷を受けることもあ
る。寸だ、磁性層７や基板１の磁気特性も温度土Ｈによ
って劣化する。しだがって、この発４ｔりする熱を放散
させ磁気ヘッドの温度上昇を防ｔｌ＝することが必要で
ある。
しかし、各絶縁層および保護層８としては、一般に真空
蒸着によるＳｉＯあるいは８１０２等が用いられ、その
熱伝導率は、０．００３ ｃ ａ ｌ ７ｃｍ −Ｓｅ
ｃ −℃程度てあって、熱の不良導体である。各絶縁層
は薄膜であるため、その悪影響は寸だ軽微であるが、保
護層８は厚みも大きく、これに」：る熱絶縁のために磁
気ヘッドの温度上昇が回避されないといってもよい。
蒸着によるＳｉＯあるいは８１０２等が用いられ、その
熱伝導率は、０．００３ ｃ ａ ｌ ７ｃｍ −Ｓｅ
ｃ −℃程度てあって、熱の不良導体である。各絶縁層
は薄膜であるため、その悪影響は寸だ軽微であるが、保
護層８は厚みも大きく、これに」：る熱絶縁のために磁
気ヘッドの温度上昇が回避されないといってもよい。
この保護層８を熱伝導率の高い材料、たとえばＣｕ等の
金属にすることが考えられるが、テープ摺動面２１にそ
の様な軟質の金属が広い面積にわたって露出するとテー
プ摺動によって金属が塑性流動を生じたりして、磁気ヘ
ッドのギャップがくずれてし１い、正常に機能しなくな
るだめ不適当である。
金属にすることが考えられるが、テープ摺動面２１にそ
の様な軟質の金属が広い面積にわたって露出するとテー
プ摺動によって金属が塑性流動を生じたりして、磁気ヘ
ッドのギャップがくずれてし１い、正常に機能しなくな
るだめ不適当である。
保ｇ４層８としてセラミックを用いることも考えられる
。七ラミックの熱伝導率は５１０２に比べて１桁程度大
きいため熱の発生はやや軽減される可能性がある。しか
しセラミックの膜は一般にスパッタリング等の方法で形
成されるだめ成膜速度が低く、膜形成に１０時間程度を
要し実用的ではない。
。七ラミックの熱伝導率は５１０２に比べて１桁程度大
きいため熱の発生はやや軽減される可能性がある。しか
しセラミックの膜は一般にスパッタリング等の方法で形
成されるだめ成膜速度が低く、膜形成に１０時間程度を
要し実用的ではない。
次に第３図に示した再生用の薄膜磁気ヘッドの場合には
次の様な問題点がある。
次の様な問題点がある。
ＭＲ素子から得られる出力電圧は、ＭＲ素子に流す電流
の電流密度に比例する。すなわち再生感度を上げようと
すれば、電流を多く流せばよい。
の電流密度に比例する。すなわち再生感度を上げようと
すれば、電流を多く流せばよい。
しかしそうなれば第２図の例の場合と同様に、通電によ
るジュール熱の発生がある。第３図の場合にも各絶縁層
および保護層１８の材質は第２図と同様のＳｉＯあるい
はＳ ｘ ０２ であり、放熱は極めて不利である。Ｍ
Ｒ素子はその温度が上昇すると急激に雑音を発生する特
性を有しており、従来の構成では感度を上げるために電
流を多く流すことが出来ず、やむを得ず低い感度で使用
せざるを得なかった。
るジュール熱の発生がある。第３図の場合にも各絶縁層
および保護層１８の材質は第２図と同様のＳｉＯあるい
はＳ ｘ ０２ であり、放熱は極めて不利である。Ｍ
Ｒ素子はその温度が上昇すると急激に雑音を発生する特
性を有しており、従来の構成では感度を上げるために電
流を多く流すことが出来ず、やむを得ず低い感度で使用
せざるを得なかった。
第２図および第３図の場合に共通ずる最大の問題点け、
保護層８および１８の熱伝導率が悪いことであり、耐摩
耗性と熱伝導性に優れ、かつ膜形成が容易な保護層が望
丑れていた。
保護層８および１８の熱伝導率が悪いことであり、耐摩
耗性と熱伝導性に優れ、かつ膜形成が容易な保護層が望
丑れていた。
問題点を解決するだめの手段
以」−に述べた様なＳ １０ 、 Ｓ Ｎｏ ２等の従
来の保護層の問題点を解決する手段として、ダイヤモン
ドを保護膜とすることが考えられる。ダイヤモンドの熱
伝導率は、Ｉ型のダイヤモンドが１．３〜２．１ｃａ
ｌ ７ｃｍ −′ｉｅｃ ・℃、 ｌ型のダイヤモン
ドが４．４ｃａｌ／ｃｍ ５ＩＩＣ℃程度であり、金属
を上まわる熱伝導率を有している。またダイヤモンドは
物質中で最高の硬度を示す物質であり、化学的にも極め
て安定であるから薄膜磁気ヘッドの保護層として用いた
場合にも、テープ摺動面に露出しだ保護層がヘッドの耐
摩耗性を劣化させることは無く、むしろ耐摩耗性を向上
させることが可能である。
