JPS6122431A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS6122431A JPS6122431A JP14132184A JP14132184A JPS6122431A JP S6122431 A JPS6122431 A JP S6122431A JP 14132184 A JP14132184 A JP 14132184A JP 14132184 A JP14132184 A JP 14132184A JP S6122431 A JPS6122431 A JP S6122431A
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- JP
- Japan
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- plasma
- magnetic recording
- recording medium
- gas
- reaction
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- Pending
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野および発明の目的〕
この発明は強磁性層を磁気記録層とする磁気記録媒体の
製造方法に関し、その目的とするところは、耐久性およ
び耐食性に優れた磁気記録媒体の製造方法を提供するこ
とにある。
製造方法に関し、その目的とするところは、耐久性およ
び耐食性に優れた磁気記録媒体の製造方法を提供するこ
とにある。
強磁性層を磁気配録層とする磁気記録媒体は、通常、金
属もしくはそれらの合金などを真空蒸着等によって基体
フィルム上に被着してつくられ、高密度記録に適した特
性を有するが、反面磁気ヘッドとの摩擦係数が大きくて
摩耗や損傷を受は易く、また空気中で徐々に酸化を受け
て最大磁束密度などの磁気特性が劣化するなどの難点が
ある。
属もしくはそれらの合金などを真空蒸着等によって基体
フィルム上に被着してつくられ、高密度記録に適した特
性を有するが、反面磁気ヘッドとの摩擦係数が大きくて
摩耗や損傷を受は易く、また空気中で徐々に酸化を受け
て最大磁束密度などの磁気特性が劣化するなどの難点が
ある。
このため、従来から強磁性層上に種々の保護層な設ける
などして耐久性を改善することが行われている。たとえ
は、第3図に示すようなプラズマ処理装置を使用して、
強磁性層上にプラズマ保護層を形成していた。すなわち
、表面に強磁性層を形成したフィルム状の基体1を巻き
取った原反ロール3を真空槽2の所定位置にセットする
。そして基体1を原反ロール3からガイドロール4を介
して円筒状キャン5の周側面に沿って巻掛け、さらにガ
イドロール6を介して巻き取りロール7に巻き取るよう
にセットする。真空槽2内を排気装置8により所定の真
空度に保持するとともに、真空層2に取りつけたガス導
入管9から有機化合物のモノマーガスを導入し、高周波
電源10で電極11に高周波を印加してプラズマ重合し
、強磁性層表面に有機化合物のプラズマ重合保論層を設
けることが行われたいる。
などして耐久性を改善することが行われている。たとえ
は、第3図に示すようなプラズマ処理装置を使用して、
強磁性層上にプラズマ保護層を形成していた。すなわち
、表面に強磁性層を形成したフィルム状の基体1を巻き
取った原反ロール3を真空槽2の所定位置にセットする
。そして基体1を原反ロール3からガイドロール4を介
して円筒状キャン5の周側面に沿って巻掛け、さらにガ
イドロール6を介して巻き取りロール7に巻き取るよう
にセットする。真空槽2内を排気装置8により所定の真
空度に保持するとともに、真空層2に取りつけたガス導
入管9から有機化合物のモノマーガスを導入し、高周波
電源10で電極11に高周波を印加してプラズマ重合し
、強磁性層表面に有機化合物のプラズマ重合保論層を設
けることが行われたいる。
ところが、この方法では、真空槽内に存在させる有機化
合物のモノマーガスが均一であって、析出速度を速くす
れば低い架橋密度でプラズマ重合されて硬い保護層が得
られない。耐摩耗性を改善するため高周波−力を高くし
モノマーガスの使用量を少なくすると、重合物の析出速
