JPS61227985A - 化合物半導体単結晶の製造方法 - Google Patents
化合物半導体単結晶の製造方法Info
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- JPS61227985A JPS61227985A JP6845285A JP6845285A JPS61227985A JP S61227985 A JPS61227985 A JP S61227985A JP 6845285 A JP6845285 A JP 6845285A JP 6845285 A JP6845285 A JP 6845285A JP S61227985 A JPS61227985 A JP S61227985A
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、化合物半導体単結晶の製造方法に係り、特に
、晶出操作に先立って生成される原料化合物融液の組成
を精度良く化学当量に調整することができる化合物半導
体単結晶の製造方法に関する。
、晶出操作に先立って生成される原料化合物融液の組成
を精度良く化学当量に調整することができる化合物半導
体単結晶の製造方法に関する。
［従来の技術］
一般に、不揮発性成分、例えばＡ！（アルミニウム）、
Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）などに揮発性成
分、例えばＰ（リン）、Ａｓ（ヒ素）を溶融化合させて
、その化合物融液から単結晶を晶出する方法として、水
平ブリッジマン法や液体封止引上法などが知られており
、工程が簡単であることから、液体封止引上法が広く採
用されている。この液体封止引上法は、揮発性成分の解
離圧以上になされた不活性ガス雰囲気のもとで、８２０
３などの液体封止剤により被われた化合物融液中に種結
晶を接触させてこれを引き上げることにより単結晶を成
長させる方法である。この場合、化学当量に調整された
化合物融液が必要であることから、上述の如く液体封止
剤により融液を被っているといえども揮発性成分蒸気が
若干これを通過して揮散する傾向になる。
Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）などに揮発性成
分、例えばＰ（リン）、Ａｓ（ヒ素）を溶融化合させて
、その化合物融液から単結晶を晶出する方法として、水
平ブリッジマン法や液体封止引上法などが知られており
、工程が簡単であることから、液体封止引上法が広く採
用されている。この液体封止引上法は、揮発性成分の解
離圧以上になされた不活性ガス雰囲気のもとで、８２０
３などの液体封止剤により被われた化合物融液中に種結
晶を接触させてこれを引き上げることにより単結晶を成
長させる方法である。この場合、化学当量に調整された
化合物融液が必要であることから、上述の如く液体封止
剤により融液を被っているといえども揮発性成分蒸気が
若干これを通過して揮散する傾向になる。
そこで、これを補填するために、不活性ガス雰囲気圧、
揮発性成分の供給圧や供給速度、及び不揮発性成分融液
の温度などを計測し、融液組成をできるだけ化学当量に
近づけるようにこれらを調整していた。
揮発性成分の供給圧や供給速度、及び不揮発性成分融液
の温度などを計測し、融液組成をできるだけ化学当量に
近づけるようにこれらを調整していた。
この方法によれば、前述の如く工程が簡単であることの
ほか、取扱いによる汚染が少なく、しかも経済的なうえ
にある程度高純度の品質を得ることができた。
ほか、取扱いによる汚染が少なく、しかも経済的なうえ
にある程度高純度の品質を得ることができた。
［発明が解決しようとする問題点］
ところで、上記引上法にあっては、ある程度高品質の単
結晶を得ることができるといえども、製品として採用で
きる量すなわち単結晶化歩留が約１割前後と非常に低く
、効率が悪かった。その原因は、半導体単結晶を晶出さ
せるために必要な化合物融液の組成を充分精密に化学当
量に調整できなかった点にある。すなわち、融液を液体
封止剤で被い、且つ不活性ガス雰囲気圧や揮発性成分の
供給圧等を調整しても、化合物融液の成分を化学Ｍｌに
精密に調整することができなかったのである。
結晶を得ることができるといえども、製品として採用で
きる量すなわち単結晶化歩留が約１割前後と非常に低く
、効率が悪かった。その原因は、半導体単結晶を晶出さ
せるために必要な化合物融液の組成を充分精密に化学当
