JPS61224208A - 焦電性複合材料 - Google Patents
焦電性複合材料Info
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- JPS61224208A JPS61224208A JP6215585A JP6215585A JPS61224208A JP S61224208 A JPS61224208 A JP S61224208A JP 6215585 A JP6215585 A JP 6215585A JP 6215585 A JP6215585 A JP 6215585A JP S61224208 A JPS61224208 A JP S61224208A
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Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
A、産業上の利用分野
本発明は高分子系焦電材料のマ) IJンクス中にセラ
ミック系焦電材料の粒子を分散させてなる焦 L、
電性複合材料、特にその焦電特性の向上に関するもので
ある。
ミック系焦電材料の粒子を分散させてなる焦 L、
電性複合材料、特にその焦電特性の向上に関するもので
ある。
B6発明の概要
焦電性を有する熱可塑性樹脂に焦電性を有するセラミッ
クスを均一に分散して成る焦電性複合材料であって、更
に1量体のアクリジンTCNQ錯体を熱可塑性樹脂と鉄
錯体との混合物に対して0.05wt%以上、7 wt
%以下配合させることにより、焦電特性の向上を図った
ものである。
クスを均一に分散して成る焦電性複合材料であって、更
に1量体のアクリジンTCNQ錯体を熱可塑性樹脂と鉄
錯体との混合物に対して0.05wt%以上、7 wt
%以下配合させることにより、焦電特性の向上を図った
ものである。
C0従来の技術
赤外線等の熱線の照射により、結晶内で分極を起こし、
結晶異面に電荷が誘起される焦電材料は、セラミック系
焦電材料と高分子系焦電材料とに大別される。セラミッ
ク系焦電材料としては、例えば、ニオブ酸リチウム(L
iN b Os ) 、タンタル酸リチウム(LiT
aOa)、チタン酸鉛(p b T iOs )、チタ
ン酸シフ1z コア酸鉛[:PbZrTi0a (PZ
T) ]、PZT+La(P L Z T)などがあり
、高分子系焦電材料としては。
結晶異面に電荷が誘起される焦電材料は、セラミック系
焦電材料と高分子系焦電材料とに大別される。セラミッ
ク系焦電材料としては、例えば、ニオブ酸リチウム(L
iN b Os ) 、タンタル酸リチウム(LiT
aOa)、チタン酸鉛(p b T iOs )、チタ
ン酸シフ1z コア酸鉛[:PbZrTi0a (PZ
T) ]、PZT+La(P L Z T)などがあり
、高分子系焦電材料としては。
例えば、ポリフッ化ビニリデン[CH2−CF2 (P
VDじ〕、6フツ化エチレン・PVDF共重合体などが
ある。
VDじ〕、6フツ化エチレン・PVDF共重合体などが
ある。
ところで、セラミック系焦電利料は、焦電特性は良好で
あるが、硬くて脆く、加工性が悪く、薄膜で大面積のも
のを得られないという欠点を有している。一方、高分子
系焦電材料は、セラミック系焦電材料とは全く反対に、
加工性はきわめて良好であるが、焦電特性が悪く、この
ため用途が限定されてそのコストが高くなって1〜まり
という欠点を有している。
あるが、硬くて脆く、加工性が悪く、薄膜で大面積のも
のを得られないという欠点を有している。一方、高分子
系焦電材料は、セラミック系焦電材料とは全く反対に、
加工性はきわめて良好であるが、焦電特性が悪く、この
ため用途が限定されてそのコストが高くなって1〜まり
という欠点を有している。
このように、セラミック系焦電材料、高分子系焦電材料
はいずれも何らかの欠点を有しているので、これらの欠
点が無い焦電材料として、最近では高分子系焦電材料の
マトリックス中にセラミック系焦電材料の粒子を分散さ
せた焦電性複合材料が開発されている。この焦電性複合
