JPS6122429A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6122429A JPS6122429A JP14131984A JP14131984A JPS6122429A JP S6122429 A JPS6122429 A JP S6122429A JP 14131984 A JP14131984 A JP 14131984A JP 14131984 A JP14131984 A JP 14131984A JP S6122429 A JPS6122429 A JP S6122429A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- magnetic recording
- recording medium
- chamber
- ferromagnetic layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Silicon Polymers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野および発明の目的〕
この発明は強磁性層を磁気記録層とする磁気記録媒体の
製造方法に関し、その目的とするところは、耐久性およ
び耐食性に優れた磁気記録媒体の製造方法を提供するこ
とにある。
製造方法に関し、その目的とするところは、耐久性およ
び耐食性に優れた磁気記録媒体の製造方法を提供するこ
とにある。
強磁性層を磁気記録層とする磁気記録媒体は、通常、金
属もしくはそれらの合金などを真空蒸着等によって基体
フィルム上に被着してつ(られ、高密度記録に適した特
性を有するが、反面磁気ヘッドとの摩擦係数が大きくて
摩耗や損傷を受は易く、また空気中で徐々に酸化を受け
て最大磁束密度などの磁気特性が劣化するなどの難点が
ある。
属もしくはそれらの合金などを真空蒸着等によって基体
フィルム上に被着してつ(られ、高密度記録に適した特
性を有するが、反面磁気ヘッドとの摩擦係数が大きくて
摩耗や損傷を受は易く、また空気中で徐々に酸化を受け
て最大磁束密度などの磁気特性が劣化するなどの難点が
ある。
このため、従来から強磁性層上に種々の保護層を設ける
などして耐久性を改善することが行われている。たとえ
ば、第3図に示すようなプラズマ処理装置を使用して、
強磁性層上にプラズマ保護層を形成していた。すなわち
、表面に強磁性層を形成したフィルム状の基体1を巻き
取った原反ロール3を真空槽2の所定位置にセットする
。そして基体1を原反ロール3からガイドロール4を介
して円筒状キャン5の周側面に沿って巻掛け、さらにガ
イドロール6を介して巻き取ジロールアに巻き取るよう
にセットする。真空槽2内を排気装置8によシ所定の真
空度に保持するとともに、真空槽2に取シつけたガス導
入管9から有機化合物のモノマーガスを導入し、高周波
’tmloで電極11に高周波を印加してプラズマ重合
し、強磁性層表面に有機化合物のプラズマ重合保護層を
設けることが行われている。
などして耐久性を改善することが行われている。たとえ
ば、第3図に示すようなプラズマ処理装置を使用して、
強磁性層上にプラズマ保護層を形成していた。すなわち
、表面に強磁性層を形成したフィルム状の基体1を巻き
取った原反ロール3を真空槽2の所定位置にセットする
。そして基体1を原反ロール3からガイドロール4を介
して円筒状キャン5の周側面に沿って巻掛け、さらにガ
イドロール6を介して巻き取ジロールアに巻き取るよう
にセットする。真空槽2内を排気装置8によシ所定の真
空度に保持するとともに、真空槽2に取シつけたガス導
入管9から有機化合物のモノマーガスを導入し、高周波
’tmloで電極11に高周波を印加してプラズマ重合
し、強磁性層表面に有機化合物のプラズマ重合保護層を
設けることが行われている。
ところが、この方法では、真空槽内に存在させる有機化
合物のモノマーガスが均一であって、析出速度を速(す
れば低い架橋密度でプラズマ重合されて硬い保護層が得
られない。耐摩耗性を改善するため高周波電力を高くし
モノマーガスの使用量を少なくすると、重合物の析出速
度が低下して生産性を悪(する。このようなことから、
真空槽内の有機化合物の七ツマーガスのガス圧をそれほ
ど低くできず、また高周波出力もそれほど高くできない
