JPS61220392A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
- Publication number
- JPS61220392A JPS61220392A JP60061495A JP6149585A JPS61220392A JP S61220392 A JPS61220392 A JP S61220392A JP 60061495 A JP60061495 A JP 60061495A JP 6149585 A JP6149585 A JP 6149585A JP S61220392 A JPS61220392 A JP S61220392A
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- Japan
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体発光素子、特に屈折率導波による横モー
ド制御型の半導体レーデ素子の改良に関する。
ド制御型の半導体レーデ素子の改良に関する。
半導体レーデは光通信用あるいは光デイスク用の光源と
して用いられる。この何れの用途に使用する場合にも安
定した横モードで発振することが要求さ、れ、横モード
制御型の半導体レーデ素子として第２図および第３図の
ものが従来知られている。
して用いられる。この何れの用途に使用する場合にも安
定した横モードで発振することが要求さ、れ、横モード
制御型の半導体レーデ素子として第２図および第３図の
ものが従来知られている。
第２図のレーデ素子では、同図囚に示すようにｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１の上にｎ ＭＩ Ａｔ、Ｇａ 、−、Ａｓ層
からなる第一クラッド層２、アンドープＡｊｘＧａ、、
Ａｓからなる活性層３、ｐ型紅ｚＧａ １−ｚ Ａｓか
らなる高屈折率の光ガイド層４およびｎ ｍＧａＡｓか
らなる電流狭搾層５を頴次ＭＯ−ＣＶＤ （Ｍｅｔａｌ
ＯｒｇａｎｌｃＣｈ＠ｍ１ｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅ
ｐｏｓｌｔｉｏｎ）法によシ積層形成し念後、電流狭搾
層５を選択的にエツチングして同図（Ｂ） Ｋ示すよう
にストライプ溝を形成し、更にｐ型紅ｙＧ’ １−アＡ
３からなる第二クラッド層６およびｐ型ＧａＡｓからな
るコンタクト層を形成し九構造を有している（第２図（
Ｃ）図示）。
Ａｓ基板１の上にｎ ＭＩ Ａｔ、Ｇａ 、−、Ａｓ層
からなる第一クラッド層２、アンドープＡｊｘＧａ、、
Ａｓからなる活性層３、ｐ型紅ｚＧａ １−ｚ Ａｓか
らなる高屈折率の光ガイド層４およびｎ ｍＧａＡｓか
らなる電流狭搾層５を頴次ＭＯ−ＣＶＤ （Ｍｅｔａｌ
ＯｒｇａｎｌｃＣｈ＠ｍ１ｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅ
ｐｏｓｌｔｉｏｎ）法によシ積層形成し念後、電流狭搾
層５を選択的にエツチングして同図（Ｂ） Ｋ示すよう
にストライプ溝を形成し、更にｐ型紅ｙＧ’ １−アＡ
３からなる第二クラッド層６およびｐ型ＧａＡｓからな
るコンタクト層を形成し九構造を有している（第２図（
Ｃ）図示）。
とのレーザ素子では、活性層３とその両側の第一クラッ
ド層２および光ガイド層４とのダブルへテロ接合によっ
てキャリアが活性層３内に閉じ込められる。そして、活
性層３の膜厚方向の横モードは、活性層３の膜厚を充分
に薄く（通常Ｆｉ０．２μｍ）することで略単−モード
が達成されている。他方、活性層３の接合面に平行な方
向の横モードについては電流狭搾層５によって制御され
る。即ち、ＧａＡｓは光を吸収するため、電流狭搾層５
が存在しないストライプ溝の内側領域では溝の外側領域
よシも屈折率が高くなシ、屈折率導波による横モード制
御が行なわれる。また、電流狭搾層５によシミ流がスト
ライプ溝領域に狭搾される結果、キャリアがこの領域に
のみ注入されてストライプ溝の外側との間で光の利得差
が生じるから、利得導波による横そ一ド制御も寄与する
。
ド層２および光ガイド層４とのダブルへテロ接合によっ
てキャリアが活性層３内に閉じ込められる。そして、活
性層３の膜厚方向の横モードは、活性層３の膜厚を充分
