JPS61227286A - 磁気バブルメモリ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ、特に薄形化、小型化、低消
費電力化に好適な磁気バブルメモリに関する。

〔発明の背景〕

ここ数年実用化されている磁気バブルメモリデバイスは
、磁気バブルメモリチップをマウントしたＥ字状のセラ
ミックや合成樹脂等の配線基板に。

互いに非対称構造を有する矩形状ソレノイドコイルから
なる回転磁界発生用Ｘコイル、Ｘコイルをそれぞれ挿入
し直交配置して組み立てた構造となっている。Ｘコイル
及びＸコイルは磁気バブルメモリチップだけでなく、チ
ップよりもはるかに大きい配線基板を巻く構造であるた
め、各コイルの端から端迄長さが長くなり、駆動電圧、
消費電力が大きくなってしまう、また、′ｘＸコイルＸ
コイルは磁気バブルメモリ素子に均一かつ安定した面内
回転磁界を付与するために均一なインダクタバランスが
要求されることから、そのコイル形状が互いに異なる非
対称構造となりかつ大型化構造とならざるを得なかった
。さらにはこれらのＸコイル、Ｘコイルの外面には磁気
バブルメモリ素子に垂直方向のバイアス磁界を付与する
一対の永久磁石板およびその整磁板が配置されてそれら
の周辺部分が樹脂モールドにより被覆されている構造で
あるため、垂直方向の積層厚が増大し、磁気バブルメモ
リデバイスの薄形化、小型化への要請に対して障害とな
っていた。

本件出願人が知る本発明に最も近い先行技術としては昭
和５４年特許出願公開第５５１２９号公報が挙げられる
。この公報には、チップを囲む額縁型コアとそれらを完
全に囲む導電性磁界反射箱の構造が記載されている。し
かしながら、それ以上の具体的な構造は何ら示されてお
らず１例えば導体ケースで完全にとり囲んでいるチップ
への電気的結線を導体ケースの外側からそれに短絡させ
ることなく行うことは理論的に不可能であり、永久磁石
、整磁板、バイアスコイル等の取付方法が不明であるこ
とも含め、その記載をきっかけに実用化しようと思い立
つには見るからに不十分である。すなわち１本発明の実
施例が結果として額縁型コアを使用した点で上記公報の
記載とたまたま一致したに過ぎない。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、薄形化を可能とした磁気バブルメモリ
を提供することにある。

本発明の他の目的は、全体の体積を小さくして小型化を
可能とした磁気バブルメモリを提供することにある。

本発明の他の目的は、消費電力を低減させた磁気バブル
メモリを提供することにある。

本発明の他の目的は、回転磁界発生用コイルのインダク
タンスを小さくしてＶＩ積を小さくさせた磁気バブルメ
モリを提供することにある。

本発明の他の目的は、構成部品の組立の自動化を可能又
は容易にした磁気バブルメモリを提供することにある。

本発明の他の目的は、大容量化等に入出力等の接続端子
数を増大させることができる磁気バブルメモリを提供す
ることにある。

本発明の他の目的は、磁気バブルメモリ素子のバイアス
磁界方向に対する傾斜角度を容易かつ高精度で設定可能
とした磁気バブルメモリを提供することにある。

本発明の他の目的はカセットの小型化が可能な磁気バブ
ルメモリを提供することである。

本発明の更に他の目的は磁気バブルメモリデバイスの周
辺回路を安いコストで製造できる磁気バブルメモリを提
供することである。

〔発明の概要〕

本発明の一実施例によれば、額縁型コアを使用した駆動
磁気回路が提供される。磁気バブルメモリチップは額縁
形コアに囲まれそれとほぼ同一平面を成すようにフレキ
シブル配線基板上に配置される。駆動磁気回路および磁
気バブルメモリチップは非磁性体で良導電体の回転磁界
閉じ込めケース内に収納される。このような構成によれ
ば回転磁界の一様性を向上させかつ全体形状を小型化。

薄形化させることができる。

〔発明の実施例〕

次に図面を用いて本発明の詳細な説明する。

（全体構造の概要　第１，２図） 第１図および第２図（ａ）、（ｂ）は本発明による磁気
バブルメモリデバイスの一実施例を説明するための図で
あり、第１図は一部破断斜視図、第２図（ａ）はその底
面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）の２Ｂ−２Ｂ断面図
である。これらの図において、ＣＨＩは磁気バブルメモ
リチップ（以下チップと称する）であり、これらの図で
はチップＣＨＩは省略して１個のみ表示しているが本実
施例では２個並べて配置しているものとする。

（１つの大容量チップよりも、合計記憶容量をそれに合
せた複数分割チップ構成の方がチップ歩留が良い）、Ｆ
ＰＣは２個のチップＣＨＩを搭載しかつ４隅にチップＣ
ＨＩと外部接続端子との結線用線群延長部を有するフレ
キシブル配線基板（以下基板と称する）である、ＣＯＩ
は２個のチップＣＨＩをほぼ同一平面上でとり囲み対向
辺が互いに平行となるように配置された駆動コイル（以
下コイルと称する）、ＣＯＲは四角形コイル集合体ＣＯ
Ｉの中空部分を貫通するように設けられた固定配置され
た軟磁性材からなる額縁形コア（以下コアと称する）で
あり、このコアＣＯＲと各コイルＣＯＩとでチップＣＨ
Ｉに面内回転磁界を付与する磁気回路ＰＦＣｔ−構成し
ている。ＲＦＳは基板ＦＰＣの中央四角形部分と、２個
のチップＣＨＩおよび磁気回路ＰＦＣの全体を収納する
回転磁界閉じ込めケース（以下ケースと称する）である
。

ケースＲＦＳは２枚の独立した板を加工して形成され、
ケースの側面部で上下の板は電気的に接続されている、
チップＣＨＩが配置された部分よりやや広めの範囲で中
央部分の隙間が狭くなるよう周辺部分に絞り部が形成さ
れている。この絞り部は磁石体の位置決めにも利用でき
る。ケースＰＦＳは磁気磁界閉じ込めと軟弱な基板ＦＰ
Ｃを機械的に支持する一石二鳥の効果、働きを持ってい
る。

ケースＰＦＳとチップＣＨＩとの間には、特にチップＣ
ＨＨの側面部に隙間ＳＩＲがあるが、チップＣＨＩの平
面部も含めてこの隙間部分ＳＩＲにはシリコーン樹脂が
コーティング又は充填され、チップ主表面に組立中に異
物が付着したり１組立後に水分がチップ主表面又は側面
部に侵入することが少なくなるよう、パッシベーション
効果が意図されている。もし、ケースＲＦＳの外側で完
全な気密封止ができる場合、樹脂ＳＩＨの充填は省略し
ても良い、ＩＮＭはケースＲＦＳの外側に配置された磁
性材からなる一対の傾斜板であり、第２図で上側の傾斜
板ＩＮＭは左に寄るに従ってまた下側の傾斜板ＩＮＭは
右に寄るに従って板厚が厚くなっており、双方はケース
ＲＦＳ側に傾斜面が形成されている。傾斜板ＩＮＭの材
料としては、透磁率μが高く保持力Ｈｅの小さいソフト
・フェライトやパーマロイ等を使用すれば良く、本実施
例では傾斜面の加工が容易なソフト・フェライトを選ん
だ。ＭＡＧは一対の傾斜板ＩＮＭの内側でそれと重ねて
配置された一対の永久磁石板（以下磁石板と称する）で
ある、ＲＯＭは前記各磁石板ＭＡＧの内側でそれと重ね
て配置されたソフトフェライトのような磁性材からなる
一対の整磁板である。磁石板ＭＡＧは全面にわたって均
一の板厚を有して形成されている。ＩＮＮは一対の整磁
板ＨＯＭの内側対向面にそれと重ねて配置された銅のよ
うに熱伝導性が良く非磁性体の材料からなる一対の傾斜
板である。これらの傾斜板ＩＮＮは傾斜板ＩＮＭとほぼ
同等の傾斜角でかつ逆方向の傾斜面を有して形成されて
いる。傾斜板ＩＮＭ、磁石板ＭＡＧ、整磁板ＨＯＭ及び
傾斜板ＩＮＮは。

それぞれ積み重ねて配置し一体化してバイアス磁界発生
用磁石体ＢＩＭ（以下磁石体と称する）を構成したとき
に積層板磁石体全体の厚さがほぼ全面にわたって均一と
なるように形成されている。

一対の磁石体ＢＩＭはケースＲＦＳの絞り部によって囲
まれた中央の平な部分に接着されている。

ＢＩＣは磁石体ＢＩＭの周縁部とケースＲＦＳとの間の
溝状隙間部分に配置されたバイアス磁界発生用コイル（
以下バイアスコイルと称する）である、バイアスコイル
ＢＩＭは磁石板ＭＡＧの磁力をチップＣＨＩの特性に合
せて調整したり、不要バブル発生不良の有無をテストす
る際、チップＣＨＩのバブルをオールクリア（全消去）
する場合に駆動される。ＳＨＩは前記チップＣＨＩを搭
載した基板ＦＰＣおよび磁気回路ＰＦＣを収納したケー
スＲＦＳと、その外側で、一対の磁石体ＢＩＭａ、ＢＩ
ＭｂおよびバイアスコイルＢ工Ｃを収納する磁性材から
なる外部磁気シールドケース（以下シールドケースと称
する）である、シールドケースＳＨＩの材料としては、
透磁率μが高く、飽和磁束密度Ｂｓが大きく、Ｈｃの小
さい磁性体が好ましく、パーマロイやフェライトがその
ような特性を持っているが１本実施例では折り曲げ加工
に適し、機械的な外力に対して強いパーマロイの鉄・ニ
ッケル合金が選択された。ＰＫＧは前記シールドケース
ＳＨＩの外周面に接着あるいははめ込みにより取り付け
られた熱伝導率が高く、加工のし易いＡｌｌのような材
質からなるパッケージングケースである。ＧＮＰは前記
基板ＦＰＣの４隅から延長して設けられ、シールドケー
スＳＨＩの背面に折り返された外部接続端子に接触する
ように配置されたコンタクトパッドである。ＴＥＦは各
コンタクトパッドＧＮＰを開口部の段差部で支持固定す
る絶縁性部材からなる端子固定板である。ＲＥＧはパッ
ケージングケースＰＫＧの内側４隅に封入されかつシー
ルドケースＲＦＳ組立体をパッケージングケースＰＫＧ
内部に固定する樹脂モールド剤である。

（全体構造の特長　第１，２図） 第１図及び第２図に示した磁気バブルメモリデバイス全
体構造の特長点は下記のように列挙される。しかし、本
実施例による特長点はこれらに限定されるものではなく
、他の特長点は第３図以降の説明からも明らかとなるで
あろうが、ここでは各構成部品間の関連性を中心として
特長点を述べる。

（１）回転磁界発生コイルＰＦＣを額縁型にして、バブ
ルメモリチップＣＨＩをその課内にほぼ同一平面上で配
置しているので、バブルデバイス全体の厚さを薄くでき
る。現今の主流技術では、チップ上下面をＸ及びＹコイ
ルでぐるぐる巻いているため、デバイス全体の厚さはチ
ップ厚、Ｘコイル厚及びＹコイル厚の和の関数となるか
らである。

（２）ｘコイル及びＹコイルがほぼ同一平面に配置され
ているので、従来のＸコイル上に重ねてＹコイルを巻い
た構造に比べ下記の効果がある。

■コイルの総巻線長が長くならない、従ってインダクタ
ンスＬを小さくでき、低電圧駆動や低消費電力化を可能
とした。

■Ｘコイル及びＹコイルとチップＣＨＩとの距離を等し
くすることができ、磁界分布をバランスのとれたものと
することができる。

（３）回転磁界発生コイルＰＦＣを導体ケースＲＦＳで
囲んでいるので磁束の漏れが少なくチップＣＨＩに対す
る駆動効率を高められる。

（４）導体ケースＰＦＳは１回転磁界Ｈｒ発生コイルＰ
ＦＣから発生された交流磁界が透磁率μの大きい磁石体
ＢＩＭに漏れるのを防ぎ、他方磁石体ＢＩＭからチップ
ＣＨＩへ加えられるべきバイアス磁界Ｗｂの直流磁界に
対しては実質的にその通過を妨げないという選択性があ
る。

（５）導体ケースＰＦＳとしては、従来配線基板として
使用されていたエポキシガラス等に比べ硬い銅のような
材質を使用しているため。

チップＣＨＩを機械的に強固に支持できる。

従って、特に製造歩留を上げるため等に複数チップ実装
構成とした場合は、チップ間の傾斜角度バラツキが磁気
特性に大きな影響を与えるが、本実施例によればチップ
間の傾斜角度のバラツキを小さく押えられる。

（６）配線基板としてフレキシブルフィルム基板ＦＰＣ
を使用しているため下記の効果が得られる。

■基板厚を小さくできる。

■リードボンディング方式を採用できるので従来のワイ
ヤホンディング方式に比ベボンディング部分が占める厚
さを小さくできる。

■上記■、■の効果は、磁気回路のギャップ（透磁率μ
の小さい部分）を小さくでき小さい厚さ、又は小さい平
面積のバイアス磁石ＭＡＧを使用することができ、デバ
イス全体の薄型化又は平面積の縮小化につながる。

■チップＣＨＩからの配線の折り曲げ等が自由自在であ
る。従って、端子部分の１８０゜の裏返し等が可能であ
り、デバイス全体の平面積を制限することができる。

■回転磁界閉じ込めケースＲＦＳの配線取り出し用開口
幅を小さくできる。従って１回転磁界の漏れを最小限に
留めることができる。

（７）配線基板ＦＰＣの外部導出配線を四角形の角部に
集約させているので、回転磁界閉じ込めケースＲＦＳの
開口を最も影響の小さい角部に設けることができる。

（８）傾斜板ＩＮＮの機能を磁石或は整磁機能と兼用さ
せていないので下記の効果がある。

■傾斜角を形成するために、加工性の良い銅等の材料を
使用できる６ ■熱導率の良い銅等の材料を使用でき、回転磁界発生コ
イルＣＯＩで発生した熱を効率良く発散できる。

■非磁性体の材料を使用することによって。

整磁板ＲＯＭを通る磁界を乱さないようにすることがで
きる。

（９）傾斜板ＩＮＮは磁気的ギャップを小さくするため
にできるだけ薄い方が好ましく、その幅を磁石ＭＡＧや
整磁板ＲＯＭに比べて、傾斜角形成に必要十分なところ
に制限することによって、薄い厚さでの傾斜角形成を容
易としている。

（１０）磁石ＭＡＧとシールドケースＳＨＩ間には、透
磁率μの大きいソフトフェライトのような板ＩＮＭが挿
入されているので、その間の磁気的ギャップを埋めるこ
とができる。また。

板ＩＮＭは放熱にも寄与する。板ＩＮＭとしては磁石Ｍ
ＡＧよりも保持力Ｈｅの小さい材料を選んでいるので、
永久磁石の実効的な厚さを均一なままにしておくことが
できる。

（１１）シールドケースＳＨ，Ｉは透磁率μの大きいパ
ーマロイ等の磁性材料で構成しているため。

磁石ＭＡＧを磁界源とする磁気回路の磁気抵抗を小さく
できるので、磁石ＭＡＧの厚さや平面積を小さくできる
。

（１２）シールドケースＳＨＩは飽和磁束密度Ｂｓの大
きいパーマロイ等の磁性材料で構成しているため、外来
の磁界ノイズをバイパスし、チップＣＨＨに伝えない働
きがある。

（１３）上記（１１）　、　（１２）はそれぞれ、シー
ルドケースＳＨＩの厚さを薄くすることにつながる。

（１４）シールドケースＳＨＩはパーマロイのような鉄
−ニッケル合金を使用しているため、折り曲げ加工に適
し、又機械的な外力に対してその中に組み込まれた部品
を保護する働きがある。

（１５）回転磁界発生コイルＰＦＣとバイアスコイルＢ
ＩＣを共にコア型にしているので、パッケージングケー
スＳＨＩ又はＰＫＧ内での収納効率又は実装密度を高め
ることができる。

（１６）コアーＣＯＲと整磁板ＨＯＭとの間にはケース
ＲＦＳを挿入しているため、その間隔はコイルＣＯＩの
厚さの他に回転磁界閉じ込めケースＲＦＳの厚さ及び折
り曲げ角度で微調整できる。この距離は短ければ短い程
全体の平面的な大きさを小さくすることができ、コイル
長の低減による低消費電力化につながる。

しかしながら、その距離が短か過ぎると磁石ＭＡＧから
の直流バイアス磁界Ｈｂが透磁率の高いコアー〇ＯＲに
漏れてしまい、チップ周辺部分におけるバイア人磁界の
一様性が悪くなる。従って、この距離は上記特性上非常
にシビアであり、本構造によるとその調整が精密にでき
る。

（１７）回転磁界閉じ込めケースＲＦＳの周辺に絞り部
を設けているため、磁石体ＢＩＭの位置合せが容易であ
る。

（１８）傾斜板ＩＮＮは同じ製造条件で作った２枚のも
のを、チップの上下面で平面的に１８０６の回転角度差
があるように配置することによって、チップをはさんで
上下面に配置された１対の整磁板ＲＯＭや１対の磁石Ｍ
ＡＧをほぼ平行に合せることができる。