度が低下して生産性を春くする。このようなことから、
真空槽内の有機化合物のモノマーガスのガス圧をそれほ
ど低く′できず、また高周波出力もそれほど高くできな
いため、いまひとつ表面が充分に緻密で硬いプラズマ重
合保護層が得られず、未だ耐久性および耐食性が充分に
良好なものは得られていない。
合物のモノマーガスが均一であって、析出速度を速くす
れば低い架橋密度でプラズマ重合されて硬い保護層が得
られない。耐摩耗性を改善するため高周波−力を高くし
モノマーガスの使用量を少なくすると、重合物の析出速
度が低下して生産性を春くする。このようなことから、
真空槽内の有機化合物のモノマーガスのガス圧をそれほ
ど低く′できず、また高周波出力もそれほど高くできな
いため、いまひとつ表面が充分に緻密で硬いプラズマ重
合保護層が得られず、未だ耐久性および耐食性が充分に
良好なものは得られていない。
本発明は、基体上に強磁性層を設け、エステル化合物か
らなる架橋剤ガスを混合した有機化合物のモノマーガス
を用いて、プラズマ重合反応と電子線照射による架橋反
応とにより、前記強磁性層上にプラズマ重合保護層を形
成したことを特徴とするものである。
らなる架橋剤ガスを混合した有機化合物のモノマーガス
を用いて、プラズマ重合反応と電子線照射による架橋反
応とにより、前記強磁性層上にプラズマ重合保護層を形
成したことを特徴とするものである。
基体上の強磁性層は、 Fe粉末、CO粉末% Fe−
Ni粉末などの金属磁性粉末を、結合剤および有機溶剤
等とともに基体上に塗布、乾燥するか、あるいは、00
、Fes Nih (3o−Ni合金、C0−Qr金合
金Qo + P s Co −Ni−P などの強磁
性材を、真空蒸着、イオンブレーティング、スパッタソ
ング、メッキ等の手段によって形成される。
Ni粉末などの金属磁性粉末を、結合剤および有機溶剤
等とともに基体上に塗布、乾燥するか、あるいは、00
、Fes Nih (3o−Ni合金、C0−Qr金合
金Qo + P s Co −Ni−P などの強磁
性材を、真空蒸着、イオンブレーティング、スパッタソ
ング、メッキ等の手段によって形成される。
プラズマ重合に用いられるモノマーガスとし【は、たと
えば、Ol F4 、C@ F6等のフッ素系有機化合
物のモノマーガス、プリパン、エチレン、プロピレン等
の炭化水素系化合物のモノマーガスおよびテトラメチル
シラン、オクタメチルシクロテトラシルキサン、ヘキサ
メチルジシラザン等のケイ素系有機化合物のモノマーガ
ス等が好ましく使用される。
えば、Ol F4 、C@ F6等のフッ素系有機化合
物のモノマーガス、プリパン、エチレン、プロピレン等
の炭化水素系化合物のモノマーガスおよびテトラメチル
シラン、オクタメチルシクロテトラシルキサン、ヘキサ
メチルジシラザン等のケイ素系有機化合物のモノマーガ
ス等が好ましく使用される。
これらの有機化合物のモノマーガスは、後述するプラズ
マ発生用電極の高周波の印加によってプラズマ重合が行
われると、ラジカルが生成され、この生成されたラジカ
ルが反応し重合して被膜となる。このようなプラズマ重
合の際のラジカルはこれらの有機化合物が二重結合また
は三重結合を有していたり、また末端に金属元素を有す
る金属塩化合物であるかあるいはOH基等の官能基を有
しているほど生成しやすいため、これら不飽和結合、パ
金属元素および官能基等を有するものがより好ましく使
用される。またこれらのモノマーガスをプラズマ重合す
る際、アルゴンガス、ヘリウムガスおよび酸素ガス等の
キャリアガスな併存させるとモノマーガスを単独でプラ
ズマ重合する場合に比べて3〜5倍の速度で析出される
ため、これらのキャリアガスな併存させて行うのが好ま
しい。
マ発生用電極の高周波の印加によってプラズマ重合が行
われると、ラジカルが生成され、この生成されたラジカ
ルが反応し重合して被膜となる。このようなプラズマ重
合の際のラジカルはこれらの有機化合物が二重結合また
は三重結合を有していたり、また末端に金属元素を有す
る金属塩化合物であるかあるいはOH基等の官能基を有
しているほど生成しやすいため、これら不飽和結合、パ
金属元素および官能基等を有するものがより好ましく使
用される。またこれらのモノマーガスをプラズマ重合す