来の保護層の問題点を解決する手段として、ダイヤモン
ドを保護膜とすることが考えられる。ダイヤモンドの熱
伝導率は、Ｉ型のダイヤモンドが１．３〜２．１ｃａ
ｌ ７ｃｍ −′ｉｅｃ ・℃、 ｌ型のダイヤモン
ドが４．４ｃａｌ／ｃｍ ５ＩＩＣ℃程度であり、金属
を上まわる熱伝導率を有している。またダイヤモンドは
物質中で最高の硬度を示す物質であり、化学的にも極め
て安定であるから薄膜磁気ヘッドの保護層として用いた
場合にも、テープ摺動面に露出しだ保護層がヘッドの耐
摩耗性を劣化させることは無く、むしろ耐摩耗性を向上
させることが可能である。
ダイヤモンドの薄膜を形成する技術に関しては多くの報
告がなされている。
告がなされている。
（参考文献）
（１）難波義捷：ダイヤモンド薄膜の低圧合成の研究、
応用機械工学、１９８４年７月号 （２）松本精一部：ダイヤモンドの低圧合成、現代化学
、１９８４年９月号 （３）瀬高信雄：ダイヤモンドの低圧合成２日本産業技
術振興協会、技術資料／ｇ １ｓ ｓ 、 ５９／６／
２０しかしながら、いずれも丑だ研究段階であり、未だ
実用には至っていない。
応用機械工学、１９８４年７月号 （２）松本精一部：ダイヤモンドの低圧合成、現代化学
、１９８４年９月号 （３）瀬高信雄：ダイヤモンドの低圧合成２日本産業技
術振興協会、技術資料／ｇ １ｓ ｓ 、 ５９／６／
２０しかしながら、いずれも丑だ研究段階であり、未だ
実用には至っていない。
我々は、ダイヤモンドに近い特性を示す高硬度の炭素膜
を形成する方法を開発した（黒用英雄。
を形成する方法を開発した（黒用英雄。
他：プラズマ・インジェクションＣＶＤ法による高硬度
炭素膜の形成及び評価、昭和６０年年度様学会春季大会
学術講演会論文集、ＩＧ；４２２）。
炭素膜の形成及び評価、昭和６０年年度様学会春季大会
学術講演会論文集、ＩＧ；４２２）。
我々の開発した方法は、メタンガス等の炭化水素ガスを
材料ガスとして、１０〜２０Ｐａの低圧力でこれをプラ
ズマ化し、プラズマもしくはプラズマ中のイオンを加速
電界によって基板に噴射し、基板を加熱することなく、
最高５０００人／分程度の高速で成膜することが可能な
ものであり、我々はプラズマ・インジェクションＣＶＤ
法と称している（以下、ＰＩ−ＣＶＤ法と略す）。
材料ガスとして、１０〜２０Ｐａの低圧力でこれをプラ
ズマ化し、プラズマもしくはプラズマ中のイオンを加速
電界によって基板に噴射し、基板を加熱することなく、
最高５０００人／分程度の高速で成膜することが可能な
ものであり、我々はプラズマ・インジェクションＣＶＤ
法と称している（以下、ＰＩ−ＣＶＤ法と略す）。
ＰＩ−ＣＶＤ法によって形成した膜は、ＳＰ５ないしＳ
Ｐ の電子配置を含む、ダイヤモンドに近い結合状態の
アモルファス状炭素からなっており、ビッカース硬さは
２０００〜３０００ Ｋｇ／ｍｌ 、熱伝導率は０ 、
６ Ｃａ ｌ ７ｃｍ ＳｅＣ・℃程度である。寸た比
抵抗および屈折率は成膜条件によるが、それぞれ、１０
’−１０１３０−ｃｍ、２．０〜２．４程度となる。
Ｐ の電子配置を含む、ダイヤモンドに近い結合状態の
アモルファス状炭素からなっており、ビッカース硬さは
２０００〜３０００ Ｋｇ／ｍｌ 、熱伝導率は０ 、
６ Ｃａ ｌ ７ｃｍ ＳｅＣ・℃程度である。寸た比
抵抗および屈折率は成膜条件によるが、それぞれ、１０
’−１０１３０−ｃｍ、２．０〜２．４程度となる。
膜の成分は、基本的には炭素であるが、水素等の不純物
を若干含むこともある。
を若干含むこともある。
すなわちＰ ｌ−ＣＶＤ法による高硬度の炭素を、薄膜
磁気ヘッドの保護層として用いるならば、金属と同程度
の熱伝導率と、セラミックと同程度の硬度と耐摩耗性を
付与することが可能となり、従来例で述べた問題点を解
決することが出来る。
磁気ヘッドの保護層として用いるならば、金属と同程度
の熱伝導率と、セラミックと同程度の硬度と耐摩耗性を
付与することが可能となり、従来例で述べた問題点を解
決することが出来る。
作 用
ＰＩ−ＣＶＤ法による高硬度の炭素膜を、薄膜磁気ヘッ
ドの保護層として用いるならば、金属と同程度の熱伝導
率を有することから、通電によって発生するジュール熱
を保護板にすみやかに伝熱することが可能となり、多く
の電流を流すことが可能となり、薄膜磁気ヘッドの記録
特性あるいは再生特性を大いに改善することが可能とな
る。さらに、この保護層はセラミックと同程度の硬度を
１０ 、 有し、耐摩耗性も同等以上であることから、テープとの