（組立の概要　第３図） 第３図は前述した磁気バブルメモリデバイスを構成する
各構成部材の積重ね組み立て手順を説明するための組み
立て斜視図であり、前述と同一符号は同一部材を示して
いる。同図において、まず、４隋に突出して入出力配線
の接続部を有しかつ中央部に素子搭載部を有する基板Ｆ
ＰＣ上に２個の素子ＣＨＩを搭載した基板組立体ＢＮＤ
を、底面に点線で示した位置に絶縁性シートを接着配置
した外側ケースＲＦＳａ内に配置し、さらにこの基板Ｆ
ＰＣ上に磁気回路ＰＦＣを組み込んだ後、シリコーン樹
脂５ＩＲ（図示せず）を充填しその上部に内側ケースＲ
ＦＳｂを外側ケースＲＦＳａに対して組み込み、外側ケ
ースＲＦＳ　ａと内側ケースＲＦＳｂとの側面接触部分
を半田付等により電気的に接続する。次にこれらの外側
ケースＲＦＳａおよび内側ケースＲＦＳｂの外面に設け
られている凹状の絞り部に上側磁石体ＢＩＭａおよび下
側磁石体ＢＩＭｂを配置した後、この上側磁石体Ｂ　Ｉ
　Ｍ　ａの外縁部と内側ケースＲＦＳｂの内側とで形成
される図示しない隙間に整列巻きされたバイアスコイル
ＢＩＣを配置し、これらを外側ケース５ＨＩａ内に収納
し、更に内側ケースＳＨＩ　ｂを組み込み、外側ケース
Ｓ　ＨＩ　ａと内側ケース５Ｈｕｂとの側面接触部分を
溶接等により磁気的に接続する６次に内側ケース５ＨＩ
ｂの４隅から突出している前記基板ＦＰＣの外部接続端
子接続部をこの内側ケース５ＨＩｂの背面に第４図Ｂに
示すように折り返し、一定形状を有するように組み合わ
せて配置し、これらの接続部にそれぞれ設けられている
半田等で被覆された各外部接続端子に。

図示しないコンタクトパッドＣｏＰを各開口部に搭載し
た端子固定板ＴＥＦを接触配置して熱圧着等により各外
部接続端子とコンタクトバッドｃＯＰを半田付等により
電気的に接続させる０次にこれらの組み立て体にパッケ
ージングケースＰＫＧ内に収納し、端子固定板ＴＥＦと
パッケージングケースＰＫＧの接触部においてハーメチ
ックシール等の封止を行って組み立てられる。

次に前述した各構成部品の構造について説明する。

（フレキシブル配線基板　第４図） 第４図は基板ＦＰＣを示す図であり、同図Ａはその平面
図、同図Ｂは４隅から突出している外部接続端子の接続
部を折り返し組み合わせて配置した平面図、同図Ｃは同
図Ａの４Ｃ−４Ｇ拡拡大面図、同図りは同図Ａの４Ｄ−
４Ｄ拡拡大面図である。同図において、基板ＦＰＣは、
中央部に角形状の素子保護部１と、この４隅に巾の小さ
い折り曲げ部２　（２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ）と、この
先端部に角形状の外部接続端子接続部（以下接続部と称
する）３　（３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ）とを有し、全体
形状がほぼ風車状をなして一体的に形成されており、ま
た、この素子保護部１の対向辺側には後述する２個の素
子Ｃ）（Ｉを搭載しその端子部を接続させる２重枠構造
の矩形状開口部４（４ａ、４ｂ）および位置決め用の３
個の穿孔５（５ａ、５ｂ、５ｃ）が設けられ、さらに１
個の接続部３ｃの先端には位置決め用の基板突出部６が
設けられている。

また、この基板ＦＰＣは、同図Ｃに示すように厚さ例え
ば約５０μｍ程度のポリイミド樹脂フィルムからなるベ
ースフィルム７上にエポキシ系の接着剤８を介して銅薄
膜を形成し、これを所要のパターン形状にエツチングす
ることにより、同図Ａに示すような配線用リード９ａ、
円形状の外部端子９ｂ、楕円状のコイルリード接続用端
子９ｃ。

記号９ｄおよびインデックスマーク９ｅ等のパターンが
形成され、さらにこれらの上面には前記同様な部材から
なる接着剤８を介して透光ないし半透光性のカバーフィ
ルム１０が接着配置されている。そして、この基板ＦＰ
Ｃの開口部４においては、図示しない素子ＣＨＩ搭載側
となるベースフィルム７が高い精度の寸法で開口が形成
され、また、その上面側カバーフィルム１０には比較的
寸法の大きい開口が形成され、さらにベースフィルム７
とカバーフィルム１０との間には配線用り一部９ａが露
出し、この配線用リード９ａの表面には錫メッキ層１１
が形成され、開口形状が２層構造でかつ２重枠構造を有
して形成されている。一方、接続部３においては、同図
りに示すようにカバーフィルム１０の前記円形状外部端
子９ｂおよび図示しない楕円状の外部端子９ｃと対応す
る部位に円形状の開口１２が形成され、その開口１２か
ら露出した外部端子９ｂ、９ｃ銅薄膜パターン上にはめ
っき或いはディップ等による半田層１３が形成されてい
る。そして、これらの接続部３に設けられた各外部端子
９ｂ、９ｃは各接続部３ａ。

３−ｂ　＊　３　ｃ　ｙ　３　ｄおよび折り曲げ部２ａ
、２ｂ。

２ｃ、２ｄ並びに素子保護部１上に連続して形成された
各配線用リード９ａに接続され、これらの配線用リード
９ａは素子搭載部１に設けられた各開口部４ａ、４ｂの
開口端の一部に各接続部３ａ。

３ｂ、３ｃ、３ｄのブロック毎に集結してその先端部が
各開口部４ａ、４ｂ内に露出されている。

すなわち同図Ａに示すように接続部３ａの配線用リード
９ａは開口部４ａの左上部に、接続部３ｂの配線用リー
ド９ａは開口部４ｂの左下部に、接続部３ｃの配線用リ
ード９ａは開口部４ａの右上部に、また接続部３ｄの配
線用リード９ａは開口部４ｂの右下部にそれぞれ配線さ
れている。そして、この基板ＦＰＣは、後工程で各接続
部３ａ。

３ｂ、３ｃ、３ｄが各折り曲げ部２ａ、２ｂ、２Ｃ，２
ｄで折り曲げられて同図Ｂに示すように組み合わされ、
半田層１３を形成した各外部端子９ｂ、９ｃが表面に露
出し、また、配線用り゛ニド９ａ、記号９ｄおよびイン
デックスマーク９ｅは表面がカバーフィルム１０により
被覆されているので、これらのパターンはカバーフィル
ム１０を透かして容易に判読できるように構成されてい
る。

このような構成において、基板ＦＰＣはポリイミド樹脂
フィルムを用い、素子保護部１の４隅に各折り曲げ部２
ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄを介して各接続部３ａ、３ｂ、３
ｃ、３ｄを設けた風車状に構成し、これらの各接続部３
ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄを折り返し組み合わせて外部端子
部を構成したことにより、素子保護部１と接続部とが２
層配線構造となるので、接続部３の面積を小さくするこ
となく、素子保護部１の面積を大きくさせ、併せて外部
端子部の多端子化が可能となり、全体形状を小形化する
ことができる。

また、このような構成において、各外部端子９ｂから素
子保護部１の各開口部４ａ、４ｂまでの配線リード９ａ
を大幅に短縮できるので、外部雑音等による影響を大幅
に減らすことができる。すなわちＳ／Ｎ比の高い信号を
入出力させることができる。さらに接続部３ｃの一端に
基板突出部６を設けるとともに、この突出部６にインデ
ックスマーク９ｅを設けたことにより、折り返し組み立
てた際の基板中央部の表示用、ケースＲＦＳおよびＳＨ
Ｉ　（第２図参照）に組み込む際の位置合せ用、配線リ
ード９ａの種類の区別用あるいは製品型式の表示用等の
判別に利用してその判別が容易となるので、組み立てお
よび基板管理等を合理化することができる。また、基板
ＦＰＣの素子保護部１の両端側に穿孔５ａ、５ｂ、５ｃ
を設けたことにより、基板ＦＰＣの左右の区別、素子Ｃ
ＨＩの位置決め等が容易となり、同様に組み立て性を合
理化することができる。

（基板組立体　第５．．６．７図） 第５図は前述した基板ＦＰＣに素子ＣＨＩを搭載した平
面図を示したものである。同図において。

基板ＦＰＣの素子搭載部１には２個の素子ＣＨＩが開口
部４ａ、４ｂ間に並列配置して搭載され基板組立体ＢＮ
Ｄが構成されており、この素子ＣＨ工の１個は、第６図
に拡大平面図で示すようにＩＭｂチップの２ブロツクが
一体化して構成され、２個の素子ＣＨＩでは４ブロツク
、合計で４Ｍｂチップを構成している。なお、第６図に
示した素子ＣＨＩの１ブロツクにおいて、太線は導体パ
ターン、細線はシェブロンパターン転送路をそれぞれ示
している。また、第５図に示した素子ＣＨＩは、第７図
Ａ、第７図Ｂにそれぞれ拡大断面図で示すように素子Ｃ
ＨＩの端部に金メッキして設けられた各ポンディングパ
ッド１４と、基板ＦＰＣ開口部４の錫メッキ層１１が形
成された配線用リード９ａとの間に金バンブ１５を介在
させて熱圧着法にによるＡ　ｕ　−Ｓ　ｎ共晶によりリ
ードボンディングされて搭載されている。

このような構成によれば、基板ＦＰＣの開口部４ａ、４
ｂの配線用リード９ａと素子ＣＨＩのポンディングパッ
ド１４とがＡｕ−３ｎ共晶によるリードボンディングに
より接続されて素子ＣＨＩが支持固定できるので、接続
強度を大幅に向上できるとともに、薄形化が可能となる
。また、素子ＣＨＩの表面が基板ＦＰＣの素子搭載部１
により被覆されるので、素子ＣＨＩの表面が保護され、
ハンドリング性を向上させることができるとともに、基
板ＦＰＣの機械的強度を保持することができる。また、
このような構成によれば、各素子ＣＨＩが２ブロツクか
らなり、２個の素子ＣＨＩは４ブロツクで構成されてい
るので、各ブロックをそれぞれ最も近接する各接続部３
ａ、３ｂ、３ｃ。

３ｄへ分配して配線でき、素子Ｃ）（Ｉ配置の対称性が
得られ、試験、検査等が極めて容易となる。

さらに基板ＦＰＣに４個の接続部３ａ、３ｂ、３ｃ、３
ｄを設けているので、各素子ＣＨＩの磁気バブル検出器
ＤＥＴおよびマツプループ等の配線を他の機能配線と区
別して１個所の接続部に集結させ、この接続部を雑音発
生源から遠ざける部位に選定して配置することにより、
雑音の極めて少ない入出力信号を授受することができる
。

（駆動磁気回路　第８，９図） 第８図は磁気回路ＰＦＣを示す図であり、同図Ａは斜視
図、同図Ｂはその駆動磁気回路を示す平面図である。同
図において、磁気回路ＰＦＣは。

軟磁性材料からなる額縁形のコアＣＯＲの互いに平行な
対向する辺上に、矢印方向に巻線を施して４組のコイル
２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄからなるコイルＣＯＩ
が巻設され、互いに対向する辺上のコイル２０ａと２０
ｂとを接続点２１ｂを介して直列巻きさせてＸコイル２
２ａを、コイル２０ｃと２０ｄとを接続点２１ａを介し
て直列巻きさせてＹコイル２２ｂをそれぞれ構成してい
る。

そして、Ｘコイル２２ａおよびＹコイル２２ｂに位相の
９０度異なる電流１ｘおよびＩｙ（例えば三角非電流）
を供給することにより、同図Ｂに示すようにＸ軸方向に
漏洩磁界Ｈｚが、ｙ軸方向には漏洩磁界Ｈ）ｌが発生し
、前述した２個の素子ＣＨＩに回転磁界として供給され
る。

また、このように構成される磁気回路ＰＦＣは、第９図
に斜視図で示すように１本の軟磁性材料からなる直方体
状の磁気コア２３に巻線を複数ブロック毎にタップ２４
を設け、直列巻きして一対の　。

コイル、例えばコイル２０ａ、２０ｂからなる一対のＸ
コイル２２ａを形成した後、各コイル２０ａと２．　Ｏ
ｂとの間に一定の巾を有する幅の広い溝２５とさらに幅
の小さい溝２６とを切削加工して設け、しかる後、この
幅の小さい溝２６部分から切断して両者に分割された幅
の広い溝２５を互いに直交する方向に組み合わせて接着
し、第８図に示すように額縁形に構成する。また、逆に
前述した幅の広い溝２５および幅の小さい溝２６を予め
形成した直方体コア２３にコイル２０ａ、２０ｂをタッ
プ２４を介して巻設し、一対のＸコイル２２ａを形成し
てもよい。また、前述した一対のＹコイル２２ｂについ
ても全く同様に形成される。

このような構成において、直方体状磁気コア２３にコイ
ル２０ａ、２０ｂを直列方向にタップ２４を設けて巻設
しているので、第８図に示すように組み立て構成した場
合、互いに交差させて結線（接続点）する必要がなくな
り、巻線の引き廻しを簡素化することができる。

このような構成によれば、Ｘコイル２２ａとＹコイル２
２ｂとが対称構造となるので、粗カップリングとなり、
インダクタンスバランスが向上し、漏洩磁界に対する磁
性体間の磁気的干渉を防止することができる。また、こ
の磁気回路ＰＦＣは素子ＣＨＩの上、下面に配置されな
い額縁形構造となるので、積層方向の厚さが小さくなり
、薄形化が可能となる。

（回転磁界閉込めケース　第１０．１１．１２図）第１
０図はケースＲＦＳを示す図であり、同図Ａは平面図、
同図Ｂはそのｌ０Ｂ−ｌ０Ｂ断面図である。同図におい
て、内側ケースＲＦＳｂは、その中央部分が凹状となる
枠形状の絞り部３０と、その対向端辺が上方向にほぼ９
０度折り曲げられた折り曲げ部３１と、その各４隅が斜
め方向に切断された切り欠き部３２とをそれぞれ有して
構成されており、このケースＲＦＳｂは良導電性材料、
例えば無酸素銅板をプレス加工して形成されている。こ
の場合、絞り部３０および折り曲げ部３１はこの内側ケ
ースＲＦＳｂのねじれ方向の機械的強度を向上させると
ともに、互いに対向する折り曲げ部３１相互間の縦横方
向の外径寸法りを適宜制限することができる。また、絞
り部３０は、このケースＲＦＳｂの外面側に配設される
磁石体ＢＩＭｂと、内面側に配置される素子ＣＨＩとの
間の距離を適宜調整することができる。なお、４隅に設
けた切り欠き部３２は、このケースＲＦＳｂ内に配設さ
れる基板ＦＰＣの各折り曲げ部２ａ。

２ｂ、２ｃ、２ｄの引出し部分を形成している。

このような構成によれば、内側ケースＲＦＳｂは、プレ
ス加工法により形成できるので、高精度寸法でかつ低コ
ストで製作することができる。

なお、内側ケースＲＦＳｂは、無酸素銅を用いたが、こ
の他に銅、銀、金板あるいはこれらの合金板にメッキを
施した板材を用いても良い。

第１１図は前述した内側ケースＲＦＳｂに対応する外側
ケースＲＦＳａを示す図であり、同図Ａは平面図、同図
ＢはそのＩＩＢ−ｌ１Ｂ断面図である。同図において、
この外側ケースＲＦＳａは、前述した内側ケースＲＦＳ
ｂと同等の材料および製作法により形成され、その構造
は前述とほぼ同様にその中央部が凹状となる枠形状の絞
り部３３と、その対向端辺が上方向にほぼ９０度に折り
曲げられた折り曲げ部３４と、その各４隅が斜め方向に
切断された切り欠き部３５とを有して構成されている、
この場合、互いに対向する折り曲げ部３４は、その相互
間の内側寸法が、前述した内側ケースＲＦＳｂの折り曲
げ部３１相互間の外側寸法りとほぼ同等値を有しかつ高
さＨを大きくして形成されている。なお、この絞り部３
３および切り欠き部３５は前述した内側ケースＲＦＳｂ
とほぼ同等の寸法を有して形成されている。

このように構成された外側ケースＲＦＳａおよび内側ケ
ースＲＦＳｂは、第１２図Ａにその平面図、第１２図已
に１２Ｂ−１２Ｂ断面図でそれぞれ示すように外側ケー
スＲＦＳａ内に内側ケースＲＦＳｂを挿入し、外側ケー
スＲＦＳａの折り曲げ部３１の外面とを互いに接触させ
て接続することにより、一体化させケースＲＦＳが組み
立てられる。

（ケース組立体　第１３図） 第１３図は前述したケースＲＦＳ内に基板組立体ＢＮＤ
を収納配置した断面図を示したものである。同図におい
て、外側ケースＲＦＳａの底面には、電気的絶縁性シー
トとして、例えば厚さ約Ｏ０１Ｍｎ程度のポリイミドフ
ィルム３６が接着配置され、このフィルム３６上には基
板組立体ＢＮＤが。

