JPS61225821A - 液相エピタキシャル成長方法 - Google Patents
液相エピタキシャル成長方法Info
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- JPS61225821A JPS61225821A JP60068281A JP6828185A JPS61225821A JP S61225821 A JPS61225821 A JP S61225821A JP 60068281 A JP60068281 A JP 60068281A JP 6828185 A JP6828185 A JP 6828185A JP S61225821 A JPS61225821 A JP S61225821A
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- type semiconductor
- solution
- epitaxial growth
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- H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
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- H10P14/2907—Materials being Group IIIA-VA materials
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3414—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being group IIIA-VIA materials
- H10P14/3421—Arsenides
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液相エピタキシャル成長装置に係わり、特に
多槽の半導体液層成長により高濃度の多層エピタキシャ
ル成長を行う装置に関する。
多槽の半導体液層成長により高濃度の多層エピタキシャ
ル成長を行う装置に関する。
近時、半導体装置のエピタキシャル成長方法の手段とし
て、液相エピタキシャル方法が実用化されているが、特
に、ガリウム砒素（Ｇ ａ Ａ ｓ ）化合物半導体を
使用する高速度の素子を形成するためには、ＧａＡｓ化
合物半導体上に高純度の半導体材料であって、且つ高濃
度のｎ型及びｐ型のエピタキシャル成長をする必要があ
り、これが実現できる液相エピタキシャル成長装置が要
望されている。
て、液相エピタキシャル方法が実用化されているが、特
に、ガリウム砒素（Ｇ ａ Ａ ｓ ）化合物半導体を
使用する高速度の素子を形成するためには、ＧａＡｓ化
合物半導体上に高純度の半導体材料であって、且つ高濃
度のｎ型及びｐ型のエピタキシャル成長をする必要があ
り、これが実現できる液相エピタキシャル成長装置が要
望されている。
第２図は、液相エピタキシャル成長装置の要部斜視図で
ある。
ある。
カーボンボート台１があり、そのカーボンボート台には
、溝２が設けてあって、その溝の高さよりやや低めに、
被エピタキシャル成長基板３が載置され、それに隣接し
て多結晶ＧａＡｓ板４が連続的に載置されている。
、溝２が設けてあって、その溝の高さよりやや低めに、
被エピタキシャル成長基板３が載置され、それに隣接し
て多結晶ＧａＡｓ板４が連続的に載置されている。
カーボンボート台上には、半導体溶液槽群５がスライド
して移動するように配置されており、それぞれの半導体
溶液槽６は、側壁面の材料が多結晶ＧａＡｓで形成され
、又カーボンボート台とスライドする底面部は開口して
いて、カーボンボート台上の多結晶ＧａＡｓ板４に接し
ている。
して移動するように配置されており、それぞれの半導体
溶液槽６は、側壁面の材料が多結晶ＧａＡｓで形成され