量に調整できなかった点にある。すなわち、融液を液体
封止剤で被い、且つ不活性ガス雰囲気圧や揮発性成分の
供給圧等を調整しても、化合物融液の成分を化学Ｍｌに
精密に調整することができなかったのである。
［発明の目的］
本発明は、以上のような問題点に着目し１これを有効に
解決すべく創案されたものである・本発明の目的は、化
合物融液中へ供給される揮発性成分の重量を制御するこ
とにより、晶出に先立って生成される化合物融液の組成
を精度良く化学当量に調整することができる化合物半導
体単結晶の製造方法を提供するこにある。
解決すべく創案されたものである・本発明の目的は、化
合物融液中へ供給される揮発性成分の重量を制御するこ
とにより、晶出に先立って生成される化合物融液の組成
を精度良く化学当量に調整することができる化合物半導
体単結晶の製造方法を提供するこにある。
し発明の概要］
上記目的を達成する本発明方法の構成は、不揮発性成分
に対応する揮発性成分の化学当量を予め求め、不揮発性
成分に揮発性成分を供給して化合物融液を生成しつつ供
給された揮発性成分の重量値を求め、これが上記化学当
量に相当したことに応じて揮発性成分の供給を停止し、
その後、種結晶により単結晶を成長させるようにしたこ
とを要旨とする。
に対応する揮発性成分の化学当量を予め求め、不揮発性
成分に揮発性成分を供給して化合物融液を生成しつつ供
給された揮発性成分の重量値を求め、これが上記化学当
量に相当したことに応じて揮発性成分の供給を停止し、
その後、種結晶により単結晶を成長させるようにしたこ
とを要旨とする。
［実施例］
以下に、本発明の方法を具体的に説明する。
第１図は本発明方法を実施するための化合物半導体単結
晶の製造装置の一例を示す概略縦断面図である。
晶の製造装置の一例を示す概略縦断面図である。
図示する如く１は上方が開放された有底円筒体状のルツ
ボ容器であり、このルツボ容器１の下部には下方に延び
るルツボ軸２が取付けられ、ルツボ容器１全体を回転自
在に支持している。上記ルツボ容！１１は例えば石英ガ
ラスなどより成り、この中に当初、不揮発性成分３及び
これを被ってその上層に８２０３などより成る液体封止
剤４がそれぞれ装入される。上記不揮発性成分は後述す
る如く晶出に先立ってこれに供給される揮発性成分と反
応し、化合物融液を生成する。
ボ容器であり、このルツボ容器１の下部には下方に延び
るルツボ軸２が取付けられ、ルツボ容器１全体を回転自
在に支持している。上記ルツボ容！１１は例えば石英ガ
ラスなどより成り、この中に当初、不揮発性成分３及び
これを被ってその上層に８２０３などより成る液体封止
剤４がそれぞれ装入される。上記不揮発性成分は後述す
る如く晶出に先立ってこれに供給される揮発性成分と反
応し、化合物融液を生成する。
そして、上記ルツボ軸２の下部には、例えばロードセル
のごとき第１の重量測定装置５が取付【ブられており、
この軸２に加わる全荷重すなわちルツボ容器１及びこの
内容物の全重愚の変化を計測し得るようになっている。
のごとき第１の重量測定装置５が取付【ブられており、
この軸２に加わる全荷重すなわちルツボ容器１及びこの
内容物の全重愚の変化を計測し得るようになっている。
上記ルツボ容器１の外周側には、これを囲繞する如く電
気ヒータ６が巻回されており、ルツボ容器１の全体を温
度調整自在に加熱し得るようになされている。
気ヒータ６が巻回されており、ルツボ容器１の全体を温
度調整自在に加熱し得るようになされている。
一方、上記ルツボ容器１の周縁部の上方には、上方より
リザーバ支持軸７により垂下された密閉された小容量の
リザーバ容器８が設けられておりこの容器８内には前記
不揮発性成分と化合する揮発性成分９が貯留されている
。このリザーバ容器８の外周側には、発熱量の制御が自
在になされた電気ヒータ１０が巻回されており、この発
熱量を制御することにより、揮発性成分の蒸発量を制御
するようになっている。
リザーバ支持軸７により垂下された密閉された小容量の
リザーバ容器８が設けられておりこの容器８内には前記
不揮発性成分と化合する揮発性成分９が貯留されている
。このリザーバ容器８の外周側には、発熱量の制御が自
在になされた電気ヒータ１０が巻回されており、この発
熱量を制御することにより、揮発性成分の蒸発量を制御
するようになっている。
上記、リザーバ容器８には、その上端をこの容器８内へ
挿通させると共に下端を上記ルツボ容器１内に挿入した
連絡管１１が取付けられており、ルツボ容Ｂ１内の不揮