また、その周縁部には磁気回路ＦＰＣがそれぞれ配置さ
れ、されに基板組立体ＢＮＤの上面にエポキシ系の接着
剤３７を塗布した後、これらの上方部には内側ケースＲ
ＦＳｂが挿入されて接合配置されている。この場合、こ
の外側ケースＲＦ　Ｓ　ａの折り曲げ部３４の内面と内
側ケースＲＦＳｂの折り曲げ部３１の外面とがＸ印で示
す部分でメタルフローあるいは半田付等により電気的１
機械的に接合されている。また、この外側ケースＲＦＳ
ａと内側ケースＲＦＳｂとの間の隙間部分にはシリコー
ン樹脂ＳＩＲが充填され基板組立体ＢＮＤおよび磁気回
路ＰＦＣが固定配置されている。なお、この場合、これ
らの外側ケースＲＦＳａおよび内側ケースＲＦＳｂの４
隅に設けられた図示しない各切り欠き部３２．３５には
基板ＦＰＣの折り曲げ部２　（２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ
）が外部へ引出されている。３８はコイルＣＯＩ同志の
接続またはコイルＣＯＩと基板ＦＰＣ上に設けられた外
部端子９ｃを接続するためのリード線である。

このような構成において、磁気回路ＦＰＣの駆動により
漏洩磁界が発生すると、ケースＲＦＳには閉ループを形
成するように誘起電流が流れ、この誘起電流によって回
転磁界がケースＲＦＳ内に封じ込められ、したがって素
子ＣＨＩには均一な回転磁界を付与される。

このような構成によれば、外側ケースＲＦＳａおよび内
側ケースＲＦＳｂとの間に中央部分の凹状部内に基板Ｆ
ＰＣに搭載された素子ＣＨＩを。

周縁部分の凸状部内に磁気回路ＰＦＣをそれぞれ挟持さ
せて配置したのでパッケージング効果が向上できるとと
もに、組立性が大幅に向上できる。

また、外側ケースＲＦＳａおよび内側ケースＲＦｓｂで
覆われる体積が減少することにより、ＶＩ積（ＣＣ体積
）が低減でき、回転磁界を発生させる磁気回路ＦＰＣの
小形化が可能となる。さらに外側ケースＲＦＳａおよび
内側ケースＲＦＳｂに絞り部３０．３３で形成される凹
状部を設は対向する凹状部間のギャップを減少させるこ
とにより、回転磁界は素子ＣＨＩの平面に垂直な成分（
Ｚ成分）が零に近接して水平な成分のみとなり、一様性
を向上させることができる。

（磁石体　第１４図） 第１４図は磁石体ＢＩＭを示す図であり、同図Ａは平面
図、同図Ｂはその側面図、同図Ｃはその正面図である。

同図において、ｍ方体ＢＩＭは、対向面の一方が所定の
傾斜面を有する非磁性材、例えば銅からなる傾斜板１　
’Ｎ　Ｎと、この傾斜抜工ＮＮの傾斜面側に配置する板
厚の均一な第１の整磁板ＲＯＭ、と、この第１の整磁板
ＨＯＭ、の上面側に配置する板厚の均一な磁石板ＭＡＧ
と、この磁石板ＭＡＧの上面側に傾斜面を有する第２の
整磁板ＨＯＭ、とを順次積層し、エポキシ系の接着剤に
より一体化されて形成され、全体の積層板厚がほぼ全面
にわたって均一となるように構成されている。そして、
この磁石板ＢＩＭの上、下面からはほぼ全面にわたって
均一なバイアス磁界発生用の磁界が放出される。

（バイアスコイル　第１５図） 第１５図はバイアスコイルＢＩＣを示す図であり、同図
Ａは斜視図、同図Ｂはその１５Ｂ−１５Ｂ断面図である
。同図において、バイアスコイルＢＩＣは、表面に絶縁
部材として例えば熱硬化性樹脂が外面に被覆された巻線
４０を、断面が５×４線の配列とし全体形状が額縁状と
なるように整列巻きした後、熱溶着で圧着し、冷却させ
て所定値の額縁形状に成形して構成されている。この場
合、各巻線４０の外面に被覆されている熱硬化樹脂が互
いに熱溶着するとともに、圧着により各巻線４０が目詰
りして成形され、冷却させることにより、各巻線４０が
結束した状態で硬化されるので、所定形状の額縁形状に
形成される。

（ケース組立体への磁石体及びバイアスコイルの実装　
第１６図） 第１６図は前記第１３図で説明したケースＲＦＳ組立体
内に前述した磁石体ＢＩＭおよびバイアスコイルＢＩＣ
を組み込んだ断面図を示したものである。同図において
、内部に基板組立体ＢＮＤおよび磁気回路ＰＦＣを収納
したケースＲＦＳ組立体の上、下面にはそれぞれ上部磁
石体Ｂ　Ｉ　Ｍ　ａ下部磁石体ＢＩＭｂが接着配置され
、さらにこの上部磁石体Ｂ　Ｉ　Ｍ　ａの周縁部と、内
側ケースＲＦｓｂの折り曲げ部３１とで囲まれて形成さ
れる額縁状溝部にはバイアスコイルＢＩＣが収納配置さ
れている。この場合、上部磁石体Ｂ　Ｉ　Ｍ　ａと下部
磁石体Ｂ　ＩＭｂとは全く同一の材料２寸法で構成され
ており、これらの磁石体ＢＩＭａ、ＢＩＭｂはその傾斜
板ＩＮＮ側が、内側ケースＲＦＳｂの絞り部３０で囲す
れた凹状部および外側ケースＲＦＳａの絞り部３３で囲
われた凹状部内にそれぞれ密着されて配置される。

このような構成において、ケースＲＦＳ組立体の中央部
両面側に形成された凹状部内に一対の磁石体ＢＩＭａ、
ＢＩＭｂが配置され、さらにその周縁部に形成される額
縁状溝部内にバイアスコイルＢＩＣが配設できるので、
各構成部品の積層方向の全体の厚さが小さくなり、小形
、薄形化が可能となる。また、外側ケースＲＦＳａと下
部磁石体ＢＩＭｂの外縁部分とで額縁状の空間溝が形成
されるので、この部分に前記バイアスコイルＢＩＣを配
置しても良く、また新たにバイアスコイルを設けても良
く、さらにはコイルボビンとして巻線を施してバイアス
コイルを形成することもできる。

（磁気シールドケース　第１７．１８．１９図）第１７
図はシールドケースＳＨＩを示す図であり、同図Ａは平
面図、同図Ｂはその１７Ｂ−１７Ｂ断面図である。同図
において、外側シールドケースＳ　ＨＩ　ａは、平坦部
５１と、この平坦部５１の対向端辺に上方向にほぼ９０
度に折り返した折り曲げ部５２と、この折り曲げ部５２
の中央部に一部が切り欠かれた凹部５３と、その各４隅
が斜め方向に切断された切り欠き部４５４とを有して構
成されており、このシールドケース５ＨＩａは高透磁率
および高飽和磁束密度を有し望ましくは熱伝導率の大き
い材料、例えばパーマロイ板をプレス加工して形成され
ている。

第、１８図は前述した外側シールドケース５ＨＩａに対
応する内側シールドケース５ＨＩｂを示す図であり、同
図Ａは平面図、同図Ｂはその１８Ｂ−１８Ｂ断面図であ
る。同図において、この内側シールドケース５ＨＩｂは
、前述した外側シールドケース５ＨＩａと同等の材料お
よび製作法により形成され、その構造は前述とほぼ同様
に平坦部５５と、この平坦部５５の対向端辺に上方向に
ほぼ９０度に折り返した折り曲げ部５６と、この折り曲
げ部５６の中央部に一部が切り欠かれた凹部５７と、そ
の各４隅が斜め方向に切断された切り欠き部５８とを有
して構成されている。この場合、互いに対向すいる折り
曲げ部５６はその相互間の外側寸法が、前述した外側シ
ールドケース５ＨＩａの折り曲げ部５２相互間の内側寸
法りとほぼ同等値を有しかつ高さＨを小さくして形成さ
れている。

このように構成された外側シールドケース５ＨＩａおよ
び内側シールドケース５ＨＩｂは第１９図Ａにその平面
図、第１９図Ｂにその１９Ｂ−１９Ｂ断面図でそれぞれ
示すように外側シールドケースＳ　ＨＩ　ａ内に内側シ
ールドケース５ＨＩｂを挿入し、外側シールドケースＳ
　ＨＩ　ａの凹部５３と内側シールドケース５ＨＩｂの
凹部５７とで形成される凹部５９にスポット溶接あるい
は半田溶接を施し、磁気的１機械的に固定することによ
り一体化させ外側シールドケースＳ　ＨＩ　ａが組み立
てられる。　このような構成において、外側シールドケ
ースＳ　ＨＩ　ａの折り曲げ部５２および内側シールド
ケース５ＨＩｂの折り曲げ部５６を横方向、つまり積層
方向と交差す方向に設定することなく、積層方向に揃え
て設定することにより、横方向の寸法を小さくさせ、小
形でかつ構成部品の高集積化が可能となる。

（磁気シールドケース組立体　第２０図）第２０図は前
述したシールドケースＳＨＩ組立体内に、前記第１６図
で説明した内部に基板組立体ＢＮＤ、磁気回路ＦＰＣを
組み込んだケースＲＦＳ組立体と、一対の磁石板ＢＩＭ
ａ、ＢＩＭｂ、バイアスコイルＢＩＣとからなる組立体
を組み込んだ断面図を示したものである。同図において
、外側シールドケース５ＨＩａの内部には、その底面側
から中央部に上部磁石体Ｂ　Ｉ　Ｍ　ａ　、周縁部にバ
イアスコイルＢＩＣ，ケースＲＦＳ組立体（内部に基板
組立体ＢＮＤ、磁気回路ＦＰＣ等が組み込まれている）
、下部磁石体ＢＩＭｋを順次積層配置させた後、内側シ
ールドケース５ＨＩｂを挿入し、前述した外側シールド
ケースＳ　ＨＩ　ａの凹部５３と内側シールドケース５
ＨＩｂの凹部５７とで形成される凹部５９（第１９図参
照）で溶接固定して封止される。この場合、このシール
ドケースＳＨＩ内にグリース等を充填させておくことに
より、内部の構成部品が実質的に相互に密着することに
なり、ケースＲＦＳから発生する熱がこのシールドケー
スＳＨＩを介して外部に放出することができる。また、
ケースＲＦＳとシールドケースＳＨＩを圧入方式により
側面で接触させる構造にして放熱効果を向上させること
ができる。

このような構成において、外側シールドケース５ＨＩａ
の底面側にケースＲＦＳ組立体を、その折り曲げ部３１
．３４が対向するように積層配置させることによって外
部シールドケースＳ　ＨＩ　ａと内部シールドケース５
ＨＩｂとの間に積層される各構成部品が密着配置できる
ので、小形化、薄形化が可能となるとともに放熱効果も
同時に得られる。

（パッケージングケース　第２１図） 第２１図はパッケージングケースＰＫＧを示す図であり
、同図Ａは平面図、同図Ｂはその２１Ｂ′−２１Ｂ断面
図である。同図において、パッケージングケースＰＫＧ
は、熱伝導の良好な材料、例えば板厚的０．５ｎｍのア
ルミニウム板を絞り加工を施して形成され、図示されな
いが、その外面にＩａの形状を改良して兼用させて使用
することができる。

このような構成において、このパッケージングケースＰ
ＫＧは、磁気バブルメモリデバイス完成後の外側ケース
となるとともに放熱体としての機能を有し、さらにその
内側角部は後述するボッティング法による樹脂モールド
時の型としての機能も同時に有している。

（端子固定板及びコンタクトパッド　第２２．２３図）
第２２図は端子固定居てＴＥＦを示す図であり。

同図Ａは平面図、同図Ｂはその２２Ｂ−２２Ｂ断面図、
同図Ｃはその背面図である。同図において。

端子固定板ＴＥＦは、電気的絶縁性を有する材料。

例えばガラスエポキシ系の樹脂板６０からなり。

その外形状は前記パッケージングケースＰＫＧの開口部
に体して挿入出自在となる縦横方向の寸法を有して形成
されており、またこの樹脂板６ｏの周辺部を除く部位に
は多数個の貫通孔６１が縦横方向に所定の間隔をもって
マトリックス状の配列で穿設され、さらにこれらの貫通
孔群の角部には回転対称とはならない断面が凹状となる
非貫通孔６２が設けられ、この非貫通孔６２内には例え
ば方向性あるいは特長を位置付ける白色の塗膜などによ
るマーク６３が付着されている。また、この樹脂板６０
に穿設された多数個の貫通孔６１には、同図Ｂに示すよ
うにその背面側に口径の大きい開口６４が同軸的に連通
して設けられており、これらの開口６４の全ては板厚の
約６０％の深さを有しかつ貫通孔６１とは途中に段差を
有して連通されている。また、この樹脂板６０の背面側
には同図Ｃに示すようにその周辺部分に沿って前記開口
６４の深さとほぼ同等の深さを有しかつ平面方向の幅が
異なりその断面が凹形状となる溝６５が形成され、この
溝６５内は前述したコイルＣＯＩの巻線、バイアスコイ
ルＢＩＣの巻線の通路部および接続部を構成している。

また、この樹脂板６０の角部６６は凹形状とはならず、
所定の板厚寸法を有し、前述したパッケージングケース
ＰＫＧの内側面に体して接触面を得ている。このように
樹脂板６０の背面側は板厚の異なる２段構造を有して形
成されている。

第２３図はコンタクトパッドＧＮＰを示す図であり、同
図Ａは平面図、同図Ｂはその断面図である。同図におい
て、コンタクトパッドＧＮＰは。

良導電性材料、例えば板厚約０．５−程度の銅板をプレ
ス加工により打ち抜いた素片７０の表面にニッケルメッ
キ層７１．金メッキ層７２を形成して構成される。

（最終組立　第２０．４．２図） このように構成された各構成部品は、まず最初に前述し
たパッケージングケースＰＫＧ内に、第２０図で説明し
たシールドケース組立体を挿入する。この状態ではこの
パッケージングケースＰＫＧの４隅から前記基板組立体
ＢＮＤの各接続部３ａ、　３ｂ、３ｃｔ　３ｄ　（第４
図Ａ参照）が各折り曲げ部２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄから
約９０度で折れ曲がって突出する１次に、このパッケー
ジングケースＰ、ＫＧの４隅にボッティング法により樹
脂モールドを行なってこのパッケージングケースＰＫＧ
内に各個性部品を固定配置させる。引き続きこれらの各
接続部３　ａ　、　３　ｂ　、　°３　ｃ　、　３　ｄ
を対応する各折り曲げ部２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄでさら
に約９０度で折り曲げて内側シールドケース５ＨＩｂの
外面に接着剤を介して前記第４図Ｂに示すように組み合
わせた後、前記端子固定板ＴＥＦ背面側の各開口６４内
にコンタクトパッドＣＮ、Ｐを搭載し、あるいは更にコ
ンタクトパッドＧＮＰの側面を接着剤により固着してパ
ッケージングケースＰＫＧに挿入し、各接続部３ａ、３
ｂ、３ｃ。

３ｄに接触配置させる。この場合、各接続部３ａ。

３　ｂ　＋　３　ｃ　ｇ　３　ｄに設けられている各外
部端子９ｂの配列ピッチと各コンタクトパッドＧＮＰの
配列ピッチとが一致しているので、各外部端子９ｂとコ
ンタクトパッドＧＮＰとは電気的に接触する。

次に配置した端子固定板ＴＥＦの裏側から各貫通孔６１
に例えば先端部の細い加熱体を挿入し、コンタクトパッ
ドＧＮＰを熱圧着する事により、各外部端子９ｂと対応
する各コンタクトパッドＧＮＰが電気的に接続されると
ともに端子固定板ＴＥＦも同時に機械的に固定されて第
２図に示した磁気バブルメモリデバイスが完成される。

（磁気バブルメモリ素子　第２４　、２５　、２６　、
２７　、２８図）第２４図は前述した磁気バブルメモリ
素子ＣＨ工のポンディングパッドＰＡＤ近辺の断面図を
示すものである。同図において、ＧＧＧはｇａｄｏｌｉ
ｎｉｕｍ　−ｇａｌｌｉｕｍ　−ｇａｒｎｅｔ基板であ
り、ＬＰＥは液相エピタキシャル成長法によって形成さ
れたバブル磁性膜であり、その組成の一例は下記表１に
示した通りである。

表　　　１ １ＯＮはハードバブル抑制のためにＬＰＥ膜表面に形成
されたイオン打込層を示している。ＳＰＩは第１のスペ
ーサであり、例えば３０００人の厚さのＳｉｏ、が気相
化学反応により形成される。

ＣＮＤｌ及びＣＮＤ２は２層の導体層を示しており、後
述するバブル発生、複写（分割）及び交換を制御する機
能を持っており、下の第１の導体層ＣＮＤ１がＭ　ｏ　
、上の第２の導体層ＣＮＤ２がＡＵ等の材料でそれぞれ
形成されている。ＳＦ３及びＳＦ３は導体層ＣＨＤとそ
の上に形成されるパーマロイ等の転送パターン層Ｐとを
電気的に絶縁するポリイミド樹脂等から成る層間絶縁膜
（第２゜第３のスペーサ）である、ＰＡＳは気相化学反
応法により形成されたＳ　ｉ　ｏＪＩ等からなるパッシ
ベーション膜である。ＰＡＤは素子ＣＨＩのポンディン
グパッドを示しており、Ａｆｌ線等の細いコネクタワイ
ヤがここに熱圧着法や超音波法によりボンディングされ
る。このポンディングパッドＰＡＤは下の第・１層ＰＡ
Ｄ、がＣｒ、中央の第２層ＰＡＤ、がＡｕ層、上の第３
層ＰＡＤ３がＡｕメッキ層等の材料でそれぞれ形成され
ており、第２層ＰＡＤ、および第３層ＰＡＤ、をＣｒ、
Ｃｕ等の材料で形成しても良い、Ｐはバブルの転送路や
バブルの分割１発生、交換及び検出部更にはガードレー
ル部に用いられる層を示しており、以後の説明では便宜
上転送パターン層と表現する。