ため、いまひとつ表面が充分に緻密で硬いプラズマ1合
保護層が得られず、未だ耐久性および耐食性が充分に良
好なものは得られていない。
合物のモノマーガスが均一であって、析出速度を速(す
れば低い架橋密度でプラズマ重合されて硬い保護層が得
られない。耐摩耗性を改善するため高周波電力を高くし
モノマーガスの使用量を少なくすると、重合物の析出速
度が低下して生産性を悪(する。このようなことから、
真空槽内の有機化合物の七ツマーガスのガス圧をそれほ
ど低くできず、また高周波出力もそれほど高くできない
ため、いまひとつ表面が充分に緻密で硬いプラズマ1合
保護層が得られず、未だ耐久性および耐食性が充分に良
好なものは得られていない。
本発明は、基体上に強磁性層を設け、その強磁性層上に
プラズマ重合保護層を形成するものにおいて、同じ処理
槽内でプラズマ重合反応と、その後の硬化処理とを行な
うことを特徴とするものである。
プラズマ重合保護層を形成するものにおいて、同じ処理
槽内でプラズマ重合反応と、その後の硬化処理とを行な
うことを特徴とするものである。
基体上の強磁性層は、Fe粉末、CO粉末、F”e−N
i粉末などの金属磁性粉末を、結合剤および有機溶剤等
とともに基体上に塗布、乾燥するか、あるいはC8、F
e、Ni、Co−Ni合金、Co−Cr合金、Co −
P 、 Co −Ni −Pなどの強磁性材を、真空蒸
着、イオンブレーティング、スパッタリング、メッキ等
の手段によって形成される。
i粉末などの金属磁性粉末を、結合剤および有機溶剤等
とともに基体上に塗布、乾燥するか、あるいはC8、F
e、Ni、Co−Ni合金、Co−Cr合金、Co −
P 、 Co −Ni −Pなどの強磁性材を、真空蒸
着、イオンブレーティング、スパッタリング、メッキ等
の手段によって形成される。
プラズマ重合に用いられるモノマ1ガスとしては、たと
えば、C3tF4、C,Fe等のフッ素系有機化合物の
モノマーガス、グロバンこエチレン、プロピレン等の炭
化水素系化合物のモノマーガスおよびテトラメチルシラ
ン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチ
ルジシラザン等のケイ素系有機化合物の七ツマーガス等
が好ましく使用される。
えば、C3tF4、C,Fe等のフッ素系有機化合物の
モノマーガス、グロバンこエチレン、プロピレン等の炭
化水素系化合物のモノマーガスおよびテトラメチルシラ
ン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチ
ルジシラザン等のケイ素系有機化合物の七ツマーガス等
が好ましく使用される。
これらの有機化合物のモノマーガスは、後述するプラズ
マ発生用電極の高周波の印加によってプラズマ重合が行
われると、ラジカルが生成され、この生成されたラジカ
ルが反応し重合して被膜となる。このようなプラズマ重
合の際の゛ラジカルはこれらの有機化合物が二重結合ま
たは三重結合を有していたわ、また末端に金属元素を有
する金属塩化合物であるかあるいはOH基等の官能基を
有しているほど生成しやすいため、これら不飽和結合、
金属元素および官能基等を有するものがより好ましく使
用される。
マ発生用電極の高周波の印加によってプラズマ重合が行
われると、ラジカルが生成され、この生成されたラジカ
ルが反応し重合して被膜となる。このようなプラズマ重
合の際の゛ラジカルはこれらの有機化合物が二重結合ま
たは三重結合を有していたわ、また末端に金属元素を有
する金属塩化合物であるかあるいはOH基等の官能基を
有しているほど生成しやすいため、これら不飽和結合、
金属元素および官能基等を有するものがより好ましく使
用される。
またこれらのモノマーガスをプラズマ重合する際、アル
ゴンガス、ヘリウムガスおよび酸素ガス等のキャリアガ
スを併存させると七ツマーガスを単独でプラズマ重合す
る場合に比べて3〜5倍の速度で析出されるため、これ
らのキャリアガスを併存させて行うのが好ましい。これ
らのキャリアガスと併存させる際、その組成割合はキャ
リアガス対前記有機化合物のモノマーガスの比にして1
対1〜20対1の範囲内で併存させるのが好ましく、キ
ャリアガスが少なすぎると析出速度が低下し、多すぎる
とモノマーガスが少なくなってプラズマ重合反応に支障
をきたす。なお、炭化水素系化合物のモノマーガスを使
用するときは、酸素ガスをキャリアガスとして使用する