る際、アルゴンガス、ヘリウムガスおよび酸素ガス等の
キャリアガスな併存させるとモノマーガスを単独でプラ
ズマ重合する場合に比べて3〜5倍の速度で析出される
ため、これらのキャリアガスな併存させて行うのが好ま
しい。
これらのキャリアガスと併存させる際、その組成割合は
キャリアガス対前配有機化合物のモノマーガスの比にし
て1対1〜20対1の範囲内で併存させるのが好ましく
、キャリアガスが少なすぎると析出速度が低下し、多す
ぎるとモノマーガスが少なくなってプラズマ重合反応に
支障をきたす。
キャリアガス対前配有機化合物のモノマーガスの比にし
て1対1〜20対1の範囲内で併存させるのが好ましく
、キャリアガスが少なすぎると析出速度が低下し、多す
ぎるとモノマーガスが少なくなってプラズマ重合反応に
支障をきたす。
なお、炭化水素系化合物の七ツマーガスを使用するとき
は、酸素ガスをキャリアガスとして使用すると酸化反応
が生′じるため、酸素ガスをキャリアガスとして使用す
るのは好ましくない。
は、酸素ガスをキャリアガスとして使用すると酸化反応
が生′じるため、酸素ガスをキャリアガスとして使用す
るのは好ましくない。
前記有機化合物のモノマーガスに混合されるエステル化
合物の架橋剤ガスとしては、アクリル酸エステルやメタ
クリル酸エステルが好適である。
合物の架橋剤ガスとしては、アクリル酸エステルやメタ
クリル酸エステルが好適である。
さらに前記アクリル酸エステルとしては、電子線に対す
る官能基を6個有し′ているジペンタエリスリトールへ
キサアクリレート、官能基を3個有しているトリメチロ
ールプロパントリアクリレート、および官能基を2個有
しているテFラエチレングリコールジアクリレートなど
が適用される。また前記メタクリル酸エステルとしては
、電子−に対する官能基を6個有しているジペンタエリ
スリトールへキサメタクリレート、官能基を3個有して
いるトリメチロールプロパントリアクリレート、および
官能基を2個有しているテトラエチレングリフールジア
クリレートなどが好適である。
る官能基を6個有し′ているジペンタエリスリトールへ
キサアクリレート、官能基を3個有しているトリメチロ
ールプロパントリアクリレート、および官能基を2個有
しているテFラエチレングリコールジアクリレートなど
が適用される。また前記メタクリル酸エステルとしては
、電子−に対する官能基を6個有しているジペンタエリ
スリトールへキサメタクリレート、官能基を3個有して
いるトリメチロールプロパントリアクリレート、および
官能基を2個有しているテトラエチレングリフールジア
クリレートなどが好適である。
このようなアクリル酸エステルやメタクリル酸エステル
などのエステル化合物の架橋剤ガスの有機化合物の七ツ
マーガスに対する割合は、架橋剤ガス対有機化合物のモ
ノマーガスの容積比にして1対20〜1対3の範囲内で
あることが好ましい。
などのエステル化合物の架橋剤ガスの有機化合物の七ツ
マーガスに対する割合は、架橋剤ガス対有機化合物のモ
ノマーガスの容積比にして1対20〜1対3の範囲内で
あることが好ましい。
架橋剤が少なすぎると所期の効果が得られず、多すぎる
とプラズマ重合反応に支障をきたす。
とプラズマ重合反応に支障をきたす。
このような架橋剤ガスを混合した有機化合物のモノマー
ガスを用いて、プラズマ重合を行う場合のガス圧および
高周波の電力は、ガス圧が高くなるほど被着速度が速く
なる反面、モノマーガスが比較的低架橋度でプラズマ重
合されて硬い保護層が得られず、またガス圧な低くして
高周波電力を高くすると被着速度が遅くなる反面、高架
橋化された比較的硬い保護層が得られるが、ガス圧を低
くして高周波電力を高くしすぎると、モノマーガスが粉
末化してしまいプラズマ重合保護層が形成されない。そ
のため、ガス圧をo、 o o i〜0.3トールの範
囲内とし、高周波電力密度を0,1〜3W/allの範
囲内とするのが好ましく、ガス圧を0.005〜0.l
トールとし、特に0.3〜IW、/s!の範囲内とする
のがより好ましい。
ガスを用いて、プラズマ重合を行う場合のガス圧および
高周波の電力は、ガス圧が高くなるほど被着速度が速く
なる反面、モノマーガスが比較的低架橋度でプラズマ重
合されて硬い保護層が得られず、またガス圧な低くして
高周波電力を高くすると被着速度が遅くなる反面、高架