、又カーボンボート台とスライドする底面部は開口して
いて、カーボンボート台上の多結晶ＧａＡｓ板４に接し
ている。
これらの半導体溶液槽には、所定のＧａＡｓの半導体溶
液７が充填され、これらの装置全体が石英管の内部に収
納されていて、外部から温度が約８００℃〜９００℃に
加熱されていて、そのために側壁面８と底部からの多結
晶ＧａＡｓが、高温に加熱されて溶液内に熔は込むこと
になり、半導体溶液槽内では常にＧａＡｓの過飽和溶液
が生成されていて、生成すべき半導体によって半導体溶
液槽に成分に応じた、適宜ドーパントを混入して、所定
のｎ型又はｐ型半導体溶液を生成することができる。
液７が充填され、これらの装置全体が石英管の内部に収
納されていて、外部から温度が約８００℃〜９００℃に
加熱されていて、そのために側壁面８と底部からの多結
晶ＧａＡｓが、高温に加熱されて溶液内に熔は込むこと
になり、半導体溶液槽内では常にＧａＡｓの過飽和溶液
が生成されていて、生成すべき半導体によって半導体溶
液槽に成分に応じた、適宜ドーパントを混入して、所定
のｎ型又はｐ型半導体溶液を生成することができる。
第３図は、−例として液相エピタキシャル成長によって
形成された、ガリウム、アルミニウム。
形成された、ガリウム、アルミニウム。
砒素化合物（ＧａＡＩＡｓ）半導体の要部断面図である
が、厚みが３００〜４００μｍのＧａＡｓ単結晶基板１
１の表面に、液相エピタキシャル成長によって、順次厚
みが４０〜５５ｕｍのｎ−ＧａＡｌＡｓ層１２、厚みが
０．８〜２．０１１ｍのｐ−ＧａＡｌＡｓ層１３、厚み
が０．８〜２．０μｍのｐ−ＧａＡｌＡｓ層１４、厚み
が０．８〜２．０ μｍのｐ−ＧａＡｌＡｓ層１５が積
層されている。
が、厚みが３００〜４００μｍのＧａＡｓ単結晶基板１
１の表面に、液相エピタキシャル成長によって、順次厚
みが４０〜５５ｕｍのｎ−ＧａＡｌＡｓ層１２、厚みが
０．８〜２．０１１ｍのｐ−ＧａＡｌＡｓ層１３、厚み
が０．８〜２．０μｍのｐ−ＧａＡｌＡｓ層１４、厚み
が０．８〜２．０ μｍのｐ−ＧａＡｌＡｓ層１５が積
層されている。
第４図（ａ）〜第４図（Ｃ）は、従来の液相エピタキシ
ャル成長装置によって、第３図の積層を液相エピタキシ
ャル成長によって形成する工程を示す要部断面図である
。
ャル成長装置によって、第３図の積層を液相エピタキシ
ャル成長によって形成する工程を示す要部断面図である
。
第４図（ａ）で、カーボンボート台１があり、その表面
の所定の位置に被エピタキシャル成長基板であるＧ ａ
Ａ ｓ単結晶ウェハ３が載置されていて、更に半導体
溶液槽群５の底部の開口部には、カーボンポート台上に
載置された、多結晶ＧａＡｓ板４ａ 、４ｂ ｓ ４ｃ
％ ４ｄ ％ ４ｅが連続的に載置されていて、上部
にある半導体溶液槽６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ、６ｅの底
部を形成するようになっている。
の所定の位置に被エピタキシャル成長基板であるＧ ａ
Ａ ｓ単結晶ウェハ３が載置されていて、更に半導体
溶液槽群５の底部の開口部には、カーボンポート台上に
載置された、多結晶ＧａＡｓ板４ａ 、４ｂ ｓ ４ｃ
％ ４ｄ ％ ４ｅが連続的に載置されていて、上部
にある半導体溶液槽６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ、６ｅの底
部を形成するようになっている。
半導体溶液槽群の先頭にはカーボンスライダ１０があっ
て、カーボンスライダに隣接して、半導体溶液槽６ａ内
には、ｎ−ＧａＡｌＡｓ溶液が充填され、６ｂ、６ｃ、
６ｄ、６ｅにはｐ−ＧａＡｌＡｓ溶液が充填されている
。
て、カーボンスライダに隣接して、半導体溶液槽６ａ内
には、ｎ−ＧａＡｌＡｓ溶液が充填され、６ｂ、６ｃ、
６ｄ、６ｅにはｐ−ＧａＡｌＡｓ溶液が充填されている
。
図はカーボンスライダの温度が約９００℃に加熱され、
