JPS61227183A - 平但化方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は凹凸のある表面と有機樹脂とのエツチング速度
が等しくなるイオン入射角度でエツチングする平坦化方
法に関し、特に有機樹脂をエツチングする際に生ずる突
起物の発生を押えた平坦化方法に関するものである。

（従来技術） 例えば、基板上に、下部磁性層筒１の絶縁層、単層ある
いは多層のコイル導体層、第２の絶縁層および上部磁性
層を順次積層して成る薄膜磁気ヘッドにおいては、コイ
ル導体層を形成した後にスパッタリングや蒸着などによ
り形成されるＳｉＯ２などから成る第２絶縁層は下地の
コイル導体層が凹凸を有するためにそのまま凹凸を有す
る絶縁層となってしまい、この上に直接スパッタリング
やＭＩＩなどでアモルファスあるいはセンダストなどの
上部磁性層を形成すると磁性体そのものが凹凸を有する
事になり、これによって磁性体の透磁率が低下し磁気ヘ
ッドの記録再生効率が低下する。

このような記録再生効率の低下を回避するため通常１１
ｇ！ヘッドにおいては、平坦化を行なっている。すなわ
ち、凹凸を有する絶縁層Ｓ！Ｏｚ上にフォトレジストを
８μｍ程度厚く塗布する事により下地である５ｉ０２絶
縁層の凹凸を埋めフォトレジスト表面を平滑にする。次
に、１３０℃以上の熱処理をして、フォトレジスト表面
の平坦性を向上させ、その後フォトレジストと絶縁層で
あるＳ　ｆ　Ｏ２とが同一エツチング速度になるような
イオン入射角度〈イオン入射角度とはイオンビームと試
料の法線方向とがなす角度を言う）でイオンミリングを
する。この様にコイル導体層上の絶縁層を平坦化した後
、上部磁極となるセンダストやアモルファスなどの磁性
体をスパッタリングや蒸着などによって形成する。この
様にして形成された１１１Ｍ磁気ヘッドは平坦面の上に
磁性体を形成するために磁性膜に凹凸がなくなりそのた
め磁性膜の透磁率が低下せず凹凸のある薄膜磁気ヘッド
よりも記録再生効率が向上する。

ところが、この有機樹脂を用いての平坦化方法（以下こ
れをエッチバック法と呼ぶ。）においては、下記に示す
ような問題がある。

すなわち、Ａｒガスのような不活性ガスを用いてのイオ
ンミリングにおいてはフォトレジストと絶縁層であるＳ
　ｉ　Ｏ２のエツチング速度が等しくなるイオン入射角
度は、フォトレジストの最大エツチング速度が得られる
イオン入射角（例えば約５５°付近）よりも大きい角度
（例えば約７５°）となる。このような大きなイオン入
射角度でエッチバックを行なうとフォトレジスト表面上
の微少な不純物を核にして、エツチングされたフォトレ
ジストがこの核に再付着したり、あるいはエツチングさ
れたフォトレジストが拡散によりフォトレジスト表面に
再付着、再重合したりして、結果的にフォトレジストの
エツチング中に突起物が形成され、この状態で絶縁層で
ある５ｆＯｚをエツチングしてゆくとフォトレジストと
５ｆＯｚのエツチング速度が等しいためにフォトレジス
トの突起物が５ｉ０２上に転写され平坦化すべき絶縁層
に無数の突起物が形成される。この絶縁層の上に磁性体
であるアモルファスやセンダストをスパッタリングや蒸
着などにより形成した場合には、磁性体が下地の影響に
より凹凸を有してしまい、記録再生効率の向上が図れな
いという問題がある。

（発明の目的） 本発明は上記問題を解決するためになされたものであり
、イオンエツチングを用いて、突起物やくぼみのない滑
らかな平坦面を得ることのできる平坦化方法を提供する
ことを目的とするものである。

（発明の構成） 本発明の平坦化方法は、凸凹のある表面に有機樹脂を塗
布した後、該有機樹脂を熱処理し、この後イオンミリン
グにて、まず前記有機樹脂の最大エツチング速度が得ら
れるイオン入射角よりも小さいイオン入射角度でエツチ
ングし、次に前記有機樹脂と凸部表面とのエツチング速
度が等しくなるイオン入射角度でエツチングを行なう事
を特徴とするものである。

（実　施　例） 以下、本発明の一実施例について図面を用いて説明する
。

第１図は薄膜磁気ヘッドの製造プロセスを図す図である
。本実施例に係る薄膜磁気ヘッドの製造プロセスにおい
ては、まずコイル導体層１の上に凹凸のある５ｉＯｚか
ら成る絶縁層５を形成しく第１図（ｂ））　、この絶縁
層５上にフォトレジスト６を８μｍ程度厚く塗布し、こ
の後該フォトレジスト６を１３０℃以上で熱処理する（
第１図（Ｃ））。ここでコイル導体層１は、基板４、下
部磁性層３および第１の絶縁層２を順次積層してなる基
部上に形成されている（第１図（ａ））。

