JPS6122846B2 - - Google Patents
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- JPS6122846B2 JPS6122846B2 JP52154707A JP15470777A JPS6122846B2 JP S6122846 B2 JPS6122846 B2 JP S6122846B2 JP 52154707 A JP52154707 A JP 52154707A JP 15470777 A JP15470777 A JP 15470777A JP S6122846 B2 JPS6122846 B2 JP S6122846B2
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- JP
- Japan
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- winding
- tertiary
- ringing
- flyback transformer
- secondary winding
- Prior art date
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- Expired
Links
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Landscapes
- Details Of Television Scanning (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Rectifiers (AREA)
Description
本発明は、TV受像機等のブラウン管に直流高
電圧を供給するために用いられるフライバツクト
ランスに係り、さらに詳しくはそのリンギングレ
シオが小さくなるように改善したフライバツクト
ランスに関するものである。 一般にフライバツクトランスは、入力側巻線で
ある1次巻線と、高圧出力側巻線である2次巻線
と、AFC,AGC等の信号および2次B電源を取
り出すための3次巻線とが互いに磁気結合して巻
装され、とくに1次巻線と3次巻線とは密に結合
して構成されたものである。そしてこのように構
成されたフライバツクトランスは、それを効率よ
く動作させるためにそのリンギングレシオをでき
る限り小さくすることが要求されるのである。こ
のリンギングレシオとは、フライバツクトランス
の2次側に誘起される5次同調を例示的にとつた
場合の高圧パルスを表わす第1図に示すように、
リンギングの第1番目の波高値Bと、シヨツトパ
ルスの波高値と前記リンギング波高値Bの和Aと
の比率をいう。つまりリンギングレシオとはRr
=B/A×100(%)で表わされる値をいうのであ る。そして従来のフライバツクトランスにおいて
は、その2次巻線の漏洩インダクタンスと浮遊容
量との共振回路の同調を適宜にとることによつ
て、そのリンギングレシオを小さくするようにし
ていた。ところがこの手段によるとリンギングと
シヨツトパルスとが互いに関連して変化するため
にその調節が非常にむつかしく、しかもリンギン
グの波高値をある値以下に小さくするようにして
もシヨツトパルスの波高値も同時に小さくなるた
めに、リンギングレシオの改善には自ずと限度を
有するというものであつた。 本発明はこのような点に鑑みてなされたもの
で、全く新規な手段によつてリンギングレシオの
調節を極めて容易にするとともに、その値を従来
よりも小さくすることのできるフライバツクトラ
ンスを提供することを目的とするものである。そ
してその具体的な構成は、1次巻線あるいは2次
巻線の両端部であつて、1次巻線との磁気結合が
疎となりかつ1次巻線に対する2次巻線の漏洩磁
束と鎖交する位置に、3次巻線の少なくとも一部
を巻装するとともに、この3次巻線を走査期間整
流させるようにして用いることを特徴とするもの
であつて、かくすることにより、シヨツトパルス
とは無関係にリンギングの波高値のみを小さくす