基板３もその温度に昇温された状態である。
基板３もその温度に昇温された状態である。
第４図中）は、半導体溶液槽群が矢印の方向にスライド
して移動し、最初にカーボンスライダによって加熱され
た単結晶基板３は、半導体溶液槽の１槽分の長さだけ移
動することにより、基板の上に半導体溶液槽６ａの半導
体溶液が移動してきて、基板にｎ ＧａＡｌＡｓ層１
２（第３図）が形成されるが、厚みが４０〜５５μｍと
厚いので約２５０分の時間を要する。
して移動し、最初にカーボンスライダによって加熱され
た単結晶基板３は、半導体溶液槽の１槽分の長さだけ移
動することにより、基板の上に半導体溶液槽６ａの半導
体溶液が移動してきて、基板にｎ ＧａＡｌＡｓ層１
２（第３図）が形成されるが、厚みが４０〜５５μｍと
厚いので約２５０分の時間を要する。
第４図（Ｃ）は、順次半導体溶液槽群がスライドするこ
とによって、第３図に示すｐ−ＧａＡｌＡｓ層１３、ｐ
−ＧａＡｌＡｓ層１４、Ｉ） ＧａＡｌＡｓ層１５が
、半導体溶液槽６ｂ、６ｃ、６ｄによって形成積層され
るが、これらは厚みが０．８〜２．０μｍ程度であるの
で、それぞれの液相エピタキシャル成長時間は２〜１５
分で完成する。
とによって、第３図に示すｐ−ＧａＡｌＡｓ層１３、ｐ
−ＧａＡｌＡｓ層１４、Ｉ） ＧａＡｌＡｓ層１５が
、半導体溶液槽６ｂ、６ｃ、６ｄによって形成積層され
るが、これらは厚みが０．８〜２．０μｍ程度であるの
で、それぞれの液相エピタキシャル成長時間は２〜１５
分で完成する。
この際に、カーボンポート台上に配置された多結晶Ｇａ
Ａｓ板４は移動しないで固定されているために、例えば
多結晶ＧａＡｓ板４ａの上に６ａのｎ型半導体溶液槽が
ある時には、多結晶ＧａＡｓ板４ａの上にｎ型半導体溶
液が付着しており、次に半導体溶液槽群が移動して、多
結晶ＧａＡｓ板４ａの上に６ｂのｐ型半導体溶液槽が来
た時には、多結晶ＧａＡｓ板４ａの上に付着していたｎ
型半導体溶液が、６ｂのｐ型半導体溶液と混合すること
になる。
Ａｓ板４は移動しないで固定されているために、例えば
多結晶ＧａＡｓ板４ａの上に６ａのｎ型半導体溶液槽が
ある時には、多結晶ＧａＡｓ板４ａの上にｎ型半導体溶
液が付着しており、次に半導体溶液槽群が移動して、多
結晶ＧａＡｓ板４ａの上に６ｂのｐ型半導体溶液槽が来
た時には、多結晶ＧａＡｓ板４ａの上に付着していたｎ
型半導体溶液が、６ｂのｐ型半導体溶液と混合すること
になる。
然も、このｎ型半導体を形成する時間が長く、又温度が
９００℃に加熱されていることもあって混合する度合が
大きく、そのためにｐ型半導体溶液槽６ｂのの溶液の純
度が劣化してしまい、このような積層がなされた半導体
では、ｐ−ｎ接合が不均一となり、２層とｎ層との障壁
電圧が低くなるという欠点がある。
９００℃に加熱されていることもあって混合する度合が
大きく、そのためにｐ型半導体溶液槽６ｂのの溶液の純
度が劣化してしまい、このような積層がなされた半導体
では、ｐ−ｎ接合が不均一となり、２層とｎ層との障壁
電圧が低くなるという欠点がある。
上記の液相エピタキシャル成長装置では、ｎ型半導体溶
液槽に隣接してｐ型半導体溶液槽が位置するために、底
部にある多結晶ＧａＡｓ板に付着したｎ型半導体溶液が
ｐ型半導体溶液槽に熔は込むことが問題点である。
液槽に隣接してｐ型半導体溶液槽が位置するために、底
部にある多結晶ＧａＡｓ板に付着したｎ型半導体溶液が
ｐ型半導体溶液槽に熔は込むことが問題点である。
（問題を解決するための手段〕
本発明は、上記問題点を解消した液相エピタキシャル成
長装置を提供するもので、その手段は、少なくとも１槽
以上のｐ型半導体溶液槽とｎ型半導体溶液槽とが直列に
配列された半導体溶液槽群が、カーボンボート台上に配
置された被エピタキシャル成長基板上を移動しながら、
被エピタキシャル成長基板上にｐ型半導体層とｎ型半導
体層を生成する液相エピタキシャル成長装置において、
半導体溶液槽群のｐ型半導体溶液槽とｎ型半導体溶液槽