発性成分３中に揮発性成分６の蒸気を供給するようにな
っている。
挿通させると共に下端を上記ルツボ容器１内に挿入した
連絡管１１が取付けられており、ルツボ容Ｂ１内の不揮
発性成分３中に揮発性成分６の蒸気を供給するようにな
っている。
そして、上記リザーバ支持軸７には例えばロードセルの
ごとき第２の重母測定装Ｗ１１２が取付けられており、
この軸に加わる引張荷重すなわちリザーバ容器８及びこ
の内容物の全重量の変化を計測し得ようになされている
。
ごとき第２の重母測定装Ｗ１１２が取付けられており、
この軸に加わる引張荷重すなわちリザーバ容器８及びこ
の内容物の全重量の変化を計測し得ようになされている
。
ここに、揮発性成分としては、Ｐ、Ａｓのいずれか一種
より成り、不揮発性成分としては八β。
より成り、不揮発性成分としては八β。
Ｇａ、Ｉｎよりなる群のいずれか一種以上より成、
る。具体的には、ＡｆｆｉＡｓ 、Ｇａ Ａｓ 、Ｉｎ
Ｐ。
る。具体的には、ＡｆｆｉＡｓ 、Ｇａ Ａｓ 、Ｉｎ
Ｐ。
Ｉｎ Ａｓ 、 Ｇａ Ａｓ（／−Ｘ）Ｐ２： （０≦
ｙＣ≦ １）。
ｙＣ≦ １）。
Ｉｎ Ａｓ（７ｙ）Ｐｙ （ｏ≦ｙ≦ １）等を用イ
ルがこれに限定されるものではない。
ルがこれに限定されるものではない。
一方、上記ルツボ容器１の中央上方には、昇降自在に且
つ回転自在になされた種結晶取付軸１３が設けられてお
り、この下端部に種結晶１４を取付けている。
つ回転自在になされた種結晶取付軸１３が設けられてお
り、この下端部に種結晶１４を取付けている。
そして、この装置全体はステンレス等よりなる高圧容器
１５内に収容されており、内部雰囲気を不活性ガスによ
り所定圧に維持している。
１５内に収容されており、内部雰囲気を不活性ガスによ
り所定圧に維持している。
尚、図中１６はルツボ底に設けられた熱電対温度計であ
る。
る。
以上のように構ｆｌｔされた装置例に基づき本発明方法
を具体的に説明する。
を具体的に説明する。
まず、ルツボ容器１内に予め計測された所定量の不揮発
性成分３と、８２０３などの封止剤４とをそれぞれ装入
しておく。この場合、ルツボ軸２に取付けた第７の盾ｆ
ｔ測定装置５には・ルツボ容器１の重量のみならずこれ
に装入した不揮発性成分３及び封止剤４の全重量が計測
される。
性成分３と、８２０３などの封止剤４とをそれぞれ装入
しておく。この場合、ルツボ軸２に取付けた第７の盾ｆ
ｔ測定装置５には・ルツボ容器１の重量のみならずこれ
に装入した不揮発性成分３及び封止剤４の全重量が計測
される。
一方、リザーバ容器８内には予め計測された所定量の揮
発性成分９を貯留しておき、圧力容器１５内をＡｒ等の
不活性ガスにより充填して数十気圧に維持する。
発性成分９を貯留しておき、圧力容器１５内をＡｒ等の
不活性ガスにより充填して数十気圧に維持する。
この場合、リザーバ支持軸７に取付けた第２の重量測定
装置１２には、リザーバ容器８、連絡管１１及び容器内
の揮発性成分９の総合重量が計測されている。
装置１２には、リザーバ容器８、連絡管１１及び容器内
の揮発性成分９の総合重量が計測されている。
そして、上記ルツボ容器１内に装入した不揮発性成分に
対応する揮発性成分の化学当量を予め求めておく。
対応する揮発性成分の化学当量を予め求めておく。
そして、ルツボ容器１及びリザーバ容器８を囲繞するそ
れぞれの電気ヒータ６．１０に給電し、同容器１．８の
内容物を加熱昇温する。
れぞれの電気ヒータ６．１０に給電し、同容器１．８の
内容物を加熱昇温する。
これにより、ルツボ容器１内の不揮発性成分３及び封止
剤４は溶融状態となり、加熱により蒸気化した揮発性成
分９が連絡管１１を介して溶融状態の不揮発性成分３中
に供給され、これら化合物融液Ｍが順次生成される。
剤４は溶融状態となり、加熱により蒸気化した揮発性成
分９が連絡管１１を介して溶融状態の不揮発性成分３中
に供給され、これら化合物融液Ｍが順次生成される。
このように揮発性成分９が、リザーバ容器８内からルツ
ボ容器１内へ順次供給さるれるに従って、ルツボ容器１
内の収容物の重量は重くなり、逆にリザーバ容器８内の
収容物の重量は軽くなる。
ボ容器１内へ順次供給さるれるに従って、ルツボ容器１
内の収容物の重量は重くなり、逆にリザーバ容器８内の
収容物の重量は軽くなる。
すなわち、揮発性成分９の供給量の重量値はそれぞれ第
１の重量測定装置５及び第２の重量測定装置１２の検出
値の増加分を計測することにより求められる。
１の重量測定装置５及び第２の重量測定装置１２の検出
