JPS6122344A - マスクパタ−ンの転写方法 - Google Patents
マスクパタ−ンの転写方法Info
- Publication number
- JPS6122344A JPS6122344A JP60118839A JP11883985A JPS6122344A JP S6122344 A JPS6122344 A JP S6122344A JP 60118839 A JP60118839 A JP 60118839A JP 11883985 A JP11883985 A JP 11883985A JP S6122344 A JPS6122344 A JP S6122344A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- exposed
- wafer
- rays
- mask pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/703—Non-planar pattern areas or non-planar masks, e.g. curved masks or substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/7035—Proximity or contact printers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマスクパターンの転写方法に関ｆる。
マスクパターンの転写技術は、半導体分野においては半
導体ウェーハ表面へ微細パターンを形成するための重要
な技術である。
導体ウェーハ表面へ微細パターンを形成するための重要
な技術である。
しかしながら、従来のマスクパターンの転写方法では、
マスクの製作に多大の時間を要し、かつ微細パターンの
転写が極めて困難であるという欠点があった。
マスクの製作に多大の時間を要し、かつ微細パターンの
転写が極めて困難であるという欠点があった。
たとえば、従来のシンクロトロンによるＸ線露光の場合
、第１図に示↑ように、電子１におけるその軌道１の接
線から放射されるＸ線２は、角度ａ及びｂの広がりをも
ったものとなり、その場合。
、第１図に示↑ように、電子１におけるその軌道１の接
線から放射されるＸ線２は、角度ａ及びｂの広がりをも
ったものとなり、その場合。
被露光試料であるウェーハ３とマスク４を一体トして広
がり角の小さな方向に走査させて露光を行なうのが通例
である。
がり角の小さな方向に走査させて露光を行なうのが通例
である。
したがって、この種の方法では、ウェーハ３とマスク４
を同じ大きさにとらねばならず、Ｘ線露光用マスクを大
きくすることは微細パターンのものを電子ビームによっ
て製作しているので、製作時間を多く必要とすること並
びにウエーノ・３及びマスク４の不規則な変形にともな
う不均一性があり、均一な露光を行なうのに困難を生ず
る。
を同じ大きさにとらねばならず、Ｘ線露光用マスクを大
きくすることは微細パターンのものを電子ビームによっ
て製作しているので、製作時間を多く必要とすること並
びにウエーノ・３及びマスク４の不規則な変形にともな
う不均一性があり、均一な露光を行なうのに困難を生ず
る。
それゆえ、本発明の目的は、マスクの製作時間が短縮で
き、しかも不均一露光のない均一な露光が行なえる新規
な転写方法を提供することにある。
き、しかも不均一露光のない均一な露光が行なえる新規
な転写方法を提供することにある。
このような目的に適うために本発明は、被露光試料の一
部分にマスクパターンが転写されるようなマスクを前記
試料の露光面に配置し、被露光試料に対して移動させる
ことにより被露光試料の露光ｊべき全面にマスクにおけ
るマスクパターンな転写することを特徴とするマスクパ
ターンの転写方法とするもので、特に被露光試料及びマ
スクを露光源を中心とした球面上に沿って湾曲させてな
るものとするものである。
部分にマスクパターンが転写されるようなマスクを前記
試料の露光面に配置し、被露光試料に対して移動させる
ことにより被露光試料の露光ｊべき全面にマスクにおけ
るマスクパターンな転写することを特徴とするマスクパ
ターンの転写方法とするもので、特に被露光試料及びマ
スクを露光源を中心とした球面上に沿って湾曲させてな
るものとするものである。
以下、本発明の好適な実施例により本発明を具体的に詳
述する。
述する。
第２図は１本発明の一実施例であるマスクパターンの転
写方法を説明するための図で、Ｘ線照射方式は第１図に
図示したものと同じく、シンクロトロンにより加速され
た電子１から放射されるＸ線２の照射により行なうもの
である。マスク５はＸ線２の照射角ａ及びｂに合わせて
Ｘ線２の照度が比較的均一な範囲のものであって、それ
に照合していわゆる長方形の形をしたマスクとしている
。
写方法を説明するための図で、Ｘ線照射方式は第１図に
図示したものと同じく、シンクロトロンにより加速され
た電子１から放射されるＸ線２の照射により行なうもの
である。マスク５はＸ線２の照射角ａ及びｂに合わせて
Ｘ線２の照度が比較的均一な範囲のものであって、それ
に照合していわゆる長方形の形をしたマスクとしている
。
ウェーハ３は上記マスク５から３μから数十μ離したい
わゆるプロキシミティ方式として設置する。この場合、
マスク５は固定し、ウェーハ３をマスク５の短寸法方向
にステップアンドリピート方式という段階方式で送るこ
とによりマスクパターンなウェーハ３上に転写すること
ができる。この場合、マスク５及びウェーハ３は、Ｘ線
の広がり角に合わせて湾曲させる方がパターン精度を上
げる上で望ましい。この様にウェーハ３と同寸法の一体
化されたマスクとは異なり、分割されたマスクを製作す
ることにより電子ビーム露光による微細パターンマスク
の描画製作時間は短縮され、かつ第１図に示すような従
来のものと比較して転写時間に差はなく、分割転写によ
りウェーハ微細歪での精度低下防止に役立てることがで
きる。
わゆるプロキシミティ方式として設置する。この場合、
マスク５は固定し、ウェーハ３をマスク５の短寸法方向
にステップアンドリピート方式という段階方式で送るこ
とによりマスクパターンなウェーハ３上に転写すること