るようにしたものである。 以下に本発明の一実施例を図面を参照して詳細
に説明する。 第2図において11はコア12に嵌挿された複
数個の巻溝を有する低圧コイルボビン、13はこ
の低圧コイルボビン11の各巻溝に分割巻された
1次巻線、14はこの1次巻線13上の両端部に
それぞれ巻回された2次B電源を取り出すための
3次巻線であり、前記1次巻線13との磁気結合
を疎とするとともに、後述する2次巻線に近接さ
せるために樹脂フイルム等の厚手の絶縁材15を
介して巻回され、かつそれぞれ直列接続されてな
るものである。なお、これらの3次巻線14の巻
回方向は任意であるが、これらの3次巻線14
は、整流回路を介して負荷を接続したときに走査
期間のみ整流がおこなわれる、いわゆる走査期間
整流がなされるようにして用いられる。この走査
期間整流をおこなわせる回路としては、3次巻線
14の巻回方向と、それに接続される整流回路の
整流素子の接続方向との組み合せにより数種の構
成をとり得る。要するに3次巻線に接続される整
流回路を構成するダイオード等の整流素子が、帰
線期間には導通せずに走査期間のみに導通するよ
うな回路構成とすればよいのである。16は前記
低圧コイルボビン11に嵌装された複数個の巻溝
を有する高圧コイルボビン、17はこの高圧コイ
ルボビン16の各巻溝に分割巻された2次巻線で
あり、前記1次巻線13および3次巻線14を覆
い、かつ3次巻線14に近接して形成されたもの
である。つまり、この2次巻線17は、その両端
部が、前記3次巻線14の巻回された位置と対応
するように形成されているのである。 本発明のフライバツクトランスは、基本的には
以上のように構成される。つまり従来のフライバ
ツクトランスは、その3次巻線のすべて1次巻線
と密に磁気結合するように形成されたものであ
り、しかもその整流方式は帰線期間整流あるいは
走査期間整流のいずれかを選択的に用いればよい
ものであつたが、本発明のものは、その3次巻線
が1次巻線あるいは2次巻線の両端部であつて、
1次巻線との磁気結合が疎となりかつ1次巻線に
対する2次巻線の漏洩磁束と鎖交する位置に巻装
された点、およびその3次巻線を走査期間整流さ
せて用いるようにした点に大きな特徴を有するの
である。 次に、このように構成されたフライバツクトラ
ンスの作用効果について説明する。 いま、第3図の回路図に示すように、本発明フ
ライバツクトランスの1次巻線13側に水平偏向
回路18、2次巻線17側に整流回路19、3次
巻線14側に整流回路20をそれぞれ接続する。
ここで3次巻線14は、前述したようにその整流
方式が走査期間整流となるように接続されたもの
である。このように回路構成された1次側の水平
出力トランジスタの入力側に15.75KHzの矩形波
パルス信号を印加するとともに、3次巻線14に
負荷を接続し、5次同調をとつた場合の2次巻線
17に誘起されるパルス波形をシンクロスコープ
で観察した。その結果、第4図aに示すような波
形が得られ、この波形から求めたリンギングレシ
オの値は11.5%であつた。なお、本発明のフライ
バツクトランスと従来のものとを対比するため
に、第2図における3次巻線14を絶縁材15を
除去して1次巻線13の上に直接巻装し、その他
の構造は第2図の実施例を全く同様としたフライ
バツクトランスを構成してその2次巻線に誘起さ
れたパルス波形を前述と同様の方法により観察し
た。その結果、第4図bに示すような波形が得ら
れ、この波形から求めたリンギングレシオの値は
17.0%であつた。この事実から、本発明のフライ
バツクトランスは、従来のものに比べてリンギン
グレシオが大きく改善されていることがわかる。
このようにリンギングレシオが大きく改善された
のは、第4図a,bの両波形を対比しても明らか
なように、シヨツトパルス波形は何ら変わること
なく、リンギングの振幅のみが小さくなつたこと
による。このリンギングの振幅が小さくなつたの
はその周波数が高くなつたことによるものであ
る。このようにシヨツトパルス波形は何ら変わる
ことなく、リンギング波形のみが変化したのは次
の理由による。つまり3次巻線14の整流方式が
走査期間整流であり、かつ3次巻線には負荷が接
