JPS601883A - 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ装置及びその製造方法Info
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- JPS601883A JPS601883A JP11036883A JP11036883A JPS601883A JP S601883 A JPS601883 A JP S601883A JP 11036883 A JP11036883 A JP 11036883A JP 11036883 A JP11036883 A JP 11036883A JP S601883 A JPS601883 A JP S601883A
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
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- H01S5/223—Buried stripe structure
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- H01S5/3203—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures grown on specifically orientated substrates, or using orientation dependent growth on non-planar substrates to create thickness or compositional variations
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体レーザ装置及びその製造方法の改良に
関する。
関する。
近年、光通信用光源や光ディスク用光淵として、各錘の
半導体レーザが床机に利用されるようになっている。こ
うした応用のための半導体レーザには、横モードの制御
と同時に、低価格に生産できる量産性の優れた構造が必
要とされる。横モードの制御及び量産性に優れた構造の
半稈゛Ｌ体レーザとしては、所謂自己整合型の半導体レ
ーザが知られている。このレーザは、横モード制御と発
光領域への電流狭窄とが１つの工程で同時に実現できる
ので、製造工程数が少なく、その低価格化をはかる上で
極めて有利である。
半導体レーザが床机に利用されるようになっている。こ
うした応用のための半導体レーザには、横モードの制御
と同時に、低価格に生産できる量産性の優れた構造が必
要とされる。横モードの制御及び量産性に優れた構造の
半稈゛Ｌ体レーザとしては、所謂自己整合型の半導体レ
ーザが知られている。このレーザは、横モード制御と発
光領域への電流狭窄とが１つの工程で同時に実現できる
ので、製造工程数が少なく、その低価格化をはかる上で
極めて有利である。
一方、イ１↑幾金Ｆｊｉｆ−用いた気相成長法（Ｍｅｔ
ａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法、以下ＭＯＣＶＤ法と略記す
る）は、大きな面積にわたって均質な薄膜結晶の成長が
可能であるため、量産性に優れた半導体レーザの７４造
方法として注目されている。しかし、ＭＯＣＶＩ）法は
従来の液相成長法（Ｔ、１ｑｕｌｄ Ｐｈａｓｅ Ｅｐ
ｌｔａｘｙ法、以下ＬＰＦｉ法と略記する）とは結晶成
長機構が異なるため、ＬＰＥ法で作られてきた半導体レ
ーザの横モード制御構造がＭＯＣＶＤ法では実現困難な
場合がある。
ａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法、以下ＭＯＣＶＤ法と略記す
る）は、大きな面積にわたって均質な薄膜結晶の成長が
可能であるため、量産性に優れた半導体レーザの７４造
方法として注目されている。しかし、ＭＯＣＶＩ）法は
従来の液相成長法（Ｔ、１ｑｕｌｄ Ｐｈａｓｅ Ｅｐ
ｌｔａｘｙ法、以下ＬＰＦｉ法と略記する）とは結晶成
長機構が異なるため、ＬＰＥ法で作られてきた半導体レ
ーザの横モード制御構造がＭＯＣＶＤ法では実現困難な
場合がある。
このため、ＭＯＣｖＤ法の特徴に合った横モード制御構
造を有する半導体レーザの開発が望まれている。
造を有する半導体レーザの開発が望まれている。