に薄く（通常Ｆｉ０．２μｍ）することで略単−モード
が達成されている。他方、活性層３の接合面に平行な方
向の横モードについては電流狭搾層５によって制御され
る。即ち、ＧａＡｓは光を吸収するため、電流狭搾層５
が存在しないストライプ溝の内側領域では溝の外側領域
よシも屈折率が高くなシ、屈折率導波による横モード制
御が行なわれる。また、電流狭搾層５によシミ流がスト
ライプ溝領域に狭搾される結果、キャリアがこの領域に
のみ注入されてストライプ溝の外側との間で光の利得差
が生じるから、利得導波による横そ一ド制御も寄与する
。
なお、光の進行方向（ストライプ溝の方向に一致）での
モード、即ち縦モードについては、結晶端面での無限回
反射によシ定在波が形成され、単一モードによるレーデ
発振が行なわれる。
モード、即ち縦モードについては、結晶端面での無限回
反射によシ定在波が形成され、単一モードによるレーデ
発振が行なわれる。
次に、第３図のレーデ素子について説明すると、この素
子構造では活性層３の直上に第二クラッド層６が形成さ
れておシ、この場合には活性層３とその両側のクラッド
層２，６がダブル−＼テロ接合？形成している。また、
第二クラッド層６の上に成長された電流狭搾層５の表面
からストライプ溝が形成され、この場合は第二クラッド
層６の一部膜厚に亘ってストライプ溝が形成される。そ
の後、光ガイド層４、ｐ型ｕｙＧａ、−ｙＡｓからなる
第三クラッド層８、コンタクト層７を順次積層成長させ
た構造になっている。
子構造では活性層３の直上に第二クラッド層６が形成さ
れておシ、この場合には活性層３とその両側のクラッド
層２，６がダブル−＼テロ接合？形成している。また、
第二クラッド層６の上に成長された電流狭搾層５の表面
からストライプ溝が形成され、この場合は第二クラッド
層６の一部膜厚に亘ってストライプ溝が形成される。そ
の後、光ガイド層４、ｐ型ｕｙＧａ、−ｙＡｓからなる
第三クラッド層８、コンタクト層７を順次積層成長させ
た構造になっている。
上記第３図のレーデ素子の場合、高屈折率の光ガイド層
４がストライプ溝の領域でのみ活性層３に近接して存在
するから、光が感じる屈折率はストライプ溝の内側の方
が外側よシも高くなシ、屈折率導波による横モード制御
が行なわれる。また、活性層３で発生し九九がストライ
プ溝領域で光ガイド層６に導波されるため、活性層３に
対して垂直な方向での発光領域が拡大されたのと等価な
状況が得られる結果、外部に照射されるレーザビームの
円形性が改善されることになる。
４がストライプ溝の領域でのみ活性層３に近接して存在
するから、光が感じる屈折率はストライプ溝の内側の方
が外側よシも高くなシ、屈折率導波による横モード制御
が行なわれる。また、活性層３で発生し九九がストライ
プ溝領域で光ガイド層６に導波されるため、活性層３に
対して垂直な方向での発光領域が拡大されたのと等価な
状況が得られる結果、外部に照射されるレーザビームの
円形性が改善されることになる。
第２図（Ｑのレーデ素子構造ではｎ型ＧａＡｓ電流狭搾
層５の光吸収でストライプ溝領域の内側と外側との屈折
率差を得ているため、横モード安定化のための所要の屈
折率差を得るためには電流狭搾層５を活性層３に充分近
づけなければならない。これは光吸収のために電流の注
入効率が低下することを意味し、従って発振閾値が高く
なるという問題が生じている。
層５の光吸収でストライプ溝領域の内側と外側との屈折
率差を得ているため、横モード安定化のための所要の屈
折率差を得るためには電流狭搾層５を活性層３に充分近
づけなければならない。これは光吸収のために電流の注
入効率が低下することを意味し、従って発振閾値が高く
なるという問題が生じている。
他方、第３図の半導体レーデ素子では光吸収を生じる電
流狭搾層５を活性層３から充分に離間させることができ
るから、屈折率導波による横モードの制御と同時に発振
閾値の低下を図ることができる。しかし、この場合の水
平横モードの安定性はストライプ溝領域における第二ク
ラッド層６の厚さｈに大きく依存することから、次のよ
うな問題があった。
流狭搾層５を活性層３から充分に離間させることができ
るから、屈折率導波による横モードの制御と同時に発振
閾値の低下を図ることができる。しかし、この場合の水
平横モードの安定性はストライプ溝領域における第二ク