摺動においてもヘッドを保護し、ヘッドの寿命を改善す
ることが出来る。
ドの保護層として用いるならば、金属と同程度の熱伝導
率を有することから、通電によって発生するジュール熱
を保護板にすみやかに伝熱することが可能となり、多く
の電流を流すことが可能となり、薄膜磁気ヘッドの記録
特性あるいは再生特性を大いに改善することが可能とな
る。さらに、この保護層はセラミックと同程度の硬度を
１０ 、 有し、耐摩耗性も同等以上であることから、テープとの
摺動においてもヘッドを保護し、ヘッドの寿命を改善す
ることが出来る。
またＰ ｌ−ＣＶＤ法によれば、室温での成膜が可能で
あり、パーマロイ等の磁性層を劣化させる危険もない。
あり、パーマロイ等の磁性層を劣化させる危険もない。
さらに成膜速度が高いために、とれを工業的に実施する
ことは容易である。
ことは容易である。
実施例
第１図に本発明の実施例を示す。本発明は記録用の薄膜
磁気ヘッドおよび再生用の薄膜磁気ヘッドはもちろんの
こと、薄膜構造で電磁変換部を構成する磁気ヘッド全般
に適用されるものであるから、電磁変換部の詳細な構成
については省略することとする。
磁気ヘッドおよび再生用の薄膜磁気ヘッドはもちろんの
こと、薄膜構造で電磁変換部を構成する磁気ヘッド全般
に適用されるものであるから、電磁変換部の詳細な構成
については省略することとする。
基板２３の上に、電磁変換部２４が形成されている。電
磁変換部２４は、導電層、絶縁層、磁性層等を積層した
構造である。導電層の材質としてはＡｕ／Ｃｒ 、 Ｃ
ｕ 、 Ａ Ｉ等が用いられる。絶縁層の材質としては
Ｓｉｎ、ＳｉＯ２等が用いられるが、ここにＰＩ−ＣＶ
Ｄ法による高硬度炭素膜を使用することも可能であり、
熱伝導性の良さを発揮出来る。
磁変換部２４は、導電層、絶縁層、磁性層等を積層した
構造である。導電層の材質としてはＡｕ／Ｃｒ 、 Ｃ
ｕ 、 Ａ Ｉ等が用いられる。絶縁層の材質としては
Ｓｉｎ、ＳｉＯ２等が用いられるが、ここにＰＩ−ＣＶ
Ｄ法による高硬度炭素膜を使用することも可能であり、
熱伝導性の良さを発揮出来る。
しかしＰ ｌ−ＣＶＤ法による高硬度炭素膜は化学的に
安定であるため、エツチング等によるパターン形成が困
難となるため、電磁変換部２４のような複雑な構成の中
で用いるのは適当でない。
安定であるため、エツチング等によるパターン形成が困
難となるため、電磁変換部２４のような複雑な構成の中
で用いるのは適当でない。
磁性層としてはパーマロイ等のＮｉ−Ｆｅ系合金が使用
される。電磁変換部２４の上面は、通常の構成では磁性
層があられれる。ここでＰ Ｉ −ＣＶＤ法を適用する
場合の問題点について触れる。この方法は前述の様々特
徴を有しているが、膜の付着力は基板材料との化学的な
結合力が強く依存しており、任意の材料に対して強固な
膜を形成出来るものではない。Ｐ ｌ−ＣＶＤ法によっ
て高硬度の炭素膜を形成することが可能々材質は以下の
通りである。
される。電磁変換部２４の上面は、通常の構成では磁性
層があられれる。ここでＰ Ｉ −ＣＶＤ法を適用する
場合の問題点について触れる。この方法は前述の様々特
徴を有しているが、膜の付着力は基板材料との化学的な
結合力が強く依存しており、任意の材料に対して強固な
膜を形成出来るものではない。Ｐ ｌ−ＣＶＤ法によっ
て高硬度の炭素膜を形成することが可能々材質は以下の
通りである。
寸ず、Ｓｔ、Ｇｅ、Ｂおよびそれらの化合物とは非常に
強い結合が可能である。次に、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ。
強い結合が可能である。次に、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ。
Ｎｉ、Ｍｎ等の鉄型金属もしくはそれらを主成分とする
合金とも強い結合が可能である。さらに、Ａｅ。
合金とも強い結合が可能である。さらに、Ａｅ。
Ｂｅ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ等の金属もしく
はそれらを主成分とする合金も基板材質として使用でき
る。
はそれらを主成分とする合金も基板材質として使用でき
る。
すなわち、薄膜磁気ヘッドの磁性層としてなく用いられ
る。Ｎｉ−Ｆｅ系の合金に対して、ＰＩ−ＣＶＤ法で高
硬度の炭素膜を形成することは容易であり、その特徴を
