JPS61225847A - 半導体整流装置 - Google Patents

半導体整流装置

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JPS61225847A
JPS61225847A JP60065030A JP6503085A JPS61225847A JP S61225847 A JPS61225847 A JP S61225847A JP 60065030 A JP60065030 A JP 60065030A JP 6503085 A JP6503085 A JP 6503085A JP S61225847 A JPS61225847 A JP S61225847A
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JP
Japan
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case
semiconductor
adhesive
conductor pattern
projection
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JP60065030A
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JPH0380352B2 (ja
Inventor
Naomasa Sugita
尚正 杉田
Koji Moriguchi
浩治 森口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH0380352B2 publication Critical patent/JPH0380352B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W76/00Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
    • H10W76/60Seals

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] この発明は、自動車のオルタネータ等の半導体整流装置
に関し、特に、従来の半導体整流装置よりも熱衝撃耐性
の大きな外囲器を備えた半導体整流装置に関するもので
ある。
[発明の技術的背景] 従来公知の樹脂封止型半導体整流装置は第8図に示すよ
うな構造を有している。 すなわち、同図において、1
はA1から成る放熱基板、2は該放熱基板1上に絶縁層
を介して形成された導体パターンに固定されたダイオー
ド等の半導体素子、3は該半導体素子2に取り付けられ
た入力端子、4は放熱基板1上の導体パターンに固定さ
れた出力電極、5は該出力[!4に接続された出力端子
、6は放熱基板1上に接着剤7を介して固着された第一
ケース、8は該第一ケース6の部分の上に接着剤7を介
して固着されるとともに出力端子5を支持しているター
ミナルホルダすなわち第二ケースである。 該半導体整
流装置の外囲器は第一ケース6と第二ケース8とによっ
て構成されており、第一ケース6内の空間には所望によ
り保護用の硬質エポキシ樹脂9が充填され、上方の第二
ケース8内の空間には所望により封止用の軟質エポキシ
樹脂10が充填されている。
前記のごとき構造の従来の半導体整流装置においては、
第一ケース6と第二ケース8(すなわち、ターミナルホ
ルダ)とがその相互の接合面において接着剤7を介して
固定されており、下側の第一ケース6の上端部接合面は
第9図に示すように横断面が1字形となるように外側に
向けて切り欠かれていた。
(背景技術の問題点] 前記のごとき構造の外囲器を有する従来の半導体整流装
置においては、熱衝撃テスト(たとえば、−40℃の雰
囲気と150℃もしくは110℃の雰囲気とに交互に放
置したり、或いは、150℃の雰囲気中での放置と25
℃の水中への浸漬とを交互に繰り返す等のテスト)を行
った時に、たとえば第9図に示したように、接合部にお
ける接着剤部分の亀裂や剥離が生じやすかった。
特に第一ケースが金属製であり、第二ケースがPBT 
(ポリブチレンテレフタレート)などの樹脂製である場
合のように材質が異なる場合に、接着剤部分の亀裂や剥
離がはっきりと現われることがあった。
[発明の目的] この発明の目的は、熱衝撃テストを行っても両ケース部
分の接合個所において接着剤の亀裂を生じる恐れがなく
且つ接着剤の剥がれも生じることのない、改良された半
導体整流装置を提供することである。
[発明の概要] 本発明者は、半導体整流装置、すなわち、導体パターン
及び該導体パターンとの間を絶縁する所定の絶縁層を備
えた放熱基板と、該導体パターン上の適所に固定された
半導体素子と、該導体パターン及び該半導体素子を包囲