続されているため、その3次巻線14は走査期
間、つまり、リンギングの発生する期間のみその
整流回路中のコンデンサを介して交流的に短絡さ
れた状態となる。そしてこのように作用する3次
巻線14は、2次巻線17の両端部に近接して配
置されているため、不可避的に最も多く発生して
いる1次巻線13に対する2次巻線17の両端部
の漏洩磁束が、この3次巻線14と鎖交すること
になる。ところがこの3次巻線14は前述したよ
うに走査期間のみ交流的に短絡されるので、この
3次巻線14には走査期間のみその鎖交した磁束
を打ち消すような電流が流れて、2次巻線17の
両端部の不可避的に発生している漏洩磁束を走査
期間のみ実質的に減少させるのである。一方、走
査期間のリンギングの周波数は、2次巻線17の
漏洩インダクタンスLlと浮遊容量CSとの直列共
振回路の共振周波数であつて、これは周知のよう
に
電圧を供給するために用いられるフライバツクト
ランスに係り、さらに詳しくはそのリンギングレ
シオが小さくなるように改善したフライバツクト
ランスに関するものである。 一般にフライバツクトランスは、入力側巻線で
ある1次巻線と、高圧出力側巻線である2次巻線
と、AFC,AGC等の信号および2次B電源を取
り出すための3次巻線とが互いに磁気結合して巻
装され、とくに1次巻線と3次巻線とは密に結合
して構成されたものである。そしてこのように構
成されたフライバツクトランスは、それを効率よ
く動作させるためにそのリンギングレシオをでき
る限り小さくすることが要求されるのである。こ
のリンギングレシオとは、フライバツクトランス
の2次側に誘起される5次同調を例示的にとつた
場合の高圧パルスを表わす第1図に示すように、
リンギングの第1番目の波高値Bと、シヨツトパ
ルスの波高値と前記リンギング波高値Bの和Aと
の比率をいう。つまりリンギングレシオとはRr
=B/A×100(%)で表わされる値をいうのであ る。そして従来のフライバツクトランスにおいて
は、その2次巻線の漏洩インダクタンスと浮遊容
量との共振回路の同調を適宜にとることによつ
て、そのリンギングレシオを小さくするようにし
ていた。ところがこの手段によるとリンギングと
シヨツトパルスとが互いに関連して変化するため
にその調節が非常にむつかしく、しかもリンギン
グの波高値をある値以下に小さくするようにして
もシヨツトパルスの波高値も同時に小さくなるた
めに、リンギングレシオの改善には自ずと限度を
有するというものであつた。 本発明はこのような点に鑑みてなされたもの
で、全く新規な手段によつてリンギングレシオの
調節を極めて容易にするとともに、その値を従来
よりも小さくすることのできるフライバツクトラ
ンスを提供することを目的とするものである。そ
してその具体的な構成は、1次巻線あるいは2次
巻線の両端部であつて、1次巻線との磁気結合が
疎となりかつ1次巻線に対する2次巻線の漏洩磁
束と鎖交する位置に、3次巻線の少なくとも一部
を巻装するとともに、この3次巻線を走査期間整
流させるようにして用いることを特徴とするもの
であつて、かくすることにより、シヨツトパルス
とは無関係にリンギングの波高値のみを小さくす
るようにしたものである。 以下に本発明の一実施例を図面を参照して詳細
に説明する。 第2図において11はコア12に嵌挿された複
数個の巻溝を有する低圧コイルボビン、13はこ
の低圧コイルボビン11の各巻溝に分割巻された
1次巻線、14はこの1次巻線13上の両端部に
それぞれ巻回された2次B電源を取り出すための
3次巻線であり、前記1次巻線13との磁気結合
を疎とするとともに、後述する2次巻線に近接さ
せるために樹脂フイルム等の厚手の絶縁材15を
介して巻回され、かつそれぞれ直列接続されてな
るものである。なお、これらの3次巻線14の巻
回方向は任意であるが、これらの3次巻線14
は、整流回路を介して負荷を接続したときに走査
期間のみ整流がおこなわれる、いわゆる走査期間
整流がなされるようにして用いられる。この走査
期間整流をおこなわせる回路としては、3次巻線
14の巻回方向と、それに接続される整流回路の