ラッド層６の厚さｈに大きく依存することから、次のよ
うな問題があった。
即ち、第３図の素子構造における上記りの制御は、スト
ライプ溝を形成する際のメサエッチングで行なわなけれ
ばならない。ところが、このメサエッチングの速度制御
は容易でなく、設定通シの深さでストライプ溝外形成す
るのは極めて困難である。また、エツチングのばらつき
が大きいため、同一のウェハー内でさえもストライで溝
の深さが異なってしまうことが多い。
ライプ溝を形成する際のメサエッチングで行なわなけれ
ばならない。ところが、このメサエッチングの速度制御
は容易でなく、設定通シの深さでストライプ溝外形成す
るのは極めて困難である。また、エツチングのばらつき
が大きいため、同一のウェハー内でさえもストライで溝
の深さが異なってしまうことが多い。
その結果、レーデの特性もウェハー内で均一性が悪く、
ＭＯ−ＣＶＤ法で結晶の均一性を向上させてもその利点
がメサエッチングのばらつきで相殺されてしまい、ＭＯ
−ＣＶＤ法の特性が生かされないのが実情であった。
ＭＯ−ＣＶＤ法で結晶の均一性を向上させてもその利点
がメサエッチングのばらつきで相殺されてしまい、ＭＯ
−ＣＶＤ法の特性が生かされないのが実情であった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、横モードの
制御性に優れると共に、低閾値および円形に近いビーム
形状を得ることができ、且つ均一な特性で製造できる半
導体発光素子を提供するものである。
制御性に優れると共に、低閾値および円形に近いビーム
形状を得ることができ、且つ均一な特性で製造できる半
導体発光素子を提供するものである。
本発明による半導体発光素子は、第１導電型の半導体基
板上に第１導電型半導体層からなる第一クラッド層、半
導体活性層、第２導電型半導体層からなる第二クラッド
層、第２導電屋の方が第１導電型よシも屈折率が高くな
る性質をもった高屈折率の第１導電型半導体層からなる
光ガイド層および第１導電型半導体層からなるコンタク
ト層を順次積層成長させ、且つ前記コンタクト層表面の
ストライブ状領域から選択的に第２導電型不純物を拡散
することによシ前記第二クラッド層に達する第２導電屋
領域を形成したことを特徴とするものである。
板上に第１導電型半導体層からなる第一クラッド層、半
導体活性層、第２導電型半導体層からなる第二クラッド
層、第２導電屋の方が第１導電型よシも屈折率が高くな
る性質をもった高屈折率の第１導電型半導体層からなる
光ガイド層および第１導電型半導体層からなるコンタク
ト層を順次積層成長させ、且つ前記コンタクト層表面の
ストライブ状領域から選択的に第２導電型不純物を拡散
することによシ前記第二クラッド層に達する第２導電屋
領域を形成したことを特徴とするものである。
上記本発明を適用した半導体レーザ素子では、不純物の
拡散領域でのみ電流が流れ得るから、従来のように特別
の電流挟挿層を形成しなくても電流挟挿機能が得られる
。即ち、本発明では第２導電型の不純物領域が従来のス
トライプ溝と作用的には等価となシ、発光領域を限定す
ることとなる。
拡散領域でのみ電流が流れ得るから、従来のように特別
の電流挟挿層を形成しなくても電流挟挿機能が得られる
。即ち、本発明では第２導電型の不純物領域が従来のス
トライプ溝と作用的には等価となシ、発光領域を限定す
ることとなる。
また、光ガイド層は発光領域の第２導電型部分とその外
側の部分で屈折率に差が生じ、屈折率導波による横モー
ド制御が行なわれる。
側の部分で屈折率に差が生じ、屈折率導波による横モー
ド制御が行なわれる。
従って、本発明を半導体レーデ素子に適用すれば活性層
近くに光吸収性の電流挟挿層を設ける必要がないため低
閾値を達成でき、また横モードの安定性に大きく影響す
る光ガイド層と活性層との間の距離は第二クラッド層結
晶成長によ〕容易に制御できる。
近くに光吸収性の電流挟挿層を設ける必要がないため低
閾値を達成でき、また横モードの安定性に大きく影響す
る光ガイド層と活性層との間の距離は第二クラッド層結
晶成長によ〕容易に制御できる。
第１図囚、（Ｂ）は本発明の一実施例になる半導体レー
デ素子を説明するための断面図である。
デ素子を説明するための断面図である。
この実施例では、第１図（４）の積層構造を形成した後