このようにして形成されたフォトレジスト６をイオンミ
リングでエツチングする（第１図（ｄ）、第２図）。と
ころで、第３図に示すようにイオン入射角度θが比較的
小さい場合、例えば２０’においてはフォトレジスト６
は深さ約０．８μ７ｒＬ。

直径約１０μｍ程度の円錐状の凹みとなり、イオン入射
角度θが大きくなるにつれて円錐状の凹みの深さは次第
に浅くなり、イオン入射角度θが３５°では凹みの深さ
は約０．２μ而面度となる。

また、イオン入射角度θが４５°では凹凸の両方が存在
し、４５°以上の角度においてはほとんどが高さ約２μ
ｍ直径１０μｍ程度の円錐状の凸となる。しかもこの凸
部は、長時間エツチングした場合においてのみ発生し、
数十分のエツチング時間では、はとんど凸状の突起物の
発生は見られない。そこで本実施例では上記結果を考慮
し、フォトレジスト６をほとんど磁気特性に対して影響
のない程度の凹み（約１μｍ以内）にすべく、まずイオ
ン入射角度θが３０°より大きく４５°よりも小さい角
度でフォトレジスト６の大半をエツチングし、その後フ
ォトレジスト６と５ｉＯｚ絶縁層５とのエツチング速度
が等しくなるようにイオン入射角度θを７５°となるよ
うにしてエツチングを行なっている。この後、スパッタ
リングや蒸着などによりセンダストあるいはアモルファ
ス磁性体１８を形成する（第１図（ｆ））。

なお、上述した実施例においては本発明を薄膜磁気ヘッ
ドに応用した場合について説明しているが、本発明を半
導体その他平坦化が必要であるデバイスに応用しても同
様な効果が得られる事は勿論である。

（発明の効果） 以上説明したように本発明の平坦化方法によれば、第１
段階の平坦化エツチングによりフォトレジスト表面上の
凸凹を極めて浅い凹部とし、その後第２段階の平坦化エ
ツチングによりフォトレジストと絶縁層を同一速度でエ
ツチングするようにしているから、突起物や凹みのない
ほぼ平坦な絶縁層５を得ることができる。このように平
坦化された絶縁層５の上に形成された磁性体７は凹凸を
有しないため磁気特性の劣化が少なく、記録再生効率の
向上が図れるという顕著な効果を奏することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は薄膜磁気ヘッドのプロセスを示す図、第２図は
、第１図（ｄ）の一部を拡大して示す図、第３図はイオ
ン入射角度と突起物の大きさを示す図、第４図は、Ｓ！
Ｏｚ絶縁層とフォトレジストのエツチング速度のイオン
入射角依存性を示す図である。 １・・・コイル導体層　　　２・・・絶　縁　層３・・
・下部磁性層　　　　４・・・基　板５・・・絶　縁　
層　　　　６・・・フォトレジストア・・・上部磁性層
　　　　８＾、８Ｂ・・・突起物第１図 イオント１寸角度θ俊） 第４図 イＸ〉入１寸角度　ｅ（崖〕 （自発）手続？ｍ正書 １、事件の表示 特願昭６０−６６２１１号 ２、発明の名称 平坦化方法 ３、補正をする布 事件との関係　　　　　特許出願人 ４、代理人 東京都港区六本木５丁目２番１号 ６、補正により増加する発明の数　　　な　　し１）明
細霞第２頁第９行 「下部磁性層」の優に「、Ｊを挿入する。 ２）同第７頁第１７〜１８行

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）凹凸のある表面に有機樹脂を塗布し、次に該有機
   樹脂を加熱処理した後、イオンミリングにて平坦化を行
   なう平坦化方法において、はじめに前記有機樹脂の最大
   エッチング速度が得られるイオンビーム入射角よりも小
   さい角度でエッチングし、この後前記有機樹脂と前記凸
   部表面とのエッチング速度が等しくなるイオンビーム入
   射角でエッチングを行なう平坦化方法。
2. （２）前記凹凸のある表面をＳｉＯ＿２で形成し、前記
   有機樹脂としてフォトレジストを使用し、該フォトレジ
   ストを１３０℃以上で熱処理した後、イオン入射角度が
   ３０°よりも大きく４５°よりも小さい角度でエッチン
   グを行ない、次にイオン入射角度７５°でエッチングを
   行なうことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の平
   坦化方法。