JPS61222009A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は磁性薄膜を用いた薄膜ヘッドの製造方法、特に
導体コイル相互間およびコイルと磁性膜間の絶縁層とし
て無機材料を用いた場合に該無機材料をテーパーエツチ
ングする薄膜磁気ヘッドの製造方法に関するものである
。

（従来技術） 従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を第４図を用いて説明
する。まずサフアイヤ、あるいはフェライト等から成る
基板１上に、センダストあるいはアモルファス等などか
ら成る下部磁性層２．８１０２などから成る第１絶縁層
３、Ｃｕあるいはへ免などから成るコイル導体層４、Ｓ
！Ｏｚなどから成る第２絶縁層５をスパッタリングある
いは蒸着等により形成する（第４図（ａ））。その後前
記第２絶縁Ｗｉ５上に平坦化のためのフォトレジスト６
を８μｍ程度厚く塗布する（第４図（ｂ））。

このようにしてフォトレジスト６により平坦化された表
面からイオンミリングなどで７ォトレジストロと第２絶
縁層５とのエツチング速度が同一となるイオン入射角度
でイオンビーム（矢印Ａ）を入射せしめて平坦化エツチ
ングを行ない、第２絶縁層５を平坦化する（第４図（Ｃ
））。その後下部磁性層２と、コイル導体層４および第
２絶縁層５を挾んで対向する上部磁性層８とを結合させ
るため、上記ＳｉＯ＋等から成る絶縁層５をテーパーエ
ツチングする。このテーパーエツチングを行なうために
第２絶縁層５上に下のコイル導体層４すべてをおおうよ
うな形状にフォトレジスト６を形成する（第４図（ｄ）
）。このフォトレジスト６はエツチングを行なう際のマ
スクとして働く役目を果たす。このように形成されたフ
ォトレジスト６をマスクとしてイオンミリングなどで絶
縁層であるＳ！Ｏｚをテーパーエツチングする際のイオ
ンエツチング速度は、あらゆるイオン入射角度において
、第５図に示すように絶縁層である５１０２に対する速
度がマスクであるフォトレジストに対する速度よりも速
い。またフォトレジスト６を露光、現像してパターンニ
ングするとレジストの側壁角αは（第４図（ｄ））は約
、７５〜８０°程度になる。このような側壁角αを有す
るレジストをマスクにして例えば２５°よりも大ぎいイ
オン入射角度（イオン入射角度とはイオンビームと試料
（平面）の法線方向とがなす角度である。）でエツチン
グする（矢印Ｂ）とイオンビーム９のシャドウ効果（あ
る領域１０のみ実質的にエツチングされる時間が異なる
。）が生じ（第３図）、そのため絶縁層が一直線の形状
とならず第４図（ｅ）に示すようにＳ！０２のエツチン
グ面の端部は２段に折れ曲がった形となる。そしてこの
折れ曲がりの角度は第６図に示すように約２０°と約８
０°に形成される。この様にして形成された絶縁層５の
上に形成された上部磁性層８はテーパーが急峻な面で膜
厚が極度に薄くなり（第４図（ｆ））、この部分で磁気
飽和が生じ、記録再生効率が低下する。

また角度が２０°となるテーパーのゆるやかな部分では
上部磁極８と下部磁極２との間で磁束が漏洩し、同様に
記録再生効率が低下する。

またイオン入射角度を２５°以下に設定してテーパーエ
ツチングを行なうとイオンビームのシャドウ効果を防止
することが出来、テーパーは第４図（ｅ′）に示す様に
一直線のテーパーとなる。しかしながらこの場合はマ支
りであるレジストのエツチング速度が絶縁層である５ｆ
Ｃｈのエツチング速度よりも遅いためレジストの側壁角
αをそのまま転写したテーパー角度になる（第７図）。

しかもこの場合、レジストの側壁角αが急峻なため（第
４図（ｆｉ）絶縁層平面上でエツチングされた５ｆＯｚ
がテーパ一部に再付着し、テーパ一部上に微妙な凹凸を
形成する（第８図）。したがって、この様な形の絶縁層
の上に形成された上部磁極８はテーパ一部が急峻なため
膜厚が極度に薄くなり、またテーパ一部上の微少な凹凸
のためテーパ一部での上部磁極８が凹凸を有し、この部
分の磁気抵抗が増大し、結果的に磁気飽和を起こしやす
くなるため記録再生効率が低下するという問題がある。

（発明の目的） 本発明は上記問題を解決Ｊるためになされたものであり
、記録再生効率の低下の少ない薄１ｔ！磁気ヘッドの製
造方法を提供することを目的とするものである。

（発明の構成） 本発明に係る薄膜磁気ヘッド製造方法は、絶縁層の上に
フォトレジストを形成する際、該レジストの露光、現像
処理を適正露光時間および適正現像時間各々の１５％以
上長い時間で行なった後、イオンビーム入射角度を２５
°以下に設定してテーパーエツチングすることによりテ
ーパー角度が比較的ゆるやかで再付着のない一直線のテ
ーパーを有する薄膜磁気ヘッドを製造することを特徴と
するものである。

（実施例） 以下、本発明の実施例を第１図を用いて詳細に説明する
。

まず基板１１上にセンダストあるいはアモルファスなど
から成る下部磁性層１２．５ｉＱ２などから成る第１絶
縁層１３、ＣｕあるいはＡ９Ｊなどから成るコイル導体
層１４．５ｉＯｚなどから成る第２絶縁層１５をスパッ
タリングあるいは蒸着などで形成する（万１図〈ａ））
。その後前記第２絶縁層１５上に平坦化のためのレジス
ト（シブレイ社製１３００−３７）を８μｍ程度厚く塗
布する（第１図（ｂ））。