本発明の目的は、ＭＯＣＶＤ法によって実現の可能な、
量産性に優れた自己整合型の半導体レーザ装置及びその
製造方法を提供することにある。
量産性に優れた自己整合型の半導体レーザ装置及びその
製造方法を提供することにある。
本発明の骨子は、ストライプ状の溝を有し、かつこの溝
と垂直方向に（１００）而から傾けた面方位を持つ基板
上に、ＭＯＣＶＤ法によってダブルへテロ接合構造を形
成することにある。
と垂直方向に（１００）而から傾けた面方位を持つ基板
上に、ＭＯＣＶＤ法によってダブルへテロ接合構造を形
成することにある。
溝の上への結晶成長として本発明者等が各種実験′ｆｒ
、重ねた結果、下地基板表面の面方位を（１００）而か
ら傾けることによって、溝上部に形成される結晶層、例
えば活性層に段差が生じ、かつその部分に安定な横モー
ド制御に必要な屈折率差を生じるに十分な膜厚増加が生
じるのが判った。また、木発明者等のさらなる鋭意研究
によれば、上記活性層に生じる段差及び膜厚増加現象は
、基板表面の面方位の（１００）面からの傾きや結晶成
長の条件等によって異なることが判明した。したがって
、上記手法を用い基板表面の面方位及び結晶成長条ｆ（
等を適切に選択すれば、ＬＩｊＥ法は勿論のことＭＯＣ
ＶＤ法によっても前述した自己整合型の半導体レーザの
実現が可能になる。
、重ねた結果、下地基板表面の面方位を（１００）而か
ら傾けることによって、溝上部に形成される結晶層、例
えば活性層に段差が生じ、かつその部分に安定な横モー
ド制御に必要な屈折率差を生じるに十分な膜厚増加が生
じるのが判った。また、木発明者等のさらなる鋭意研究
によれば、上記活性層に生じる段差及び膜厚増加現象は
、基板表面の面方位の（１００）面からの傾きや結晶成
長の条件等によって異なることが判明した。したがって
、上記手法を用い基板表面の面方位及び結晶成長条ｆ（
等を適切に選択すれば、ＬＩｊＥ法は勿論のことＭＯＣ
ＶＤ法によっても前述した自己整合型の半導体レーザの
実現が可能になる。
なお、基板表面の面方位の（ｉｏｏ）而からの傾きは、
結晶成長条件にもよるが２〜５〔度〕の範囲が段差や膜
厚等の観１点から最も良好であったが、上記傾きが０．
５〔展〕以上であれば段差や膜厚等に対し十分な良好な
結果が得られた。
結晶成長条件にもよるが２〜５〔度〕の範囲が段差や膜
厚等の観１点から最も良好であったが、上記傾きが０．
５〔展〕以上であれば段差や膜厚等に対し十分な良好な
結果が得られた。
本発明はこのような点に着目し、閃亜鉛鉱型結晶構造を
有する化合物半導体基板と、この基板上に形成されたス
トライプ状の溝、或いは基板上に設けられ該溝が形成さ
れた電流狭窄層と、活性層をクラッド層で挾んでなシ上
記基板及び電流狭窄層上に成長形成されたベテロ接合構
造部とを具備した半導体レーザ装置において、上記基板
の表面の面方位を前記溝のストライプ方向を軸心としく
１００）面よ、ｊ７０．５度以上傾けるようにしたもの
である。
有する化合物半導体基板と、この基板上に形成されたス
トライプ状の溝、或いは基板上に設けられ該溝が形成さ
れた電流狭窄層と、活性層をクラッド層で挾んでなシ上
記基板及び電流狭窄層上に成長形成されたベテロ接合構
造部とを具備した半導体レーザ装置において、上記基板
の表面の面方位を前記溝のストライプ方向を軸心としく
１００）面よ、ｊ７０．５度以上傾けるようにしたもの
である。
また本発明は上記構造の半導体レーデ１製造するに際し
、閃亜鉛鉱型結晶構造を有しその主面が（１００）［１
ｉｉより０．５度以上傾けられた化合物半導体基板上に
基板結晶の（１００）方向と直交する方向にストライプ
状の溝を形成するか、或いは基板上に電流狭窄層を成長
形成したのちこの電流狭窄層を基板に至る深さまで選択
エツチングして上記溝を形成し、次いで全＋？ｉｉに少
なくとも第１クラッド層、活性層及び第２クラ、ド層を
順次成長形成するようにした方法である・ 〔発明の効果〕 本発明によれば、貴所に適したＭＯＣＶＤ法を用いても
横モード制御に優れた自己整合型の半導体レーザを容易
に作製すること７５Ｚできる。このに極めて有効である
。また、ストライプ状の溝？：電流狭窄層に形成してい
るので、横モード制御宿造と電流狭窄構造と葡１工程で
同時に実現でき、製造工程が大幅に簡略化され、生産性
の向上をはかり得る。この点からも戴産化及びローコス
ト化に有効である。さらに、ＭＯＣｖＤ法を用いて各種