よく発揮した応用例とみることが出来る。
る。Ｎｉ−Ｆｅ系の合金に対して、ＰＩ−ＣＶＤ法で高
硬度の炭素膜を形成することは容易であり、その特徴を
よく発揮した応用例とみることが出来る。
一方、ＰＩ−ＣＶＤ法で高硬度炭素膜を形成することが
困難な材質としてＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等があげられる。こ
れらの材質は薄膜磁気ヘッドの導電層として用いられる
ことがあり、この表面にＰＩ−ＣＶＤ法による高硬度炭
素膜を直接形成することは好ましくないが、表面の一部
に含まれる場合には、他の部分に強く付着した膜に支え
られるため、実用上は問題はない。しかし、さらに確実
に成膜をしようとするならば、Ｐ ｌ−ＣＶＤ法による
成膜を行う前に、その下地として、ＳｉＣ等をスパッタ
リング等の手段で薄く形成しておくととが有効である。
困難な材質としてＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等があげられる。こ
れらの材質は薄膜磁気ヘッドの導電層として用いられる
ことがあり、この表面にＰＩ−ＣＶＤ法による高硬度炭
素膜を直接形成することは好ましくないが、表面の一部
に含まれる場合には、他の部分に強く付着した膜に支え
られるため、実用上は問題はない。しかし、さらに確実
に成膜をしようとするならば、Ｐ ｌ−ＣＶＤ法による
成膜を行う前に、その下地として、ＳｉＣ等をスパッタ
リング等の手段で薄く形成しておくととが有効である。
電磁変換部２４の上には、以−１−に述べたように、Ｐ
ｌ−ＣＶＤ法によって形成された高硬度の炭素膜より
なる保護層２５が形成されている。保護層２６の」二面
は電磁変換部２４の凹凸を反映して数ミクロンの凹凸を
有しているが、これをダイヤモンド砥石等による研削加
工、あるいはラッピングによって平坦化し、接着層２６
によって保護板２７を接着する。接着剤としては低融点
ガラスあるいはエポキシ樹脂等が用いられる。保護層２
５の」−面を平坦化することによって、保護板２７との
密着性が良く々す、熱をすみやかに放散させることが出
来る。
ｌ−ＣＶＤ法によって形成された高硬度の炭素膜より
なる保護層２５が形成されている。保護層２６の」二面
は電磁変換部２４の凹凸を反映して数ミクロンの凹凸を
有しているが、これをダイヤモンド砥石等による研削加
工、あるいはラッピングによって平坦化し、接着層２６
によって保護板２７を接着する。接着剤としては低融点
ガラスあるいはエポキシ樹脂等が用いられる。保護層２
５の」−面を平坦化することによって、保護板２７との
密着性が良く々す、熱をすみやかに放散させることが出
来る。
しかし、保護層２５の上面を平坦化しない場合にも、保
護層２６の熱伝導性が良好であれば、電磁変換部２４で
発生した熱の放散は従来例に比べればすみやかに行われ
るため、必ずしも上面を平坦化する必要はない。
護層２６の熱伝導性が良好であれば、電磁変換部２４で
発生した熱の放散は従来例に比べればすみやかに行われ
るため、必ずしも上面を平坦化する必要はない。
媒体当接面２８は、テープ、ディスク等の記録媒体とス
ムーズに接触するよう表面を平滑に仕上げられるが、保
護層２５の炭素はダイヤモンドに１４、 比べれば軟質であり、基板２３や保護板２７と同時に研
摩しても特に問題は々い。
ムーズに接触するよう表面を平滑に仕上げられるが、保
護層２５の炭素はダイヤモンドに１４、 比べれば軟質であり、基板２３や保護板２７と同時に研
摩しても特に問題は々い。
発明の効果
本発明によれば、Ｐ ｌ−ＣＶＤ法による高硬度炭素膜
を保護層とすることによって、電磁変換部で発生した熱
をすみやかに放散させることが出来るため、電流を多く
流すことが可能となり、薄膜磁気ヘッドの記録特性ある
いは再生特性を太いに向上しうるものであって、垂直磁
気記録等の今後の高密度記録用磁気ヘッド等にとって極
めて有用である。
を保護層とすることによって、電磁変換部で発生した熱
をすみやかに放散させることが出来るため、電流を多く
流すことが可能となり、薄膜磁気ヘッドの記録特性ある
いは再生特性を太いに向上しうるものであって、垂直磁
気記録等の今後の高密度記録用磁気ヘッド等にとって極
めて有用である。
第１図は本発明の一実施例における薄膜磁気ヘッドの要
部拡大断面図、第２図は従来例の記録用薄膜磁気ヘッド
の要部拡大断面図、第３図は従来例の再生用薄膜磁気ヘ