と酸化反応が生じるため、酸素ガスをキャリアガスとし
て使用するのは好ましくない。
ゴンガス、ヘリウムガスおよび酸素ガス等のキャリアガ
スを併存させると七ツマーガスを単独でプラズマ重合す
る場合に比べて3〜5倍の速度で析出されるため、これ
らのキャリアガスを併存させて行うのが好ましい。これ
らのキャリアガスと併存させる際、その組成割合はキャ
リアガス対前記有機化合物のモノマーガスの比にして1
対1〜20対1の範囲内で併存させるのが好ましく、キ
ャリアガスが少なすぎると析出速度が低下し、多すぎる
とモノマーガスが少なくなってプラズマ重合反応に支障
をきたす。なお、炭化水素系化合物のモノマーガスを使
用するときは、酸素ガスをキャリアガスとして使用する
と酸化反応が生じるため、酸素ガスをキャリアガスとし
て使用するのは好ましくない。
プラズマ重合後の硬化処理の方法としては、放射線、紫
外線まtこは赤外線などの硬化処理線の照射、するいは
不活性ガス中でのプラズマ処理などが適用される。
外線まtこは赤外線などの硬化処理線の照射、するいは
不活性ガス中でのプラズマ処理などが適用される。
前述の放射線としては、電子線、X7H1α線、β線、
γ線および中性子線などがいずれも好適に使用される。
γ線および中性子線などがいずれも好適に使用される。
このような放射線は吸収線量が1〜10 Mradとな
るように照射するのが好ましく、吸収線量が少なすぎる
と前記プラズマ重合保護層の架橋結合が不充分で充分に
硬化されず、また多すぎると基体のカールや収縮など悪
影響を及ぼす。
るように照射するのが好ましく、吸収線量が少なすぎる
と前記プラズマ重合保護層の架橋結合が不充分で充分に
硬化されず、また多すぎると基体のカールや収縮など悪
影響を及ぼす。
また不活性ガス中でのプラズマ重合の際には、アルゴン
やヘリウムなどの不活性ガスが使用され、不活性ガスの
ガス圧を0.01〜3トールの範囲内とし、平方センナ
あたシの高周波電力を0.08〜2W/ cm2の範囲
内として行うのが好ましく、ガス圧を0.05〜1トー
ルとし、平方センチあたシの高周波電力を0.3〜IW
/cm’の範囲内とするのがより好ましい。
やヘリウムなどの不活性ガスが使用され、不活性ガスの
ガス圧を0.01〜3トールの範囲内とし、平方センナ
あたシの高周波電力を0.08〜2W/ cm2の範囲
内として行うのが好ましく、ガス圧を0.05〜1トー
ルとし、平方センチあたシの高周波電力を0.3〜IW
/cm’の範囲内とするのがより好ましい。
プラズマ重合保護膜層の膜厚は、20〜1000人の範
囲内であることが好ましく、膜厚が薄すぎるとこの保護
層による耐久性の効果が充分に発揮されず、厚すぎると
スペーシングロスが太きくなシ、すぎて電磁変換特性に
悪影響を及ぼす。
囲内であることが好ましく、膜厚が薄すぎるとこの保護
層による耐久性の効果が充分に発揮されず、厚すぎると
スペーシングロスが太きくなシ、すぎて電磁変換特性に
悪影響を及ぼす。
磁気記録媒体としては、ポリエステルフィルム、ポリイ
ミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とする磁気
テープ、合成樹脂フィルム、アルミニウム板およびガラ
ス板等からなる円盤やドラムを基体とする磁気ディスク
や磁気ドラムなど種々の形態のものがめる。
ミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とする磁気
テープ、合成樹脂フィルム、アルミニウム板およびガラ
ス板等からなる円盤やドラムを基体とする磁気ディスク
や磁気ドラムなど種々の形態のものがめる。
次に本発明の実施例について図とともに説明する。第1
図は本発明の実施例で使用するプラズマ処理装置を示す
図で、先にこの装置の概略構成について説明する。
図は本発明の実施例で使用するプラズマ処理装置を示す
図で、先にこの装置の概略構成について説明する。
このプラズマ処理装置は、真空槽2内に原反ロール3、
ガイドロール4、円筒状キャン5、ガイドロール6およ
び巻き数少ロール7を配設した点では第31に示す従来
のプラズマ処理装置と同じである。
ガイドロール4、円筒状キャン5、ガイドロール6およ
び巻き数少ロール7を配設した点では第31に示す従来
のプラズマ処理装置と同じである。
真空槽2内は円筒状キャン5を中心に隔壁12゜13.