このようにしてフォトレジスト１６により平坦化された
表面から５ｉＯｚとフォトレジストのエツチング速度が
同一となるイオン入射角度でイオンミリングすると第２
絶ｌｉ層１５が平坦化される（第１図（Ｃ））。その後
この平坦化された第２絶縁層１５上にフォトレジスト（
シブレイ社１３００−３７）を塗布し、あるレジスト膜
厚の適正露光時間および適正現像時間よりも１５％以上
長い露光、現像時間にてパターニングする。

こうして形成されたレジストパターンは、第２図かられ
かるようにレジスト側壁角αは６５°以下となる。さら
に第１図（ｄ）に示すようにあるレジスト膜厚の適正露
光、現像時間よりも過剰に露光、現像を加えるとレジス
トの上部の端が丸くなってくる。このようにして形成さ
れたレジストをマスクとして、Ａｒガス圧１．５Ｘ　１
０→Ｔｏｒｒ、加速電圧４００ｖ、電流密度ｏ、ｓｍ　
Ａ　／　ｃｒｉ　、イオンビーム入射角が２５°よりも
小さい角度でエツチングしてゆく。このような条件下で
行なうエツチングによってはイオンビームのｓｈａｄｏ
ｗ効果が発生せず、またレジストの上部の端が丸くなっ
ているために再付着も起らないため、第３図に示すよう
な約６５°程度の側壁角αを有する凹凸のない一直線の
テーパーが得られる。したがってこの絶縁層の上にアモ
ルファスあるいはセンダストなどから成る上部磁性層１
１をスパッタリングや蒸着などで形成した場合には、テ
ーパー角が従来条件よりもゆるやかなためテーパー面で
の急激な膜厚減少が生ぜず、そのためこのテーパ一部で
の磁気的な飽和が起りにくくなるため、記録再生効率が
向上する。

上記実施例においては、本発明を単層コイル導体の薄膜
磁気ヘッドに応用した場合について説明しているが、本
発明を多層コイル導体の薄膜磁気ヘッドに応用しても同
様な効果が得ることが出来る。また薄膜磁気ヘッド以外
のデバイス、例えば半導体素子の場合のテーパ一部を形
成する際にも応用出来ることは勿論である。

（発明の効果） 以上説明したように本発明の薄膜磁気ヘッド製造方法に
よれば、フォトレジストをパターニングする際適正露光
、現像の少なくとも１５％以上過剰に加えた後、イオン
ビーム入射角度を２５″以下でテーパーエツチングする
ことにより凹凸のない一直線のテーパーを得ることが出
来、そのためテーパ一部での極端な膜厚減少が起らず、
記録再生効率が向上するという顕著な効果を奏すること
が出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による薄膜磁気ヘッドの製造プロセスを
示す図、第２図は適正露光、現像時間に対し余分に加え
た露光、現像時間の割合に対するレジスト側面角の変化
を示す図、第３図はレジストによるｓｈａｄｏｗｉｎｇ
効果の説明図、第４図は従来の膜磁気ヘッドの製造プロ
セスを示す図、第５図は８１０２とレジストのエツチン
グ速度のイオンビーム入射角依存性を示す図、第６図は
第４図（ｅ）のテーパ一部拡大図、第７図、第８図は第
４図（ｅ−）のテーパ一部の拡大図である。 ９・・・イオンビーム　　　　１０・・・ｓｈａｄｏｗ
領域１１・・・基板　　　　　　　　１２・・・下部磁
性層１３・・・第１絶縁層　　　　　１４・・・コイル
導体層１５・・・第２絶縁層　　　　　１６・・・フォ
トレジスト１１・・・上部磁性層　　　　　１８・・・
ギャップ層第６図 ｊｉ７１！１ 第８図 （自帽手続補正書 特許庁長官　殿　　　　　　　　　　昭和６０年６月１
９日特願昭６０−６２４９９号 ２、発明の名称 薄膜磁気ヘッドの製造方法 ３、補正をする者 事件との関係　　　　　特許出願人 任　所　　　神奈川県南足柄市中沼２１０番地名　称　
　　　富士写真フィルム株式会社４、代理人 東京都港区六本木５丁目２番１号 はうらいやビル　７階 （７３１８）弁理士　柳　１）征　史　（ほか１名）５
、補正命令の日付　　　な　　し ６、補正により増加する発明の数　　　な　　し７、補
正の対象　　　明細書の「発明の詳細な説明」の欄８、
補正の内容 ｒ　（ＩＩ４図（ｆ−））Ｊを「第３図（ｄ）」と訂６
ベ１）明細書第５頁第９行

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 下部磁性層、無機材料から成る第１の絶縁層、単層ある
   いは多層のコイル導体層、無機材料から成る第２の絶縁
   層、上部磁性層を所定形状に順次積層して成る薄膜磁気
   ヘッドを製造する方法において、 前記無機材料から成る第２の絶縁層の上にフォトレジス
   トを形成する際、該レジストの露光、現像処理を適正露
   光時間および適正現像時間各々の１５％以上長い時間に
   亘つて行なつた後、イオンビーム入射角度を２５°以下
   に設定して前記無機材料をテーパーエッチングするよう
   にしたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。