第２４図の例ではこの転送パターン層Ｐは下層Ｐ１にＦ
ｅ−Ｎｉを、上層Ｐ２にＦ　ａ　−Ｎ　ｉをそれぞれ使
用しているが、前述したように両者の材質を上下入れ替
えることも可能である。

以下、前述した複数層から成る転送パターン層を素子Ｃ
）（Ｉの各部に適用した例を第２５図以降の平面図で説
明するが、これらの平面図では転送パターン層の各層は
セルファラインで形成されているため、同じ輪郭線で表
されていることに注意されたい、第２５図はバブル検出
器り部分を示しており、ＭＥＭはメイン磁気抵抗素子で
あり、横方向に帯状に引き伸ばされたバブルがそこを通
過するとき抵抗値が変ることを利用してバブルの有無を
検出する。ＭＥＤはメイン磁気抵抗素子ＭＥＭと同様な
パターン形状のダミー磁気抵抗素子であり１回転磁界の
影響等による雑音成分を検出するために用いられる。メ
イン磁気抵抗素子ＭＥＭの上方には２段分しか図示して
いないがバブルを横方向に引き伸ばしながら下方に転送
していくバブルストレッチャーＳＴが数１０段形成され
ている。なお、ＰＲはバブルの転送方向を示している。

ＥＲはバブルの消去器であり、導体層ＣＮＤにバブルが
達したとき、消去される。この検出器りの周囲及びダミ
ー及びメイン検出の間には、３列のパターン群から成る
ガードレールＧＲが設けられており、ガードレールＯＲ
の内部に発生した不要なバブルをその外側に追い出した
り、ガードレールＧＲの外側で発生した不要なバブルが
その内側に入り込むのを防ぐようになっている。なお、
第２５図以下の平面パターン図では導体層ＣＮＤ以外の
パターンは第２４図で説明した転送パターン層Ｐを示し
ている。同図において、磁気抵抗素子ＭＥＭ、ＭＥＤを
多層磁性層で形成することにより、信号対雑音比（Ｓ／
Ｎ比）が向上した。例えば、転送パターンとして各層間
にＳ　ｉ　Ｏ，膜を介在させた３層パーマロイ層を使用
した場合は、パーマロイ単層用のものに比べ下記表２に
示すようにＳ／Ｎ比が２倍以上向上させることができる
。

表　　　２ また、ガードレールＧＲの性能も保持力Ｈｅの低減によ
り不要バブルの排除率が高くなるなど改善される。

第２６図は磁気バブル発生器ＧＥＮを示しており、転送
パターン層Ｐを多層化することにより、磁気バブルの発
生電流を小さくすることができ、磁気バブル発生器の導
体層ＣＮＤの寿命を長くすることが可能となった。従っ
て、導体層ＣＮＤの駆動回路も電流容量値の小さい半導
体素子が使用でき、低価格可が可能となる。

第２７図はＰ　ａ　＝　Ｐ　ｈ等の転送パターンで形成
されたマイナループｍ、Ｐｗ、〜Ｐｗ、等の転送パター
ン列で形成された書き込みメイジャーラインＷＭＬ及び
ヘアピン状導体層ＣＮＤで形成されたスワップゲート部
を示している。同図において、Ｐ、は第２６図のバブル
発生器ＧＥＮにおける転送パターンＰ７と同一のもので
あり、言い換えればバブル発生器ＧＥＮで発生されたバ
ブルはＰ１〜Ｐ７の転送路を通って書き込みメイジャー
ラインＷＭＬに転送される。スワップ導体層ＣＮＤに電
流を流したとき、マイナループｍ、の転送パターンＰｄ
の磁気バブルは転送パターンＰＡ、Ｐｍを通ってメイジ
ャーラインＷＭＬの転送パターンＰｗ、に転送され、メ
イジャーラインＰＷ、からの磁気バブルは転送パターン
Ｐｋ、Ｐｊ、Ｐｉを経てマイナループの転送パターンＰ
ｅに転送されてバブルの交換、すなわち情報の書き換え
が行なわれる。なお、右端のマイナループｍｄにはスワ
ップゲートが設けられていないが、これは、周辺効果を
軽減するための磁気バブルを注入しないダミーのループ
である。このように交換位置における転送パターン層Ｐ
ｉ”Ｐｍを多層化することにより、小さい電流値で磁気
バブルの交換を行なうことができる。

また、第２８図に示すように磁気バブルの複写器、即ち
分割器でも同様に小さい電流値駆動が可能となる。同図
において、通常磁気バブルはＰｎ〜Ｐｇ、Ｐｓ”Ｐｘの
順路で転送されており、導体層ＣＨＤに電流を流したと
き、転送パターンＰｇの位置でバブルは分割され、分割
された１つの磁気バブルはＰ）’＋Ｐｓ〜Ｐ１゜を経て
読出しメイジャーラインＲＭＬに転送される。

（ホールディング磁界及び回転磁界　第２９図）磁石板
ＭＡＧは素子ＣＨＩに対して約２度程度傾斜させて配置
される。これは素子ＣＨＩに対しバイアス磁界Ｈｂが垂
直方向よりややずれて印加されるようにしたもので、そ
れによってバブル転送のスタート、ストップマージンを
約６（Ｏｅ）向上させるホールディング磁界Ｈｄｃを生
み出す（第２９図Ａ）。

第２９図Ａに示したように磁石体ＢＩＭと素子ＣＨＩと
の角度θの傾斜により、直流磁界Ｈｚは。

Ｘ７平面内の成分Ｈｄｃを持つことになる。そして、こ
の面内成分Ｈｄｃの大きさは、Ｈｄｃ−ｓｉｎθとなり
、通常Ｈｄｃ−ｓｉｎθ＝５　（Ｏｅ）〜６　（Ｏｓ）
になるように傾斜角度θが選定される。また、この面内
成分Ｈｄｃの方向は、回転磁界Ｈｒのスタート・ストッ
プ（Ｓｔ／Ｓｐ）方向（十ｘ軸方向）に一致するように
傾斜されている。

そして、このｘｙ面内成分Ｈｄｃは、回転磁界Ｈｒのス
タート・ストップ（Ｓｔ／Ｓｐ）動作に対して有効な働
きをし、ホールディングフィールドと呼ばれている公知
の磁界である。なお、素子ＣＨＩ面に垂直に作用するバ
イアス磁界Ｈｂの大きさはＨ２−ｃｏｓθとなる。

さて、上述したホールディングフィールドＨｄＣは、素
子ＣＨＩのｘｙ面に対して常時作用するため、第２９図
Ｂに図解したように前記素子ＣＨＩに作用する回転磁界
Ｈｒ’は偏心する。同図において、Ｈｒは外部から加え
られる回転磁界、Ｈｒ′は、素子ＣＨＩに作用する回転
磁界である。

この場合、ＣＨＩに作用する回転磁界Ｈｒ’は外部から
加えられる回転磁界Ｈｒと面内成分Ｈｄｃとを合成した
ものとなり、その回転磁界Ｈｒ’の中心０′はスタート
・ストップ（Ｓ　ｔ／Ｓ　ｐ）方向である＋Ｘ軸方向に
面内成分Ｈｄｃ分だけ平行移動する。このため、同図の
結果から明らかなように、外部から加えている回転磁界
Ｈｒの強さが１Ｈｒｌであっても実効的に阻止ＣＨＩに
作用する回転磁界の強度ＩＨｒ’ｌは回転磁界Ｈｒの位
相によって異なる。すなわちＳｔ／ＳＰ方向でのＩＨｒ
’ｌは、ＩＨｒｌ＋ＩＨｄ　ｃｊとなり、Ｉ　Ｈｒ　ｌ
に比べてホールディングフィールドＨｄｃの強さＩＨｄ
ｃｌだけ強くなっている。逆に、Ｓｔ／ＳＰ方向と逆方
向の場合のｌＨｒ’ｌはｌ　Ｈｒ　ｌ−Ｉ　Ｈｄ　ｃ　
Ｉとなり、１Ｈｒｌに比べて１Ｈｄｃｌだけ弱まってい
る。

（周辺回路　第３０図） 最後に素子ＣＨＨの周辺回路を第３０図で説明する。Ｒ
Ｆは素子ＣＨＩのＸ及びＹコイルに９０″位相差の電流
を流し回転磁界Ｈｒを発生するための回路である。ＳＡ
は素子ＣＨＩの磁気抵抗素子スアンプである。ＤＲは＋
　ＭＢＭデバイスの書き込みに関係するバブル発生及び
スワップ並びに読み出しに関係するレプリケートの各機
能導体に所定のタイミングで電流を流す駆動回路である
６以上の回路は回転磁界Ｈｒのサイクル及び位相角に同
期して動作するようタイミング発生回路ＴＧによって同
期化されている。

（回転磁界分布特性　第３１図） 第３１図は前述した磁気回路ＰＦＣの回転磁界分布特性
を示したものである。すなわち同図において、横軸に第
８図Ｂで示した磁気回路ＰＦＣ内の中心を○としてＸ軸
方向の長さを、縦軸にそのＸ軸方向の回転磁界強度Ｈｘ
　＝　ＯとしたときのＸ軸方向の回転磁界強度Ｈｘをそ
れぞれ示すと、曲線Ｉで示すような回転磁界分布特性が
得られた。

同図から明らかなように、磁気回路ＰＦＣの対向するコ
アＣＯ，Ｒ間の内側までの距離−Ｘｃ〜＋ＸＣの範囲ま
でほぼ均一な回転磁界強度Ｈｘが得られ、また、素子Ｃ
ＨＩの有効エリア（回転磁界を付与すべき最小範囲）−
Ｘｅ〜＋Ｘｓの範囲では±約２％の磁界強度一様性が得
られた。なお、破線で示す曲線■は従来構成の磁気回路
による回転磁界分布特性である。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、フレキシブル配線
板に搭載した磁気バブルメモリ素子を。