値の増加分を計測することにより求められる。
そして、ここで求めた揮発性成分の重量値が、予め求め
られた不揮発性成分３の化学当量に相当したときに揮発
性成分の供給を停止する。
られた不揮発性成分３の化学当量に相当したときに揮発
性成分の供給を停止する。
これにより、不揮発性成分と揮発性成分とが同一化学当
量ずつ反応した化合物融液Ｍを生成することができる。
量ずつ反応した化合物融液Ｍを生成することができる。
化合物融液Ｍの生成中にあっては若干量のｗ１発性成分
が液体封止剤４を通過して揮散することから、ルツボ軸
２に取付けた第１の重量測定装Ｍ５の検出値から求めた
揮発性成分の供給量ｆｌ（Ｉｆをもとにして、揮発性成
分供給停止時期を判断するのが一層好ましい。
が液体封止剤４を通過して揮散することから、ルツボ軸
２に取付けた第１の重量測定装Ｍ５の検出値から求めた
揮発性成分の供給量ｆｌ（Ｉｆをもとにして、揮発性成
分供給停止時期を判断するのが一層好ましい。
このようにして、成分組成が精度良く調整された化合物
融液Ｍを生成したならば、次に、この融液Ｍに種結晶１
４を浸漬してなじませ、これを引き上げつつ適宜回転さ
せて単結晶１７を成長させる。
融液Ｍを生成したならば、次に、この融液Ｍに種結晶１
４を浸漬してなじませ、これを引き上げつつ適宜回転さ
せて単結晶１７を成長させる。
このように本発明方法によれば、ルツボ容器内に供給さ
れる揮発性成分の重量値を求めつつ供給量を制御するよ
うにしたので、単結晶の晶出操作に先立って生成される
化合物融液の成分組成を精密に制御して化学当量の２成
分が反応した化合物融液とすることができる。
れる揮発性成分の重量値を求めつつ供給量を制御するよ
うにしたので、単結晶の晶出操作に先立って生成される
化合物融液の成分組成を精密に制御して化学当量の２成
分が反応した化合物融液とすることができる。
尚、上記装置例にあっては、重量測定装置として、ロー
ドセルを用いたがこれに限定されないのは勿論である。
ドセルを用いたがこれに限定されないのは勿論である。
ここで、前記装置例を用いて、具体的数値を適用して行
なった本発明方法に係る具体例と、化学当量反応させな
かった比較例とを説明する。
なった本発明方法に係る具体例と、化学当量反応させな
かった比較例とを説明する。
具体例
５００ｇのＩｎ （不揮発性成分）を１００ｇの８２
０３（封止剤）とともに石英ガラス製内径９６ｍｌ１ｌ
のルツボ容器１６に入れ、ルツボ底に設置したＷ／Ｗ−
Ｒｅｓ −２６％の熱電対温度計１６を１０８０℃の一
定温度に保った。
０３（封止剤）とともに石英ガラス製内径９６ｍｌ１ｌ
のルツボ容器１６に入れ、ルツボ底に設置したＷ／Ｗ−
Ｒｅｓ −２６％の熱電対温度計１６を１０８０℃の一
定温度に保った。
高圧容器１５内をＡ ｒ３５ａｔｌｌとし、容積３００
１１ Ｊ２の石英ガラス製リザーバ容器１内に収容した
赤リン（揮発性成分） １５５ｇを５００℃から０．２
℃／ｗｉｎの昇温速度で昇温し、化合物融液のＩＩＩ！
ｌが６３５ｇになった５８０℃でリザーバ容器８からの
リン蒸気の供給を停止する。ここで、Ｉｎと化合したリ
ンの重量は１３５ｇであり、これはｌ ｎ５００ｇに対
する化学当量に相当する。すなわち、得られた化合物融
液の組成（化学当量比）はＩｎ ：Ｐ−１： １であ
る。
１１ Ｊ２の石英ガラス製リザーバ容器１内に収容した
赤リン（揮発性成分） １５５ｇを５００℃から０．２
℃／ｗｉｎの昇温速度で昇温し、化合物融液のＩＩＩ！
ｌが６３５ｇになった５８０℃でリザーバ容器８からの
リン蒸気の供給を停止する。ここで、Ｉｎと化合したリ
ンの重量は１３５ｇであり、これはｌ ｎ５００ｇに対
する化学当量に相当する。すなわち、得られた化合物融
液の組成（化学当量比）はＩｎ ：Ｐ−１： １であ
る。
この融液にｆ”０）面の種付けを行なって１５■／ｈの
成長速度で結晶成長を行ない、外径１ａＸφ５０゛−一
重量５１０ｇの単結晶が得られた。
成長速度で結晶成長を行ない、外径１ａＸφ５０゛−一
重量５１０ｇの単結晶が得られた。
この単結晶の転移密度は最大５Ｘ １０”コ／ｃｍ”、
平均１，５Ｘ １０’−コ／Ｃ１２であり、また、成長
単結晶の長さ方向はぼ中央の室温におけるキャリア濃度
、移動度はそれぞれ２Ｘ１Ｇ′′キャリア／ｃｍ２□・
４．３Ｘ １０ ｃｍ／ｖ −ｓｅｃでありともに良
好な結果を得ることができた。
平均１，５Ｘ １０’−コ／Ｃ１２であり、また、成長
単結晶の長さ方向はぼ中央の室温におけるキャリア濃度