14,15,16,17.18で区画分離され、3つの
重合室A、B、”Cと3つの処理室り、JFが設けられ
、図に示す如く1合室と処理室は交互に配置されている
。
14,15,16,17.18で区画分離され、3つの
重合室A、B、”Cと3つの処理室り、JFが設けられ
、図に示す如く1合室と処理室は交互に配置されている
。
重合室A、B、Cには減圧のための排気装置19、20
.21、ガス導入管22.23.24ならびにプラズマ
発生用電極25,26.−27がそれぞれ取シ付けられ
、前記電極25,26.27には高周波電源28,29
.30が接続されている。
.21、ガス導入管22.23.24ならびにプラズマ
発生用電極25,26.−27がそれぞれ取シ付けられ
、前記電極25,26.27には高周波電源28,29
.30が接続されている。
一方、処理室o、v、Fには減圧のための排気装置31
,32.33と放射線照射装置34,35゜36が取シ
付げられている。
,32.33と放射線照射装置34,35゜36が取シ
付げられている。
原反ロール3から繰シ出される基体lは強磁性層が外側
になるようにして円筒状キャン5の周側面に巻き掛けら
れ、キャン5の回転とともに重合室A、処理室り9重合
室B、処理室E2重合室C1処理室Fの順に通過し、こ
の通過の間に強磁性層側がプラズマ発生用電極25,2
6.27ならびに放射線照射装置34,35.36と対
向するとと処なる。
になるようにして円筒状キャン5の周側面に巻き掛けら
れ、キャン5の回転とともに重合室A、処理室り9重合
室B、処理室E2重合室C1処理室Fの順に通過し、こ
の通過の間に強磁性層側がプラズマ発生用電極25,2
6.27ならびに放射線照射装置34,35.36と対
向するとと処なる。
各1合室A、B、Cにはガス導入管22,23゜24か
ら有機化合物の七ツマーガスが導入される訳であるが、
重合室A、B、Cの順にモノマーガスのガス圧を低くす
るか、あるいは重合室A、B。
ら有機化合物の七ツマーガスが導入される訳であるが、
重合室A、B、Cの順にモノマーガスのガス圧を低くす
るか、あるいは重合室A、B。
Cの順に各電極25,26.27に印加する高周波を大
きくしてプラズマ重合を行えば、強磁性層上に、最初は
架橋密度も低(て比較的柔らかく粘着性が良好で強磁性
層との接着性に優れたプラズマ重合保護層が析出され、
次いで架橋密度も比較的高くて硬さも比較的硬いプラズ
マ重合保護層が析出され、最後に架橋密度が高くてかつ
緻密で硬いプラズマ重合保護層が析出されて、表面に行
くほど架橋密度が高(てかつ緻密で硬いプラズマ重合保
護層が形成される。
きくしてプラズマ重合を行えば、強磁性層上に、最初は
架橋密度も低(て比較的柔らかく粘着性が良好で強磁性
層との接着性に優れたプラズマ重合保護層が析出され、
次いで架橋密度も比較的高くて硬さも比較的硬いプラズ
マ重合保護層が析出され、最後に架橋密度が高くてかつ
緻密で硬いプラズマ重合保護層が析出されて、表面に行
くほど架橋密度が高(てかつ緻密で硬いプラズマ重合保
護層が形成される。
このように重合室A、 B、cの順にガス圧を低くし
、また高周波の電力を高くする際、ガス圧が高くなるほ
ど析出速度が速くなる反面、モノマーガスが比較的低い
架橋密度でプラズマ1合されて硬い保護膜層が得られな
い。また、ガス圧を低くして高周波電力を高くすると析
出速度が遅くなる反面、架橋密度が高く比較的硬い保護
膜層が得られるが、ガス圧を低くして高周波電力を高く
しすぎると、モノマーガスが粉末化してしまいプラズマ
重合保護膜層が形成されない。そのためガス圧を0.0
3〜5トールの範囲内とし、高周波電力を0.03〜]
W / cm”の範囲内とするのが好ましく、ガス圧
を0.05〜3トールとし、高周波電力を0.05〜0
、5 W / cm”の範囲内とするのがより好まし
い。
、また高周波の電力を高くする際、ガス圧が高くなるほ
ど析出速度が速くなる反面、モノマーガスが比較的低い
架橋密度でプラズマ1合されて硬い保護膜層が得られな
い。また、ガス圧を低くして高周波電力を高くすると析
出速度が遅くなる反面、架橋密度が高く比較的硬い保護
膜層が得られるが、ガス圧を低くして高周波電力を高く
しすぎると、モノマーガスが粉末化してしまいプラズマ
重合保護膜層が形成されない。そのためガス圧を0.0
3〜5トールの範囲内とし、高周波電力を0.03〜]
W / cm”の範囲内とするのが好ましく、ガス圧
を0.05〜3トールとし、高周波電力を0.05〜0
、5 W / cm”の範囲内とするのがより好まし