額縁形コアの回転磁気回路の空間部に配設するとともに
、その全体を良導電性材の回転磁界閉じ込めケース内に
挟持させその周縁部を電気的に接続したことにより、漏
洩磁界を発生させる空間を小さくできるので小さなＶＩ
積で一様性の高い回転かつ全体形状を小形、薄形化した
磁気バブルメモリデバイスが得られるという極めて優れ
た効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による磁気バブルメモリデバイスの全体
を示す一部破断斜視図、第２図Ａは底面図、第２図Ｂは
同図Ａの２Ｂ−２Ｂ断面図、第３図は積み重ね構造を示
す分解斜視図、第４図は基板ＦＰＣを説明する図、第５
図は基板ＦＰＣに素子ＣＨＩを搭載した基板組立体ＢＮ
Ｄを示す平面図、第６図は素子ＣＨＩを示す図、第７図
は基板組立体ＢＮＤのリードボンディングを説明する図
、第８図は磁気回路ＰＦＣを説明する図、第９図は磁気
回路ＰＦＣの製作方法を説明する図、第１０図は内側ケ
ースＲＦＳｂを示す図、第１１図は外側ケースＲＦＳａ
を示す図、第１２図はケースＲＦＳの組立図、第１３図
はケースＲＦＳ内に基板組立体ＢＮＤおよび磁気回路Ｆ
ＰＣを収納した組立体の断面図、第１４図は磁石体ＢＩ
Ｍの構成を説明する図、第１５図はバイアスコイルを説
明する図、第１６図はケースＲＦＳ組立体に一対の磁石
体ＢＩＭおよびバイアスコイルＢＩＣを組み込んだ組立
体の断面図、第１７図は外側シールドケース５ＨＩａを
示す図、第１８図は内側シールドケース５ＨＩｂを示す
図、第１９図はシールドケースＳＨＩの組立図、第２０
図は第１６図に示す組立体をシールドケース５）（Ｉ内
に組み込んだ組立体の断面図、第２１図はパッケージン
グケースＰＫＧを示す図、第２２図は端子固定板ＴＥＦ
の構成を説明する図、第２３図はコンタクトパッドの構
成を示す図、第２４図は素子Ｃ）（Ｉの断面図、第２５
図は素子ＣＨＩの磁気バブル検出器りの構成を示す図、
第２６図は素子ＣＨＩの磁気バブル発生器ＧＥＮの構成
を示す図、第２７図は素子ＣＨＩのスワップゲートＳＷ
Ｐの構成を示す図、第２８図は素子ＣＨＩのレプリケー
トゲートＲＦ　Ｐの構成を示す図、第２９図Ａはバイア
ス磁界Ｈｂとホールディング磁界Ｈｄｃの関係を示す図
、同図Ｂはトータル回転磁界Ｈｒ’を示す図、第３０図
は磁気バブルメモリボードの全体回路を示す図。 第３１図は回転磁界分布特性図である。 ＣＨＩ・・・磁気バブルメモリ素子（素子）、ＦＰＣ・
・・フレキシブル配線基板（基板）、ＢＮＤ・・・基板
組立体、ＣＯＩ・・・駆動コイル（コイル）−ＣＯＲ・
・・額縁形コア（コア）、ＰＦＣ・・・磁気回路、ＲＦ
Ｓ・・・回転磁界閉じ込めケース（ケース）、ＲＦＳａ
・・・外側ケース、ＲＦＳｂ・・・内側ケース、ＢＩＭ
・・・バイアス磁界発生用磁石体（磁石体）、ＢＩＭａ
・・・上部磁石体、ＢＩＭｂ・・・下部磁石体、１ＮＭ
・・・傾斜板、ＭＡＧ・・・永久磁石板（磁石板）、Ｈ
ＯＭ・・・整磁板、ＩＮＮ・・・非磁性傾斜板、ＢＩＣ
・・・バイアス磁界発生用コイル（バイアスコイル）、
ＳＨＩ・・・外部磁気シールドケース（シールドケース
）％Ｓ　ＨＩ　ａ・・・外側シールドケース、５ＨＩｂ
・・・内側シールドケース、ＰＫＧ・・・パッケージン
グケース、ＴＥＦ・・・端子固定板、ＧＮＰ・・・コン
タクトパッド、１・・・素子搭載部、２．２ａ、２ｂ。 ２Ｇ、２ｄ・・・折り曲げ部、３，３ａ、３ｂ。 ３ｃ、３ｄ・・・外部接続端子接続部、４，４ａ。 ４ｂ−−−開口部、５．５ａ、５ｂ、５ｃ・・・穿孔、
６・・・基板突出部、７・・・ベースフィルム、８・・
・接着剤、９ａ・・・配線用リード。 ９ｂ・・・外部端子、９ｃ・・・接続用端子、９ｄ・・
・記号、９ｅ・・・インデックスマーク。 １０・・・カバーフィルム、１１・・・錫メッキ層、１
２・・・開口、１３・・・半田メッキ層、１４・・・ポ
ンディングパッド、１５・・・金バンプ、２０ａ、２０
ｂ＋　２０ｃ、２０ｄ　”　’へリツクスコイル、２１
ａ、２１ｂ・・・接続点。 ２２ａ・・・Ｘコイル、２２ｂ−−・Ｙコイル、２３・
・・磁気コア、２４・・・タップ、２５・・・幅の大き
い溝、２６・・・幅の小さい溝、３０・・・絞り部、３
１・・・折り曲げ部、３２・・・切欠き部、３３・・・
絞り部、３４・・・折り曲げ部、３５・・・切欠き部、
３６・・・ポリイミドフィルム、３７・・・接着剤、３
８・・・コイル巻線、４０・・・巻線、５１・・・平坦
部、５２・・・折り曲げ部、５３・・・凹部、５４・・
・切欠き部、５５・・・平坦部、５６・・・折り曲げ部
、５７・・・凹部、５８・・・切欠き部、５９・・・凹
部、６０・・・樹脂板、６１・・・貫通孔、６２・・・
非貫通孔、６３・・・マーク。 ６４・・・開口、６５・・・溝、６６・・・角部、ＩＱ
　　　　　ｌ＋ 第４図Ｃ 第４図り 第５図 ｙ 第８図Ｂ 第１９図Ａ ＳＨＩ 第１９図Ｂ 第２１１八 旦空 第２１図Ｂ 旦吸 第２２図Ａ 第２２図Ｂ 第２２図Ｃ ｃＬ　　ζ亡〕 ＼　　　ロＬ Ｑ−の 第２６図 第２８図 手続補正書（自発） 事件の表示 昭和６０年　特許願第６６４５６号 発明の名称 磁気バブルメモリ 補正をする者 事件との関係　　特許出願人 名　　　　称　　（５１０株式会社　日立製作所式　　
理　　人 居　　所　〒１００　　東京都千代田区丸の内−丁目５
番１号株式会社日立製作所電話ｆｉｉ２１２−１１１１
　（大代表）補正の対象　　明細書全文 明細書 発明の名称　磁気バブルメモリ 求の範囲 ＩＲＪ　＆・合う巻線の組が互いに平行となるようにコ
イルを施した額縁形コアで形成される空間部に、フレキ
シブル基板に搭載した磁気バブルメモリ素子を配設し、
前記コイル、コアおよび磁気バブルメモリ素子の全体を
良導電性材ケース内に挟持させたことを特徴とする磁気
バブルメモリ。 発明の詳細な説明 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ、特に薄形化、小型化、低消
費電力化に好適な磁気バブルメモリに関する。 の背景〕 数年実用化されている磁気バブルメモリデバイスは、磁
気バブルメモリチップをマウントしたＥ字状のセラミッ
クや合成樹脂等の配線基板に、−非対称構造を有する矩
形状ソレノイドコイなる回転磁界発生用Ｘコイル、Ｙコ
イルをそれぞれ挿入し直交配置して組み立てた構造とな
っている。Ｘコイル及びＹコイルは磁気バブルメモリチ
ップだけでなく、チップよりもはるかに大きい配線基板
を巻く構造であるため、各コイルの端から端迄長さが長
くなり、駆動電圧、消費電力が大きくなってしまう、ま
た、Ｘコイル、Ｙコイルは磁気バブルメモリ素子に均一
かつ安定した面内回転磁界を付与するために均一なイン
ダクタバランスが要求されることから、そのコイル形状
が互いに異なる非対称構造となりかつ大型化構造となら
ざるを得なかった。さらにはこれらのＸコイル、Ｙコイ
ルの外面には磁気バブルメモリ素子に垂直方向のバイア
ス磁界を付与する一対の永久磁石板およびその整磁板が
配置されてそれらの周辺部分が樹脂モールドにより被覆
されている構造であるため、垂直方向の積層厚が増大し
、磁気バブルメモリデバイスの薄形化、小型化への要請
に対して障害となっていた。 本件出願人が知る本発明に最も近い先行技術としては昭
和５４年特許出願公開第５５１２９号公報が挙げられる
。この公報には、チップを囲む額縁型コアとそれらを完
全に囲む導電性磁界反射箱の構造が記載されている。し
かしながら、それ以上の具体的な構造は何ら示されてお
らず、例えば導体ケースで完全にとり囲んでいるチップ
への電気的結線を導体ケースの外側からそれに短絡させ
ることなく行うことは理論的に不可能であり、永久磁石
、整磁板、バイアスコイル等の取付方法が不明であるこ
とも含め、その記載をきっかけに実用化しようと思い立
つには見るからに不十分である。すなわち、本発明の実
施例が結果として額縁型コアを使用した点で上記公報の
記載とたまたま一致したに過ぎない。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、薄形化を可能とした磁気バブルメモリ
を提供することにある。 本発明の他の目的は、全体の体積を小さくして小型化を
可能とした磁気バブルメモリを提供することにある。 本発明の他の目的は、消費電力を低減させた磁気バブル
メモリを提供することにある。 本発明の他の目的は１回転磁界発生用コイルのインダク
タンスを小さくしてＶＩ積を小さくさせた磁気バブルメ
モリを提供することにある。 本発明の、他の目的は、構成部品の組立の自動化を可能
又は容易にした磁気バブルメモリを提供することにある
。 本発明の他の目的は、大容量化等に入出力等の接続端子
数を増大させることができる磁気バブルメモリを提供す
ることにある。 本発明の他の目的は、磁気バブルメモリ素子のバイアス
磁界方向に対する傾斜角度を容易かつ高精度で設定可能
とした磁気バブルメモリを提供することにある。 本発明の他の目的はカセットの小型化が可能な磁気バブ
ルメモリを提供することである。 本発明の更に他の目的は磁気バブルメモリデバイスの周
辺回路を安いコストで製造できる磁気バブルメモリを提
供することである。 〔発明の概要〕 本発明の一実施例によれば、額縁型コアを使用した駆動
磁気回路が提供される。磁気バブルメモリチップは額縁
形コアに囲まれそれとほぼ同一平面を成すようにフレキ
シブル配線基板上に配置される。駆動磁気回路および磁
気バブルメモリチップは非磁性体で良導電体の一転磁界
閉じ込めケース内に収納される。このような構成によれ
ば回転磁界の一様性を向上させかつ全体形状を小型化。 薄形化させることができる。 〔発明の実施例〕 次に図面を用いて本発明の詳細な説明する。 （全体構造の概要　第１，２図） 第１図および第２図（ａ）、（ｂ）は本発明による磁気
バブルメモリデバイスの一実施例を説明するための図で
あり、第１図は一部破断斜視図、第２図（ａ）はその底
面図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）の２Ｂ−２Ｂ断面図
である。これらの図において、ＣＨＩは磁気バブルメモ
リチップ（以下チップと称する）であり、これらの図で
はチップＣＨＩは省略して１個のみ表示しているが本実
流側では２個並べて配置しているものとする。 （１つの大容量チップよりも、合計記憶容盆をそれに合
せた複数分割チップ構成の方がチップ歩留が良い）、Ｆ
ＰＣは２個のチップＣＨＩを搭載しかつ４隅にチップＣ
ＨＩと外部接続端子との結線用線群延長部を有するフレ
キシブル配線基板（以下基板と称する）である、ＣＯＩ
は２個のチップＣＨＩをほぼ同一平面上でとり囲み対向
辺が互いに平行となるように配置された駆動コイル（以
下コイルと称する）、ＣＯＲは四角形コイル集合体ＣＯ
Ｉの中空部分を貫通するように設けられた固定配置され
た軟磁性材からなる額縁形コア（以下コアと称する）で
あり、このコアＣＯＲと各コイルＣＯＩとでチップＣＨ
Ｉに面内回転磁界を付与する磁気回路ＰＦＣを構成して
いる。ＲＦＳは基板ＦＰＣの中央四角形部分と、２個の
チップＣＨ工および磁気回路ＰＦＣの全体を収納する回
転磁界閉じ込めケース（以下ケースと称する）である。 ケースＲＦＳは２枚の独立した板を加工して形成され、
ケースの側面部で上下の板は電気的に接続されている。 チップＣＨＩが配置された部分よりやや広めの範囲で中
央部分の隙間が狭くなるよう周辺部分に絞り部が形成さ
れている。この絞り部は磁石体の位置決めにも利用でき
る。ケースＰＦＳは磁気磁界閉じ込めと軟弱な基板ＦＰ
Ｃを機械的に支持する一石二鳥の効果、働きを持ってい
る。 ケースＰＦＳとチップＣ）（Ｉとの間には、特にチップ
ＣＨＩの側面部に隙間ＳＩＲがあるが、チップＣＨＩの
平面部も含めてこの隙間部分ＳＩＨにはシリコーン樹脂
がコーティング又は充填され。 チップ主表面に組立中に異物が付着したり、組立後に水
分がチップ主表面又は側面部に侵入することが少なくな
るよう、パッシベーション効果が意図されている。もし
、ケースＲＦＳの外側で完全な気密封止ができる場合、
樹脂ＳＩＲの充填は省略しても良い、ＩＮＭはケースＲ
ＦＳの外側に配置された磁性材からなる一対の傾斜板で
あり、第２図で上側の傾斜板ＩＮＭは左に寄るに従って
また下側の傾斜板ＩＮＭは右に寄るに従って板厚が厚く
なっており、双方はケースＲＦＳ側に傾斜面が形成され
ている。傾斜板ＩＮＭの材料としては。 透磁率μが高く保持力Ｈｃの小さいソフト・フェライト
やパーマロイ等を使用すれば良く、本実施例では傾斜面
の加工が容易なソフト・フェライトを選んだ、ＭＡＧは
一対の傾斜板ＩＮＭの内側でそれと重ねて配置された一
対の永久磁石板（以下磁石板と称する）である、ＲＯＭ
は前記各磁石板ＭＡＧの内側でそれと重ねて配置された
ソフトフェライトのような磁性材からなる一対の整磁板
である。磁石板ＭＡＧは全面にわたって均一の板厚を有
して形成されている。ＩＮＮは一対の整磁板ＨＯＭの内
側対向面にそれと重ねて配置された銅のように熱伝導性
が良く非磁性体の材料からなる一対の傾斜板である。こ
れらの傾斜板ＩＮＮは傾斜板ＩＮＭとほぼ同等の傾斜角
でかつ逆方向の傾斜面を有して形成されている。傾斜板
ＩＮＭ、磁石板ＭＡＧ、！！磁板ＨＯＭ及び傾斜板ＩＮ
Ｎは、それぞれ積み重ねて配置し一体化してバイアス磁
界発生用磁石体ＢＩＭ（以下磁石体と称する）を構成し
たときに積層板磁石体全体の厚さがほぼ全面にわたって
均一となるように形成されている。 一対・の磁石体ＢＩＭはケースＲＦＳの絞り部によって
囲まれた中央の平な部分に接着されている。 ＢＩＣは磁石体ＢＩＭの周縁部とケースＲＦＳとの間の
溝状隙間部分に配置されたバイアス磁界発生用コイル（
以下バイアスコイルと称する）である、バイアスコイル
ＢＩＣは磁石板ＭＡＧの磁力をチップＣＨＩの特性に合
せて調整したり、不要バブル発生不良の有無をテストす
る際、チップＣＨＩのバブルをオールクリア（全消去）
する場合に駆動される。ＳＨＩは前記チップＣＨＩを搭
載した基板ＦＰＣおよび磁気回路ＰＦＣを収納したケー
スＲＦＳと、その外側で、一対の磁石体ＢＩＭａ、ＢＩ
ＭｂおよびバイアスコイルＢＩＣを収納する磁性材から
なる外部磁気シールドケース（以下シールドケースと称
する）である、シールドケースＳＨＩの材料としては、
透磁率μが高く。 飽和磁束密度Ｂｓが大きく、Ｈｅの小さい磁性体が好ま
しく、パーマロイやフェライトがそのような特性を持っ
ているが、本実施例では折り曲げ加工に適し、機械的な
外力に対して強いパーマロイの鉄・ニッケル合金が選択
された。ＰＫＧは前記シールドケースＳＨＩの外周面に
接着あるいははめ込みにより取り付けられた熱伝導率が
高く、加工のし易いＡＱのような材質からなるパッケー
ジングケースである。ＧＮＰは前記基板ＦＰＣの４隅か
ら延長して設けられ、シールドケースＳＨＩの背面に折
り返された外部接続端子に接触するように配置されたコ
ンタクトパッドである。ＴＥＦは各コンタクトパッドＧ
ＮＰを開口部の段差部で支持固定する絶縁性部材からな
る端子固定板である。ＲＥＧはパッケージングケースＰ
ＫＧの内側４隅に封入されかつシールドケースＲＦＳ組
立体をパッケージングケースＰＫＧ内部に固定する樹脂
モールド剤である。 （全体構造の特長　第１，２図） 第１図及び第２図に示した磁気バブルメモリデバイス全
体構造の特長点は下記のように列挙される。しかし、本
実施例による特長点はこれらに限定されるものではなく
、他の特長点は第３図以降の説明からも明らかとなるで
あろうが、ここでは各楕成部品間の関連性を中心として
特長点を述べる。 （１）回転磁界発生コイルＰＦＣを額縁型にして。 バブルメモリチップＣＨＩをその課内にほぼ同一平面上
で配置しているので、バブルデバイス全体の厚さを薄く
できる。現今の主流技術では、チップ上下面をＸ及びＸ
コイルでぐるぐる巻いているため、デバイス全体の厚さ
はチップ厚、Ｘコイル厚及びＹコイル厚の和の関数とな
るからである。 （２）Ｘコイル及びＸコイルがほぼ同一平面に配置され
ているので、従来のＸコイル上に重ねてＸコイルを巻い
た構造に比べ下記の効果がある。 ■コイルの総巻線長が長くならない、従ってインダクタ
ンスＬを小さくでき、低電圧駆動や低消費電力化を可能
とした。 ■Ｘコイル及びＸコイルとチップＣＨＩとの距離を等し
くすることができ、磁界分布をバランスのとれたものと
することができる。 （３）回転磁界発生コイルＰＦＣを導体ケースＲＦＳで
囲んでいるので磁束の漏れが少なくチップＣＨＩに対す
る駆動効率を高められる。 （４）導体ケースＰＦＳは、回転磁界Ｈｒ発生コイルＰ
ＦＣから発生された交流磁界が透磁率μの大きい磁石体