、移動度はそれぞれ２Ｘ１Ｇ′′キャリア／ｃｍ２□・
４．３Ｘ １０ ｃｍ／ｖ −ｓｅｃでありともに良
好な結果を得ることができた。
比較例
５００！ＩＩ（７） Ｉ ｎを１００ｇの８２０３とと
もに石英ガラス製内径９６ａｖのルツボ容器１に入れ、
ルツボ底に設置した熱電対温度計１６を１０８０℃の一
定温度に保った。そして、高圧容器１５内をＡ ｒ４０
ａｔ１１とし、１５５ａの赤リンを充填した容ｆ１３０
０＋ｅ ｊ！の石英ガラス製リザーバ容器８を５００℃
から１℃／ｍｉｎの昇温適度で６２０℃まで２時間で昇
温した。
もに石英ガラス製内径９６ａｖのルツボ容器１に入れ、
ルツボ底に設置した熱電対温度計１６を１０８０℃の一
定温度に保った。そして、高圧容器１５内をＡ ｒ４０
ａｔ１１とし、１５５ａの赤リンを充填した容ｆ１３０
０＋ｅ ｊ！の石英ガラス製リザーバ容器８を５００℃
から１℃／ｍｉｎの昇温適度で６２０℃まで２時間で昇
温した。
得られた化合物融液の重量は５９５ｇであり、Ｉｎ ：
Ｐの組成比（化学当量比）が１：、１となるＰ量１３５
ｇに対し化合したＰＩは９５ｇであった。すなわち、Ｉ
ｎ：Ｐの組成比（化学当量比）は１：０．７であり、Ｐ
ｌが不足していた。この融液に種付を行ない、結晶成長
を行なったが、引上げ速度を３ｍｍ ／ｈと低速にして
も多結晶化し、単結晶を得ることができなかった。
Ｐの組成比（化学当量比）が１：、１となるＰ量１３５
ｇに対し化合したＰＩは９５ｇであった。すなわち、Ｉ
ｎ：Ｐの組成比（化学当量比）は１：０．７であり、Ｐ
ｌが不足していた。この融液に種付を行ない、結晶成長
を行なったが、引上げ速度を３ｍｍ ／ｈと低速にして
も多結晶化し、単結晶を得ることができなかった。
［発明の効果］
以上要するに、本発明方法によれば次のような優れた効
果を発揮することができる。
果を発揮することができる。
（１） 不揮発性成分に供給される揮発性成分の重量
値を求めつつこの供給量を制御するようにしたので、化
合物溶液の不揮発性成分と揮発性成分との組成比（化学
当山比）を１：１に約±２％以内の精度で調整すること
ができる。
値を求めつつこの供給量を制御するようにしたので、化
合物溶液の不揮発性成分と揮発性成分との組成比（化学
当山比）を１：１に約±２％以内の精度で調整すること
ができる。
（り 化合物融液の組成比を精度良く １： １に調整
できることから、成長単結晶の格子欠陥を可及的に減少
させることができ、品質良好な単結晶を得ることができ
る。
できることから、成長単結晶の格子欠陥を可及的に減少
させることができ、品質良好な単結晶を得ることができ
る。
（３） 従来、−割に満たなかった単結晶歩留を８割
以上に向上させることができるばかりでなく、融液量に
対する引上げ結晶の量を従来平均３割以下から平均８割
以上に向上させることができる。
以上に向上させることができるばかりでなく、融液量に
対する引上げ結晶の量を従来平均３割以下から平均８割
以上に向上させることができる。
（Φ 化合物融液の組成比を同一化学当量に精度良く調
整できることから、結晶成長速度を従来の５ａｉｓ／ｈ
から１５＋ｕ＋／ｈに向上させることができ、結晶成長
操作を迅速に行なうことができる。
整できることから、結晶成長速度を従来の５ａｉｓ／ｈ
から１５＋ｕ＋／ｈに向上させることができ、結晶成長
操作を迅速に行なうことができる。
第１図は本発明方法を実施するための化合物半導体単結
晶の製造装置の一例を示す概略縦断面図である。 尚、図中３は不揮発性成分、５は第１の重量測定装置、
９は揮発性成分、１２は第２の重量測定装置、１４は種
結晶、Ｍは化合物融液である。 特許出願人 日立電線株式会社 代理人弁理士 絹 谷 信 雄第１図
晶の製造装置の一例を示す概略縦断面図である。 尚、図中３は不揮発性成分、５は第１の重量測定装置、
９は揮発性成分、１２は第２の重量測定装置、１４は種
結晶、Ｍは化合物融液である。 特許出願人 日立電線株式会社 代理人弁理士 絹 谷 信 雄第１図
Claims (4)
- （１）不揮発性成分中に揮発性成分を供給しつつこれら
両成分を化合させて化合物融液を生成し、該化合物融液
から種結晶を引上げて単結晶を晶出するに際して、上記
不揮発性成分に対応する上記揮発性成分の化学当量を予
め求め、上記不揮発性成分に揮発性成分を供給して化合
物融液を生成しつつ供給された揮発性成分の重量値を求
め、該重量値が上記化学当量に相当したことに応じて揮
発性成分の供給を停止し、その後、生成した化合物融液