整流素子の接続方向との組み合せにより数種の構
成をとり得る。要するに3次巻線に接続される整
流回路を構成するダイオード等の整流素子が、帰
線期間には導通せずに走査期間のみに導通するよ
うな回路構成とすればよいのである。16は前記
低圧コイルボビン11に嵌装された複数個の巻溝
を有する高圧コイルボビン、17はこの高圧コイ
ルボビン16の各巻溝に分割巻された2次巻線で
あり、前記1次巻線13および3次巻線14を覆
い、かつ3次巻線14に近接して形成されたもの
である。つまり、この2次巻線17は、その両端
部が、前記3次巻線14の巻回された位置と対応
するように形成されているのである。 本発明のフライバツクトランスは、基本的には
以上のように構成される。つまり従来のフライバ
ツクトランスは、その3次巻線のすべて1次巻線
と密に磁気結合するように形成されたものであ
り、しかもその整流方式は帰線期間整流あるいは
走査期間整流のいずれかを選択的に用いればよい
ものであつたが、本発明のものは、その3次巻線
が1次巻線あるいは2次巻線の両端部であつて、
1次巻線との磁気結合が疎となりかつ1次巻線に
対する2次巻線の漏洩磁束と鎖交する位置に巻装
された点、およびその3次巻線を走査期間整流さ
せて用いるようにした点に大きな特徴を有するの
である。 次に、このように構成されたフライバツクトラ
ンスの作用効果について説明する。 いま、第3図の回路図に示すように、本発明フ
ライバツクトランスの1次巻線13側に水平偏向
回路18、2次巻線17側に整流回路19、3次
巻線14側に整流回路20をそれぞれ接続する。
ここで3次巻線14は、前述したようにその整流
方式が走査期間整流となるように接続されたもの
である。このように回路構成された1次側の水平
出力トランジスタの入力側に15.75KHzの矩形波
パルス信号を印加するとともに、3次巻線14に
負荷を接続し、5次同調をとつた場合の2次巻線
17に誘起されるパルス波形をシンクロスコープ
で観察した。その結果、第4図aに示すような波
形が得られ、この波形から求めたリンギングレシ
オの値は11.5%であつた。なお、本発明のフライ
バツクトランスと従来のものとを対比するため
に、第2図における3次巻線14を絶縁材15を
除去して1次巻線13の上に直接巻装し、その他
の構造は第2図の実施例を全く同様としたフライ
バツクトランスを構成してその2次巻線に誘起さ
れたパルス波形を前述と同様の方法により観察し
た。その結果、第4図bに示すような波形が得ら
れ、この波形から求めたリンギングレシオの値は
17.0%であつた。この事実から、本発明のフライ
バツクトランスは、従来のものに比べてリンギン
グレシオが大きく改善されていることがわかる。
このようにリンギングレシオが大きく改善された
のは、第4図a,bの両波形を対比しても明らか
なように、シヨツトパルス波形は何ら変わること
なく、リンギングの振幅のみが小さくなつたこと
による。このリンギングの振幅が小さくなつたの
はその周波数が高くなつたことによるものであ
る。このようにシヨツトパルス波形は何ら変わる
ことなく、リンギング波形のみが変化したのは次
の理由による。つまり3次巻線14の整流方式が
走査期間整流であり、かつ3次巻線には負荷が接
続されているため、その3次巻線14は走査期
間、つまり、リンギングの発生する期間のみその
整流回路中のコンデンサを介して交流的に短絡さ
れた状態となる。そしてこのように作用する3次
巻線14は、2次巻線17の両端部に近接して配
置されているため、不可避的に最も多く発生して
いる1次巻線13に対する2次巻線17の両端部
の漏洩磁束が、この3次巻線14と鎖交すること
になる。ところがこの3次巻線14は前述したよ
うに走査期間のみ交流的に短絡されるので、この
3次巻線14には走査期間のみその鎖交した磁束
を打ち消すような電流が流れて、2次巻線17の
両端部の不可避的に発生している漏洩磁束を走査
期間のみ実質的に減少させるのである。一方、走
査期間のリンギングの周波数は、2次巻線17の
漏洩インダクタンスLlと浮遊容量CSとの直列共
振回路の共振周波数であつて、これは周知のよう