ができる。この場合、マスク５及びウェーハ３は、Ｘ線
の広がり角に合わせて湾曲させる方がパターン精度を上
げる上で望ましい。この様にウェーハ３と同寸法の一体
化されたマスクとは異なり、分割されたマスクを製作す
ることにより電子ビーム露光による微細パターンマスク
の描画製作時間は短縮され、かつ第１図に示すような従
来のものと比較して転写時間に差はなく、分割転写によ
りウェーハ微細歪での精度低下防止に役立てることがで
きる。
すなわち、本発明に係るものは、Ｘ線露光においてシン
クロトロンから放射されるＸ線を用いてＸ線露光用マス
クを通して被露光試料に微細パターンを転写する場合、
被露光試料の一部をＸ線照射床がり角内で露光を行ない
、該露光を段階的に一方向に移動させることにより被露
光試料全面を露光する事を特徴とするマスクパターンの
転写方法であり、またこの種のものにおいて、少なくと
も被露光試料表面を、又、望ましくは、Ｘ線露光用マス
クも照射されるＸ線の広がり角に合わせて該照射面が湾
曲することを特徴とするものｆある。
クロトロンから放射されるＸ線を用いてＸ線露光用マス
クを通して被露光試料に微細パターンを転写する場合、
被露光試料の一部をＸ線照射床がり角内で露光を行ない
、該露光を段階的に一方向に移動させることにより被露
光試料全面を露光する事を特徴とするマスクパターンの
転写方法であり、またこの種のものにおいて、少なくと
も被露光試料表面を、又、望ましくは、Ｘ線露光用マス
クも照射されるＸ線の広がり角に合わせて該照射面が湾
曲することを特徴とするものｆある。
ウェーハ及びマスクを湾曲させて設置することは、第３
図に図示τろように、一般の点光源からＸ線が放射され
るようなＸ線露光によるマスクパターンの転写方法にも
適用でき、均一な露光を行なうことができる。同図にお
いて、６は電子鏡（陰極）、７はターゲ・・ト（陽極）
、８はＸ線。
図に図示τろように、一般の点光源からＸ線が放射され
るようなＸ線露光によるマスクパターンの転写方法にも
適用でき、均一な露光を行なうことができる。同図にお
いて、６は電子鏡（陰極）、７はターゲ・・ト（陽極）
、８はＸ線。
９はマスク、１０は被露光試料の一部である半導体ウェ
ーハで１１はレジストである。
ーハで１１はレジストである。
また、本発明はＸ線転写装置としても装置化でき新規で
かつ有効なものである。すなわち、この種のものとして
、少なくとも被露光試料表面をまた望ましくはｘｉｇｉ
用マスクも照射されるＸ線の広がりの円周に沿って移動
させるような機構な具備した態様のものがある。これは
、ウェーノー及びマスクなステップ送りする場合、Ｘ線
の広がりの円周に沿って移動させることも露光精度の向
上につながるという考えにもとづくものである。
かつ有効なものである。すなわち、この種のものとして
、少なくとも被露光試料表面をまた望ましくはｘｉｇｉ
用マスクも照射されるＸ線の広がりの円周に沿って移動
させるような機構な具備した態様のものがある。これは
、ウェーノー及びマスクなステップ送りする場合、Ｘ線
の広がりの円周に沿って移動させることも露光精度の向
上につながるという考えにもとづくものである。
本発明は、Ｘ線に限らず、転写線として電子ビーム、紫
外線等を用いたマスクパターンの転写方法に広く適用で
きろものである。
外線等を用いたマスクパターンの転写方法に広く適用で
きろものである。
上述したように本発明は、被露光試料の大きさに比し小
さなマスクパターンを用いて試料の露光すべき全面にそ
のマスクパターンを複数転写するものであるため、マス
クパターンの小さなマスクで十分である。そのため、マ
スクの製作時間が従来のものに比し極めて短縮できるこ
とより、マスクの製造コストは大幅に低減できる。
さなマスクパターンを用いて試料の露光すべき全面にそ
のマスクパターンを複数転写するものであるため、マス
クパターンの小さなマスクで十分である。そのため、マ
スクの製作時間が従来のものに比し極めて短縮できるこ
とより、マスクの製造コストは大幅に低減できる。
また５本発明は、上述したようなマスクを使用すること
及びウェーハ（被露光試料）のソリや曲りなどが転写に
直接関与しないため、転写精度の高いものである。
及びウェーハ（被露光試料）のソリや曲りなどが転写に
直接関与しないため、転写精度の高いものである。
第１図は、シンクロトロンを用いたＸ線露光によるマス
クパターンの従来の転写方法を説明するための概略図、
第２図は本発明の一実施例であるマスクパターンの転写
方法を説明するための概略図、第３図は本発明の他の実
施例であるマスクパターンの転写方法を説明するための
概略図である。 １・・・電子、１・・・電子軌道、２．８・・・Ｘ線、
３・・・ウェーハ（被露光試料）、４・・・従来のマス
ク、５゜９・・・本発明に係るマスク、６・・・電子鏡
（陰極）、７・・・ターゲット（陽極）、１０・・・被
露光試料の一部である半導体ウェーハ、１１・・・被露
光試料の一部であるレジスト。 代理人 弁理士 小 川 勝 男と 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
クパターンの従来の転写方法を説明するための概略図、
第２図は本発明の一実施例であるマスクパターンの転写
方法を説明するための概略図、第３図は本発明の他の実
施例であるマスクパターンの転写方法を説明するための
概略図である。 １・・・電子、１・・・電子軌道、２．８・・・Ｘ線、
３・・・ウェーハ（被露光試料）、４・・・従来のマス
ク、５゜９・・・本発明に係るマスク、６・・・電子鏡
（陰極）、７・・・ターゲット（陽極）、１０・・・被
露光試料の一部である半導体ウェーハ、１１・・・被露
光試料の一部であるレジスト。 代理人 弁理士 小 川 勝 男と 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
Claims (1)
- １、ほぼ放射状に進行するＸ線により被露光板状物に対
向し配置されたマスク上のパターンを前記被露光板状物
に転写するためのマスク・パターンの転写方法において
、前記マスク又は前記被露光板状物の少なくとも一方を
湾曲させた状態で露光するようにしたマスク・パターン