ＢＩＭに漏れるのを防ぎ、他方磁石体ＢＩＭからチップ
ＣＨＩへ加えられるべきバイアス磁界Ｈｂの直流磁界に
対しては実質的にその通過を妨げないという選択性があ
る。 （５）導体ケースＰＦＳとしては、従来配線基板として
使用されていたエポキシガラス等に比べ硬い銅のような
材質を使用しているため、チップＣＨＩを機械的に強固
に支持できる。 従って、特に製造歩留を上げるため等に複数、チップ実
装構成とした場合は、チップ間の傾斜角度バラツキが磁
気特性に大きな影響を与えるが、本実施例によればチッ
プ間の傾斜角度のバラツキを小さく押えられる。 （６）配線基板としてフレキシブルフィルム基板ＦＰＣ
を使用しているため下記の効果が得られる。 Φ基板厚を小さくできる。 ■リードボンディング方式を採用できるので従来のワイ
ヤボンディング方式に比ベボンディング部分が占める厚
さを小さくできる。 ■上記の、■の効果は、磁気回路のギャップ（透磁率μ
の小さい部分）を小さくでき小さい厚さ、又は小さい平
面積のバイアス磁石ＭＡＧを使用することができ、デバ
イス全体の薄型化又は平面積の縮小化につながる。 ■チップＣＨＩからの配線の折り曲げ等が自由自在であ
る。従って、端子部分の１８００の裏返し等が可能であ
り、デバイス全体の平面積を制限することができる。 ■回転磁界閉じ込めケースＲＦＳの配線取り出し用開口
幅を小さくできる。従って、回転磁界の漏れを最小限に
留めることができる。 （７）配線基板ＦＰＣの外部導出配線を四角形の角部に
集約させているので、回転磁界閉じ込めケースＲＦＳの
開口を最も影響の小さい角部に設けることができる。 （８）傾斜板ＩＮＮの機能を磁石或は整磁機能と兼用さ
せていないので下記の効果がある。 ■傾斜角を形成するために、加工性の良い銅等の材料を
使用できる。 ■熱導率の良い鋼等の材料を使用でき、回転磁界発生コ
イルＣＯＩで発生した熱を効率良く発散できる。 ■非磁性体の材料を使用することによって。 整磁板ＨＯＭを通る磁界を乱さないようにすることがで
きる。 （９）傾斜板ＩＮＮは磁気的ギャップを小さくするため
にできるだけ薄い方が好ましく、その幅を磁石ＭＡＧや
整磁板ＨＯＭに比べて、傾斜角形成に必要十分なところ
に制限することによって、薄い厚さでの傾斜角形成を容
易としている。 （１０）磁石ＭＡＧとシールドケースＳＨＩ間には、透
磁率μの大きいソフトフェライトのような板ＩＮＭが挿
入されているので、その間の磁気的ギャップを埋めるこ
とができる。また、板ＩＮＭは放熱にも寄与する。板Ｉ
ＮＭとしては磁石ＭＡＧよりも保持力Ｈａの小さい材料
を選んでいるので、永久磁石の実効的な厚さを均一なま
まにしておくことができる。 （１１）シールドケースＳＨＩは透磁率μの大きいパー
マロイ等の磁性材料で構成しているため、磁石ＭＡＧを
磁界源とする磁気回路の磁気抵抗を小さくできるので、
磁石ＭＡＧの厚さや平面積を小さくできる。 （１２）シールドケースＳＨＩは飽和磁束密度Ｂｓの大
きいパーマロイ等の磁性材料で構成しているため、外来
の磁界ノイズをバイパスし、チップＣＨＩに伝えない働
きがある。 （１３）上記（１１）　、　（１２）はそれぞれ、シー
ルドケースＳＨＩの厚さを薄くすることにつながる。 （１４）シールドケースＳＨＩはパーマロイのような鉄
−ニッケル合金を使用しているため、折り曲げ加工に適
し、又機械的な外力に対してその中に組み込まれた部品
を保護する働きがある。 （１５）回転磁界発生コイルＰＦＣとバイアスコイルＢ
ＩＣを共にコア型にしているので、パッケージングケー
スＳＨＩ又はＰＫＧ内での収納効率又は実装密度を高め
ることができる。 （１６）コアー〇ＯＲと整磁板ＨＯＭとの間にはケース
ＲＦＳを挿入しているため、その間隔はコイルＣＯＩの
厚さの他に回転磁界閉じ込めケースＲＦＳの厚さ及び折
り曲げ角度で微調整できる。この距離は短ければ短い程
全体の平面的な大きさを小さくすることができ、コイル
長の低減による低消費電力化につながる。 しかしながら、その距離が短か過ぎると磁石ＭＡＧから
の直流バイアス磁界Ｈｂが透磁率の高いコアー〇ＯＲに
漏れてしまい、チップ周辺部分におけるバイアス磁界の
一様性が悪くなる。従って、この距離は上記特性上非常
にシビアであり１本構造によるとその調整が精密にでき
る。 （１７）回転磁界閉じ込めケースＲＦＳの周辺に絞り部
を設けているため、磁石体ＢＩＭの位置合せが容易であ
る。 （１８）傾斜板ＩＮＮは同じ製造条件で作った２枚のも
のを、チップの上下面で平面的に１８０゜の回転角度差
があるように配置することによって、チップをはさんで
上下面に配置された１対の整磁板ＨＯＭや１対の磁石Ｍ
ＡＧをほぼ平行に合せることができる。 （組立の概要　第３図） 第３図は前述した磁気バブルメモリデバイスを構成する
各構成部材の積重ね組み立て手順を説明するための組み
立て斜視図であり、前述と同一符号は同一部材を示して
いる。同図において、まず、４隅に突出して入出力配線
の接続部を有しかつ中央部に素子搭載部を有する基板Ｆ
ＰＣ上に２個のチップＣＨＩを搭載した基板組立体ＢＮ
Ｄを、底面に点線で示した位置に絶縁性シートを接着配
置した外側ケースＲＦＳａ内に配置し、さらにこの基板
ＦＰＣ上に磁気回路ＰＦＣを組み込んだ後、シリコーン
樹脂５ＩＲ（図示せず）を充填しその上部に内側ケース
ＲＦＳｂを外側ケースＲＦＳａに対して組み込み、外側
ケースＲＦＳａと内側ケースＲＦＳｂとの側面接触部分
を半田付等により電気的に接続する０次にこれらの外側
ケースＲＦＳａおよび内側ケースＲＦＳｂの外面に設け
られている凹状の絞り部に上側磁石体Ｂ　Ｉ　Ｍ　ａお
よび下側磁石体ＢＩＭｂを配置した後、この上側磁石体
Ｂ　Ｉ　Ｍ　ａの外縁部と内側ケースＲＦＳｂの内側と
で形成される図示しない隙間に整列巻きされたバイアス
コイルＢＩＣを配置し、これらを外側ケース５ＨＩａ内
に収納し、更に内側ケース５ＨＩｂを組み込み、外側ケ
ース５ＨＩａと内側ケース５ＨＩｂとの側面接触部分を
溶接等により磁気的に接続する１次に内側ケース５ＨＩ
ｂの４隅から突出している前記基板ＦＰＣの外部接続端
子接続部をこの内側ケース５ＨＩｂの背面に第４図Ｂに
示すように折り返し、一定形状を有するように組み合わ
せて配置し、これらの接続部にそれぞれ設けられている
半田等で被覆された各外部接続端子に、図示しないコン
タクトパッドＣＯＰを各開口部に搭載した端子固定板Ｔ
ＥＦを接触配置して熱圧着等により各外部接続端子とコ
ンタクトパッドＣＯＰを半田付等により電気的に接続さ
せる。次にこれらの組み立て体にパッケージングケース
ＰＫＧ内に収納し、端子固定板ＴＥＦとパッケージング
ケースＰＫＧの接触部においてハーメチックシール等の
封止を行って組み立てられる。 次に前述した各構成部品の構造について説明する。 （フレキシブル配線基板　第４図） 第４図は基板ＦＰＣを示す図であり、同図Ａはその平面
図、同図Ｂは４隅から突出している外部接続端子の接続
部を折り返し組み合わせて配置した平面図、同図Ｃは同
図Ａの４Ｃ−４Ｇ拡拡大面図、同図りは同図Ａの４Ｄ−
４Ｄ拡拡大面図である。同図において、基板ＦＰＣは、
中央部に角形状の素子保護部１と、この４隅に巾の小さ
い折り曲げ部２　（２ａ、２ｂ、２ａ、２ｄ）と、この
先端部に角形状の外部接続端子接続部（以下接続部と称
する）３　（３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ）とを有し、全体
形状がほぼ風車状をなして一体的に形成されており、ま
た、この素子保護部１の対向辺側には後述する２個のチ
ップＣＨＩを搭載しその端子部を接続させる２重枠構造
の矩形状開口部４（４ａ、４ｂ）および位置決め用の３
個の穿孔５（５ａ、５ｂ、５ｃ）が設けられ、さらに１
個の接続部３ｃの先端には位置決め用の基板突出部６が
設けられている。 また、この基板ＦＰＣは、同図Ｃに示すように厚さ例え
ば約５０μｍ程度のポリイミド樹脂フィルムからなるベ
ースフィルム７上にエポキシ系の接着剤８を介して銅薄
膜を形成し、これを所要のパターン形状にエツチングす
ることにより、同図Ａに示すような配線用リード９ａ、
円形状の外部端子９ｂ、楕円状のコイルリード接続用端
子９ｃ。 記号９ｄおよびインデックスマーク９ｅ等のパターンが
形成され、さらにこれらの上面には前記同様な部材から
なる接着剤８を介して透光ないし半透光性のカバーフィ
ルム１０が接着配置されている。そして、この基板ＦＰ
Ｃの開口部４においては、図示しないチップＣＨＩ搭載
側となるベースフィルム７が高い精度の寸法で開口が形
成され、また、その上面側カバーフィルム１０には比較
的寸法の大きい開口が形成され、さらにベースフィルム
７とカバーフィルム１０との間には配線用リード９ａが
露出し、この配線用リード９ａの表面には錫メッキ層１
１が、形成され、開口形状が２層構造でかつ２重枠構造
を有して形成されている。 一方、接続部３においては、同図りに示すようにカバー
フィルム１０の前記円形状外部端子９ｂおよび図示しな
い楕円状の外部端子９ｃと対応する部位に円形状の開口
１２が形成され、その間口１２から露出した外部端子９
ｂ、９ｃ銅簿膜パターン上にはめっき或いはディップ等
による半田層１３が形成されている。そして、これらの
接続部３に設けられた各外部端子９ｂ、９ｃは各接続部
３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄおよび折り曲げ部２ａ。 ２ｂ、２ｃ、２ｄ並びに素子保護部１上に連続して形成
された各配線用リード９ａに接続され、これらの配線用
リード９ａは素子搭載部１に設けられた各開口部４ａ、
４ｂの開口端の一部に各接続部３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ
のブロック毎に集結してその先端部が各開口部４ａ、４
ｂ内に露出されている。すなわち同図Ａに示すように接
続部３ａの配線用リード９ａは開口部４ａの左上部に、
接続部３ｂの配線用リード９ａは開口部４ｂの左下部に
、接続部３ｃの配線用リード９ａは開口部４ａの右上部
に、また接続部３ｄの配線用リード９ａは開口部４ｂの
右下部にそれぞれ配線されている。そして、この基板Ｆ
ＰＣは、後工程で各接続部３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄが各
折り曲げ部２ａ。 ２ｂ、２ｃ、２ｄで折り曲げられて同図Ｂに示すように
組み合わされ、半田層１３を形成した各外部端子９ｂ、
９ｃが表面に露出し、また、配線用リード９ａ、記号９
ｄおよびインデックスマーク９ｅは表面がカバーフィル
ム１ｏにより被覆されているので、これらのパターンは
カバーフィルム１０を透かして容易に判読できるように
構成されている。 このような構成において、基板ＦＰＣはポリイミド樹脂
フィルムを用い、素子保護部１の４隅に各折り曲げ部２
ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄを介して各接続部３ａ、３ｂ、３
ｃ、３ｄを設けた風車状に構成し、これらの各接続部３
ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄを折り返し組み合ねせて外部端子
部を構成したことにより、素子保護部１と接続部とが２
層配線構造となるので、接続部３の面積を小さくするこ
となく、素子保護部１の面積を大きくさせ、併せて外部
端子部の多端子化が可能となり、全体形状を小形化する
ことができる。 また、このような構成において、各外部端子９ｂから素
子保護部１の各開口部４ａ、４ｂまでの配線リード９ａ
を大幅に短縮できるので、外部雑音等による影響を大幅
に減らすことができる。すなわちＳ／Ｎ比の高い信号を
入出力させることができる。さらに接続部３ｃの一端に
基板突出部６を設けるとともに、この突出部６にインデ
ックスマーク９ｅを設けたことにより、折り返し組み立
てた際の基板中央部の表示用、ケースＲＦＳおよびＳＨ
Ｉ　（第２図参照）に組み込む際の位置合せ用、配線リ
ード９ａの種類の区別用あるいは製品型式の表示用等の
判別に利用してその判別が容易となるので、組み立てお
よび基板管理等を合理化することができる。また、基板
ＦＰＣの素子保護部１の両端側に穿孔５ａ、５ｂ、５ｃ
を設けたことにより、基板ＦＰＣの左右の区別、チップ
ＣＨ工の位置決め等が容易となり、同様に組み立て性を
合理化することができる。 （基板組立体　第５．６．７図） 第５図は前述した基板ＦＰＣにチップＣＨ工を搭載した
平面図を示したものである。同図において、基板ＦＰＣ
の素子搭載部１には２個のチップＣＨＩが開口部４ａ、
４ｂ間に並列配置して搭載され基板組立体ＢＮＤが構成
されており、このチップＣＨＩの１個は、第６図に拡大
平面図で示すようにＩＭｂチップの２ブロツクが一体化
して構成され、２個のチップＣＨＩでは４ブロツク、合
計で４Ｍｂチップを構成している。なお、第６図に示し
たチップＣＨＩの１ブロツクにおいて、太線は導体パタ
ーン、細線はシェブロンパターン転送路をそれぞれ示し
ている。また、第５図に示したチップＣＨＩは、第７図
Ａ、第７図Ｂにそれぞれ拡大断面図で示すようにチップ
ＣＨＩの端部に金メッキして設けられた各ポンディング
パッド１４と、基板ＦＰＣ開口部４の錫メッキ層１１が
形成された配線用リード９ａとの間に金バンプ１５を介
在させて熱圧着法にによるＡｕ　　Ｓｎ共晶によりリー
ドボンディングされて搭載されている。 このような構成によれば、基板ＦＰＣの開口部４ａ、４
ｂの配線用リード９ａとチップＣＨＩのポンディングパ
ッド１４とがＡｕＳｎ共晶によるリードボンディングに
より接続されてチップＣＨＩが支持固定できるので、接
続強度を大幅に向上できるとともに、薄形化が可能とな
る。また、チップＣＨＩの表面が基板ＦＰＣの素子搭載
部１により被覆されるので、チップＣＨＩの表面が保護
され、ハンドリング性を向上させることができるととも
に、基板ＦＰＣの機械的強度を保持することができる。 また、このような構成によれば。 各チップＣＨＩが２ブロツクからなり、２個のチップＣ
ＨＩは４ブロツクで構成されているので。 各ブロックをそれぞれ最も近接する各接続部３ａ。 ３ｂ、３ｃ、３ｄへ分配して配線でき、チップＣＨＩ配
置の対称性が得られ、試験、検査等が極めて容易となる
。さらに基板ＦＰＣに４個の接続部３ａ、３ｂ、３ｃ、
３ｄｔ−設けているので、各チップＣＨＨの磁気バブル
検出器ＤＥＴおよびマツプループ等の配線を他の機能配
線と区別して１個所の接続部に集結させ、この接続部を
雑音発生源から遠ざける部位に選定して配置することに
より、雑音の極めて少ない入出力信号を授受することが
できる。 （駆動磁気回路　第８，９図） 第８図は磁気回路ＰＦＣを示す図であり、同図Ａは斜視
図、同図Ｂはその駆動磁気回路を示す平面図である。同
図において、磁気回路ＰＦＣは。 軟磁性材料からなる額縁形のコアＣＯＨの互いに平行な
対向する辺上に、矢印方向に巻線を施して４組のコイル
２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄからなるコイルＣＯＩ
が巻設され、互いに対向する辺上のコイル２０ａと２０
ｂとを接続点２１ｂを介して直列巻きさせてＸコイル２
２ａを、コイル２０ｃと２０ｄとを接続点２１ａを介し
て直列巻きさせてＹコイル２２ｂをそれぞれ構成してい
る。 そして、Ｘコイル２２ａおよびＹコイル２２ｂに位相の
９０度異なる電流１ｘおよびＩｙ（例えば三角非電流）
を供給することにより、同図Ｂに示すようにＸ軸方向に
漏洩磁界Ｈｘが、ｙ軸方向には漏洩磁界Ｈｙが発生し、
前述した２個のチップＣＨＩに回転磁界として供給され
る。 また、このように構成される磁気回路ＰＦＣは。 第９図に斜視図で示すように１本の軟磁性材料からなる
直方体状の磁気コア２３に巻線を複数ブロック毎にタッ
プ２４を設け、直列巻きして一対のコイル、例えばコイ
ル２０ａ、２°Ｏｂからなる一対のＸコイル２２ａを形
成した後、各コイル２０ａと２０ｂとの間に一定の巾を
有する幅の広い溝２５とさらに幅の小さい溝２６とを切
削加工して設け、しかる後、この幅の小さい溝２６部分
から切断して両者に分割された幅の広い溝２５を互いに
直交する方向に組み合わせて接着し、第８図に示すよう
に額縁形に構成する。また、逆に前述した幅の広い溝２
５および幅の小さい溝２６を予め形成した直方体コア２
３にコイル２０ａ、２０ｂをタップ２４を介して巻設し
、一対のＸコイル２２ａを形成してもよい。また、前述
した一対のＹコイル２２ｂについても全く同様に形成さ
