JPS61224291A - エレクトロルミネツセンス素子及びその製造法 - Google Patents
エレクトロルミネツセンス素子及びその製造法Info
- Publication number
- JPS61224291A JPS61224291A JP60064171A JP6417185A JPS61224291A JP S61224291 A JPS61224291 A JP S61224291A JP 60064171 A JP60064171 A JP 60064171A JP 6417185 A JP6417185 A JP 6417185A JP S61224291 A JPS61224291 A JP S61224291A
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- Japan
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- sintered body
- phosphor
- phosphor powder
- sintered
- voltage
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- Luminescent Compositions (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はエレクトロルミネッセンス素子及びその製造法
に関する。
に関する。
(従来の技術)
一般に、エレクトロルミネッセンス素子(以下、EL素
子と記す)は、平面形固体発光表示素子として、各種デ
ィスプレイなとに利用されている。
子と記す)は、平面形固体発光表示素子として、各種デ
ィスプレイなとに利用されている。
このEL素子は構造」二、薄膜形と分散形に分けられ、
交流電圧駆動形と直流電圧駆動形があるが、現在、薄膜
形の交流駆動2電絶縁構造EL素子および分散形の交流
駆動誘電体分散形EL素子が使用されている。
交流電圧駆動形と直流電圧駆動形があるが、現在、薄膜
形の交流駆動2電絶縁構造EL素子および分散形の交流
駆動誘電体分散形EL素子が使用されている。
(発明が解決しようとずろ問題点)
しかしながら、これらのEL素子は、高価で、かつ駆動
電圧が高く、さらに交流電源が必要であり、発光色はオ
レンジ色と緑色のみに限られるなど多くの問題点がある
。しかも、充分な輝度を得るたぬには、通常容易に得難
い高周波電源が必要・であるため、単相商用周波電源や
直流電源用の表示用ランプ等への応用が困難である。従
って、従来のET、素子は、薄膜形が高価なコンピュー
タ用端末ディスプレイなど限られた用途において使用さ
れ、また分散形は充分な輝度が得られないことから、極
めて一部の用途にのみ使用されているに過ぎない。
電圧が高く、さらに交流電源が必要であり、発光色はオ
レンジ色と緑色のみに限られるなど多くの問題点がある
。しかも、充分な輝度を得るたぬには、通常容易に得難
い高周波電源が必要・であるため、単相商用周波電源や
直流電源用の表示用ランプ等への応用が困難である。従
って、従来のET、素子は、薄膜形が高価なコンピュー
タ用端末ディスプレイなど限られた用途において使用さ
れ、また分散形は充分な輝度が得られないことから、極
めて一部の用途にのみ使用されているに過ぎない。
本発明(」安価に、かつ容易に製造でき、低電用で、ま
た直流7>び交流のいオれてら駆動てき、しかも多色発
光可能な高輝度のr>+、素子を提+j(tろことを1
−1的と4−ろ。
た直流7>び交流のいオれてら駆動てき、しかも多色発
光可能な高輝度のr>+、素子を提+j(tろことを1
−1的と4−ろ。
(問題点を解決−4“ろための手段)
本発明は、市I記問題を解決4−ろため、発光材料どし
て、蛍光体からなる焼結体をIIILI、これに7は極
を形成4−ろようにしたしのである。
て、蛍光体からなる焼結体をIIILI、これに7は極
を形成4−ろようにしたしのである。
蛍光体としては、遷移金属の塩なとの純粋型、あるいは
ハロゲン化アルカリ土類金属の酸化物、硫化物、セレン
化物、酸素酸塩を母体とし、これに(−1活剤を添加し
た乙のなと公知の([怠のものを使用できる。
ハロゲン化アルカリ土類金属の酸化物、硫化物、セレン
化物、酸素酸塩を母体とし、これに(−1活剤を添加し
た乙のなと公知の([怠のものを使用できる。
本発明に係るPL素子を構成オろ蛍光体からなる焼結体
は、蛍光体粉末を乾式、′1(乾式あるいは湿式法によ
る一軸性加圧成形、押出加圧成形、静水圧加圧成形、ら
しくは泥漿鋳込成彩、ドクターブレード法等公知の任意