に
【式】で決まるものであるため、
前述のように2次巻線17の漏洩磁束が減少する
ことによつて、その共振周波数、つまりリンギン
グの周波数が高くなるのである。以上のように3
次巻線14は走査期間にのみ交流的に短絡状態と
なるので、シヨツトパルス波形には何ら影響を与
えることなく、リンギングの振幅を小さくするこ
とができるのである。 以上、本発明のフライバツクトランスの構成お
よびその作用効果について述べたが、本発明のフ
ライバツクトランスの構成は何ら第2図示のもの
に限定されるものではない。むしろ第2図示のも
のに限定されるものではない。むしろ第2図示の
ものは本発明を説明するための原理的な実施例で
あり、リンギングレシオは実際的にはフライバツ
クトランスの他の特性とのバランスのもとに設計
されるので、第5図〜第7図に示す構造のもの等
がより実用的である。つまり、第5図に示すもの
は、3次巻線14を低圧コイルボビン11の両端
の巻溝に1次巻線13と並列的に形成するととも
に、2次巻線17を、1次巻線13および3次巻
線14の両方を覆うように形成したものである。
第6図に示すものは、第5図示の3次巻線14が
巻回された巻溝を底あげすることにより、3次巻
線14を2次巻線17により近接させて2次巻線
の漏洩磁束との鎖交をよりよくしたもの、第7図
に示すものは、3次巻線14を高圧コイルボビン
16の両端の巻溝に2次巻線17と並列的に形成
したものである。これらはいずれも程度に多少の
差異はあつても第2図示のものと同様の理由によ
りリンギングレシオを小さくすることができたも
のである。以上の実施例においては、各巻線とも
分割巻のものについて説明したが、何らこれに限
ることはなくソレノイド巻等適宜のものが適用で
きる。また、上記の実施例のように3次巻線のす
べてを、1次巻線との磁気結合が疎となり、かつ
2次巻線の1次巻線に対する漏洩磁束と鎖交する
位置に設けるのではなく、第8図に示すように、
1次巻線に密に磁気結合したものとに分散させて
巻回し、それらを直列に接続した構成とすること
もできる。このように3次巻線を1次巻線に密に
磁気結合したものとに分散して設けた場合には、
3次巻線に接続される負荷電力が大きい場合であ
つても高圧レギユレーシヨンが低下しないという
良好なものとすることができる。つまり、3次巻
線のすべてが1次巻線との磁気結合が疎となり、
2次巻線の1次巻線に対する漏洩磁束と鎖交する
位置に設けられた場合には、負荷電力が大きくな
つて3次巻線に流れる電流が大きくなると、2次
巻線の誘導波形のうちシヨツトパルス波形に、5
次同調をとつた場合を例示した第9図示のような
右肩が下がるという歪が生じ、高圧レギユレーシ
ヨンに悪影響を与えるのであるが、第8図示のよ
うに3次巻線を1次巻線に密に磁気結合したもの
とに分散した場合には、負荷電力が大きくても第
9図示のようなシヨツトパルス波形の歪が生じな
いのである。また、本発明のフライバツクトラン
スの3次巻線は、2次巻線の1次巻線に対する漏
洩磁束の最も多い1次巻線あるいは2次巻線の両
端部に設けたものであるが、この両端部に設けた
3次巻線を第2図示の実施例において説明したよ
うに直列接続するにあたつては、その接続線部を
3次巻線の設けられた両端部を除く1次巻線上に
数回程度巻回させて配置した場合には、2次巻線
の漏洩磁束の最も多い両端部以外の漏洩磁束とも
鎖交するようになるので、より効果的である。ま
た、1次巻線あるいは2次巻線の両端部に設けた
3次巻線は必ずしも直列接続して用いなければな
らないものではなく、それぞれの3次巻線に別個
の整流回路を介して別個の負荷を接続し、それぞ
れ独立した3次巻線として用いたり、あるいは、
1次巻線あるいは2次巻線の両端部に設けた3次
巻線をそれぞれ並列接続して用いることもでき
る。要は3次巻線のそれぞれが走査期間整流され
るように用いられればよいのである。そしてこの
3次巻線に整流回路を接続する負荷は、外部の電
気回路である場合は勿論、単なる抵抗体のような
インピーダンス素子のみの場合であつてもよい。
このように3次巻線に接続される負荷がインピー