材料は加工性が良好で、柔軟性に富み、焦電特性も良好
であるという、セラミック系焦電材料の長所と高分子系
焦電材料の長所とを併せ持った特性を有1−ている3゜
ところで、この焦゛dL性複合材料の焦電係数Pnは下
記の(1)式によって与えられる。
はいずれも何らかの欠点を有しているので、これらの欠
点が無い焦電材料として、最近では高分子系焦電材料の
マトリックス中にセラミック系焦電材料の粒子を分散さ
せた焦電性複合材料が開発されている。この焦電性複合
材料は加工性が良好で、柔軟性に富み、焦電特性も良好
であるという、セラミック系焦電材料の長所と高分子系
焦電材料の長所とを併せ持った特性を有1−ている3゜
ところで、この焦゛dL性複合材料の焦電係数Pnは下
記の(1)式によって与えられる。
Pn=G・ψ・α・PC・・・・・・・(1)pnは複
合体の焦電定数、Gは高分子材料とセラ ′ミック
材料の誘電率と体積分率により定まる係数。
合体の焦電定数、Gは高分子材料とセラ ′ミック
材料の誘電率と体積分率により定まる係数。
ψはセラミック材料の体積分率、Peはセラミックス材
料の焦電定数、αけセラミックス材料の配向度を示す。
料の焦電定数、αけセラミックス材料の配向度を示す。
この(1)式から、誘電率εPの高い高分子系焦電材料
なマトリックスとして用いねば、Gが犬きくなるので、
焦電性複合材料の焦電係数を向上できることがわかる。
なマトリックスとして用いねば、Gが犬きくなるので、
焦電性複合材料の焦電係数を向上できることがわかる。
そこで、現在では、最も誘電率εPの高い高分子系焦電
材料であるPVDF (ε−11)が焦電性複合材料の
マトリックスとして使用きれている。
材料であるPVDF (ε−11)が焦電性複合材料の
マトリックスとして使用きれている。
D1発明が解決しようとする問題点
しかし、マトリックスとしてPVDFを使用した焦電性
複合材料の焦電特性は、下記の第1衣に誘電率を示すが
、高分子系焦電材料よりは良好であるが、セラミック系
焦電材料と比較すると、かなり劣るという問題点があっ
た。
複合材料の焦電特性は、下記の第1衣に誘電率を示すが
、高分子系焦電材料よりは良好であるが、セラミック系
焦電材料と比較すると、かなり劣るという問題点があっ
た。
第 1 衣
E0問題点を解決するための手段
この発明に係る焦電性複合材料は、焦電性を有する熱可
塑性樹脂中にPLZT粒子とアクリジンTCNQ錯体(
以下Ae−TCNQ錯体)とを所定配合率で各々配合分
散させてなるものである。
塑性樹脂中にPLZT粒子とアクリジンTCNQ錯体(
以下Ae−TCNQ錯体)とを所定配合率で各々配合分
散させてなるものである。
ここで、熱可塑性樹脂としては、例えばポリスチレン樹
脂、ポリメタクリル酸メチル樹脂、ポリビニルブチラー
ルt’1llL PVDF、3フン化エチレン・PVD
F共重合体樹脂、フッ素TPE、フッ素ゴムなどを用い
ることができるが、とれら以外の樹脂でも焦電性を有す
るものであれば用いてよい。熱可塑性樹脂の配合率は複
合材料に対[7て5 wt%以上、20 wt%以下と
する。熱り塑性樹脂の配合率を5 wt%以上としたの
は、熱可塑性樹脂の配合率が5 wt%未満では、得ら
れた焦電性複合材料が脆く、割れ易く々るからであり、
熱可塑性樹脂の配合率を2 Q wt%以下としたのは
、熱可塑性樹脂の配合 □率が20 wt%を越えると
、焦電特性が悪くなるからである。
脂、ポリメタクリル酸メチル樹脂、ポリビニルブチラー
ルt’1llL PVDF、3フン化エチレン・PVD
F共重合体樹脂、フッ素TPE、フッ素ゴムなどを用い
ることができるが、とれら以外の樹脂でも焦電性を有す
るものであれば用いてよい。熱可塑性樹脂の配合率は複
合材料に対[7て5 wt%以上、20 wt%以下と
する。熱り塑性樹脂の配合率を5 wt%以上としたの
は、熱可塑性樹脂の配合率が5 wt%未満では、得ら
れた焦電性複合材料が脆く、割れ易く々るからであり、
熱可塑性樹脂の配合率を2 Q wt%以下としたのは
、熱可塑性樹脂の配合 □率が20 wt%を越えると
、焦電特性が悪くなるからである。