、同図（Ｂ）に斜線を付した領域に選択的に不純物を拡
散した構造になっている。そこで、まず第１図（囚につ
いて説明すると、同図において１１はｎ屋ＧａＡｓ基板
である。該ｎ型ＧａＡｓ基板上にはｎ型ｕｙＧａ 、−
アＡｓからなる第一クラッド層１２、アンドーグＡＺｘ
Ｇａ 、−ｘＡ畠からなる活性層１３、ｐ型ＡＺｙＧ
ａ 、−アＡ８からなる第二クラッド層１４が順次積層
されている。更に、その上にはｎ＋型ＭｚＧ ａ １−
、Ａ ｍからなる光ガイド層１５およびｎ型ＧａＡｓ
からなるコンタクト層１６が積層成長されている。即ち
、この段階で第３図の従来例と比較し死場合、光ガイド
層１５がｎ型、コンタクト層１６がｎ型として形成され
ているのがこの実施例の特徴になっている。そして、第
１図（Ｂ）に示すようにコンタクト層Ｉ６の表面からｐ
型不純物である亜鉛を選択的に拡散することによシ、第
二クラッド層１４に達するストライプ状のｐ＋型領領域
図中斜線を付して示す領域）１７が形成されている。従
って、この実施例ではｐ＋型領領域１７通してのみ電流
が流れることとなり、このｐ＋１１拡散領域１７自身の
積極的電流挟挿機能によりストライプ状の発光領域が限
定されている。また、この亜鉛拡散によって光ガイド層
１５はストライプ領域のみがＰ＋型化され、その周囲は
ｎ＋２のｔｔ残されている。
、同図（Ｂ）に斜線を付した領域に選択的に不純物を拡
散した構造になっている。そこで、まず第１図（囚につ
いて説明すると、同図において１１はｎ屋ＧａＡｓ基板
である。該ｎ型ＧａＡｓ基板上にはｎ型ｕｙＧａ 、−
アＡｓからなる第一クラッド層１２、アンドーグＡＺｘ
Ｇａ 、−ｘＡ畠からなる活性層１３、ｐ型ＡＺｙＧ
ａ 、−アＡ８からなる第二クラッド層１４が順次積層
されている。更に、その上にはｎ＋型ＭｚＧ ａ １−
、Ａ ｍからなる光ガイド層１５およびｎ型ＧａＡｓ
からなるコンタクト層１６が積層成長されている。即ち
、この段階で第３図の従来例と比較し死場合、光ガイド
層１５がｎ型、コンタクト層１６がｎ型として形成され
ているのがこの実施例の特徴になっている。そして、第
１図（Ｂ）に示すようにコンタクト層Ｉ６の表面からｐ
型不純物である亜鉛を選択的に拡散することによシ、第
二クラッド層１４に達するストライプ状のｐ＋型領領域
図中斜線を付して示す領域）１７が形成されている。従
って、この実施例ではｐ＋型領領域１７通してのみ電流
が流れることとなり、このｐ＋１１拡散領域１７自身の
積極的電流挟挿機能によりストライプ状の発光領域が限
定されている。また、この亜鉛拡散によって光ガイド層
１５はストライプ領域のみがＰ＋型化され、その周囲は
ｎ＋２のｔｔ残されている。
Ａｊ、Ｇａ、−、Ａｓはｎ型の場合に屈折率が小さく、
ｐ型の場合に屈折率が大きいことが知られており、従っ
て上記実施例における光ガイド層１５には水平方向に屈
折率分布を有している。
ｐ型の場合に屈折率が大きいことが知られており、従っ
て上記実施例における光ガイド層１５には水平方向に屈
折率分布を有している。
上記第１図（Ｂ）の実施例になる半導体レーデ素子では
、従来のようにＧａＡｓによるブロック状の電流挟挿層
を用いていない。従って、従来のように活性層１３で発
生した光が電流挟挿層で吸収されることはなく、また第
二クラッド層１４と光ガイド層１５の厚さをうまく設定
すればＧａＡｓコンタクト層による光吸収も回避できる
。
、従来のようにＧａＡｓによるブロック状の電流挟挿層
を用いていない。従って、従来のように活性層１３で発
生した光が電流挟挿層で吸収されることはなく、また第
二クラッド層１４と光ガイド層１５の厚さをうまく設定
すればＧａＡｓコンタクト層による光吸収も回避できる
。
また、上述のように光ガイド層１５はストライプ状の発
光領域で屈折率が高く、その周囲で屈折率が低くなって
いるから、屈折率導波による横モード制御が行なわれる
。従って、安定した横モード制御と発振閾値の低下が達
成され、また光ガイド層１５への導波によシ円形に近い
ビームが得られる。
光領域で屈折率が高く、その周囲で屈折率が低くなって
いるから、屈折率導波による横モード制御が行なわれる
。従って、安定した横モード制御と発振閾値の低下が達
成され、また光ガイド層１５への導波によシ円形に近い
ビームが得られる。
更に、上記実施例の構造では光ガイド層１５と活性層１