との境界に位置する半導体溶液槽が空槽になされた液相
エピタキシャル成長装置によって達成できる。
長装置を提供するもので、その手段は、少なくとも１槽
以上のｐ型半導体溶液槽とｎ型半導体溶液槽とが直列に
配列された半導体溶液槽群が、カーボンボート台上に配
置された被エピタキシャル成長基板上を移動しながら、
被エピタキシャル成長基板上にｐ型半導体層とｎ型半導
体層を生成する液相エピタキシャル成長装置において、
半導体溶液槽群のｐ型半導体溶液槽とｎ型半導体溶液槽
との境界に位置する半導体溶液槽が空槽になされた液相
エピタキシャル成長装置によって達成できる。
本発明は、液相エピタキシャル成長が行われる半導体溶
液を充填した溶液槽で、ｐ型の半導体溶液槽とｎ型の半
導体溶液槽とが、移動する際に底面の半導体材料板に付
着した、反対型の半導体溶液の残渣が混入することを防
止するもので、そのためにｎ型の半導体溶液槽とｐ型の
半導体溶液槽との間に空槽を設けることにより、長時間
によって形成されるｎ−ＧａＡｌＡｓの形成時間中は、
ｐ型の半導体溶液槽が先行したｎ型半導体溶液槽の底部
の多結晶ＧａＡＳ板に接触しないようにしりものであり
、これによって高純度のｐ−ＧａＡｌＡｓ層ができるこ
とになる。
液を充填した溶液槽で、ｐ型の半導体溶液槽とｎ型の半
導体溶液槽とが、移動する際に底面の半導体材料板に付
着した、反対型の半導体溶液の残渣が混入することを防
止するもので、そのためにｎ型の半導体溶液槽とｐ型の
半導体溶液槽との間に空槽を設けることにより、長時間
によって形成されるｎ−ＧａＡｌＡｓの形成時間中は、
ｐ型の半導体溶液槽が先行したｎ型半導体溶液槽の底部
の多結晶ＧａＡＳ板に接触しないようにしりものであり
、これによって高純度のｐ−ＧａＡｌＡｓ層ができるこ
とになる。
第１図（ａｌ〜第１図（Ｃ１は、本発明による液相エピ
タキシャル成長装置の要部断面図である。
タキシャル成長装置の要部断面図である。
第４図（ａ）で、カーボンボート台１の表面の所定の位
置に被エピタキシャル成長基板であるＧａＡＳ単結晶基
板３が載置されていて、更に半導体溶液槽群５の底部の
開口部には、カーボンボート台上に載置された、多結晶
ＧａＡｓ基板４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、４ｅが連続的に
載置され、上部にある半導体溶液槽６ａ、６ｂ、６ｃ、
６ｄ、、６ｅの底部を形成するようになっている。
置に被エピタキシャル成長基板であるＧａＡＳ単結晶基
板３が載置されていて、更に半導体溶液槽群５の底部の
開口部には、カーボンボート台上に載置された、多結晶
ＧａＡｓ基板４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、４ｅが連続的に
載置され、上部にある半導体溶液槽６ａ、６ｂ、６ｃ、
６ｄ、、６ｅの底部を形成するようになっている。
半導体溶液槽群の先頭にはカーボンスライダ１０があり
、カーボンスライダに隣接して、半導体溶液槽６ａ内に
は、ｎ−ＧａＡｌＡｓ溶液２１が充填されているが、半
導体溶液槽６ｂは空槽として、６ｃ、６ｄ、６ｅにはｐ
−ＧａＡｌＡｓ溶液２２．２３．２４を充填している。
、カーボンスライダに隣接して、半導体溶液槽６ａ内に
は、ｎ−ＧａＡｌＡｓ溶液２１が充填されているが、半
導体溶液槽６ｂは空槽として、６ｃ、６ｄ、６ｅにはｐ
−ＧａＡｌＡｓ溶液２２．２３．２４を充填している。
図はカーボンスライダの温度が約９００℃に加熱され、
基板３もその温度に昇温された状態である。
基板３もその温度に昇温された状態である。
第４図（ｂ）は、半導体溶液槽群が矢印の方向にスライ
ドして移動し、加熱された単結晶基板３は、半導体溶液
槽の１槽分の長さだけ移動することにより、基板の上に
半導体溶液槽６ａの半導体溶液が移動してきて、基板に
ｎ−ＧａＡｌＡｓ層１２（第３図）が形成されるが、厚
みが４０〜５５μｍと厚いので約２５０分の時間を要す
る。