ダンス素子等の場合のように、3次巻線を2次B
電源を取り出すという目的ではなく、単にリンギ
ングレシオを改善する目的のためのみに用いるよ
うにすることもできる。このように3次巻線を外
部の電気回路に供給する2次B電源を取り出す目
的のものとして使用せず、リンギングレシオを改
善するためのみに用いる場合には、その3次巻線
に接続される整流回路と、インピーダンス素子等
の負荷とをフライバツクトランスと一体化して構
成することができる。さらには負荷として抵抗等
のインピーダンス素子を接続する場合には、その
3次巻線にAFC,AGC等の信号を取り出すもの
を用いることもできる。 以上、本発明のフライバツクトランスの種々の
実施例について述べたが、要は1次巻線あるいは
2次巻線の両端部であつて、1次巻線との磁気結
合が疎となりかつ1次巻線に対する2次巻線の漏
洩磁束と鎖交する位置に、3次巻線の少なくとも
一部を巻装し、この3次巻線を走査期間整流させ
るようにして用いるようにすればよいのであつ
て、これを満足する構成は上述した実施例の他に
も種々存在し、本発明はそれらのすべてを包含し
たものである。 本発明のフライバツクトランスは、以上説明し
たように構成したことにより、シヨツトパルスに
何ら影響を与えることなくリンギングの振幅のみ
を小さくすることができ、しかもその調節が極め
て容易になり、リンギングレシオの値を従来より
も極めて小さくすることができるというすぐれた
効果を奏するのである。さらには、このようなフ
ライバツクトランスをTV受像機に組み込んだ場
合には、その不要輻射を極めて少なくおさえるこ
とができるという効果も奏する。
ことによつて、その共振周波数、つまりリンギン
グの周波数が高くなるのである。以上のように3
次巻線14は走査期間にのみ交流的に短絡状態と
なるので、シヨツトパルス波形には何ら影響を与
えることなく、リンギングの振幅を小さくするこ
とができるのである。 以上、本発明のフライバツクトランスの構成お
よびその作用効果について述べたが、本発明のフ
ライバツクトランスの構成は何ら第2図示のもの
に限定されるものではない。むしろ第2図示のも
のに限定されるものではない。むしろ第2図示の
ものは本発明を説明するための原理的な実施例で
あり、リンギングレシオは実際的にはフライバツ
クトランスの他の特性とのバランスのもとに設計
されるので、第5図〜第7図に示す構造のもの等
がより実用的である。つまり、第5図に示すもの
は、3次巻線14を低圧コイルボビン11の両端
の巻溝に1次巻線13と並列的に形成するととも
に、2次巻線17を、1次巻線13および3次巻
線14の両方を覆うように形成したものである。
第6図に示すものは、第5図示の3次巻線14が
巻回された巻溝を底あげすることにより、3次巻
線14を2次巻線17により近接させて2次巻線
の漏洩磁束との鎖交をよりよくしたもの、第7図
に示すものは、3次巻線14を高圧コイルボビン
16の両端の巻溝に2次巻線17と並列的に形成
したものである。これらはいずれも程度に多少の
差異はあつても第2図示のものと同様の理由によ
りリンギングレシオを小さくすることができたも
のである。以上の実施例においては、各巻線とも
分割巻のものについて説明したが、何らこれに限
ることはなくソレノイド巻等適宜のものが適用で
きる。また、上記の実施例のように3次巻線のす
べてを、1次巻線との磁気結合が疎となり、かつ
2次巻線の1次巻線に対する漏洩磁束と鎖交する
位置に設けるのではなく、第8図に示すように、
1次巻線に密に磁気結合したものとに分散させて
巻回し、それらを直列に接続した構成とすること
もできる。このように3次巻線を1次巻線に密に
磁気結合したものとに分散して設けた場合には、
3次巻線に接続される負荷電力が大きい場合であ
つても高圧レギユレーシヨンが低下しないという
良好なものとすることができる。つまり、3次巻
線のすべてが1次巻線との磁気結合が疎となり、
2次巻線の1次巻線に対する漏洩磁束と鎖交する
位置に設けられた場合には、負荷電力が大きくな
つて3次巻線に流れる電流が大きくなると、2次
巻線の誘導波形のうちシヨツトパルス波形に、5