い。
さらに各プラズマ重合保護層は、プラズマ重合反応が終
った後に処理室り、 E、Fにおいて放射線が適量照射
され、保護層の表面近傍で架橋反応が起こシ、各プラズ
マ重合保護層とも表面の架橋密度が高められる。
った後に処理室り、 E、Fにおいて放射線が適量照射
され、保護層の表面近傍で架橋反応が起こシ、各プラズ
マ重合保護層とも表面の架橋密度が高められる。
次に具体的な実施例について説明する。
実施例1
厚さ10μmのポリエステルフィルムからなる基体1を
真空蒸着装置に装填し、酸素ガス圧5×1O−5)−ル
の残留ガス圧の下でコバルトを加熱蒸発させて基体1上
に厚さ1000大のコバルトからなる強磁性金属薄膜層
を形成した。
真空蒸着装置に装填し、酸素ガス圧5×1O−5)−ル
の残留ガス圧の下でコバルトを加熱蒸発させて基体1上
に厚さ1000大のコバルトからなる強磁性金属薄膜層
を形成した。
これを巻き取った原反ロール3を第1図に示すプラズマ
処理装置に設置し、前記基体1を、原反ロール3からガ
イドロール4を介して円筒状キャン5の周側面に沿って
移動させ、さらにガイドロール6を介して巻き取りロー
ル7に巻き取るようにセットした。次に基体1を5m/
分の速度で走行させながら各重合室A、B、Cの各ガス
導入管22.23.24からテトラメチルシランのモノ
マーガスをそれぞれ500 secm 、 250 s
ecm、 150secmの流量で導入し、テトラメチ
ルシランのモノマーガスのガス圧をそれぞれ重合室Aで
1トール、モノマーガス重合室Bで0.5トール、重合
室Cで0.3トールとする。各プラズマ発生用電極25
.26.27の高周波出力を0.3 W / cm2で
印加し、同時に、各処理室り、E、Fに配設する放射線
照射装置34,35.36として電子線照射装置を用い
、加速電圧150KV、1.5Mrad、0.6mAの
電子線を吸収線量が2〜3Mradとなるように照射し
てプラズマ1合を行つtこ。、このとき形成されたプラ
ズマ重合保護層の層厚は150にであ−)だ。
処理装置に設置し、前記基体1を、原反ロール3からガ
イドロール4を介して円筒状キャン5の周側面に沿って
移動させ、さらにガイドロール6を介して巻き取りロー
ル7に巻き取るようにセットした。次に基体1を5m/
分の速度で走行させながら各重合室A、B、Cの各ガス
導入管22.23.24からテトラメチルシランのモノ
マーガスをそれぞれ500 secm 、 250 s
ecm、 150secmの流量で導入し、テトラメチ
ルシランのモノマーガスのガス圧をそれぞれ重合室Aで
1トール、モノマーガス重合室Bで0.5トール、重合
室Cで0.3トールとする。各プラズマ発生用電極25
.26.27の高周波出力を0.3 W / cm2で
印加し、同時に、各処理室り、E、Fに配設する放射線
照射装置34,35.36として電子線照射装置を用い
、加速電圧150KV、1.5Mrad、0.6mAの
電子線を吸収線量が2〜3Mradとなるように照射し
てプラズマ1合を行つtこ。、このとき形成されたプラ
ズマ重合保護層の層厚は150にであ−)だ。
しかる後、所定の巾に裁断して第2図に示すように、ポ
リエステルフィルムからなる基体1上に強磁性層37お
よびプラズマ重合保護層38を積層形成した磁気、テー
プ39をつくうた。なお図中の38Aは゛血合室Aと処
理室りによって形成された最も内側の第1の保護層で、
架橋督度が低く粘着性を有し強磁性層37との接着性に
優れ、かつ表面は電子線照射によって架橋密度が高めら
れている。38Bは重合室Bと処理室Eによって形成さ
れた中間の第2の保護層で、全体として架橋密度が比較
的高く、かつ表面は電子線照射によって架41j4FB
度がさらに高められている。38Cは重合室Cと処理室
Fによって形成された最も外側の第3の保護層で]全体
として架橋密度が高く、特に表面は電子線照射によシ緻
密で硬質になっている。 一 実施例2 テトレフルオロエチレンのモノマーガスを230sec
mの流量で導入してガス圧を0.12)−ルと一定に
し、各プラズマ発生用電極25,26,27の高周波出
力をそれぞれ0.I W/ cm” 、 0.3 W
/ cm”および0.5W/cm”で印加し、各処理室
り、JFの放射線照射装置34,35.36として2K
Wの高圧水銀灯を用いた以外は実施例1と同様にしてプ
ラズマ1合を行い、磁気テープをつくった。
リエステルフィルムからなる基体1上に強磁性層37お
よびプラズマ重合保護層38を積層形成した磁気、テー
プ39をつくうた。なお図中の38Aは゛血合室Aと処