橋化された比較的硬い保護層が得られるが、ガス圧を低
くして高周波電力を高くしすぎると、モノマーガスが粉
末化してしまいプラズマ重合保護層が形成されない。そ
のため、ガス圧をo、 o o i〜0.3トールの範
囲内とし、高周波電力密度を0,1〜3W/allの範
囲内とするのが好ましく、ガス圧を0.005〜0.l
トールとし、特に0.3〜IW、/s!の範囲内とする
のがより好ましい。
電子線の照射は、吸収線量が1〜10 M raaにな
るように調整するのが好ましい。
るように調整するのが好ましい。
このように架橋剤ガスを混合した有機化合物のモノマー
ガスを用い、プラズマ重合と同時にまたはその後に電子
線照射を行って形成されたプラズマ重合保護層は、官能
基を有する化合物、すなわち架橋剤を含むことにより、
電子線照射による架橋反応がより促進される。その結果
高い架橋密度を有し、緻密で摩擦係数の低い保護層が得
られ、磁気記録媒体の耐久性および耐食性などの特性を
向上することができる。
ガスを用い、プラズマ重合と同時にまたはその後に電子
線照射を行って形成されたプラズマ重合保護層は、官能
基を有する化合物、すなわち架橋剤を含むことにより、
電子線照射による架橋反応がより促進される。その結果
高い架橋密度を有し、緻密で摩擦係数の低い保護層が得
られ、磁気記録媒体の耐久性および耐食性などの特性を
向上することができる。
プラズマ重合保護層の膜厚は、20〜1000FLの範
囲内であることが好ましく、膜厚が薄すぎるとこの保護
層による耐久性の効果が充分に発揮されず、厚すぎると
スペーシングロスが大きくなりすぎて電磁変換特性に悪
影響を及ぼす。
囲内であることが好ましく、膜厚が薄すぎるとこの保護
層による耐久性の効果が充分に発揮されず、厚すぎると
スペーシングロスが大きくなりすぎて電磁変換特性に悪
影響を及ぼす。
磁気配録媒体としては、ポリエステルライルム、ポリイ
ミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とする磁気
テープ、合成樹脂フィルム、アルミニウム板およびガラ
ス板等からなる円盤やドラムを基体とする磁気ディスク
や磁気ドラムなど種々の形態のものがある5゜ 〔実施例〕 次に本発明の実施例について図とともに説明する0 〔実施例1〕 第1図は本発明の実施例宅使用するプラズマ処理装置を
示す図で、#13図に示した従来めものと相違する点は
真空槽2内に電子線照射装置12を設置した点と、二叉
状のガス導入管9α、9bを用いた点である。
ミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とする磁気
テープ、合成樹脂フィルム、アルミニウム板およびガラ
ス板等からなる円盤やドラムを基体とする磁気ディスク
や磁気ドラムなど種々の形態のものがある5゜ 〔実施例〕 次に本発明の実施例について図とともに説明する0 〔実施例1〕 第1図は本発明の実施例宅使用するプラズマ処理装置を
示す図で、#13図に示した従来めものと相違する点は
真空槽2内に電子線照射装置12を設置した点と、二叉
状のガス導入管9α、9bを用いた点である。
厚さ10μmのポリエチレンフィルムからなる基体1を
真空蒸着装置に装着し、酸素ガス圧5×10sトールの
残留ガス圧の下でコバルトを加熱蒸発させて、基体1上
にIGOOAの膜厚を有する強磁性層13を形成する(
#12図参照)。
真空蒸着装置に装着し、酸素ガス圧5×10sトールの
残留ガス圧の下でコバルトを加熱蒸発させて、基体1上
にIGOOAの膜厚を有する強磁性層13を形成する(
#12図参照)。
これを巻き取った原反ロール3を第1図に示す如くプラ
ズマ処理装置にセットし、基体1を所定方向に走行させ
ながら、一方のガス導入管9aからテトラメチルシラン
のモノマーガスを101005cの流量で導入し、他方
のガス導入管9bからジペンタエリスリトールへキサア
クリレートを1 s Bcc常の流量で導入する。
ズマ処理装置にセットし、基体1を所定方向に走行させ
ながら、一方のガス導入管9aからテトラメチルシラン
のモノマーガスを101005cの流量で導入し、他方
のガス導入管9bからジペンタエリスリトールへキサア
クリレートを1 s Bcc常の流量で導入する。
高周波電源10によりプラズマ発生電極11にo、sW