して該放熱基板上に固定された枠形の第一ケースと、該
半導体素子に取り付けられるとともに該第一ケース内か
ら上方に突出している出力電極に結合される出力端子を
支持した第二ケースとからなり、第一ケースの部分と第
二ケースの部分とが接着剤等によって互いに接合される
ように構成された外囲器を有する半導体整流装置におい
て、従来問題となっていた両ケースの接合部に生ずる接
着剤の亀裂や剥離等についてその原因を調査した結果、
前記のごとき亀裂や剥離は接合部の形状に基因するもの
であり、従来の半導体整流装置では次のような機序によ
って前記現象が生じることが明らかになった。
すなわち、第9図の接合部においては、第二ケース8の
内壁面8aと下端面8bとには熱応力が生じるが外壁面
8Cには熱応力が生じないため、第二ケース8の下端部
には結局、第10図に示すように第二ケース8を外側へ
押し出そうとする合成応力tが生じこの応力「によって
接合部に亀裂が生じたり、接着剤が剥離する等の現象が
生じるのである。
なお、第10図においてr、は第二ケース8の内壁面8
aに生じる応力、「2は該ケース部分8の下端面8bに
生じる応力をそれぞれ表している。
但し、第10図に示す応力は熱衝撃テストにおいて熱→
冷の工程を行った時の状態であり、冷→熱の工程では各
応力の方向は逆向きとなり、従って、熱衝撃サイクルを
繰り返すことによって接合部が。
疲労してケース部分に亀裂を生じたり、接着剤が剥がれ
る等の現象を生じやすくなる。
本発明は従来の半導体整流装置に関する前記のごとき調
査結果に鑑みてなされたものであり、本発明の半導体整
流装置の特徴は、該第一ケースと該第二ケースとの接合
部分において熱衝撃テスト時に前記のごとき応力「を生
じない構造を採用したことである。 更に詳細に言えば
、本発明の特徴は、該第一ケースと該第二ケースとの接
合部において、凸部と該凸部を挿入できる溝状の凹部と
を設けたことである。 このような構造においては、接
合部において前記のごとき大きな合成応力「が生じない
ため、該接合部の接着剤に亀裂を生じたり、或いは剥離
が生じることはない。
[発明の実施例] 以下に第1図乃至第7図を参照して本発明の実施例につ
いて説明する。 なお、第1図乃至第7図において第8
図と同一符号で表示した部分は従来の半導体整流装置に
対応する部分を示す。
第1図に示した本発明の半導体整流装置の実施例では、
第一ケース6と第二ケース8との接合部において第2図
に示すように第二ケース8の下端面に凸部8dが形成さ
れており、一方、第一ケース6の上端面には該凸部8d
の全部を挿入しうる溝状の凹部6aが形成されている。
 該凸部8d及び該凹部6aのそれぞれの側面8e、8
f及び6b、6cは共にほぼ鉛直面であり、また該凸部
8dの根元部の両側に位置する面8g及び8hはほぼ水
平面となっている。 そして、面8g及び8hに対向す
る第一ケース6の面6d及び6eもほぼ水平面となって
いる。
従って、第2図のごとき接合構造では第一ケース6に対
して第二ケース8を分離させようとする応力は極めて小
さくなるため、第一及び第二ケース6及び8の接合部に
亀裂が生じたり、接着剤7が剥離する恐れはほとんどな
い。
第3図は第2図に示した接合構造に生じる応力関係を図
示したものである。 同図において、F、は面8eを押
す力であり、F2は面8fを押す力、また、F3は第一
のケース6を上へ押す力である。 そして、F、とF2
とは互いに相等しく向きが逆であるから、合成応力はF
3のみとなるe  F3が図示の如く非常に小さい値と
なるのは凸部8dの下端面の面積が非常に小さい上、凸
部8dの両側面8e及び8f等に接着剤7から下向きの
反力が加わるためである。
第4図乃至第6図は本発明の他の実施例を示したもので
あり、これらの実施例ではいずれも第二ケース8に少な
くとも一個以上の凸部8dが設けられる一方、第一ケー
ス6にはこの凸部8dを完全に挿入しうる少なくとも一
個以上の凹部6aが形成されている。 そして、これら
のいずれの実施例においても凸部8dと凹部6aのそれ
ぞれの面のすべてが実質的に水平面と鉛直面のみで構成
されている。 従って、これらの実施例においても第1
図及び第2図の実施例と同様に、熱衝撃テスト時に第一
及び第二ケースの接合部に生じる合成応力は従来の半導
体整流装置よりも著しく小さい。
第7図は他の実施例を示したものであり、この実施例で
は第一ケース6に凸部6dが形成される一方、第二ケー
ス8に溝状の凹部8jが形成されている。 この実施例
の場合、第1図乃至第6図の実施例と同様に鉛直方向の
極く小さな合成応力が第一及び第二ケースの接合部に生
ずるのみであり、同じ効果を奏することができる。
[発明の効果] 第1図及び第2図に示した実施例の半導体整流装置と、
従来の半導体整流装置とに対して、同じ条件で熱衝撃テ
スト(−40℃で15分間放置後、150℃に15分間