３の間の距離が第二クラッド層１４の結晶成長によって
のみ決まるから、メサエッチングで制御する第３図の従
来例に較べて制御性、均−性共に優れた素子を得ること
が可能である。
３の間の距離が第二クラッド層１４の結晶成長によって
のみ決まるから、メサエッチングで制御する第３図の従
来例に較べて制御性、均−性共に優れた素子を得ること
が可能である。
加えて、従来のように途中でストライプ溝形成のための
メサエッチングを行なうことなく、−回の結晶成長で製
造できるため、生産性の点でも大きな利点を有している
。
メサエッチングを行なうことなく、−回の結晶成長で製
造できるため、生産性の点でも大きな利点を有している
。
なお、第１図（Ｂ）の実施例で第二クラッド層１４およ
び光ガイド層１５の厚さが素子の特性を決める重要な要
素となる。両者の厚さがそれ程厚くできない場合には活
性層１３で発生した光がｎ型ＧａＡｓコンタクト層１６
に吸収され、発振閾値の上昇を招く。このような場合に
は第４図の他の実施例になる素子構造が有効である。
び光ガイド層１５の厚さが素子の特性を決める重要な要
素となる。両者の厚さがそれ程厚くできない場合には活
性層１３で発生した光がｎ型ＧａＡｓコンタクト層１６
に吸収され、発振閾値の上昇を招く。このような場合に
は第４図の他の実施例になる素子構造が有効である。
第４図の他の実施例では光ガイド層１“５とコンタクト
層１６の間に、ｎ型ＡｌｙＧａ 、□Ａｓからなる第三
クラッド層１４′が介在されており、その他の構成は総
て第１図（Ｂ）の実施例と同じである。
層１６の間に、ｎ型ＡｌｙＧａ 、□Ａｓからなる第三
クラッド層１４′が介在されており、その他の構成は総
て第１図（Ｂ）の実施例と同じである。
この第三クラッド層１４′ヲ介在させることでｎ型Ｇａ
Ａｓコンタクト層を光ガイド層１５から離間させ、コン
タクト層による光吸収を回避することができる。
Ａｓコンタクト層を光ガイド層１５から離間させ、コン
タクト層による光吸収を回避することができる。
以上詳述したように、本発明による半導体発光素子の構
造は、これを半導体レーザ素子に適用して安定した横モ
ード制御、低閾値お″よび円形に近いビーム形状を得る
ことができ、且つ特性の均一化および生産性の向上に寄
与する等、顕著な効果を奏するものである。
造は、これを半導体レーザ素子に適用して安定した横モ
ード制御、低閾値お″よび円形に近いビーム形状を得る
ことができ、且つ特性の均一化および生産性の向上に寄
与する等、顕著な効果を奏するものである。
第１図（４）、ノ）は本発明の一実施例になる半導体レ
ーデ素子の構造を説明するための断面図、第２図囚〜働
は従来の半導体レーザ素子の構造をその製造工程と共に
示す断面図、第３図は従来の半導体レーデ素子の他の例
を示す断面図、第４図は本発明の他の実施例になる半導
体レーデ素子を示す断面図である。 １１・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、１２・・・第一クラッド
層（ｎ型ＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ ）、１ ｊ ・・・活
性層（アンド−７’ ＡｌｘＧａ１−、Ａｓ ）、１４
−・第二クラッド層（ｐ型ＡｌｙＧａ 、−ｙＡｓ ）
、１４’・・・第三クラッド層（ｎ型ＡｔｙＧａ、−ｙ
Ａ−）、１５・・・光ガイド層（ｎ＋型ＡＺ、Ｇａ、−
ｚＡｓ ）、１６−・・コンタクト層（ｎ型ＧａＡｓ
）。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第２図 （Ａ） （Ｂ）（Ｃ）
ーデ素子の構造を説明するための断面図、第２図囚〜働
は従来の半導体レーザ素子の構造をその製造工程と共に
示す断面図、第３図は従来の半導体レーデ素子の他の例
を示す断面図、第４図は本発明の他の実施例になる半導
体レーデ素子を示す断面図である。 １１・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、１２・・・第一クラッド
層（ｎ型ＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ ）、１ ｊ ・・・活
性層（アンド−７’ ＡｌｘＧａ１−、Ａｓ ）、１４