理室りによって形成された最も内側の第1の保護層で、
架橋督度が低く粘着性を有し強磁性層37との接着性に
優れ、かつ表面は電子線照射によって架橋密度が高めら
れている。38Bは重合室Bと処理室Eによって形成さ
れた中間の第2の保護層で、全体として架橋密度が比較
的高く、かつ表面は電子線照射によって架41j4FB
度がさらに高められている。38Cは重合室Cと処理室
Fによって形成された最も外側の第3の保護層で]全体
として架橋密度が高く、特に表面は電子線照射によシ緻
密で硬質になっている。 一 実施例2 テトレフルオロエチレンのモノマーガスを230sec
mの流量で導入してガス圧を0.12)−ルと一定に
し、各プラズマ発生用電極25,26,27の高周波出
力をそれぞれ0.I W/ cm” 、 0.3 W
/ cm”および0.5W/cm”で印加し、各処理室
り、JFの放射線照射装置34,35.36として2K
Wの高圧水銀灯を用いた以外は実施例1と同様にしてプ
ラズマ1合を行い、磁気テープをつくった。
このときのプラズマ重合保護層38の層厚は180Aで
あった。
あった。
実施例3
テトラフルオロエチレンのモノマーガスを各重合室A、
B、Cにそれぞれ500secm、 250sccm。
B、Cにそれぞれ500secm、 250sccm。
150sccmの流量で導入して、それぞれのガス圧を
1トール、0.5)−ル、0.3)−ルとし、各処理室
り、JPにそれぞれプラズマ発生用電極および高周波電
源を設け、さらに配設したガス導入管からアルゴンガス
を250 secmの流量で導入してガス圧を0.5ト
ールと一定にし、プラズマ発生用電極に0.3W/cm
”の一定な高周波出力を印加した以外は実施例1と同様
にしてプラズマ1合を行い、磁気テープをつくった。こ
のときのプラズマ皇合保禮層の層厚は130Aでめった
。
1トール、0.5)−ル、0.3)−ルとし、各処理室
り、JPにそれぞれプラズマ発生用電極および高周波電
源を設け、さらに配設したガス導入管からアルゴンガス
を250 secmの流量で導入してガス圧を0.5ト
ールと一定にし、プラズマ発生用電極に0.3W/cm
”の一定な高周波出力を印加した以外は実施例1と同様
にしてプラズマ1合を行い、磁気テープをつくった。こ
のときのプラズマ皇合保禮層の層厚は130Aでめった
。
比較例1
実施例1におけるプラズマ重合保護ノーの形成において
、電子線照射装置34,35.36による照射を省いた
以外は実施例1と同様にして磁気テープをつくった。
、電子線照射装置34,35.36による照射を省いた
以外は実施例1と同様にして磁気テープをつくった。
比較例2
実施例1において、プラズマ重合保−膜層の形成を省い
た以外は、実施例1と同様にして磁気テープをつくった
。
た以外は、実施例1と同様にして磁気テープをつくった
。
各実施例および比較例で得られた磁気テープについて耐
久性および耐食性を試験した。耐久性試験は摺動試験機
を用いて摺動試験し、強磁性層表面に傷がつくまでの摺
動回数を測定して行った。
久性および耐食性を試験した。耐久性試験は摺動試験機
を用いて摺動試験し、強磁性層表面に傷がつくまでの摺
動回数を測定して行った。
また耐食性試験は得られた磁気テープを60℃、90%
RHの条件下に7日間放置して最大磁束密度を測定し、
放置前の磁気テープの最大磁束密度を100%とし、こ
れと比較した値でその劣化率を調べて行った。これらの
結果を次の表に示す。
RHの条件下に7日間放置して最大磁束密度を測定し、
放置前の磁気テープの最大磁束密度を100%とし、こ
れと比較した値でその劣化率を調べて行った。これらの
結果を次の表に示す。
表
前記実施例では同一処理槽内を6つの室に分け、重合室
と処理室とをそれぞれ交互に3つずつ設けて、3層のプ
ラズマ重合保護層を形成したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、例えば同一処理槽内に1つのプラズ
マ重合を行なうための手段と1つの硬化処理を行なうた
めの手段を投げて、1層のプラズマ重合保護層を形成す
る場合も適用できる。
と処理室とをそれぞれ交互に3つずつ設けて、3層のプ
ラズマ重合保護層を形成したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、例えば同一処理槽内に1つのプラズ
マ重合を行なうための手段と1つの硬化処理を行なうた
めの手段を投げて、1層のプラズマ重合保護層を形成す
る場合も適用できる。