放置を50,100.200サイクル行う)を実施した
後、外観検査を行ったところ、従来の半導体整流装置は
50サイクルで供試体の50%、100サイクルで供試
体の78%、200サイクルで供試体のすべてにそのケ
ースの接合部分に亀裂が入っていたが、本発明の半導体
整流装置では200サイクルを経てもケース接合部分に
亀裂が入ったものは全く生じなかった。
以上に説明したように、本発明によれば従来の半導体整
流装置よりも熱衝撃耐性にすぐれた半導体整流装置が提
供される。 また、その結果、本発明によれば従来より
も信頼性の高い半導体整流装置を従来よりも高い歩留り
で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の半導体整流装置の一実施例の概略断面
図、第2図は第1図の■で示された部分の拡大図、第3
図は第2図に示した部分に熱衝撃テストを施した時の応
力関係を示す図、第4図乃至第7図は他の実施例を示し
た断面図、第8図は従来の半導体整流装置の概略断面図
、第9図は第8図に■で示された部分の拡大図、第10
図は第9図に示した部分に熱衝撃テストを施した時の応
力関係を示す図である。 1・・・放熱基板、 2・・・半導体素子、 3・・・
入力端子、 4・・・出力電極、 5・・・出力端子、
 6・・・第一ケース、 6a・・・凹部、 6d・・
・凸部、 7・・・接着剤、 8・・・第二ケース(タ
ーミナルホルダ)、 8d・・・凸部、 8j・・・凹
部、 9・・・保護用樹脂、 10・・・封止用樹脂。 第1図 第2図       第3図 第4図         第5図 第8−9図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 導体パターン及び該導体パターンとの間を絶縁する
    所定の絶縁層を備えた放熱基板と、該導体パターン上の
    適所に固定された半導体素子と、該導体パターン及び該
    半導体素子を包囲して該放熱基板上に固定された枠形の
    第一ケースと、該半導体素子に取り付けられるとともに
    該第一ケース内から上方に突出している出力電極に結合
    される出力端子を支持した第二ケースとからなり、第一
    ケースの部分と第二ケースの部分とが接着剤等によつて
    互いに接合されるように構成された外囲器を有する半導
    体整流装置において、 該第一ケースの部分と該第二ケースの部分との接合面の
    一方に凸部が形成され、該接合面の他方には該凸部を挿
    入しうる溝状の凹部が形成されていることを特徴とする
    半導体整流装置。 2 第一ケースが金属製のケースであるとともに第二ケ
    ースが樹脂製のケースである特許請求の範囲第1項記載
    の半導体整流装置。
JP60065030A 1985-03-30 1985-03-30 半導体整流装置 Granted JPS61225847A (ja)

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JP60065030A JPS61225847A (ja) 1985-03-30 1985-03-30 半導体整流装置

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JPS61225847A true JPS61225847A (ja) 1986-10-07
JPH0380352B2 JPH0380352B2 (ja) 1991-12-24

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0921565A3 (en) * 1997-12-08 2005-07-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Package for semiconductor power device and method for assembling the same

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0921565A3 (en) * 1997-12-08 2005-07-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Package for semiconductor power device and method for assembling the same

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JPH0380352B2 (ja) 1991-12-24

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