−・第二クラッド層（ｐ型ＡｌｙＧａ 、−ｙＡｓ ）
、１４’・・・第三クラッド層（ｎ型ＡｔｙＧａ、−ｙ
Ａ−）、１５・・・光ガイド層（ｎ＋型ＡＺ、Ｇａ、−
ｚＡｓ ）、１６−・・コンタクト層（ｎ型ＧａＡｓ
）。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第２図 （Ａ） （Ｂ）（Ｃ）
Claims (2)
- （１）第１導電型の半導体基板上に第１導電型半導体層
からなる第一クラッド層、半導体活性層、第２導電型半
導体層からなる第二クラッド層、第２導電型の方が第１
導電型よりも屈折率が高くなる性質をもった高屈折率の
第１導電型半導体層からなる光ガイド層および第１導電
型半導体層からなるコンタクト層を順次積層成長させ、
且つ前記コンタクト層表面のストライプ状領域から選択
的に第２導電型不純物を拡散することにより前記第二ク
ラッド層に達する第２導電型領域を形成したことを特徴
とする半導体発光素子。 - （２）前記半導体基板としてＧａＡｓ、前記第一クラッ
ド層および第二クラッド層として Ａｌ＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙＡｓ、前記半導体活性層とし
てＡｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ、前記光ガイド層とし
てＡｌ＿ｚＧａ＿１＿−＿ｚＡｓを用い、且つｘ＜ｚ＜
ｙ、ｘ≧０としたことを特徴とする特許請求の範囲第（
１）項記載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60061495A JPS61220392A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60061495A JPS61220392A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61220392A true JPS61220392A (ja) | 1986-09-30 |
Family
ID=13172730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60061495A Pending JPS61220392A (ja) | 1985-03-26 | 1985-03-26 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61220392A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2647966A1 (fr) * | 1989-06-02 | 1990-12-07 | Thomson Hybrides | Laser semiconducteur a localisation de courant |
| US5559819A (en) * | 1994-04-19 | 1996-09-24 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
-
1985
- 1985-03-26 JP JP60061495A patent/JPS61220392A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2647966A1 (fr) * | 1989-06-02 | 1990-12-07 | Thomson Hybrides | Laser semiconducteur a localisation de courant |
| US5036522A (en) * | 1989-06-02 | 1991-07-30 | Thomson Hybrides | Semiconductor laser with localization of current |
| US5559819A (en) * | 1994-04-19 | 1996-09-24 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
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