結晶成長層を形成できるので、均質な簿膜結晶の成長が
可能となり、半導体レーデの信頼性向上をはかシ得る。
、閃亜鉛鉱型結晶構造を有しその主面が（１００）［１
ｉｉより０．５度以上傾けられた化合物半導体基板上に
基板結晶の（１００）方向と直交する方向にストライプ
状の溝を形成するか、或いは基板上に電流狭窄層を成長
形成したのちこの電流狭窄層を基板に至る深さまで選択
エツチングして上記溝を形成し、次いで全＋？ｉｉに少
なくとも第１クラッド層、活性層及び第２クラ、ド層を
順次成長形成するようにした方法である・ 〔発明の効果〕 本発明によれば、貴所に適したＭＯＣＶＤ法を用いても
横モード制御に優れた自己整合型の半導体レーザを容易
に作製すること７５Ｚできる。このに極めて有効である
。また、ストライプ状の溝？：電流狭窄層に形成してい
るので、横モード制御宿造と電流狭窄構造と葡１工程で
同時に実現でき、製造工程が大幅に簡略化され、生産性
の向上をはかり得る。この点からも戴産化及びローコス
ト化に有効である。さらに、ＭＯＣｖＤ法を用いて各種
結晶成長層を形成できるので、均質な簿膜結晶の成長が
可能となり、半導体レーデの信頼性向上をはかシ得る。
第１図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザの概略
構造を示す斜視図、第２図は上記レーザの製造工程を示
す斜視図である。
構造を示す斜視図、第２図は上記レーザの製造工程を示
す斜視図である。
まず、第２図（−）に示す如＜（１００）面より（０１
１）方向に２度傾いた面方位を有するｐ −ＧａＡｓ
′４＠、１上に、ＭＯＣＶＤ法によりｎ−ＧａＡｓ層（
電流狭窄層）、２ｆｔ、１ （μｍ〕程度の厚さにエピ
タキシャル成長する。この結晶成長には、必ずしもＭＯ
ＣＶＤ法金用いる必要はないが、大面積にわたシ厚さの
均一性の良い薄膜結晶が得られるＭＯＣＶＤ法が有利で
ある。次いで、第２図Φ）に示す如くフォトレノスト（
図示せず）をマスクとして電流狭窄層２を選択エツチン
グし、＜０１１＞方向に基板１に達するストライプ状の
溝２ａｔ−形成する。このエツチングは、例えばＣＨ３
０Ｈ１Ｉ（３ＰＯ４，Ｈ２０□（体積比３：１：１）％
のエツチング液を用いて行なうことができる。
１）方向に２度傾いた面方位を有するｐ −ＧａＡｓ
′４＠、１上に、ＭＯＣＶＤ法によりｎ−ＧａＡｓ層（
電流狭窄層）、２ｆｔ、１ （μｍ〕程度の厚さにエピ
タキシャル成長する。この結晶成長には、必ずしもＭＯ
ＣＶＤ法金用いる必要はないが、大面積にわたシ厚さの
均一性の良い薄膜結晶が得られるＭＯＣＶＤ法が有利で
ある。次いで、第２図Φ）に示す如くフォトレノスト（
図示せず）をマスクとして電流狭窄層２を選択エツチン
グし、＜０１１＞方向に基板１に達するストライプ状の
溝２ａｔ−形成する。このエツチングは、例えばＣＨ３
０Ｈ１Ｉ（３ＰＯ４，Ｈ２０□（体積比３：１：１）％
のエツチング液を用いて行なうことができる。
次に、上記基板上にＭＯＣＶＤ法によって、ｐ−”ｏ、
５５ＡｔＯ，４５”層（クラッド層）３、アンドープ０
１１０．１３５ＡＺ、 １５Ａ１１層（活性層）４、ｎ
−Ｇａ。、□Ａへ４５”１？１ｉ（クラッド層）５、
及びｎ −ＧａＡｓ層（コンタク）Ｍ）６’ｔ、順次エ
ピタキシャル成長させる。この場合、第２図（ｂ）の状
態の基板は十分に脱脂況浄を行なった後、ＨＣＩ等によ
って表面の自然酸化層を除去し、直ちに反応炉に入れる
。原料には、トリメチルガリウム（（ＣＨ，）３ＧＩＬ
）、トリメチルアルミニウム（’ （ＣＨρ３Ａｔ）
、アルシンガス（ＡｓＨ３）を用い、ｐ型ドー・平／ト
としてノエチルジンク（（Ｃ２Ｈ５）２ｚｎ）、ｎ型ド
ーノやントとしてセレン化水素ガス（Ｈ２Ｓｅ ） ′
ｆ：用いた。成長温度７５０〔℃〕、原料ガス中のＩｌ
ｌ族元素（Ｇａ。
５５ＡｔＯ，４５”層（クラッド層）３、アンドープ０
１１０．１３５ＡＺ、 １５Ａ１１層（活性層）４、ｎ
−Ｇａ。、□Ａへ４５”１？１ｉ（クラッド層）５、
及びｎ −ＧａＡｓ層（コンタク）Ｍ）６’ｔ、順次エ
ピタキシャル成長させる。この場合、第２図（ｂ）の状
態の基板は十分に脱脂況浄を行なった後、ＨＣＩ等によ
って表面の自然酸化層を除去し、直ちに反応炉に入れる
。原料には、トリメチルガリウム（（ＣＨ，）３ＧＩＬ
）、トリメチルアルミニウム（’ （ＣＨρ３Ａｔ）
、アルシンガス（ＡｓＨ３）を用い、ｐ型ドー・平／ト
としてノエチルジンク（（Ｃ２Ｈ５）２ｚｎ）、ｎ型ド