ッドの要部拡大断面図である。 １．１１．２３・・・・・・基板、礼 ４． ６． １
２゜１４．１６・・・・・・絶縁層、３・・・・・・信
号巻線、５，１３・・・・・・バイアス線、７，１７・
・・・・磁性層、８．１８゜２５・・・・保護層、９，
１９．２６・・・・・接着層、１５・・・・・・ＭＲ素
子、２４・・・・・電磁変換部、１０，２０゜２７・・
・・・・保護板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 ／ｌ光躊Ａ 手続補正書 ｎｔ３和６０イ１．９刀、３１」 ’４’！Ｊ’ Ｒ’Ｉ庁長官殿 ２発明の名称 薄膜磁気ヘッド ３補正をする者 ４１件とＯ）関係 ９！１′ 許 出
願 人任 ｉ！Ｉｉ 大阪府門真市大字門真
１００６番地名 称 （５８２）松下電器産業株式会社
代表者 山 下 俊 彦 ４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 ６補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補ＩＦの内容 （１）明細書第２頁第１５行目の「Ｎ’１−Ｆｅ合」を
ｒＮｉ−Ｆｅ合金」に補正し−ｆす。 （２）同第９頁第４行目の「２．０〜２．４」を１２．
０〜３．０」に補正し１ず。 （３）同第１１頁第１２行目の「結合力が」を「結合力
に」に補正し丑す。 （４） 同第１２頁第４〜５行目の１磁性層としてな
く用いられている。」ヲ「磁性層として多く用いられて
いる」に補正し捷す。
部拡大断面図、第２図は従来例の記録用薄膜磁気ヘッド
の要部拡大断面図、第３図は従来例の再生用薄膜磁気ヘ
ッドの要部拡大断面図である。 １．１１．２３・・・・・・基板、礼 ４． ６． １
２゜１４．１６・・・・・・絶縁層、３・・・・・・信
号巻線、５，１３・・・・・・バイアス線、７，１７・
・・・・磁性層、８．１８゜２５・・・・保護層、９，
１９．２６・・・・・接着層、１５・・・・・・ＭＲ素
子、２４・・・・・電磁変換部、１０，２０゜２７・・
・・・・保護板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 ／ｌ光躊Ａ 手続補正書 ｎｔ３和６０イ１．９刀、３１」 ’４’！Ｊ’ Ｒ’Ｉ庁長官殿 ２発明の名称 薄膜磁気ヘッド ３補正をする者 ４１件とＯ）関係 ９！１′ 許 出
願 人任 ｉ！Ｉｉ 大阪府門真市大字門真
１００６番地名 称 （５８２）松下電器産業株式会社
代表者 山 下 俊 彦 ４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 ６補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補ＩＦの内容 （１）明細書第２頁第１５行目の「Ｎ’１−Ｆｅ合」を
ｒＮｉ−Ｆｅ合金」に補正し−ｆす。 （２）同第９頁第４行目の「２．０〜２．４」を１２．
０〜３．０」に補正し１ず。 （３）同第１１頁第１２行目の「結合力が」を「結合力
に」に補正し丑す。 （４） 同第１２頁第４〜５行目の１磁性層としてな
く用いられている。」ヲ「磁性層として多く用いられて
いる」に補正し捷す。
Claims (2)
- （１）基板上に導電層、絶縁層、磁性層等を積層した電
磁変換部が構成され、この電磁変換部の上に炭素もしく
は炭素を主成分とする保護層が形成され、この保護層の
上に保護板が接着された薄膜磁気ヘッド。 - （２）保護層が、プラズマもしくはイオンを使用して低
温、低圧で形成されたダイヤモンド状炭素である特許請
求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60056778A JPS61216109A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60056778A JPS61216109A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61216109A true JPS61216109A (ja) | 1986-09-25 |
Family