次同調をとつた場合を例示した第9図示のような
右肩が下がるという歪が生じ、高圧レギユレーシ
ヨンに悪影響を与えるのであるが、第8図示のよ
うに3次巻線を1次巻線に密に磁気結合したもの
とに分散した場合には、負荷電力が大きくても第
9図示のようなシヨツトパルス波形の歪が生じな
いのである。また、本発明のフライバツクトラン
スの3次巻線は、2次巻線の1次巻線に対する漏
洩磁束の最も多い1次巻線あるいは2次巻線の両
端部に設けたものであるが、この両端部に設けた
3次巻線を第2図示の実施例において説明したよ
うに直列接続するにあたつては、その接続線部を
3次巻線の設けられた両端部を除く1次巻線上に
数回程度巻回させて配置した場合には、2次巻線
の漏洩磁束の最も多い両端部以外の漏洩磁束とも
鎖交するようになるので、より効果的である。ま
た、1次巻線あるいは2次巻線の両端部に設けた
3次巻線は必ずしも直列接続して用いなければな
らないものではなく、それぞれの3次巻線に別個
の整流回路を介して別個の負荷を接続し、それぞ
れ独立した3次巻線として用いたり、あるいは、
1次巻線あるいは2次巻線の両端部に設けた3次
巻線をそれぞれ並列接続して用いることもでき
る。要は3次巻線のそれぞれが走査期間整流され
るように用いられればよいのである。そしてこの
3次巻線に整流回路を接続する負荷は、外部の電
気回路である場合は勿論、単なる抵抗体のような
インピーダンス素子のみの場合であつてもよい。
このように3次巻線に接続される負荷がインピー
ダンス素子等の場合のように、3次巻線を2次B
電源を取り出すという目的ではなく、単にリンギ
ングレシオを改善する目的のためのみに用いるよ
うにすることもできる。このように3次巻線を外
部の電気回路に供給する2次B電源を取り出す目
的のものとして使用せず、リンギングレシオを改
善するためのみに用いる場合には、その3次巻線
に接続される整流回路と、インピーダンス素子等
の負荷とをフライバツクトランスと一体化して構
成することができる。さらには負荷として抵抗等
のインピーダンス素子を接続する場合には、その
3次巻線にAFC,AGC等の信号を取り出すもの
を用いることもできる。 以上、本発明のフライバツクトランスの種々の
実施例について述べたが、要は1次巻線あるいは
2次巻線の両端部であつて、1次巻線との磁気結
合が疎となりかつ1次巻線に対する2次巻線の漏
洩磁束と鎖交する位置に、3次巻線の少なくとも
一部を巻装し、この3次巻線を走査期間整流させ
るようにして用いるようにすればよいのであつ
て、これを満足する構成は上述した実施例の他に
も種々存在し、本発明はそれらのすべてを包含し
たものである。 本発明のフライバツクトランスは、以上説明し
たように構成したことにより、シヨツトパルスに
何ら影響を与えることなくリンギングの振幅のみ
を小さくすることができ、しかもその調節が極め
て容易になり、リンギングレシオの値を従来より
も極めて小さくすることができるというすぐれた
効果を奏するのである。さらには、このようなフ
ライバツクトランスをTV受像機に組み込んだ場
合には、その不要輻射を極めて少なくおさえるこ
とができるという効果も奏する。
第1図はリンギングレシオを説明するためのパ
ルス波形を示す図、第2図は本発明の一実施例の
フライバツクトランスの要部断面図、第3図は本
発明のフライバツクトランスの作用効果を説明す
るための実装回路図、第4図は第3図の実装回路
図におけるフライバツクトランスの2次巻線の誘
導波形を示す図で、aは本発明に係るもの、bは
従来例のもの、第5図〜第8図は本発明に係るフ
ライバツクトランスの他の実施例を示す要部断面
部分図、第9図は高圧レギユレーシヨンを説明す
るためのパルス波形を示す図である。 11……低圧コイルボビン、12……コア、1
3……1次巻線、14……3次巻線、15……絶
縁材、16……高圧コイルボビン、17……2次
巻線、18……水平偏向回路、19,20……整
流回路。
ルス波形を示す図、第2図は本発明の一実施例の
フライバツクトランスの要部断面図、第3図は本
発明のフライバツクトランスの作用効果を説明す