/cdの電力密度で1156MHzの高周波を印加して
プラズマを発生させ、これと同時に電子線照射装ff1
12により、吸収線社が2MrcLdになるように電子
線を照射し、膜厚が50OAのプラズマ重合保護層14
を形成する(第2図参照)。
/cdの電力密度で1156MHzの高周波を印加して
プラズマを発生させ、これと同時に電子線照射装ff1
12により、吸収線社が2MrcLdになるように電子
線を照射し、膜厚が50OAのプラズマ重合保護層14
を形成する(第2図参照)。
しかるのち基体1をプラズマ処理装置から取り出し、所
定の巾に裁断して磁気テープを作った。
定の巾に裁断して磁気テープを作った。
第2図はこの磁気テープの拡大断面図で、基体1上に強
磁性層13とプラズマ重合保護層14が積層状態に形成
されている。
磁性層13とプラズマ重合保護層14が積層状態に形成
されている。
〔実施例2〕
電子線照射をプラズマ重合後行った以外は実施例1と同
様にしてプラズマ重合保護層を形成し、磁気テープをつ
くった。
様にしてプラズマ重合保護層を形成し、磁気テープをつ
くった。
〔実施例3〕
厚さ50μ常のポリイミドフィルムからなる基体を真空
蒸着装置に装着し、3X10)−ルの真空下でコバルト
ーク田ム合金(重量比9:1)を加熱蒸発させて基体上
に厚さ3500 Aのコバルトークシム合金からなる強
磁性層を形成した以外は実施例1と同様にして磁気テー
プを作った。
蒸着装置に装着し、3X10)−ルの真空下でコバルト
ーク田ム合金(重量比9:1)を加熱蒸発させて基体上
に厚さ3500 Aのコバルトークシム合金からなる強
磁性層を形成した以外は実施例1と同様にして磁気テー
プを作った。
〔実施例4〕
電子線照射をプラズマ重合後行った以外は実施例3と同
様にしてプラズマ重合保護層を形成し:磁気テープをつ
くった。
様にしてプラズマ重合保護層を形成し:磁気テープをつ
くった。
#、−例1
実施例1におけるプラズマ重合保護層の形成において、
ジペンタエリスリ上−ルヘキサアクリレートの導入を省
き、電子線照射を行なわなかった以外は実施例1と同様
にしてプラズマ重合を行い、磁気テープをつくった。
ジペンタエリスリ上−ルヘキサアクリレートの導入を省
き、電子線照射を行なわなかった以外は実施例1と同様
にしてプラズマ重合を行い、磁気テープをつくった。
比較例2
実施例3におけるプラズマ重合保護層の形成において、
ジペンタエリスリトールへキサアクリレートの導入を省
き、電子線照射を行なわなかった以外は実施例3と同様
にしてプラズマ重合を行い、磁気テープをつくった。
ジペンタエリスリトールへキサアクリレートの導入を省
き、電子線照射を行なわなかった以外は実施例3と同様
にしてプラズマ重合を行い、磁気テープをつくった。
比較例3
実施例1において、プラズマ重合保護層の形成を省いた
以外は実施例1と同様にして磁気テープをつくった。
以外は実施例1と同様にして磁気テープをつくった。
比較例4
実施例3において、プラズマ重合保護層の形成を省いた
以外は実施例3と同様にして磁気テープをつくった。
以外は実施例3と同様にして磁気テープをつくった。
各実施例および比較例で得られた磁気テープを5■巾に
切断し、引張試験機を用いて弾性率゛を測定し、各実施
例および比較例1.2で得られた弾性率から比較例3お
よび4で得られた弾性率を引いて、プラズマ重合保護層
の弾性率を求めた。また第4図に示すように磁気テープ
Tの一端に荷重15をかけて円柱状のステンレス製ビン
16の周側面から垂下し、磁気テープTの他端をビン五
6と平行に配置したビン17を介して歪ゲージ18に取
りつけ、磁気テープTを水平方向に1犠/分の速度で引
張り、このときのビン17との摩擦係数を測定した。こ
れらの結果を次の表に示す。
切断し、引張試験機を用いて弾性率゛を測定し、各実施
例および比較例1.2で得られた弾性率から比較例3お
よび4で得られた弾性率を引いて、プラズマ重合保護層
の弾性率を求めた。また第4図に示すように磁気テープ
Tの一端に荷重15をかけて円柱状のステンレス製ビン
16の周側面から垂下し、磁気テープTの他端をビン五
6と平行に配置したビン17を介して歪ゲージ18に取
りつけ、磁気テープTを水平方向に1犠/分の速度で引
張り、このときのビン17との摩擦係数を測定した。こ