ID=13036897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60056778A Pending JPS61216109A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61216109A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995018442A1 (en) * | 1993-12-30 | 1995-07-06 | Seagate Technology, Inc. | Amorphous diamond-like carbon gaps in magnetoresistive heads |
| US5640292A (en) * | 1996-01-17 | 1997-06-17 | Seagate Technology, Inc. | Diamond-like carbon encapsulation of magnetic heads |
| US5644455A (en) * | 1993-12-30 | 1997-07-01 | Seagate Technology, Inc. | Amorphous diamond-like carbon gaps in magnetoresistive heads |
| US5658470A (en) * | 1995-12-13 | 1997-08-19 | Seagate Technology, Inc. | Diamond-like carbon for ion milling magnetic material |
| US5681426A (en) * | 1995-12-13 | 1997-10-28 | Seagate Technology, Inc. | Diamond-like carbon wet etchant stop for formation of magnetic transducers |
-
1985
- 1985-03-20 JP JP60056778A patent/JPS61216109A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995018442A1 (en) * | 1993-12-30 | 1995-07-06 | Seagate Technology, Inc. | Amorphous diamond-like carbon gaps in magnetoresistive heads |
| US5644455A (en) * | 1993-12-30 | 1997-07-01 | Seagate Technology, Inc. | Amorphous diamond-like carbon gaps in magnetoresistive heads |
| US5658470A (en) * | 1995-12-13 | 1997-08-19 | Seagate Technology, Inc. | Diamond-like carbon for ion milling magnetic material |
| US5681426A (en) * | 1995-12-13 | 1997-10-28 | Seagate Technology, Inc. | Diamond-like carbon wet etchant stop for formation of magnetic transducers |
| US6215630B1 (en) | 1995-12-13 | 2001-04-10 | Seagate Technology Llc | Diamond-like carbon and oxide bilayer insulator for magnetoresistive transducers |
| US5640292A (en) * | 1996-01-17 | 1997-06-17 | Seagate Technology, Inc. | Diamond-like carbon encapsulation of magnetic heads |
| US5718949A (en) * | 1996-01-17 | 1998-02-17 | Seagate Technology, Inc. | Diamond-like carbon encapsulation of magnetic heads |
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