ドして移動し、加熱された単結晶基板３は、半導体溶液
槽の１槽分の長さだけ移動することにより、基板の上に
半導体溶液槽６ａの半導体溶液が移動してきて、基板に
ｎ−ＧａＡｌＡｓ層１２（第３図）が形成されるが、厚
みが４０〜５５μｍと厚いので約２５０分の時間を要す
る。
第４図（Ｃ）は、空槽である半導体溶液槽６ｂを、その
ままとばして、順次ｐ−ＧａＡｌＡｓの溶液が充填され
た半導体溶液槽６ｃ、６ｄ、６ｅがスライドして基板上
に位置することによって、第３図に示すｐ−ＧａＡｌＡ
ｓ層１３、ｐ−ＧａＡｌＡｓ層１４、ｐ −Ｇ ａ Ａ
Ｉ Ａ ｓ層１５が、半導体溶液槽６ｂ、６ｃ、６ｄ
によって形成積層される。
ままとばして、順次ｐ−ＧａＡｌＡｓの溶液が充填され
た半導体溶液槽６ｃ、６ｄ、６ｅがスライドして基板上
に位置することによって、第３図に示すｐ−ＧａＡｌＡ
ｓ層１３、ｐ−ＧａＡｌＡｓ層１４、ｐ −Ｇ ａ Ａ
Ｉ Ａ ｓ層１５が、半導体溶液槽６ｂ、６ｃ、６ｄ
によって形成積層される。
このような半導体溶液槽群の溶液の配置にすることによ
り、例えば多結晶ＧａＡｓ板４ａの上に６ａのｎ型半導
体溶液槽がある時には、多結晶ＧａＡｓ板４ａの上にｎ
型半導体溶液が付着しても、次に半導体溶液槽群が移動
して、多結晶ＧａＡｓ板４ａの上に空槽６ｂが位置する
ために、このｎ型半導体を形成する時間が長く、又温度
が９００℃に加熱されていても、多結晶ＧａＡｓ板４ａ
の上に付着していたｎ型半導体溶液が、ｐ型半導体溶液
と混入することがない。
り、例えば多結晶ＧａＡｓ板４ａの上に６ａのｎ型半導
体溶液槽がある時には、多結晶ＧａＡｓ板４ａの上にｎ
型半導体溶液が付着しても、次に半導体溶液槽群が移動
して、多結晶ＧａＡｓ板４ａの上に空槽６ｂが位置する
ために、このｎ型半導体を形成する時間が長く、又温度
が９００℃に加熱されていても、多結晶ＧａＡｓ板４ａ
の上に付着していたｎ型半導体溶液が、ｐ型半導体溶液
と混入することがない。
次に、ｐ型半導体溶液槽６Ｃが基板３上に位置してｐ
−Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓを形成する際には、液相エピ
タキシャル成長時間が短時間なので殆ど問題がない。
−Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓを形成する際には、液相エピ
タキシャル成長時間が短時間なので殆ど問題がない。
このような半導体溶液槽群の配列は、更に純度を高める
ためには、ｎ型半導体溶液槽とｐ型半導体溶液槽との中
間に確実に空槽を配置することにって、より確実に高純
度の半導体層を得ることができる。
ためには、ｎ型半導体溶液槽とｐ型半導体溶液槽との中
間に確実に空槽を配置することにって、より確実に高純
度の半導体層を得ることができる。
この結果ｐ−ｎ接合が均一になることができ、２層から
ｎ層にかかる電圧も高くすることができる。
ｎ層にかかる電圧も高くすることができる。
以上、詳細に説明したように、本発明の液相エピタキシ
ャル成長方法により、良質のエピタキシャル層を成長す
ることができ、その材料を使用した半導体装置は高性能
の機能を供し得るという効果大なるものがある。
ャル成長方法により、良質のエピタキシャル層を成長す
ることができ、その材料を使用した半導体装置は高性能
の機能を供し得るという効果大なるものがある。
第１図（ａｌ〜第１図（ｃ）は、本発明の実施例である
液相エピタキシャル成長装置の要部断面図、第２図は、
液相エピタキシャル成長装置の要部斜視図、 第３図は、液相エピタキシャル成長によって形成する半
導体層の断面図、 第４図（ａ）〜第４図（ｅ）は、従来の実施例である液
相エピタキシャル成長装置の要部断面図、図において、 ■はカーボンボート台、３はＧａＡｓ ＠結晶基板、４
８〜４ｅは多結晶ＧａＡＳ板、 ５は半導体溶液槽群、 ６８〜６ｅは半導体溶液槽、 １０はカーボンスライダ、 ２１はｎ−Ｇａ、Ａ、ＩＡｓ溶液、