Ac −TCNQ錯体におけるTCNQはテトラシアノ
キノジメタンを意味する。Ac−TCNQ錯体Vi1量
体、2量体のいずれを使用してもよい。Ae−TCNQ
&!体の1量体は次のような化学構造式で示される。
キノジメタンを意味する。Ac−TCNQ錯体Vi1量
体、2量体のいずれを使用してもよい。Ae−TCNQ
&!体の1量体は次のような化学構造式で示される。
CI%
と示す)、また、AC−TCNQ錯体の2縫体は次のよ
うな化学構造式で示される。
うな化学構造式で示される。
l
CH。
(TCNQ) tと示す)。A C−TCNQCN上配
合率ハ該錯体と熱可塑性樹脂との混合物に対して0.0
5 wt%以上、7 wt%以下とする。AC−TCN
QCN上配合率を0.05wt%以上としたのは、Ac
−TCNQCN上配合率が0.05wt%未満では熱可
塑性樹脂の誘電率の増加がほとんどないからであり、A
e−TCNQ 錯体の配合率を7 wt%以下としたの
は、AC−TCNQCN上配合率が7 wt%を越える
とこの焦電性複合材料の絶縁性が必要値(10Ω・錆)
より低下し、焦電材料として適さなくなるからである。
合率ハ該錯体と熱可塑性樹脂との混合物に対して0.0
5 wt%以上、7 wt%以下とする。AC−TCN
QCN上配合率を0.05wt%以上としたのは、Ac
−TCNQCN上配合率が0.05wt%未満では熱可
塑性樹脂の誘電率の増加がほとんどないからであり、A
e−TCNQ 錯体の配合率を7 wt%以下としたの
は、AC−TCNQCN上配合率が7 wt%を越える
とこの焦電性複合材料の絶縁性が必要値(10Ω・錆)
より低下し、焦電材料として適さなくなるからである。
PLZTの特性は、誘電率ε=2000以下、焦電特性
ρ=50nc/−・k以上とする。PLZTは平均粒径
10μ以下、好ましくは平均粒径1〜2μの微粒子とし
て使用する。PLZTの配合率は80wt%以上、95
wt%以下とする。PLZTの配合率を複合材料に対
して80 wt%以上としたのは、PLZTの配合率が
80 wt%未満では焦電特性が不充分になるからであ
り、PLZTの配合率を95 wt%以下としたのは、
PLZTの配合率が95 wt%を越えると焦電性複合
材料が脆く、割れ易くなるからである。
ρ=50nc/−・k以上とする。PLZTは平均粒径
10μ以下、好ましくは平均粒径1〜2μの微粒子とし
て使用する。PLZTの配合率は80wt%以上、95
wt%以下とする。PLZTの配合率を複合材料に対
して80 wt%以上としたのは、PLZTの配合率が
80 wt%未満では焦電特性が不充分になるからであ
り、PLZTの配合率を95 wt%以下としたのは、
PLZTの配合率が95 wt%を越えると焦電性複合
材料が脆く、割れ易くなるからである。
F、実施例■〜■
熱可塑性樹脂中にPLZT粒子とAc−TCNQCN上
を各々配合分散させ、これを薄膜に形成し、分極処理し
て焦電性複合材料を得、との焦電性複合材料の焦電特性
を調べた。上記薄膜は溶媒キャスト法により製造した。
を各々配合分散させ、これを薄膜に形成し、分極処理し
て焦電性複合材料を得、との焦電性複合材料の焦電特性
を調べた。上記薄膜は溶媒キャスト法により製造した。
すなわち、焦電性を有する熱可塑性樹脂の所定量を採取
し、N、 N−ジメチルホルムアミド(DMF)を溶剤
とし、この溶剤を還流させて、採取した熱可塑性樹脂を
溶解し、冷却後、この溶液中vcAe −TCNQCN
上所定tを添加し、ミーqザーで混疎して熱可塑性樹脂
中にPLZT粒子を分散させ、とnをガラス板上に塗布
し、80℃に加熱した真空乾燥器内で減圧加熱して溶剤
を除去L、残留物をガラス板上から剥離し、これを所定
条件で分極処理して膜圧0.11II11の焦電性複合
材料を得た。
し、N、 N−ジメチルホルムアミド(DMF)を溶剤
とし、この溶剤を還流させて、採取した熱可塑性樹脂を
溶解し、冷却後、この溶液中vcAe −TCNQCN
上所定tを添加し、ミーqザーで混疎して熱可塑性樹脂
中にPLZT粒子を分散させ、とnをガラス板上に塗布
し、80℃に加熱した真空乾燥器内で減圧加熱して溶剤