の転写方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60118839A JPS6122344A (ja) | 1985-06-03 | 1985-06-03 | マスクパタ−ンの転写方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60118839A JPS6122344A (ja) | 1985-06-03 | 1985-06-03 | マスクパタ−ンの転写方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14116078A Division JPS5568623A (en) | 1978-11-17 | 1978-11-17 | Transferring device for mask pattern |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6122344A true JPS6122344A (ja) | 1986-01-30 |
| JPS6140983B2 JPS6140983B2 (ja) | 1986-09-12 |
Family
ID=14746428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60118839A Granted JPS6122344A (ja) | 1985-06-03 | 1985-06-03 | マスクパタ−ンの転写方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6122344A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116819887A (zh) * | 2023-08-31 | 2023-09-29 | 光科芯图(北京)科技有限公司 | 掩模图形转移组件及曝光设备 |
-
1985
- 1985-06-03 JP JP60118839A patent/JPS6122344A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116819887A (zh) * | 2023-08-31 | 2023-09-29 | 光科芯图(北京)科技有限公司 | 掩模图形转移组件及曝光设备 |
| CN116819887B (zh) * | 2023-08-31 | 2023-11-17 | 光科芯图(北京)科技有限公司 | 掩模图形转移组件及曝光设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6140983B2 (ja) | 1986-09-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0244137B1 (en) | Semiconductor wafer processing | |
| US4298803A (en) | Process and apparatus for making fine-scale patterns | |
| US6806941B2 (en) | Pattern forming method and pattern forming apparatus | |
| US4887282A (en) | Method and apparatus for changing the imaging scale in X-ray lithograph | |
| JPH09180978A (ja) | 近接効果補正方法 | |
| US4945551A (en) | Soft X-ray lithographic system | |
| JPH01159955A (ja) | 電子イメージプロジェクタ | |
| US5700604A (en) | Charged particle beam exposure method and mask employed therefor | |
| JPS6122344A (ja) | マスクパタ−ンの転写方法 | |
| JP2659203B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| US5548625A (en) | Method for parallel multiple field processing in X-ray lithography | |
| JP3376043B2 (ja) | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
| JPH0368531B2 (ja) | ||
| JPS62133456A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH10289867A (ja) | Ｘ線露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JPS62281326A (ja) | Ｘ線照射装置およびｘ線照射方法 | |
| JPH01289246A (ja) | 光電子転写装置 | |
| JPS6224621A (ja) | 荷電粒子描画装置 | |
| JPS63216341A (ja) | 光電子転写方法 | |
| JPS61202430A (ja) | 荷電ビ−ム露光方法 | |
| JP2004158643A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JP2000173901A (ja) | 電子線露光装置および方法 | |
| Resnick et al. | The effect of aperturing on radiation damage‐induced pattern distortion of x‐ray masks | |
| JPS62155516A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JPH1064791A (ja) | 露光量補正方法及び装置 |