の成形方法によって適当な形状と1刃こ後、各種雰囲気
中で焼成することにより製造することができる。また、
成形と焼結を同時に行い得る高温加圧成形、静水圧高温
加圧成形も適用できる。
は、蛍光体粉末を乾式、′1(乾式あるいは湿式法によ
る一軸性加圧成形、押出加圧成形、静水圧加圧成形、ら
しくは泥漿鋳込成彩、ドクターブレード法等公知の任意
の成形方法によって適当な形状と1刃こ後、各種雰囲気
中で焼成することにより製造することができる。また、
成形と焼結を同時に行い得る高温加圧成形、静水圧高温
加圧成形も適用できる。
本発明に係るEL素子は、第1図に示すように、前記の
方法で作製した焼結体1の相対向する2面に、電極2と
して金属膜や透明導電膜などを真空蒸着法やスパッタ法
で形成することによって作製することができる。さらに
、第1図および第2図に示すように、焼結体に有効な電
界を印加する方法として、焼結体の表面上にザーメット
、誘電体、半導体などによる高抵抗層3の形成や焼結体
の結晶粒界への適当な不純物等の導入によって高抵抗化
処理を施し、その表面上に前記電極2を形成することに
よってEL素子を作製することができる。
方法で作製した焼結体1の相対向する2面に、電極2と
して金属膜や透明導電膜などを真空蒸着法やスパッタ法
で形成することによって作製することができる。さらに
、第1図および第2図に示すように、焼結体に有効な電
界を印加する方法として、焼結体の表面上にザーメット
、誘電体、半導体などによる高抵抗層3の形成や焼結体
の結晶粒界への適当な不純物等の導入によって高抵抗化
処理を施し、その表面上に前記電極2を形成することに
よってEL素子を作製することができる。
なお、使用する蛍光体の抵抗率が非常に高い場合や逆に
非常に低い場合には、充分に高い電界を印加することが
困難となるが、これは、原料蛍光体粉末に絶縁物や他の
高抵抗率の蛍光体またはI族金属や低抵抗率の蛍光体を
混合することにより解決でき、所望の抵抗値や抵抗分布
が実現できる。
非常に低い場合には、充分に高い電界を印加することが
困難となるが、これは、原料蛍光体粉末に絶縁物や他の
高抵抗率の蛍光体またはI族金属や低抵抗率の蛍光体を
混合することにより解決でき、所望の抵抗値や抵抗分布
が実現できる。
また、高い電界を印加する方法として、焼結体の厚さを
極力薄くすることも有効である。
極力薄くすることも有効である。
また、透明導電膜はTTO膜おにびネザ暎あるいは酸化
亜鉛系(ZnO+1り膜のいずれを使用してもよい。
亜鉛系(ZnO+1り膜のいずれを使用してもよい。
(作用)
本発明に係るEL素子は、電極間に直流電圧あるいは交
流電圧を印加することにより、焼結体の成分組成に応じ
た色で発光する。ざらに、2種以」二の蛍光体を含有す
る焼結体を用いたものでは、印加電圧を変化させること
により、印加電圧の変化に応じて発光色が変化する。
流電圧を印加することにより、焼結体の成分組成に応じ
た色で発光する。ざらに、2種以」二の蛍光体を含有す
る焼結体を用いたものでは、印加電圧を変化させること
により、印加電圧の変化に応じて発光色が変化する。
以下、本発明の実施例について説明する。
(実施例1)
市販のZnO:Zn蛍光体粉末(PI3、化成オプトニ
クス(株)製)に酸化ビスマスあるいは、炭酸リチウム
(T、+2CO3)を0.001〜30wt%混入した
後、厚さ1mmの板状に加圧成形し、900℃のアルゴ
ン気流中で1時間焼成した。得られた焼結体の片面にア
ルミニウム電極を真空蒸着で形成した後、反対側表面に
S n O2透明導電膜をスパッ夕法で形成し、第1図
の構造のEL素子を作製しノこ。
クス(株)製)に酸化ビスマスあるいは、炭酸リチウム
(T、+2CO3)を0.001〜30wt%混入した
後、厚さ1mmの板状に加圧成形し、900℃のアルゴ
ン気流中で1時間焼成した。得られた焼結体の片面にア
ルミニウム電極を真空蒸着で形成した後、反対側表面に
S n O2透明導電膜をスパッ夕法で形成し、第1図
の構造のEL素子を作製しノこ。
透明電極側を正極性として、直流電圧を印加していくと
、印加電圧が数Vから緑色の発光が認められ、最大輝度
的300cd/m2を得た。
、印加電圧が数Vから緑色の発光が認められ、最大輝度
的300cd/m2を得た。
(実施例2)
市販の7.nS:Mn蛍光体粉末(商品名KX−605
Δ、製造化成オプトニクス(株))1gにイソプロピル
アルコール約0 、3 ccを添加し、充分混合した後
、厚さ約0 、5 mmの板状に加圧成形し、900°
Cのアルゴン気流中で1時間焼結させた。
Δ、製造化成オプトニクス(株))1gにイソプロピル
アルコール約0 、3 ccを添加し、充分混合した後