を除去L、残留物をガラス板上から剥離し、これを所定
条件で分極処理して膜圧0.11II11の焦電性複合
材料を得た。
ここで、溶媒の除去温度は80℃以下が好ましい。ガラ
ス板からの剥離片の処理は、溶媒除去後。
ス板からの剥離片の処理は、溶媒除去後。
プレスを用いて行なってもよい。その時のプレス温度は
熱り塑性樹脂の融点+20〜60℃が好ましい。分極処
理の条件は直流電圧で10kv/m以下、100℃以下
、60分以上が好ましい。
熱り塑性樹脂の融点+20〜60℃が好ましい。分極処
理の条件は直流電圧で10kv/m以下、100℃以下
、60分以上が好ましい。
熱可塑性樹脂は、実施例■においてはポリスチレン樹脂
(昭和電工(株)製ニスプライト8M)、実施例のにお
いてはポリメタクリル酸メチル樹脂(住友化学(株)製
スミペックスB−LG) 、実施例■においてはポリビ
ニルブチラール樹脂(電気化学工業(株)製す3000
−1)、実施例■においてはポリフン化ビニリデン樹脂
(呉羽化学(株)製KFポリマー)を使用した。この発
明に係る焦電性複合材料は合成樹脂をマトリックスとし
ているので、柔軟性があり、シート状に形成した場合は
自由な形状に加工でき、また、顔料を添加することによ
り、自由な色に着色できる。また、複合材料の比重は4
〜5程度で、セラミック単体の比重Z8〜aOよりも小
さく、シかも、上述したように0.1〜0.2 m程度
のシートに形成できるので、製品を軽量化させることが
できる。また、この発明に係る焦電性複合材料は熱可塑
性樹脂なマ) IJラックスしているので、熱圧着によ
り種々の平面又は曲面に貼着させることができる。
(昭和電工(株)製ニスプライト8M)、実施例のにお
いてはポリメタクリル酸メチル樹脂(住友化学(株)製
スミペックスB−LG) 、実施例■においてはポリビ
ニルブチラール樹脂(電気化学工業(株)製す3000
−1)、実施例■においてはポリフン化ビニリデン樹脂
(呉羽化学(株)製KFポリマー)を使用した。この発
明に係る焦電性複合材料は合成樹脂をマトリックスとし
ているので、柔軟性があり、シート状に形成した場合は
自由な形状に加工でき、また、顔料を添加することによ
り、自由な色に着色できる。また、複合材料の比重は4
〜5程度で、セラミック単体の比重Z8〜aOよりも小
さく、シかも、上述したように0.1〜0.2 m程度
のシートに形成できるので、製品を軽量化させることが
できる。また、この発明に係る焦電性複合材料は熱可塑
性樹脂なマ) IJラックスしているので、熱圧着によ
り種々の平面又は曲面に貼着させることができる。
また、PLZT粒子は三菱金網(株)It!のものを使
用した。Ac−TCNQCN上後述する方法によって合
成した1量体を使用した。DMFは市販品を使用した。
用した。Ac−TCNQCN上後述する方法によって合
成した1量体を使用した。DMFは市販品を使用した。
熱可塑性樹脂とPLZT粒子とAc−TCNQCN上D
MFとは第1六に示す配合率で配合した。
MFとは第1六に示す配合率で配合した。
第 1 狭
肴単位wt%
上記焦電性複合材料の各種特性を熱可塑性樹脂ごとに調
べたところ、第2衣に示すようになった。
べたところ、第2衣に示すようになった。
上記方法によって得られた焦電性複合材料の体積抵抗率
とチオヘンTCNQ錯体1量体の添加量との関係につい
て調べたところ、第1図に示すようになった。また、こ
の焦電性複合材料の誘電率とAC−TCNQ錯体(1量
体)の添加量との関係について調べたところ、第2図に
示すようになった。
とチオヘンTCNQ錯体1量体の添加量との関係につい
て調べたところ、第1図に示すようになった。また、こ
の焦電性複合材料の誘電率とAC−TCNQ錯体(1量
体)の添加量との関係について調べたところ、第2図に
示すようになった。
AC−TCNQ錯体(1量体)の添加量が増大するにつ
れて体積抵抗が減少する。また一方、第2図より錯体の
添加量が低い場合は、誘電率が低いことが明らかである
。
れて体積抵抗が減少する。また一方、第2図より錯体の
添加量が低い場合は、誘電率が低いことが明らかである
。
実施例■〜@