るための実装回路図、第4図は第3図の実装回路
図におけるフライバツクトランスの2次巻線の誘
導波形を示す図で、aは本発明に係るもの、bは
従来例のもの、第5図〜第8図は本発明に係るフ
ライバツクトランスの他の実施例を示す要部断面
部分図、第9図は高圧レギユレーシヨンを説明す
るためのパルス波形を示す図である。 11……低圧コイルボビン、12……コア、1
3……1次巻線、14……3次巻線、15……絶
縁材、16……高圧コイルボビン、17……2次
巻線、18……水平偏向回路、19,20……整
流回路。
Claims (1)
- 1 1次巻線あるいは2次巻線の両端部であつ
て、1次巻線との磁気結合が疎となりかつ1次巻
線に対する2次巻線の漏洩磁束と鎖交する位置
に、3次巻線の少なくとも一部を巻装し、この3
次巻線を走査期間整流させるようにして用いるこ
とを特徴とするフライバツクトランス。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15470777A JPS5486226A (en) | 1977-12-21 | 1977-12-21 | Flyback transformer |
| US05/943,678 US4229786A (en) | 1977-09-26 | 1978-09-19 | Fly-back transformer with a low ringing ratio |
| GB7838028A GB2007030B (en) | 1977-09-26 | 1978-09-25 | Transformer suitable for use in a horizontal deflection cicuit of a television receiver |
| DE2841885A DE2841885C2 (de) | 1977-09-26 | 1978-09-26 | Zeilentransformator zur Verwendung in einer Horizontalablenkschaltung |
| FR7827539A FR2404358B1 (fr) | 1977-09-26 | 1978-09-26 | Transformateur de retour de balayage de cathoscope |
| US06/312,525 USRE31119E (en) | 1977-09-26 | 1981-10-19 | Fly-back transformer with a low ringing ratio |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15470777A JPS5486226A (en) | 1977-12-21 | 1977-12-21 | Flyback transformer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5486226A JPS5486226A (en) | 1979-07-09 |
| JPS6122846B2 true JPS6122846B2 (ja) | 1986-06-03 |
Family
ID=15590187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15470777A Granted JPS5486226A (en) | 1977-09-26 | 1977-12-21 | Flyback transformer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5486226A (ja) |
-
1977
- 1977-12-21 JP JP15470777A patent/JPS5486226A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5486226A (en) | 1979-07-09 |
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