、厚さ約0 、5 mmの板状に加圧成形し、900°
Cのアルゴン気流中で1時間焼結させた。
次いで、得られた焼結体を20℃のIOmo1%の硫酸
銅(CuSO,)水溶液中に約5秒間浸した後、再び9
00°Cのアルゴン気流中で1時間焼成し、得られた焼
結体の片面にアルミニウムを真空蒸着で付IJ、他面に
ZnO:Aρ透明導電膜をスパッタ法で形成することに
よって、第1図の構造のEL素子を作製した。
銅(CuSO,)水溶液中に約5秒間浸した後、再び9
00°Cのアルゴン気流中で1時間焼成し、得られた焼
結体の片面にアルミニウムを真空蒸着で付IJ、他面に
ZnO:Aρ透明導電膜をスパッタ法で形成することに
よって、第1図の構造のEL素子を作製した。
この素子に透明導電膜を正極性として直流もしく(J商
用交流(周波数60Hz)の電圧を数■印加すると、オ
レンジ色の均一な発光が得られ、直流50Vで3000
cd/m2の輝度が得られた。
用交流(周波数60Hz)の電圧を数■印加すると、オ
レンジ色の均一な発光が得られ、直流50Vで3000
cd/m2の輝度が得られた。
また、これと(J別に、硫酸銅水溶液中での処理条件な
どを変えて作製1.たEL素子は、その発光の開始電圧
および高輝度の得られる印加電圧値を数Vから数百■ま
で再現性よく変化させることかできた。この場合の輝度
は最低でも数百cd/m2が得られ、最高で6000
cd/m2が得られた。
どを変えて作製1.たEL素子は、その発光の開始電圧
および高輝度の得られる印加電圧値を数Vから数百■ま
で再現性よく変化させることかできた。この場合の輝度
は最低でも数百cd/m2が得られ、最高で6000
cd/m2が得られた。
(実施例3)
市販の7.nO:Zn蛍光体粉末(P I 5、製造化
成オプトニクス(株))に酸化ビスマス(BLO3)、
あるい(」炭酸リチウム(LiCO3)を0001〜3
0w[%混入し、加圧成形した後、900℃のアルゴン
気流中で1時間焼結して焼結体を得、その片面に硫化亜
鉛(7,n S )をスパッタ法で高抵抗層として形成
した後、両面にスパッタ法でZnO:AQ透明電極を形
成し、第2図の構造のEr、、素子を作製した。
成オプトニクス(株))に酸化ビスマス(BLO3)、
あるい(」炭酸リチウム(LiCO3)を0001〜3
0w[%混入し、加圧成形した後、900℃のアルゴン
気流中で1時間焼結して焼結体を得、その片面に硫化亜
鉛(7,n S )をスパッタ法で高抵抗層として形成
した後、両面にスパッタ法でZnO:AQ透明電極を形
成し、第2図の構造のEr、、素子を作製した。
透明電極側を正極性として、直流電圧を印加すると、印
加電圧数V〜数十■から青緑色の発光が一7= 認められ、最大輝度500cd/m’を得た。
加電圧数V〜数十■から青緑色の発光が一7= 認められ、最大輝度500cd/m’を得た。
(実施例4)
市販のZnO:Zn蛍光体粉末(Pl5)にZn2Si
O4:Mn蛍光体(Pl、化成オプトニクス(株)製)
をlO〜50mo1%混入し、イソプロピルアルコール
を添加して加圧成形したものを、900℃のアルゴン気
流中で1時間焼成して焼結体を得た。
O4:Mn蛍光体(Pl、化成オプトニクス(株)製)
をlO〜50mo1%混入し、イソプロピルアルコール
を添加して加圧成形したものを、900℃のアルゴン気
流中で1時間焼成して焼結体を得た。
この焼結体の片面にアルミニウムを真空蒸着して、反対
側表面にZnO:At!透明導電膜をスパッタ法で形成
することによって、第1図の構造のEL素子を作製した
。この素子にl0kHzの正弦波電圧を印加すると、約
数百Vから緑色の発光が観測できた。
側表面にZnO:At!透明導電膜をスパッタ法で形成
することによって、第1図の構造のEL素子を作製した
。この素子にl0kHzの正弦波電圧を印加すると、約
数百Vから緑色の発光が観測できた。
なお、この実施例で形成した焼結体の片面にスパッタ法
でZnS高抵抗層を形成した後、その」−にZnO:、
J透明電極を形成して得た第2図の構造のEL素子では
、透明電極側を正極性として直流電圧を50V以」二印
加すると、白っぽい緑色の発光が観測でき、約100c
d/m2の輝度が得られナ一 (実施例5) 実施例4において、PI蛍光体の代わりに、市販のZn
S:Mn蛍光体粉末を30mo1%混合し、同じ条件で
ET、素子を作製して、l0kT(zの正弦波交流電圧
を印加すると、約100V以−1−の電圧から緑色の発
光が観測でき、印加電圧の一]−昇に伴ってオレンジ色
に変わり、最大輝度300 cd/m’を得ることがで
きた。
でZnS高抵抗層を形成した後、その」−にZnO:、
J透明電極を形成して得た第2図の構造のEL素子では