ーノやントとしてセレン化水素ガス（Ｈ２Ｓｅ ） ′
ｆ：用いた。成長温度７５０〔℃〕、原料ガス中のＩｌ
ｌ族元素（Ｇａ。
ｈｔ ）とＶ族元素のモル比が、［：ＡＩ！］／（［Ｇ
ａ ］＋［：Ａ／り）＝２０の条件で結晶成長を行ｌλ
ったところ、基板に設けた心の幅を３（ｔｓｎ ］ 、
（＠さを１〔μｍ′３．クラブゝ層３の厚さを２ （ｔ
ａｎ ：］としたとき、活性層４には第１図に示したよ
うな段差が生じた６さらに、コンタクト層６上に、オー
ミック電極としてＡｕ −Ｇｅ ／ Ａ、ｕ ７乞・、
基板１の１面にはオーミック電極としてＡｎ −Ｚｎ
／ Ａｕ ８ ？］ｌ−形成すれば、第１図に示した構
造の半導体レーザ装置が得られる。
ａ ］＋［：Ａ／り）＝２０の条件で結晶成長を行ｌλ
ったところ、基板に設けた心の幅を３（ｔｓｎ ］ 、
（＠さを１〔μｍ′３．クラブゝ層３の厚さを２ （ｔ
ａｎ ：］としたとき、活性層４には第１図に示したよ
うな段差が生じた６さらに、コンタクト層６上に、オー
ミック電極としてＡｕ −Ｇｅ ／ Ａ、ｕ ７乞・、
基板１の１面にはオーミック電極としてＡｎ −Ｚｎ
／ Ａｕ ８ ？］ｌ−形成すれば、第１図に示した構
造の半導体レーザ装置が得られる。
かくして製造された半導体レーザは、第１図からも判る
ように溝２ａの上部で段差を有し、かつその膜厚が他の
部分に比して大幅に厚くなっている。このため、光の閉
じ込み効果が犬となり、安定した横モード制御全行なう
？二とができる。また、各結晶層２．〜，７をＭＯ（：
ＶＤ法で形成しているので、結晶層２．〜，７の膜質の
均一化をはかυ得、これによシ半導体Ｌ・−ザの信頼性
向上をはかシ得る。さらに、電流狭窄層２に形成したス
トライゾ状の溝２ａにょシミ流狭孕４−＞Ｘ造と柘モー
ドｉｉｉ！Ｉ御宿造とを１工程で同時に実現することが
できる。したかっ−ｃ１半導体レーザの星産化及びロー
コスト化に極めて有効である。
ように溝２ａの上部で段差を有し、かつその膜厚が他の
部分に比して大幅に厚くなっている。このため、光の閉
じ込み効果が犬となり、安定した横モード制御全行なう
？二とができる。また、各結晶層２．〜，７をＭＯ（：
ＶＤ法で形成しているので、結晶層２．〜，７の膜質の
均一化をはかυ得、これによシ半導体Ｌ・−ザの信頼性
向上をはかシ得る。さらに、電流狭窄層２に形成したス
トライゾ状の溝２ａにょシミ流狭孕４−＞Ｘ造と柘モー
ドｉｉｉ！Ｉ御宿造とを１工程で同時に実現することが
できる。したかっ−ｃ１半導体レーザの星産化及びロー
コスト化に極めて有効である。
なお、本発明は上述した契施例に限定されるものでＯｉ
ない。例えば、１ｉｉＪ記ダブルへテロ接合構造の他の
例として第３図に示す如く、活性層４とクラッド層５と
の間にｎ −Ｇａｏ、６５Ａｔｏ、３５ＡＲ層（ブ０ガ
イド層）１１を設けてもよい。この場合レーザ光は光ガ
イド層１ノにＩＬりがってガイドされるため、共振器端
面におりるモードサイズが大きくなる。これにより、共
振器端面における光恒度と光吸収が小さくなシ、端間破
壊が起りにくく、大きな光出力が得られる。しかも、活
性層と垂面方向のビーム放射角を小さくできるため、等
方面なビームが得やすい等の利点がある。
ない。例えば、１ｉｉＪ記ダブルへテロ接合構造の他の
例として第３図に示す如く、活性層４とクラッド層５と
の間にｎ −Ｇａｏ、６５Ａｔｏ、３５ＡＲ層（ブ０ガ
イド層）１１を設けてもよい。この場合レーザ光は光ガ
イド層１ノにＩＬりがってガイドされるため、共振器端
面におりるモードサイズが大きくなる。これにより、共
振器端面における光恒度と光吸収が小さくなシ、端間破
壊が起りにくく、大きな光出力が得られる。しかも、活
性層と垂面方向のビーム放射角を小さくできるため、等
方面なビームが得やすい等の利点がある。
また、実ｈｉ例ではＧａＡｌＡｓ系の旧料金用いたが、
この代りに、ＩＨＧａＡ＊Ｐ系、ＡＺＧＡＡＪＰ系或い
はＩｎＡ７ＧａＰ系等を用いても良く、材料は特に限定
六九ない。さらに、各結晶層の形成は必ずしもＭＯＣＶ
Ｄ法に限るものではなく、通帛のｉ、Ｐｇ汐４−用いる
ことも可能である。また、：友板岩！ＩＩｉの（１００
）而からの傾き角は２ ＋Ｈｈ４ ｖｃ限るものでｄ、
なく、０．５度以上（好ましくｉｔ２〜５度）であれば
よい。また、電流１狭窄層ケ用いることなくノル板表面
にヌトライグ状の溝全形成し、このりミ板上にペテＤ接