強磁性層の上にプラズマ重合保護層を形成し、これを処
理槽から取シ出して、別設の硬化処理装置で硬化処理を
行なうことも考えられる。しかしこの方法では、プラズ
マ重合保護層を形成して処理槽から取り出したとき、プ
ラズマ重合保護層に存在するラジカルが空気中の酸素や
水などと反らしてしまい、その後の硬化処理の効果がな
くなる。
理槽から取シ出して、別設の硬化処理装置で硬化処理を
行なうことも考えられる。しかしこの方法では、プラズ
マ重合保護層を形成して処理槽から取り出したとき、プ
ラズマ重合保護層に存在するラジカルが空気中の酸素や
水などと反らしてしまい、その後の硬化処理の効果がな
くなる。
本発明は減圧された同じ処理槽内でプラズマ重合反応と
その後の硬化処理を行なうため、前述のようにプラズマ
重合保護層のラジカルが空気中の酸素や水などと反応す
ることがなく、従って耐久性ならびに耐食性に優れた磁
気記録媒体を製造することができる。
その後の硬化処理を行なうため、前述のようにプラズマ
重合保護層のラジカルが空気中の酸素や水などと反応す
ることがなく、従って耐久性ならびに耐食性に優れた磁
気記録媒体を製造することができる。
第1図は本発明の実施例に係るプラズマ処理装置の概略
断面図、第2図はその装置によって得られた磁気テープ
の拡大断面図、第3図は従来のプラズマ処理装置の概略
断面図である。 1・・・・・・基体、2・・・・・・真空槽、5・・・
・・・円筒状キャン、25〜27・・・・・・プラズマ
発生用電極、34〜36・・・・・・放射線照射装置、
37・曲・強磁性層、38・・・・・・プラズマ重合保
護層、39・・・・・・磁気テープ。 A−C・・・・・・重合室、D−F・・・・・・処理室
。 第1図 第3図 =158
断面図、第2図はその装置によって得られた磁気テープ
の拡大断面図、第3図は従来のプラズマ処理装置の概略
断面図である。 1・・・・・・基体、2・・・・・・真空槽、5・・・
・・・円筒状キャン、25〜27・・・・・・プラズマ
発生用電極、34〜36・・・・・・放射線照射装置、
37・曲・強磁性層、38・・・・・・プラズマ重合保
護層、39・・・・・・磁気テープ。 A−C・・・・・・重合室、D−F・・・・・・処理室
。 第1図 第3図 =158
Claims (6)
- (1)基本上に強磁性層を設け、その強磁性層の上にプ
ラズマ重合保護層を形成する磁気記録媒体の製造方法に
おいて、同じ処理槽内でプラズマ重合反応と、そのプラ
ズマ重合反応後の硬化処理とを行なうことを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法。 - (2)特許請求の範囲第(1)項記載において、前記処
理槽内が前記基体の進行方向に沿ってプラズマ重合反応
室と硬化処理室とに交互に複数設けられていることを特
徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - (3)特許請求の範囲第(2)項記載において、前記複
数のプラズマ重合反応室にそれぞれ導入されるモノマー
ガスのガス圧が、前記基体が導入される側の反応室から
基体が導出される側の反応室にかけて順次低くなってい
ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - (4)特許請求の範囲第(2)項記載において、前記複
数のプラズマ重合反応室においてそれぞれ印加される高
周波電力が、前記基体が導入される側の反応室から基体
が導出される側の反応室にかけて順次高くなっているこ
とを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - (5)特許請求の範囲第(1)項または第(2)項記載
において、前記硬化処理が硬化処理線の照射であること
を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - (6)特許請求の範囲第(1)項または第(2)項記載
において、前記硬化処理が、不活性ガス中でのプラズマ
処理であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14131984A JPS6122429A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14131984A JPS6122429A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6122429A true JPS6122429A (ja) | 1986-01-31 |
Family
ID=15289146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14131984A Pending JPS6122429A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6122429A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62246140A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1984
- 1984-07-10 JP JP14131984A patent/JPS6122429A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62246140A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0421929B2 (ja) | ||
| JPS6122429A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| US4863811A (en) | Magnetic recording medium and method of making | |
| JPS6116028A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPS6122430A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS61104429A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS60101722A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS61216123A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS62273624A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPS63121124A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS6122431A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS6116026A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS61211833A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS6122433A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS6089816A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPS6057535A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS60113330A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS62167616A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPS60121521A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS6063724A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH02103725A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS6122420A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPS60237639A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS6116030A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH038117A (ja) | 磁気記録テープの製造方法 |