れる。 このような構成において、直方体状磁気コア２３にコイ
ル２０ａ、２０ｂを直列方向にタップ２４を設けて巻設
しているので、第８図に示すように組み立て構成した場
合、互いに交差させて結線（接続点）する必要がなくな
り、巻線の引き廻しを簡素化することができる。 このような構成によれば、Ｘコイル２２ａとＹコイル２
２ｂとが対称構造となるので、粗カップリングとなり、
インダクタンスバランスが向上し、漏洩磁界に対する磁
性体間の磁気的干渉を防止することができる。また、こ
の磁気回路ＰＦＣはチップＣＨＩの上、下面に配置され
ない額縁形構造となるので、積層方向の厚さが小さくな
り、薄形化が可能となる。 （回転磁界閉込めケース　第１０．１１．１２図）第１
０図はケースＲＦＳを示す図であり、同図Ａは平面図、
同図Ｂはそのｌ０Ｂ−ｌ０Ｂ断面図である。同図におい
て、内側ケースＲＦＳｂは、その中央部分が凹状となる
枠形状の絞り部３０と、その対向端辺が上方向にほぼ９
０度折り曲げられた折り曲げ部３１と、その各４隅が斜
め方向に切断された切り欠き部３２とをそれぞれ有して
構成されており、このケースＲＦＳｂは良導電性材料。 例えば無酸素銅板をプレス加工して形成されている。こ
の場合、絞り部３０および折り曲げ部３１はこの内側ケ
ースＲＦＳｂのねじれ方向の機械的強度を向上させると
ともに、互いに対向する折り曲げ部３１相互間の縦横方
向の外径寸法りを適宜制限することができる。また、絞
り部３０は、このケースＲＦＳｂの外面側に配設される
磁石体ＢＩＭｂと、内面側に配置されるチップＣＨＩと
の間の距離を適宜調整することができる。なお、４隅に
設けた切り欠き部３２は、このケースＲＦＳｂ内に配設
される基板ＦＰＣの各折り曲げ部２ａ。 ２ｂ、２ｃ、２ｄの引出し部分を形成している。 このような構成によれば、内側ケースＲＦＳｂは、プレ
ス加工法により形成できるので、高精度寸法でかつ低コ
ストで製作することができる。 なお、内側ケースＲＦＳｂは、無酸素銅を用いたが、こ
の他に銅、銀、金板あるいはこれらの合金板にメッキを
施した板材を用いても良い。 第１１図は前述した内側ケースＲＦＳｂに対応する外側
ケースＲＦＳａを示す図であり、同図Ａは平面図、同図
ＢはそのＩＩＢ−１１Ｂ断面図である。同図において、
この外側ケースＲＦ　Ｓ　ａは、前述した内側ケースＲ
ＦＳｂと同等の材料および製作法により形成され、その
構造は前述とほぼ同様にその中央部が凹状となる枠形状
の絞り部３３と、その対向端辺が上方向にほぼ９０度に
折り曲げられた折り曲げ部３４と、その各４隅が斜め方
向に切断された切り欠き部３５とを有して構成されてい
る。この場合、互いに対向する折り曲げ部３４は、その
相互間の内側寸法が、前述した内側ケースＲＦＳｂの折
り曲げ部３１相互間の外側寸法りとほぼ同等値を有しか
つ高さＨを大きくして形成されている。なお、この絞り
部３３および切り欠き部３５は前述した内側ケースＲＦ
Ｓｂとほぼ同等の寸法を有して形成されている。 このように構成された外側ケースＲＦＳａおよび内側ケ
ースＲＦＳｂは、第１２図Ａにその平面図、第１２図Ｂ
に１２Ｂ−１２Ｂ断面図でそれぞれ示すように外側ケー
スＲＦＳａ内に内側ケースＲＦＳｂを挿入し、外側ケー
スＲＦＳａの折り曲げ部３１の外面とを互いに接触させ
て接続することにより、一体化させケースＲＦＳが組み
立てられる。 （ケース組立体　第１３図） 第１３図は前述したケースＲＦＳ内に基板組立体ＢＮＤ
を収納配置した断面図を示したものである。同図におい
て、外側ケースＲＦＳａの底面には、電気的絶縁性シー
トとして１例えば厚さ約０゜１１１ｆｆｉ＋程度のポリ
イミドフィルム３６が接着配置され、このフィルム３６
上には基板組立体ＢＮＤが、また、その周縁部には磁気
回路ＦＰＣがそれぞれ配置され、されに基板組立体ＢＮ
Ｄの上面にエポキシ系の接着剤３７を塗布した後、これ
らの上方部には内側ケースＲＦＳｂが挿入されて接合配
置されている。この場合、この外側ケースＲＦＳａの折
り曲げ部３４の内面と内側ケースＲＦＳｂの折り曲げ部
３１の外面とがＸ印で示す部分でメタルフローあるいは
半田付等により電気的９機械的に接合されている。また
、この外側ケースＲＦＳａと内側ケースＲＦＳｂとの間
の隙間部分にはシリコーン摺脂ＳＩＲが充填され基板組
立体ＥＮＤおよび磁気回路ＰＦＣが固定配置されている
。なお、この場合、これらの外側ケースＲＦＳａおよび
内側ケースＲＦＳｂの４隅に設けられた図示しない各切
り欠き部３２．３５には基板ＦＰＣの折り曲げ部２　（
２ａ、２．ｂ、２ｃ、２ｄ）が外部へ引出されている。 ３８はコイルＣＯＩ同志の接続またはコイルＣＯＩと基
板ＦＰＣ上に設けられた外部端子９Ｇを接続するための
リード線である。 このような構成において、磁気回路ＦＰＣの駆動により
漏洩磁界が発生すると、ケースＲＦＳには閉ループを形
成するように誘起電流が流れ、この誘起電流によって回
転磁界がケースＲＦＳ内に封じ込められ、したがってチ
ップＣＨＩには均一な回転磁界を付与″される。 このような構成によれば、外側ケースＲＦＳａおよび内
側ケースＲＦＳｂとの間に中央部分の凹状部内に基板ｐ
ｐｃに搭載されたチップＣＨＩを。 周縁部分の凸状部内に磁気回路ＰＦＣをそれぞれ挟持さ
せて配置したのでパッケージング効果が向上できるとと
もに、組立性が大幅に向上できる。 また、外側ケースＲＦＳａおよび内側ケースＲＦｓｂで
覆われる体積が減少することにより、ＶＩ積（体積）が
低減でき１回転磁界を発生させる磁気回路ＰＦＣの小形
化が可能となる。さらに外側ケースＲＦＳａおよび内側
ケースＲＦＳｂに絞り部３０．３３で形成される凹状部
を設は対向する凹状部間のギャップを減少させることに
より、回転磁界はチップＣＨＩの平面に垂直な成分（Ｚ
成分）が零に近接して水平な成分のみとなり、一様性を
向上させることができる。 （８石体　第１４図） 第１４図は磁石体ＢＩＭを示す図であり、同図Ａは平面
図、同図Ｂはその側面図、同図Ｃはその正面図である。 同図において、磁石体ＢＩＭは、対向面の一方が所定の
傾斜面を有する非磁性材、例えば銅からなる傾斜板ＩＮ
Ｎと、この傾斜抜工ＮＮの傾斜面側に配置する板厚の均
一な第１の整磁板ＨＯＭ、と、この第１の整磁板ＨＯＭ
□の上面側に配置する板厚の均一な磁石板ＭＡＧと、こ
の磁石板ＭＡＧの上面側に傾斜面を有する第２の整磁板
ＨＯＭ、とを順次積層し、エポキシ系の接着剤により一
体化されて形成され、全体の積層板厚がほぼ全面にわた
って均一となるように構成されている。そして、この磁
石体ＢＩＭの上、下面からはほぼ全面にわたって均一な
バイアス磁界発生用の磁界が放出される６ （バイアスコイル　第１５図） 第１５図はバイアスコイルＢＩＣを示す図であり、同図
Ａは斜視図、同図Ｂはその１５Ｂ−１５Ｂ断面図である
。同図において、バイアスコイルＢＩＣは、表面に絶縁
部材として例えば熱硬化性樹脂が外面に被覆された巻線
４０を、断面が５×４線の配列とし全体形状が額縁状と
なるように整列巻きした後、熱溶着で圧着し、冷却させ
て所定値の額縁形状に成形して構成されている。この場
合、各巻線４０の外面に被覆されている熱硬化樹脂が互
いに熱溶着するとともに、圧着により各巻線４０が目詰
りして成形され、冷却させることにより、各巻線４０が
結束した状態で硬化されるので、所定形状の額縁形状に
形成される。 （ケース組立体への磁石体及びバイアスコイルの実装　
第１６図） 第１６図は前記第１３図で説明したケースＲＦＳ組立体
に前述した磁石体ＢＩＭおよびバイアスコイルＢＩＣを
組み込んだ断面図を示したものである。同図において、
内部に基板組立体ＢＮＤおよび磁気回路ＰＦＣを収納し
たケースＲＦＳ組立体の上、下面にはそれぞれ上部磁石
体Ｂ　Ｉ　Ｍ　ａ下部磁石体Ｂ　Ｉ　Ｍ　ｂ　ｐ＜接着
配置され、さらにこの上部磁石体Ｂ　Ｉ　Ｍ　ａの周縁
部と、内側ケースＲＦＳｂの折り曲げ部３１とで囲まれ
て形成される額縁状溝部にはバイアスコイルＢＩＣが収
納配置されている。この場合、上部磁石体Ｂ　Ｉ　Ｍ　
ａと下部磁石体ＢＩＭｂとは全く同一の材料２寸法で構
成されており、これらの磁石体ＢＩＭａ、ＢＩＭｂはそ
の傾斜板ＩＮＮ側が、内側ケースＲＦＳｂの絞り部３０
で囲われた凹状部および外側ケースＲＦＳａの絞り部３
３で囲われた凹状部内にそれぞれ密着されて配置される
。 このような構成において、ケースＲＦＳ組立体の中央部
両面側に形成された凹状部内に一対の磁石体ＢＩＭａ、
ＢＩＭｂが配置され、さらにその周縁部に形成される額
縁状溝部内にバイアスコイルＢＩＣが配設できるので、
各構成部品の積層方向の全体の厚さが小さくなり、小形
、薄形化が可能となる。また、外側ケースＲＦ　Ｓ　ａ
と下部磁石体ＢＩＭｂの外縁部分とで額縁状の空間溝が
形成されるので、この部分に前記バイアスコイルＢＩＣ
を配置しても良く、また新たにバイアスコイルを設けて
も良く、さらにはコイルボビンとして巻線を施してバイ
アスコイルを形成することもできる。 （磁気シールドケース　第１７．１８．１９図）第１７
図はシールドケースＳＨＩを示す図であり、同図Ａは平
面図、同図Ｂはその１７Ｂ−１７Ｂ断面図である。同図
において、外側シールドケースＳ　ＨＩ　ａは、平坦部
５１と、この平坦部５１の対向端辺に上方向にほぼ９０
度に折り返した折り曲げ部５２と、この折り曲げ部５２
の中央部に一部が切り欠かれた凹部５３と、−その各４
隅が斜め方向に切断された切り欠き部５４とを有して構
成されており、このシールドケースＳ　ＨＩ　ａは高透
磁率および高飽和磁束密度を有し望ましくは熱伝導率の
大きい材料、例えばパーマロイ板をプレス加工して形成
されている。 第１８図は前述し°た外側シールドケース５ＨＩａに対
応する内側シールドケース５ＨＩｂを示す図であり、同
図Ａは平面図、同図Ｂはその１８Ｂ−１８Ｂ断面図であ
る。同図において、この内側シールドケースＳＨＩ　ｂ
は、前述した外側シールドケースＳ　ＨＩ　ａと同等の
材料および製作法により形成され、その構造は前述とほ
ぼ同様に平坦部５５と、この平坦部５５の対向端辺に上
方向にほぼ９０度に折り返した折り曲げ部５６と、この
折り曲げ部５６の中央部に一部が切り欠かれた凹部５７
と、その各４隅が斜め方向に切断された切り欠き部５８
とを有して構成されている。この場合、互いに対向する
折り曲げ部５６はその相互間の外側寸法が、前述した外
側シールドケースＳ　ＨＩ　ａの折り曲げ部５２相互間
の内側寸法りとほぼ同等値を有しかつ高さＨを小さくし
て形成されている。 このように構成された外側シールドケース５ＨＩａおよ
び内側シールドケース５ＨＩｂは第１９図Ａにその平面
図、第１９図Ｂにその１９Ｂ−１９Ｂ断面図でそれぞれ
示すように外側シールドケース５ＨＩａ内に内側シール
ドケース５ＨＩｂを挿入し、外側シールドケースＳ　Ｈ
Ｉ　ａの凹部５３と内側シールドケース５ＨＩｂの凹部
５７とで形成される凹部５９にスポット溶接あるいは半
田溶接を施し、磁気的１機械的に固定することにより一
体化させ外側シールドケースＳ　ＨＩ　ａが組み立てら
れる。 このような構成において、外側シールドケース５ＨＩａ
の折り曲げ部５２および内側シールドケース５ＨＩｂの
折り曲げ部５６を横方向、つまり積層方向と交差する方
向に設定することなく、積層方向に揃えて設定すること
により、横方向の寸法を小さくさせ、小形でかつ構成部
品の高集積化が可能となる。 （磁気シールドケース組立体　第２０図）第２０図は前
述したシールドケースＳＨＩ組立体内に、前記第１６図
で説明した内部に基板組立体ＢＮＤ、磁気回路ＦＰＣを
組み込んだケースＲＦＳ組立体と、一対の磁石板ＢＩＭ
ａ、ＢＩＭｂ、バイアスコイルＢＩＣとからなる組立体
を組み込んだ断面図を示したものである。同図において
、外側シールドケースＳ　ＨＩ　ａの内部には、その底
面側から中央部に上部磁石体Ｂ　Ｉ　Ｍ　ａ　、周縁部
にバイアスコイルＢＩＣ，ケースＲＦＳ組立体（内部に
基板組立体ＢＮＤ、磁気回路ＰＦＣ等が組み込まれてい
る）、下部磁石体Ｂ　ＩＭｂを順次積層配置させた後、
内側シールドケース５）（Ｉｂを挿入し、前述した外側
シールドケースＳ　ＨＩ　ａの凹部５３と内側シールド
ケース５ＨＩｂの凹部５７とで形成される凹部５９（第
１９図参照）で溶接固定して封止される。この場合、こ
のシールドケースＳＨＩ内にグリース等を充填させてお
くことにより、内部の構成部品が実質的に相互に密着す
ることになり、ケースＲＦＳから発生する熱がこのシー
ルドケースＳＨＩを介して外部に放出することができる
。また、ケースＲＦＳとシールドケース５Ｉ（Ｉを圧入
方式により側面で接触させる構造にして放熱効果を向上
させることができる。 このような構成において、外側シールドケースＳ　ＨＩ
　ａの底面側にケースＲＦＳ組立体を、その折り曲げ部
３１．３４が対向するように積層配置させることによっ
て外部シールドケースＳ　ＨＩ　ａと内部シールドケー
ス５ＨＩｂとの間に積層される各構成部品が密着配置で
きるので、小形化、薄形化が可能となるとともに放熱効
果も同時に得られる。 （パッケージングケース　第２１図） 第２１図はパッケージングケースＰＫＧを示す図であり
、同図Ａは平面図、同図Ｂはその２１Ｂ−２１Ｂ断面図
である。同図において、パッケージングケースＰＫＧは
、熱伝導の良好な材料１例えば板厚約０．５ｍｍのアル
ミニウム板を絞り加工を施して形成され、図示されない
が、その外面には黒色被膜が設けられている。このパッ
ケージングケースＰＫＧは、前記外側シールドケース５
ＨＩａの形状を改良して兼用させて使用することができ
る。 このような構成において、このパッケージングケースＰ
ＫＧは、磁気バブルメモリデバイス完成後の外側ケース
となるとともに放熱体としての機能を有し、さらにその
内側角部は後述するポツティング法による樹脂モールド
時の型としての機能も同時に有している。 （端子固定板及びコンタクトパッド　第２２．２３図）
第２２図は端子固定板ＴＥＦを示す図であり、同図Ａは
平面図、同図Ｂはその２２Ｂ−２２Ｂ断面図、同図Ｃは
その背面図である。同図において、端子固定板ＴＥＦは
、電気的絶縁性を有する材料、例えばガラスエポキシ系
の樹脂板６０からなり、その外形状は前記パッケージン
グケースＰＫＧの開口部に対して挿入出自在となる縦横
方向の寸法を有して形成されており、またこの樹脂板６
０の周辺部を除く部位には多数個の貫通孔６１が縦横方
向に所定の間隔をもってマトリックス状の配列で穿設さ
れ、さらにこれらの貫通孔群の角部には回転対称とはな
らない断面が凹状となる非貫通孔６２が設けられ、この
非貫通孔６２内には例えば方向性あるいは特長を位置付
ける白色の塗膜などによるマーク６３が付着されている
。また、この樹脂板６０に穿設された多数個の貫通孔６
１には、同図Ｂに示すようにその背面側に口径の大きい
開口６４が同軸的に連通して設けられており、これらの
開口６４の全ては板厚の約６０％の深さを有しかつ貫通
孔６１とは途中に段差を有して連通されている。また、
この樹脂板６０の背面側には同図Ｃに示すようにその周
辺部分に沿って前記開口６４の深さとほぼ同等の深さを
有しかつ平面方向の幅が異なりその断面が凹形状となる
溝６５が形成され、この溝６５内は前述したコイルＣＯ
Ｉの巻線、バイアスコイルＢＩＣの巻線の通路部および
接続部を構成している。また、この樹脂板６０の角部６
６は凹形状とはならず、所定の板厚寸法を有し、前述し
たパッケージングケースＰＫＧの内側面に対して接触面
を得ている。このように樹脂板６０の背面側は板厚の異
なる２段構造を有して形成されている。 第２３図はコンタクトパッドＧＮＰを示す図であり、同
図Ａは平面図、同図Ｂはその２３Ｂ−２３Ｂ断面図であ
る。同図において、コンタクトパッドＧＮＰは、良導電
性材料、例えば板厚約０゜５ＩＩＩ１１程度の銅板をプ
レス加工により打ち抜いた素片７０の表面にニッケルメ
ッキ層７１．金メッキ層７２を形成して構成される。 （最終組立　第２０．４．２図） このように構成された各構成部品は、まず最初に前述し
たパッケージングケースＰＫＧ内に、第２０図で説明し
たシールドケース組立体を挿入する。この状態ではこの
パッケージングケースＰＫＧの４隅から前記基板組立体
ＢＮＤの各接続部３Ｂ、３ｂ、３ｃ、３ｄ　（第４図Ａ
参照）が各折り曲げ部２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄから約９
０度で折れ曲がって突出する０次に、このパッケージン
グケースＰＫＧの４隅にボッティング法により樹脂モー
ルドを行なってこのパッケージングケースＰＫＧ内に各
個性部品を固定配置させる。引き続きこれらの各接続部