合ｒｔｇ造部を設けることもＦｉｉ能である。その他、
本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる。
この代りに、ＩＨＧａＡ＊Ｐ系、ＡＺＧＡＡＪＰ系或い
はＩｎＡ７ＧａＰ系等を用いても良く、材料は特に限定
六九ない。さらに、各結晶層の形成は必ずしもＭＯＣＶ
Ｄ法に限るものではなく、通帛のｉ、Ｐｇ汐４−用いる
ことも可能である。また、：友板岩！ＩＩｉの（１００
）而からの傾き角は２ ＋Ｈｈ４ ｖｃ限るものでｄ、
なく、０．５度以上（好ましくｉｔ２〜５度）であれば
よい。また、電流１狭窄層ケ用いることなくノル板表面
にヌトライグ状の溝全形成し、このりミ板上にペテＤ接
合ｒｔｇ造部を設けることもＦｉｉ能である。その他、
本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる。
第１図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザの概略
構造を示す斜視図、第２図は上記１／−デのＪＭ造工程
を示す斜視図、第３図は変形例を示す斜視図、である。 １− ｐ −ＧｎＡｓ基板、２− ｎ −Ｇ汽へＦ市、
流狭２ν層、Ｊ ＝・ｐ −”０．５５Ａ４０．４５Ａ
９クラッド層、４・・・アンドーゾＧａｏ８５Ａｔｏ１
５Ａ！＋活性層、５ ”・ｎ −Ｇｌｉｎ、５へＬ ｎ
４ｓＡｌ’１クラッド層、６・・・ｎ ＧａＡｓコン
タクト層、７・・・Ａｕ −Ｇｏ ／ Ａｕオーミック
’ａ４私Ｂ −４ｕ−Ｚｎ ／Ａｕオーミックｔｉｔ極
、１ノ・・・ｎ −ＣＪ ＆ ０．６５ ＡＺｏ３ｓ
Ａ ！！光ガイド層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武彦 弔２１”、１ 第３図
構造を示す斜視図、第２図は上記１／−デのＪＭ造工程
を示す斜視図、第３図は変形例を示す斜視図、である。 １− ｐ −ＧｎＡｓ基板、２− ｎ −Ｇ汽へＦ市、
流狭２ν層、Ｊ ＝・ｐ −”０．５５Ａ４０．４５Ａ
９クラッド層、４・・・アンドーゾＧａｏ８５Ａｔｏ１
５Ａ！＋活性層、５ ”・ｎ −Ｇｌｉｎ、５へＬ ｎ
４ｓＡｌ’１クラッド層、６・・・ｎ ＧａＡｓコン
タクト層、７・・・Ａｕ −Ｇｏ ／ Ａｕオーミック
’ａ４私Ｂ −４ｕ−Ｚｎ ／Ａｕオーミックｔｉｔ極
、１ノ・・・ｎ −ＣＪ ＆ ０．６５ ＡＺｏ３ｓ
Ａ ！！光ガイド層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武彦 弔２１”、１ 第３図
Claims (8)
- （１） 表面にストライプ状のＹ１４が形成された閃亜
鉛鉱型結晶構造を有する化合物半導体基板と、活性層を
クラッド層で挾んでなシ上記基板上に成長形成されたヘ
テロ接合構造部とを具備し、前記基板の表面の面方位は
前記溝のストライプ方向を軸心としくｔｏｅ）面よ９０
．５度以上傾けられたものであることを特徴とする半導
体レーザ装置。 - （２） 閃亜鉛鉱型結晶構造を有する化合物半導体基板
と、この基板上に設けられかつストライプ状の溝が形成
された低流狭窄１曽と、活性層をクラ、ド層で挾んでな
シ上記基板及び電流狭窄層上に成長形成されたヘテロ接
合構造部とを具備し、前記基板の表面の面方位は前記溝
のストライプ方向を軸心としく１００）面よ９０．５度
以上傾けられたものであることを特徴とする半導体レー
ザ装置。 - （３） 前記電流狭窄層は、前記基板と逆導電型の半導
体層或いは品抵抗の半導体層からなるものであること′
ｔ−特徴とする特許請求の範囲第２項記載の半導体レー
ザ装置。 - （４） 閃亜鉛鉱型結晶構造を有しその主面が（１００
）面よ！００．５度以上傾けられた化合物半導体基板上
に基板結晶の（１００）方向と直交する方向にストライ
プ状の溝を形成する工程と、次いで全面に少なくとも第
１クラッド層、活性層及び第２クラッド層を順次成長形
成する工程とを具備したことを特徴とする半導体レーザ
装置の製造方法。 - （５）前記活性層、第１及び第２のクラ、ド層を成長形
＋ｊＭする方法として、有俄金属気相成長法を用いたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の半導体レー
ザ装置の製造方法。 - （６） 閃亜鉛鉱型結晶構造を有しその主面が（１００
）面よシ０．５度以上傾けられた化合物半導体基板上に
電流狭窄ｒｆＩ？：成長形成する工程と、上記電流狭窄