液相エピタキシャル成長装置の要部断面図、第２図は、
液相エピタキシャル成長装置の要部斜視図、 第３図は、液相エピタキシャル成長によって形成する半
導体層の断面図、 第４図（ａ）〜第４図（ｅ）は、従来の実施例である液
相エピタキシャル成長装置の要部断面図、図において、 ■はカーボンボート台、３はＧａＡｓ ＠結晶基板、４
８〜４ｅは多結晶ＧａＡＳ板、 ５は半導体溶液槽群、 ６８〜６ｅは半導体溶液槽、 １０はカーボンスライダ、 ２１はｎ−Ｇａ、Ａ、ＩＡｓ溶液、
Claims (1)
- 少なくとも１槽以上のｐ型半導体溶液槽とｎ型半導体溶
液槽とが直列に配列された半導体溶液槽群が、カーボン
ボート台上に配置された被エピタキシャル成長基板上を
移動しながら、該被エピタキシャル成長基板上にｐ型半
導体層とｎ型半導体層を生成する液相エピタキシャル成
長装置において、上記半導体溶液槽群のｐ型半導体溶液
槽とｎ型半導体溶液槽との境界に位置する半導体溶液槽
が空槽になされたことを特徴とする液相エピタキシャル
成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60068281A JPS61225821A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60068281A JPS61225821A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61225821A true JPS61225821A (ja) | 1986-10-07 |
| JPH0476491B2 JPH0476491B2 (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=13369222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60068281A Granted JPS61225821A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61225821A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5185288A (en) * | 1988-08-26 | 1993-02-09 | Hewlett-Packard Company | Epitaxial growth method |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4940858A (ja) * | 1972-08-25 | 1974-04-17 | ||
| JPS4977573A (ja) * | 1972-11-27 | 1974-07-26 | ||
| JPS5056873A (ja) * | 1973-09-14 | 1975-05-17 | ||
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-
1985
- 1985-03-29 JP JP60068281A patent/JPS61225821A/ja active Granted
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|---|---|---|---|---|
| US5185288A (en) * | 1988-08-26 | 1993-02-09 | Hewlett-Packard Company | Epitaxial growth method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0476491B2 (ja) | 1992-12-03 |
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