、透明電極側を正極性として直流電圧を50V以」二印
加すると、白っぽい緑色の発光が観測でき、約100c
d/m2の輝度が得られナ一 (実施例5) 実施例4において、PI蛍光体の代わりに、市販のZn
S:Mn蛍光体粉末を30mo1%混合し、同じ条件で
ET、素子を作製して、l0kT(zの正弦波交流電圧
を印加すると、約100V以−1−の電圧から緑色の発
光が観測でき、印加電圧の一]−昇に伴ってオレンジ色
に変わり、最大輝度300 cd/m’を得ることがで
きた。
(実施例6)
実施例2において、ZnS:Mn蛍光体の代わりに、Z
nS:TbF3蛍光体を使用して、実施例2と同様にし
てEL素子を作製したところ、緑色発光が得られた。
nS:TbF3蛍光体を使用して、実施例2と同様にし
てEL素子を作製したところ、緑色発光が得られた。
なお、前記実施例においては、いずれも発光を観測する
場合は、常にEL素子全体をシリコン油中に浸すか、あ
るいは乾燥窒素ガス中に置いて行った。
場合は、常にEL素子全体をシリコン油中に浸すか、あ
るいは乾燥窒素ガス中に置いて行った。
(発明の効果)
本発明によれば、EI7素子が焼結体で構成される為、
従来の薄膜形EL素子や分散形EL素子と異なり、素子
の構成にガラス、プラスデックあるいは鉄などの基板+
:Aオ′ミ1が不要であり、しかも基板が必要でないた
め加圧成形や高温焼結ができる。
従来の薄膜形EL素子や分散形EL素子と異なり、素子
の構成にガラス、プラスデックあるいは鉄などの基板+
:Aオ′ミ1が不要であり、しかも基板が必要でないた
め加圧成形や高温焼結ができる。
また、焼結体?こ直接電極を形成するか、あるいは焼結
体の表面に高抵抗層と電極を形成するのみで、EI、素
子を構成するため、公知のセラミックス製造技術が利用
でき、里産化が可能であり、非常に安価に、かつ容易に
EL素子が製造できる。さらに、蛍光体を適宜選択する
ことにより、所望の抵抗および発光色のEL素子を得る
ことが可能であり、しかむ多色発光の可能な直流低電圧
駆動形のEL素子を実現できる。
体の表面に高抵抗層と電極を形成するのみで、EI、素
子を構成するため、公知のセラミックス製造技術が利用
でき、里産化が可能であり、非常に安価に、かつ容易に
EL素子が製造できる。さらに、蛍光体を適宜選択する
ことにより、所望の抵抗および発光色のEL素子を得る
ことが可能であり、しかむ多色発光の可能な直流低電圧
駆動形のEL素子を実現できる。
また、本発明のEL素子における焼結体は多結晶である
ので、高発光効率の蛍光体の特性を損なうことなく、他
の蛍光体や金属や半導体や絶縁物あるいは誘電体を混入
させても成形や焼結を行なうことができ、焼結後におい
ては多孔質であるため粒界にガスあるいは液体状態での
不純物を導入することが可能であり、容易に抵抗率の制
御、発光色及び発光効率の最適化を行なうことができる
。
ので、高発光効率の蛍光体の特性を損なうことなく、他
の蛍光体や金属や半導体や絶縁物あるいは誘電体を混入
させても成形や焼結を行なうことができ、焼結後におい
ては多孔質であるため粒界にガスあるいは液体状態での
不純物を導入することが可能であり、容易に抵抗率の制
御、発光色及び発光効率の最適化を行なうことができる
。
=11−
!・・・焼結体、2・・電極、3・・・高抵抗層。
特に、発光効率(J適当なドーパントの導入や蛍光体の
構成元素の組成制御がセラミックス化の過程で可能なた
め、容易に最適化でき、高輝度のEI素−rが実現でき
る。さらに、抵抗率の制御が可能なため、素子印加電圧
の低電圧化や直流駆動化が可能となる。
構成元素の組成制御がセラミックス化の過程で可能なた
め、容易に最適化でき、高輝度のEI素−rが実現でき
る。さらに、抵抗率の制御が可能なため、素子印加電圧
の低電圧化や直流駆動化が可能となる。
本発明方法によろEL索子の形状は、焼結体の形状のよ
って決まるため、任意の形状ものが製造でき、円筒状や
円形など任意の形状の、小面積から大面積までの用途に
応じたE L素子が実現できろ。さらに、焼結体の抵抗
率を制御すると、電子回路用の直流電源での発光や商用
電力回路の100Vおよび200Vの発光まで容易に実
現でき、しから安価であるため、これらの回路の表示用
ランプ等の用途にも最適である。
って決まるため、任意の形状ものが製造でき、円筒状や
円形など任意の形状の、小面積から大面積までの用途に
応じたE L素子が実現できろ。さらに、焼結体の抵抗
率を制御すると、電子回路用の直流電源での発光や商用
電力回路の100Vおよび200Vの発光まで容易に実
現でき、しから安価であるため、これらの回路の表示用
ランプ等の用途にも最適である。