層を前記基板に至る深さまで選択エツチングし基板結晶
の（１００）方向と直交する方向にストライプ状の溝を
形成する工程と、次いで全面に少なくとも第１クラッド
層、活性層及び第２クラッド層を順次成長形成する工程
とを具備したことを特徴とする半導体レーデ装置の製造
方法。 - （７） 前記電流狭窄層として、前記基板と逆導電型の
半導体層或いは高抵抗の半導体層を用いたことを特徴と
する特許請求の範囲第６項記載の半導体レーザ装置の製
造方法。 - （８） 前記電流狭窄層、活性層、第１及び第２のクラ
ッド層を成長形成する方法として、有機金属気相成長法
を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第６項記載の
半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11036883A JPS601883A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11036883A JPS601883A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS601883A true JPS601883A (ja) | 1985-01-08 |
Family
ID=14534018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11036883A Pending JPS601883A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS601883A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006328949A (ja) * | 2006-08-04 | 2006-12-07 | Ｙｋｋ Ａｐ株式会社 | 水切り及びその水切りを備えた窓 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5234685A (en) * | 1975-09-10 | 1977-03-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Semiconductor luminous element and its manufacturing process |
| JPS5316590A (en) * | 1976-07-29 | 1978-02-15 | Nec Corp | Multilayer thin film optical guide of rib guide stripe type semiconductor and its production |
| JPS57198679A (en) * | 1981-05-30 | 1982-12-06 | Fujitsu Ltd | Optical semiconductor device |
-
1983
- 1983-06-20 JP JP11036883A patent/JPS601883A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5234685A (en) * | 1975-09-10 | 1977-03-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Semiconductor luminous element and its manufacturing process |
| JPS5316590A (en) * | 1976-07-29 | 1978-02-15 | Nec Corp | Multilayer thin film optical guide of rib guide stripe type semiconductor and its production |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006328949A (ja) * | 2006-08-04 | 2006-12-07 | Ｙｋｋ Ａｐ株式会社 | 水切り及びその水切りを備えた窓 |
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