れらの結果を次の表に示す。
この表から明らかなように、この発明で得られまた磁気
テープ(奥縮例工ないし4)は、いずAi i−比較例
1ないし4で得られた磁気テープに比し、弾性率が大き
くて摩擦係数が小さく、このことからこの発明の製造方
法によれば、プラズマ重合保護層が架橋剤の作用によっ
て硬化された結果、耐久性が一段と向上された磁気配録
媒体が得られることがわかる。
テープ(奥縮例工ないし4)は、いずAi i−比較例
1ないし4で得られた磁気テープに比し、弾性率が大き
くて摩擦係数が小さく、このことからこの発明の製造方
法によれば、プラズマ重合保護層が架橋剤の作用によっ
て硬化された結果、耐久性が一段と向上された磁気配録
媒体が得られることがわかる。
第1図は本発明の実施例に係るプラズマ処理装置の概略
断面図、第2図は本発明の製造方法によって得られた磁
気テープの拡大断面図、第3図は従来のプラズマ処理装
置の概略断面図、第4図は摩擦係数測定方法の説明図で
ある。 1・・・・・・基体、5・・・・・・キャン、9a、9
b・・・・・・ガス導入管、10・・・・・・高周波型
、源、11・・・・・・プラズマ発生用電極、12・・
・・・・電子線照射装置、13・・・・・・彊磁性層、
14・・・・・・プラズマ重合保護層。 第1図
断面図、第2図は本発明の製造方法によって得られた磁
気テープの拡大断面図、第3図は従来のプラズマ処理装
置の概略断面図、第4図は摩擦係数測定方法の説明図で
ある。 1・・・・・・基体、5・・・・・・キャン、9a、9
b・・・・・・ガス導入管、10・・・・・・高周波型
、源、11・・・・・・プラズマ発生用電極、12・・
・・・・電子線照射装置、13・・・・・・彊磁性層、
14・・・・・・プラズマ重合保護層。 第1図
Claims (4)
- (1)基体上に強磁性層を設け、エステル化合物からな
る架橋剤ガスを混合した有機化合物のモノマーガスを用
いて、プラズマ重合反応と電子線照射による架橋反応と
により、前記強磁性層上にプラズマ重合保護層を形成し
たことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - (2)特許請求の範囲第(1)項記載において、前記架
橋剤がアクリル酸エステルおよびメタクリル酸エステル
のうちの少なくとも1種のエステル化合物であることを
特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - (3)特許請求の範囲第(1)項記載において、前記架
橋剤ガスを混合した有機化合物のモノマーガスを用いて
、プラズマによる重合反応と電子線照射による架橋反応
とを同時に行なうことを特徴とする磁気記録媒体の製造
方法。 - (4)特許請求の範囲第(1)項記載において、前記架
橋剤ガスを混合した有機化合物のモノマーガスを用いて
、プラズマ重合反応により強磁性層上にプラズマ重合層
を形成したのち、そのプラズマ重合層の表面に電子線を
照射し架橋反応を行なわせてプラズマ重合保護層とした
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14132184A JPS6122431A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14132184A JPS6122431A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6122431A true JPS6122431A (ja) | 1986-01-31 |
Family
ID=15289196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14132184A Pending JPS6122431A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6122431A (ja) |
-
1984
- 1984-07-10 JP JP14132184A patent/JPS6122431A/ja active Pending
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