第1図は本発明に係るエレクトロルミネッセンス素子(
ET、、素子)の構造の一実施例を示す断面図、第2図
(J本発明に係るエレクトロルミネッセンス素子の構造
の他の実施例を示す断面図である。 特 許 出 願 人 大阪特殊合金株式会社代 理 人
弁理士 青 山 葆ほか2名第1図 第2囚
ET、、素子)の構造の一実施例を示す断面図、第2図
(J本発明に係るエレクトロルミネッセンス素子の構造
の他の実施例を示す断面図である。 特 許 出 願 人 大阪特殊合金株式会社代 理 人
弁理士 青 山 葆ほか2名第1図 第2囚
Claims (10)
- (1)少なくとも一種の蛍光体からなる焼結体と、該焼
結体の表面に形成された電極とからなることを特徴とす
るエレクトロルミネツセンス素子。 - (2)前記焼結体の表面と電極との間に高抵抗層を介在
させてなる特許請求の範囲第1項記載のエレクトロルミ
ネツセンス素子。 - (3)蛍光体粉末を成形し、焼結させた後、得た蛍光体
からなる焼結体の表面上に電極を形成することを特徴と
するエレクトロルミネツセンス素子の製造法。 - (4)前記蛍光体粉末が少なくとも一種の蛍光体粉末か
らなる特許請求の範囲第3項記載の方法。 - (5)前記焼結体をI族金属を含む溶液中に浸漬した後
、再焼成することを特徴とする特許請求の範囲第3項ま
たは第4項記載の方法。 - (6)前記蛍光体粉末がI族金属を含む溶液中で浸漬処
理された蛍光体粉末からなる特許請求の範囲第3項また
は第4項記載の方法。 - (7)前記焼結体の表面に高抵抗層を形成した後、電極
を形成することを特徴とする特許請求の範囲第3項また
は第4項記載の方法。 - (8)前記蛍光体粉末に高抵抗用材料を混合した後、焼
結させることを特徴とする特許請求の範囲第3項または
第4項記載の方法。 - (9)前記蛍光体粉末に低抵抗材料を混合した後、焼結
させることを特徴とする特許請求の範囲第3項または第
4項記載の方法。 - (10)前記蛍光体を構成する原材料の原子や化合物を
混合した後、焼結させることを特徴とする特許請求の範
囲第3項または第4項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60064171A JPS61224291A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | エレクトロルミネツセンス素子及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60064171A JPS61224291A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | エレクトロルミネツセンス素子及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61224291A true JPS61224291A (ja) | 1986-10-04 |
| JPH0550119B2 JPH0550119B2 (ja) | 1993-07-28 |
Family
ID=13250346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60064171A Granted JPS61224291A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | エレクトロルミネツセンス素子及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61224291A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5641694A (en) * | 1979-09-13 | 1981-04-18 | Hitachi Ltd | Sintered el element |
-
1985
- 1985-03-27 JP JP60064171A patent/JPS61224291A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5641694A (en) * | 1979-09-13 | 1981-04-18 | Hitachi Ltd | Sintered el element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0550119B2 (ja) | 1993-07-28 |
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