焦電性複合材料の基本的組成及び製造方法は実施例■〜
■と同様である。ただし、A (!−TCNQ錯体は1
量体に変えて2量体を使用した。ポリスチレン樹脂は出
光石油化学(株)製HH−30Bを使用した。熱可塑性
樹脂とPLZT粒子とAc−TCNQ錯体とDMFとは
第6Nに示す配合率で配合した。
■と同様である。ただし、A (!−TCNQ錯体は1
量体に変えて2量体を使用した。ポリスチレン樹脂は出
光石油化学(株)製HH−30Bを使用した。熱可塑性
樹脂とPLZT粒子とAc−TCNQ錯体とDMFとは
第6Nに示す配合率で配合した。
上記実施例■〜■の焦電性複合材料の各種特性を調べた
ところ、第4表に示すようになった。
ところ、第4表に示すようになった。
上記方法によって得られた焦電性−金材料の体積抵抗率
、とAc−TCNQ錯体の添加量との関係について調べ
たところ、第6図に示すようになった。また、この焦電
性複合材料の誘電率とAc−TCNQ錯体の添加量との
関係について調べたところ、第4図に示すようになった
。
、とAc−TCNQ錯体の添加量との関係について調べ
たところ、第6図に示すようになった。また、この焦電
性複合材料の誘電率とAc−TCNQ錯体の添加量との
関係について調べたところ、第4図に示すようになった
。
(イ)合成反応式
反応の経過は以下の■〜■に示す通りである。
■ AC+CH3I→〔AC〕■
東
■ TCNQ+ LiI → Li −TCNQ。
■ (Ac )I + Li TCNQ →[Ac3
・TCNQ■ 〔AC+〕・I−+ 2TCNQ 4
[Ac”)・(’I”CNQ);(ハ)合成反応例 以下、合成反応例について詳細に説明する。
・TCNQ■ 〔AC+〕・I−+ 2TCNQ 4
[Ac”)・(’I”CNQ);(ハ)合成反応例 以下、合成反応例について詳細に説明する。
■(Ae)・■ の合成
kC+ CI(3I → CAe )I25 y
60 t PhCHs (0,14moA) (0,42moz) (5LJO
J’)方法 1tのナスフラスコにアクリジン25 t (0,14
mob)を加えてそこへトルエン3[]0−を加えて溶
解させた。そしてそこへヨウ化メチル60 ? (0,
42mol) ) #エフ 200m/e加えた。
60 t PhCHs (0,14moA) (0,42moz) (5LJO
J’)方法 1tのナスフラスコにアクリジン25 t (0,14
mob)を加えてそこへトルエン3[]0−を加えて溶
解させた。そしてそこへヨウ化メチル60 ? (0,
42mol) ) #エフ 200m/e加えた。
そして、その溶液を2時間還流した。
還流後析出した結晶を吸引漣過してトルエンで洗浄後エ
ーテルで洗浄して真空乾燥させた。
ーテルで洗浄して真空乾燥させた。
橙色の結晶 収量24.7r
収率 55%
■Ll−TCNQ−の合成
(0,15mol) (0,45mo7)方法
2を三角フラスコにテトラシアノキノジメタン50.6
9 (0,15mol) ?加えそこへアセトニトリル
800 rnlを加えて加熱攪拌して溶解させた。その
熱溶液VC300ml三角フラスコ ヨウ化リチウム6
0 f (0,45mot)を加えアセトニトリル20
0m1!を加えて加熱溶解はせた熱溶液を加えた。
9 (0,15mol) ?加えそこへアセトニトリル
800 rnlを加えて加熱攪拌して溶解させた。その
熱溶液VC300ml三角フラスコ ヨウ化リチウム6
0 f (0,45mot)を加えアセトニトリル20
0m1!を加えて加熱溶解はせた熱溶液を加えた。
すると紫色の沈殿が析出してさた その浴gを4時間は
ど放置して(室温で)その後紫色の沈殿を吸引涙過して
、その沈殿をろ液が明るい緑色になるまで洗い、その後
エーテルで洗浄後真空乾燥させた。
ど放置して(室温で)その後紫色の沈殿を吸引涙過して
、その沈殿をろ液が明るい緑色になるまで洗い、その後
エーテルで洗浄後真空乾燥させた。
紫色の沈殿 収量 61.52
収率 99%
◎CA(: ’] ・TCNQ−(’) 合成CAc
〕・I +Li −TCNQ −+(Ac ’ITC
NQ=(8771tnot) (373mot)方