３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄを対応する各折り曲げ部２ａ、
２ｂ、２ｃ、２ｄでさらに約９０度で折り曲げて内側シ
ールドケース５ＨＩｂの外面に接着剤を介して前記第４
図Ｂに示すように組み合わせた後、前記端子固定板ＴＥ
Ｆ背面側の各開口６４内にコンタクトパッドＧＮＰを搭
載し、あるいは更にコンタクトパッドＧＮＰの側面を接
着剤により固着してパッケージングケースＰＫＧに挿入
し、各接続部３　ａ　ｗ　３　ｂ　ｙ　３　ｃ　ｅ３ｄ
に接触配置させる８この場合、各接続部３ａ。 ３ｂ、３ｃ、３ｄに設けられている各外部端子９ｂの配
列ピッチと各コンタクトパッドＧＮＰの配列ピッチとが
一致しているので、各外部端子９ｂとコンタクトパッド
ＧＮＰとは電気的に接触する。 次に配置した端子固定板ＴＥＦの裏側から各貫通孔６１
に例えば先端部の細い加熱体を挿入し、コンタクトパッ
ドＧＮＰを熱圧着する事により、各外部端子９ｂと対応
する各コンタクトパッドＧＮＰが電気的に接続されると
ともに端子固定板ＴＥＦも同時に機械的に固定されて第
２図に示した磁気バブルメモリデバイスが完成される。 （磁気バブルメモリ素子　第２４．２５．２６，２７．
２８図）第２４図は前述した磁気バブルメモリチップＣ
ＨＩのポンディングパッドＰＡＤ近辺の断面図を示すも
のである。同図において、ＧＧＧはｇａｄｏｌｉｎｉｕ
ｍ　−ｇａｌｌｉｕｍ　−ｇａｒｎｅｔ基板であり、Ｌ
ＰＥは液相エピタキシャル成長法によって形成されたバ
ブル磁性膜であり、その組成の一例は下記表１に示した
通りである。 表　　　１ １ＯＮはハードバブル抑制のためにＬＰＥ膜表面に形成
されたイオン打込層を示している。ＳＰＩは第１のスペ
ーサであり１例えば３０００人の厚さのＳ　ｉ　Ｏ，が
気相化学反応により形成される。 ＣＮＤｌ及びＣＮＤ２は２層の導体層を示しており、後
述するバブル発生、複写（分割）及び交換を制御する機
能を持っており、下の第１の導体層ＣＮＤ１がＭ　ｏ　
ｇ上の第２の導体層ＣＮＤ２がＡＵ等の材料でそれぞれ
形成されている。ＳＦ３及びＳＦ３は導体層ＣＮＤとそ
の上に形成されるパーマロイ等の転送パターン層Ｐとを
電気的に絶縁するポリイミド樹脂等から成る層間絶縁膜
（第２゜第３のスペーサ）である。ＰＡＳは気相化学反
応法により形成されたＳｉＯ□膜等からなるパッシベー
ション膜である。ＰＡＤはチップＣＨＩのポンディング
パッドを示しており、Ａｌ線等の細いコネクタワイヤが
ここに熱圧着法や超音波法によりボンディングされる。 このポンディングパッドＰＡＤは下の第１層ＰＡＤ工が
Ｃｒ、中央の第２層ＰＡＤ、がＡｕ層、上の第３層Ｐ　
Ａ　Ｄ３がＡｕメッキ層等の材料でそれぞれ形成されて
おり、第２層ＰＡＤ、および第３層ＰＡＤ３をＣｒ、Ｃ
ｕ等の材料で形成しても良い。Ｐはバブルの転送路やバ
ブルの分割１発生、交換及び検出部更にはガードレール
部に用いられる層を示しており、以後の説明では便宜上
転送パターン層と表現する。 第２４図の例ではこの転送パターン層Ｐは下層Ｐ、にＦ
ｅ−Ｎｉを、上層Ｐ２にＦｅ−Ｎｉをそれぞれ使用して
いるが、前述したように両者の材質を上下入れ替えるこ
とも可能である。 以下、前述した複数層から成る転送パターン層をチップ
ＣＨＩの各部に適用した例を第２５図以降の平面図で説
明するが、これらの平面図では転送パターン層の各層は
セルファラインで形成されているため、同じ輪郭線で表
されていることに注意されたい、第２５図はバブル検出
器り部分を示しており、ＭＥＭはメイン磁気抵抗素子で
あり、横方向に帯状に引き伸ばされたバブルがそこを通
過するとき抵抗値が変ることを利用してバブルの有無を
検出する。ＭＥＤはメイン磁気抵抗素子ＭＥＭと同様な
パターン形状のダミー磁気抵抗素子であり、回転磁界の
影響等による雑音成分を検出するために用いられる。メ
イン磁気抵抗素子ＭＥＭの上方には２段分しか図示して
いないがバブルを横方向に引き伸ばしながら下方に転送
していくバブルストレッチャーＳＴが数１０段形成され
ている。なお、ＰＲはバブルの転送方向を示している。 ＥＲはバブルの消去器であり、導体層ＣＮＤにバブルが
達したとき、消去される。この検出器りの周囲及びダミ
ー及びメイン検出の間には、３列のパターン群から成る
ガードレールＧＲが設けられており、ガードレールＧＲ
の内部に発生した不要なバブルをその外側に追い出した
り、ガードレールＧＲの外側で発生した不要なバブルが
その内側に入り込むのを防ぐようになっている。なお。 第２５図以下の平面パターン図では導体層ＣＮＤ以外の
パターンは第２４図で説明した転送パターン層Ｐを示し
ている。同図において、磁気抵抗素子ＭＥＭ、ＭＥＤを
多層磁性層で形成することにより、信号対雑音比（Ｓ、
／Ｎ比）が向上した。例えば、転送パターンとして各層
間に５ｉｎ２膜を介在させた３層パーマロイ層を使用し
た場合は。 パーマロイ単層用のものに比べ下記表２に示すようにＳ
／Ｎ比が２倍以上向上させることができる。 表　　　２ また、ガードレールＧＲの性能も保持力Ｈｃの低減によ
り不要バブルの排除率が高くなるなど改善される。 第２６図は磁気バブル発生器ＧＥＮを示しており、転送
パターン層Ｐを多層化することにより。 磁気バブルの発生電流を小さくすることができ。 磁気バブル発生器の導体層ＣＮＤの寿命を長くすること
が可能となった。従って、導体層ＣＮＤの駆動回路も電
流容量値の小さい半導体素子が使用でき、低価格化が可
能となる。 第２７図はＰ　ａ　−Ｐ　ｈ等の転送パターンで形成さ
れたマイナループｍ、Ｐｗ、〜Ｐｗ３等の転送パターン
列で形成された書き込みメイジャーラインＷＭＬ及びヘ
アピン状導体層ＣＮＤで形成されたスワップゲート部を
示している。同図において、Ｐ７は第２６図のバブル発
生器ＧＥＮにおける転送パターンＰ７と同一のものであ
り、言い換えればバブル発生器ＧＥＮで発生されたバブ
ルはＰ工〜Ｐ７の転送路を通って書き込みメイジャーラ
インＷＭＬに転送される。スワップ導体層ＣＮＤに電流
を流したとき、マイナループｍ工の転送パターンＰｄの
磁気バブルは転送パターンＰΩ、Ｐｍを通ってメイジャ
ーラインＷＭＬの転送パターンＰｗ、に゛転送され、メ
イジャーラインＰｗ工からの磁気バブルは転送パターン
Ｐｋ、Ｐｊ、Ｐｉを経てマイナループの転送パターンＰ
ｅに転送されてバブルの交換、すなわち情報の書き換え
が行なわれる。なお、右端のマイナループｍｄにはスワ
ップゲートが設けられていないが、これは、周辺効果を
軽減するための磁気バブルを注入しないダミーのループ
である。このように交換位置における転送パターン層Ｐ
ｉ−Ｐｍを多層化することにより、小さい電流値で磁気
バブルの交換を行なうことができる。 また、第２８図に示すように磁気バブルの複写器、即ち
分割器でも同様に小さい電流値駆動が可能となる。同図
において１通常磁気バブルはＰｎ〜Ｐ　ｇ　ｔ　Ｐ　ｓ
−Ｐ　ｘの順路で転送されており、導体層ＣＨＤに電流
を流したとき、転送パターンＰｇの位置でバブルは分割
され、分割された１つの磁気バブルはＰｙ、Ｐ、〜Ｐｉ
。を経て読出しメイジャーラインＲＭＬに転送される。 （ホールディング磁界及び回転磁界　第２９図）磁石板
ＭＡＧはチップＣＨＩに対して約２度程度傾斜させて配
置される。これはチップＣＨＩに対しバイアス磁界Ｈｂ
が垂直方向よりややずれて印加されるようにしたもので
、それによってバブル転送のスタート、ストップマージ
ンを約６〔Ｏｅ〕向上させるホールディング磁界Ｈｄｃ
を生み出す（第２９図Ａ）。 第２９図Ａに示したように磁石体ＢＩＭとチップＣＨＩ
との角度θの傾斜により、直流磁界Ｈｚは、ｘｙ平面内
の成分Ｈｄｃを持つことになる。 そして、この面内成分Ｈｄｃの大きさは、Ｈｄｃ・ｓｉ
ｎθとなり、通常Ｈｄｃ−ｓｉｎθ＝５〔Ｏｅ〕〜６（
Ｏｓ）になるように傾斜角度０が選定される。また、こ
の面内成分Ｈｄｃの方向は、回転磁界Ｈｒのスタート・
ストップ（Ｓｔ／Ｓｐ）方向（＋ｘ軸方向）に一致する
ように傾斜されている。そして、このｘｙ面内成分Ｈｄ
ｃは、回転磁界Ｈｒのスタート・ストップ（ｓ　ｔ／Ｓ
　ｐ）動作に対して有効な働きをし、ホールディングフ
ィールドと呼ばれている公知の磁界である。なお、チッ
プＣＨＩ面に垂直に作用するバイアス磁界Ｈｂの大きさ
はＨｚ−ｃ　ｏ　ｓθとなる。 さて、上述したホールディングフィールドＨｄＣは、チ
ップＣＨＩの１１面に対して常時作用するため、第２９
図Ｂに図解したように前記チップＣＨＩに作用する回転
磁界Ｈｒ’は偏心する。同図において、Ｈｒは外部から
加えられる回転磁界、Ｈｒ’は、チップＣＨＩに作用す
る回転磁界である。この場合、ＣＨＩに作用する回転磁
界Ｈｒ’は外部から加えられる回転磁界Ｈｒと面内成分
Ｈｄａとを合成したものとなり、その回転磁界Ｈｒ′の
中心０′はスタート・ストップ（Ｓｔ／Ｓｐ）方向であ
る＋Ｘ軸方向に面内成分Ｈｄｃ分だけ平行移動する。こ
のため、同図の結果から明らかなように、外部から加え
ている回転磁界Ｈｒの強さが１Ｈｒｌであっても実効的
に素子ＣＨＩに作用する回転磁界の強度ｌＨｒ’ｌは回
転磁界Ｈｒの位相によって異なる。すなわちＳｔ／Ｓｐ
方向でのＩＨｒ’ｌは、ＩＨｒ　Ｉ＋ＩＨｄ　ｃ　Ｉと
なり、１Ｈｒｌに比べてホールディングフィールドＨｄ
ｃの強さＩＨｄ　ｃ　ｌだけ強くなっている。逆に、Ｓ
　ｔ　／　Ｓ　ｐ方向と逆方向の場合のＩＨｒ’ｌはＩ
Ｈｒｌ−ｌＨｄｃｌとなり、１Ｈｒｌに比べて１Ｈｄｃ
ｌだけ弱まっている。 （周辺回路　第３０図） 最後にチップＣＨＩの周辺回路を第３０図で説明する。 ＲＦはチップＣＨＩのＸ及びＹコイルに９０°位相差の
電流を流し回転磁界Ｈｒを発生するための回路である。 ＳＡはチップＣＨＩの磁気抵抗素子からの微小なバブル
検出信号を回転磁界のタイミングと合ねせてサンブリジ
グし感知、増幅するセンスアンプである。ＤＲは、ＭＢ
Ｍデバイスの杏き込みに関係するバブル発生及びスワッ
プ並びに読み出しに関係するレプリケートの各機能導体
に所定のタイミングで電流を流す駆動回路である。以上
の回路は回転磁界Ｈｒのサイクル及び位相角に同期して
動作するようタイミング発生回路ＴＧによって同期化さ
れている。 （回転磁界分布特性　第３１図） 第３１図は前述した磁気回路ＰＦＣの回転磁界分布特性
を示したち、のである、すなわち同図において、横軸に
第８図Ｂで示した磁気回路ＰＦＣ内の中心を○としてＸ
軸方向の長さを、縦軸にそのＸ軸方向の回転磁界強度Ｈ
ｘ　＝　ＯとしたときのＸ軸方向の回転磁界強度Ｈｘを
それぞれ示すと、曲線Ｉで示すような回転磁界分布特性
が得られた。 同図から明らかなように、磁気回路ＰＦＣの対向するコ
アＣＯＲ間の内側までの距離−Ｘｃ〜＋ＸＣの範囲まで
ほぼ均一な回転磁界強度Ｈｘが得られ、また、チップＣ
ＨＩの有効エリア（回転磁界を付与すべき最小範囲）−
Ｘｅ〜＋Ｘｅの範囲では士約２％の磁界強度一様性が得
られた。なお、破線で示す曲線■は従来構成の磁気回路
による回転磁界分布特性である。 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、フレキシブル配線
基板に搭載した磁気バブルメモリ素子を。 額縁形コアの回転磁気回路の空間部に配設するとともに
、その全体を良導電性材の回転磁界閉じ込めケース内に
挟持させその周縁部を電気的に接続したことにより、漏
洩磁界を発生させる空間をｔＪｓさくできるので小さな
ＶＩ積で一様性の高い回転磁界が得られるとともに１回
転磁界閉じ込めケースを小形化できることにより低消費
電力が図られ、かつ全体形状を小形、薄形化した磁気バ
ブルメモリデバイスが得られるという極めて優れた効果
が得られる。 図面の簡単な説明 第１図は本発明による磁気バブルメモリデバイスの全体
を示す一部破断斜視図、第２図Ａは底面図、第２図Ｂは
同図Ａの２Ｂ−２Ｂ断面図、第３図は積み重ね構造を示
す分解斜視図、第４図は基板ＦＰＣを説明する図、第５
図は基板ＦＰＣにチップＣＨＩを搭載した基板組立体Ｂ
ＮＤを示す平面図、第６図はチップＣＨＩを示す図、第
７図は基板組立体ＢＮＤのリードボンディングを説明す
る図、第８図は磁気回路ＰＦＣを説明する図、第９図は
磁気回路ＰＦＣの製作方法を説明する図、第１０図は内
側ケースＲＦＳｂを示す図、第１１図は外側ケースＲＦ
Ｓａを示す図、第１２図はケースＲＦＳの組立図、第１
３図はケースＲＦＳ内に基板組立体ＢＮＤおよび磁気回
路ＦＰＣを収納した組立体の断面図、第１４図は磁石体
ＢＩＭの構成を説明する図、第１５図はバイアスコイル
を説明する図、第１６図はケースＲＦＳ組立体に一対の
磁石体ＢＩＭおよびバイアスコイルＢＩＣを組み込んだ
組立体の断面図、第１７図は外側シールドケースＳ　Ｈ
Ｉ　ａを示す図、第１８図は内側シールドケース５ＨＩ
ｂを示す図、第１９図はシールドケースＳＨＩの組立図
、第２０図は第１６図に示す組立体をシールドケースＳ
ＨＩ内に組み込んだ組立体の断面図、第２１図はパッケ
ージングケースＰＫＧを示す図、第２２図は端子固定板
ＴＥＦの構成を説明する図、第２３図はコンタクトパッ
ドの構成を示す図、第２４図はチップＣＨＩの断面図、
第２５図はチップＣＨＩの磁気バブル検出器りの構成を
示す図、第２６図はチップＣＨＩの磁気バブル発生器Ｇ
ＥＮの構成を示す図、第２７図はチップＣＨＩのスワッ
プゲートＳＷＰの構成を示す図、第２８図はチップＣＨ
ＩのレプリケートゲートＲＥＰの構成を示す図、第２９
図Ａはバイアス磁界Ｈｂとホールディング磁界Ｈｄｃの
関係を示す図、同図Ｂはトータル回転磁界Ｈｒ′を示す
図、第３０図は磁気バブルメモリボードの全体回路を示
す図、第３１図は回転磁界分布特性図である。 ＣＨＩ・・・磁気バブルメモリチップ（素子）。 ＦＰＣ・・・フレキシブル配線基板（基板）、ＢＮＤ・
・・基板組立体、ＣＯ工・・・駆動コイル（コイル）、
ＣＯＲ・・・額縁形コア（コア）。 ＰＦＣ・・・磁気回路、ＲＦＳ・・・回転磁界閉じ込め
ケース（ケース）、ＲＦＳａ・・・外側ケース、ＲＦＳ
ｂ・・・内側ケース、ＢＩＭ・・・バイアス磁界発生用
磁石体（磁石体）、ＢＩＭａ・・・上部磁石体、ＢＩＭ
ｂ・・・下部磁石体、ＩＮＭ・・・傾斜板、ＭＡＧ・・
・永久磁石板（磁石板）、ＨＯＭ・・・整磁板、ＩＮＮ
・・・非磁性傾斜板、ＢＩＣ・・・バイアス磁界発生用
コイル（バイアスコイル）、ＳＨＩ・・・外部磁気シー
ルドケース（シールドケース）、５ＨＩａ・・・外側シ
ールドケース、５ＨＩｂ・・・内側シールドケース、Ｐ
ＫＧ・・・パッケージングケース、ＴＥＦ・・・端子固
定板、ＧＮＰ・・・コンタクトパッド、１・・・素子搭
載部、２．２ａ、２ｂ。 ２Ｇ、２ｄ・・・折り曲げ部、３，３ａ、３ｂ。 ３ｃ、３ｄ・・・外部接続端子接続部、４，４ａ。 ４ｂ−−−開口部、５，５ａ、５ｂ、５ｃ・・・穿孔、
６・・・基板突出部、７・・・ベースフィルム、８・・
・接着剤、９ａ・・・配線用リード、９ｂ・・・外部端
子、９Ｇ・・・接続用端子、９ｄ・・・記号、９ｅ・・
・インデックスマーク、１０・・・カバーフィルム、１
１・・・錫メッキ層、１２・・・開口、１３・・・半田
メッキ層、１４・・・ポンディングパッド、１５・・・
金バンプ、２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ・・・ヘリ
ックスコイル、２１ａ、２１ｂ・・・接続点。 ２２ａ・・・Ｘコイル、２２ｂ・・・Ｙコイル、２３・
・・磁気コア、２４・・・タップ、２５・・・幅の大き
い溝、２６・・・幅の小さい溝、３０・・・絞り部、３
１・・・折り曲げ部、３２・・・切欠き部、３３・・・
絞り部、３４・・・折り曲げ部、３５・・・切欠き部、
３６・・・ポリイミドフィルム、３７・・・接着剤、３
８・・・コイル巻線、４０・・・巻線、５１・・・平坦
部、５２・・・折り曲げ部、５３・・・凹部、５４・・
・切欠き部、５５・・・平坦部、５６・・・折り曲げ部
、５７・・・凹部、５８・・・切欠き部、５９・・・凹
部、６０・・・樹脂板、６１・・・貫通孔、６２・・・
非貫通孔、６３・・・マーク。 ６４・・・開口、６５・・・溝、６６・・・角部。 ７０・・・素片、７１・・・ニッケルメッキ層、７２・
・・金メッキ層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 向い合う巻線の組が互いに平行となるようにコイルを施
   した額縁形コアで形成される空間部に、フレキシブル基
   板に搭載した磁気バブルメモリ素子を配設し、前記コイ
   ル、コアおよび磁気バブルメモリ素子の全体を良導電性
   材ケース内に挟持させたことを特徴とする磁気バブルメ
   モリ。