から種結晶を引上げて単結晶を晶出するようにしたこと
を特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。 - （２）上記揮発性成分の重量値が、上記不揮発性成分中
に供給される揮発性成分を貯留するリザーバ容器の重量
変化を計測することにより求められるようにしたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の化合物半導体単
結晶の製造方法。 - （３）上記揮発性成分の重量値が、上記化合物融液を収
容するルツボ容器の重量変化を計測することにより求め
られるようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の化合物半導体単結晶の製造方法。 - （４）上記揮発性成分がＰまたはＡｓのいずれか一種よ
り成り、且つ上記不揮発成分が Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎよりなる群のいずれか一種以上より成
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項又は
第３項記載の化合物半導体単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6845285A JPS61227985A (ja) | 1985-04-02 | 1985-04-02 | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6845285A JPS61227985A (ja) | 1985-04-02 | 1985-04-02 | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61227985A true JPS61227985A (ja) | 1986-10-11 |
Family
ID=13374101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6845285A Pending JPS61227985A (ja) | 1985-04-02 | 1985-04-02 | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61227985A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6230689A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-02-09 | Mitsubishi Metal Corp | ３−５族化合物半導体結晶の成長方法および装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6051697A (ja) * | 1983-08-29 | 1985-03-23 | Hitachi Cable Ltd | 化合物半導体の製造方法 |
| JPS61205697A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-11 | Nec Corp | ３−５族化合物半導体の単結晶成長装置 |
-
1985
- 1985-04-02 JP JP6845285A patent/JPS61227985A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6051697A (ja) * | 1983-08-29 | 1985-03-23 | Hitachi Cable Ltd | 化合物半導体の製造方法 |
| JPS61205697A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-11 | Nec Corp | ３−５族化合物半導体の単結晶成長装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6230689A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-02-09 | Mitsubishi Metal Corp | ３−５族化合物半導体結晶の成長方法および装置 |
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