法 21の三角フラスコにLi −TCNQ−1,7ft
(8m mol) f加え、そこへ無水エタノール60
0ゴを加えて加熱攪拌して溶解させた。その熱溶液に(
Ac ]・I (N−メチルアクリジニウムヨーダイ
ト) 2.6f (8mmoz)12zの三角フラスコ
に加え、無水エタノール180〇−を加えて加熱攪拌し
て溶解させた熱溶液を加えた。
〕・I +Li −TCNQ −+(Ac ’ITC
NQ=(8771tnot) (373mot)方
法 21の三角フラスコにLi −TCNQ−1,7ft
(8m mol) f加え、そこへ無水エタノール60
0ゴを加えて加熱攪拌して溶解させた。その熱溶液に(
Ac ]・I (N−メチルアクリジニウムヨーダイ
ト) 2.6f (8mmoz)12zの三角フラスコ
に加え、無水エタノール180〇−を加えて加熱攪拌し
て溶解させた熱溶液を加えた。
そしてその溶液を室温に戻るまで放置した。
析出してきた結晶を吸引濾過して冷却したエタノールで
洗浄後エーテルで洗浄して真空乾燥場せた。
洗浄後エーテルで洗浄して真空乾燥場せた。
そして集めた結晶をア七トニ) IJルで再結晶を行っ
た。
た。
暗紫色の結晶 収量 2.Of
収率 62%
テラ素の側鎖は炭素数1〜乙のものが使用できる。炭素
数4以上になると合成が困難。
数4以上になると合成が困難。
■[:Ac ] (TCNQ)2−の合成(17mmo
l) (35771mat)方法 1tの三角フラスコにテトラシアノキノジメタン7、2
f (35m mol)を加えそこへア七トニ) I
Jル500rnl を加えて加熱攪拌して溶解させた
。その熱溶液に300m7!の三角フラスコにN−メチ
ルアクリジニウムヨーダイト5.6t (17mmoz
)1加え、アセトニトリル200ydを加えて加熱攪拌
して溶解させた熱溶液を加えた。
l) (35771mat)方法 1tの三角フラスコにテトラシアノキノジメタン7、2
f (35m mol)を加えそこへア七トニ) I
Jル500rnl を加えて加熱攪拌して溶解させた
。その熱溶液に300m7!の三角フラスコにN−メチ
ルアクリジニウムヨーダイト5.6t (17mmoz
)1加え、アセトニトリル200ydを加えて加熱攪拌
して溶解させた熱溶液を加えた。
そして室温に放置した。
室温に戻る少し前に析出した結晶を吸引沖過して、F液
が明るい緑色になるまで、アセトニ) IJルで洗いそ
の後エーテルで洗浄して真空乾燥させた。そして集めた
結晶をアセトニトリルで再結晶を行った。
が明るい緑色になるまで、アセトニ) IJルで洗いそ
の後エーテルで洗浄して真空乾燥させた。そして集めた
結晶をアセトニトリルで再結晶を行った。
ふわりとした針状の青黒色結晶
収量 7.3 y
収率 69チ
チッソの側鎖に結合している炭化水素はCの数の1〜6
のものまで使用できる。Cの数が4以上のものけ合成が
困難。
のものまで使用できる。Cの数が4以上のものけ合成が
困難。
G0発明の効果
この発明は、焦電性を有する熱可塑性樹脂中にAc−T
CNQ錯体を分散させたので、熱可塑性樹脂の誘電率が
高くなり、焦電性複合体の焦電特性が向上し、従ってと
の焦電性複合体を温度センサーとして使用すればその検
出精度及び感度を向上させることができるという効果が
ある。
CNQ錯体を分散させたので、熱可塑性樹脂の誘電率が
高くなり、焦電性複合体の焦電特性が向上し、従ってと
の焦電性複合体を温度センサーとして使用すればその検
出精度及び感度を向上させることができるという効果が
ある。
第1図は焦電性複合材料の体積抵抗率と[Ac ]TC
NQの添加量との関係を示すグラフ、第2図は焦電性複
合材料の誘電率と[Ae )TCNQの添加量との関係
を示すグラフ、第6図は焦電性複合材料の体積抵抗率と
[Ac 〕(TCNQ)t の添加量との関係を示す
グラフ、第4図は焦電性複合材料の誘電率と(Ac ”
) (TCNQ) ;の添加量との関係を示すグラフ
である。 代理人 弁理士 木 村 三 朗 +トン 2ククリJ7幻鷺メ如レ 一゛°ニルフ”f 7− r 1// フ TCNQ h*イオ(ふイさカロt (wt%シ化ヒ″
ニリテ゛ン
NQの添加量との関係を示すグラフ、第2図は焦電性複
合材料の誘電率と[Ae )TCNQの添加量との関係
を示すグラフ、第6図は焦電性複合材料の体積抵抗率と
[Ac 〕(TCNQ)t の添加量との関係を示す
グラフ、第4図は焦電性複合材料の誘電率と(Ac ”
) (TCNQ) ;の添加量との関係を示すグラフ
である。 代理人 弁理士 木 村 三 朗 +トン 2ククリJ7幻鷺メ如レ 一゛°ニルフ”f 7− r 1// フ TCNQ h*イオ(ふイさカロt (wt%シ化ヒ″
ニリテ゛ン
Claims (7)
- (1)焦電性を有する熱可塑性樹脂中にPLZT粒子と
アクリジンTCNQ1量体錯体とを所定配合率で各各配
合分散させてなる焦電性複合材料。 - (2)PLZT粒子の配合率が80wt%以上、95w
t%以下である特許請求の範囲第1項に記載の焦電性複
合材料。 - (3)アクリジンTCNQ錯体の配合率が熱可塑性樹脂
と該錯体との混合物に対して0.05wt%以上、7w
t%以下である特許請求の範囲第1項に記載の焦電性複
合材料。 - (4)熱可塑性樹脂がポリスチレン樹脂である特許請求
の範囲第1項に記載の焦電性複合材料。 - (5)熱可塑性樹脂がメタクリル酸系樹脂である特許請
求の範囲第1項に記載の焦電性複合材料。 - (6)熱可塑性樹脂がポリビニルブチラール樹脂である
特許請求の範囲第1項に記載の焦電性複合材料。 - (7)熱可塑性樹脂がフッ素系樹脂である特許請求の範
囲第1項に記載の焦電性複合材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6215585A JPS61224208A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 焦電性複合材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6215585A JPS61224208A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 焦電性複合材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61224208A true JPS61224208A (ja) | 1986-10-04 |
Family
ID=13191934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6215585A Pending JPS61224208A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 焦電性複合材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61224208A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01169971A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光起電力装置の製造法 |
| US6143157A (en) * | 1995-11-27 | 2000-11-07 | Vlt Corporation | Plating permeable cores |
-
1985
- 1985-03-28 JP JP6215585A patent/JPS61224208A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01169971A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光起電力装置の製造法 |
| US6143157A (en) * | 1995-11-27 | 2000-11-07 | Vlt Corporation | Plating permeable cores |
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