JPS61229845A - ヒドロキサメート類 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 歳泉上旦机皿立託 本発明はヒドロキサメート類、更に詳しくは、△５−リ
ポキシゲナーゼの抑制剤として有用で、たとえば抗アレ
ルギー剤に用いられる新規なアリールヒドロキサメート
類に関する。

発明の構成と効果 本発明に係る新規化合物は、下記式（１）で示される。

Ｒ’　　（ＣＨ＊）ｍ−ＣＮ　　Ｒ’　　　ＣＩ）ＯＲ
” 〔式中、Ｒ１は水素、低級アルキル、アリール、低級ア
ルケニル、シクロアルキル、アラルキル、または＜ｃ　
Ｈｚ）ｎａ　−ｘ　＜ここで、ｎは１〜４、およびＸは
ヒドロキシ、低級アルコキシ、アミノ、Ｃ１〜Ｃ４−ア
ルキルアミノまたはＣＩ””　Ｃ４−ジアルキルアミノ
）、 Ｒ２は水素または低級アルキル、 Ｒ３はＣ３〜Ｃ！。アルキル、Ｃ８〜Ｃｏｏアルケニル
、アリール、アリール−アルキル、シクロアルキル、ア
リール−アルケニル、低級アルコキシ、低級アルケニル
オキシ、アリール−アルコキシ、またはシクロアルキル
オキシ、お上びｍはθ〜５である〕 Ｒ’ｈ’　　（ＣＨ＊）ｎ　　ＣＯＨ、Ｒ３がＨである
場合、本発明化合物（１）はたとえばアルカリ金属と共
にジ塩基性塩（ジリチウム塩、ジナトリウム塩またはジ
カリウム塩）を形成する。Ｒ′が（ＣＨ＊）ｎ−Ｃ−Ｏ
Ｈ以外、Ｒ１がＨである場合、本発明化合物ＣＩ）はモ
ノ塩基性塩のみを形成する。加えて、本発明化合物（１
）はジシクロヘキシルアミンまたは他のアミン類および
トリス（ヒドロキシメチル）アミノメタン、グルカミン
または他のアミン類と共に塩を形成する。

本明細書を通じて、それ自体もしくは他の基の一部とし
て用いる語句の定義は、以下の通りである。

「低級アルキル」または「アルキル」とは、炭素数１２
以下（好ましくはＩ〜８）の直鎖および分枝鎖基の両方
を指称し、たとえばメチル、エチル、プロピル、イソプ
ロピル、ブチル、ｔ−ブチル、イソブチル、ペンチル、
ヘキシル、イソヘキシル、ヘプチル、４．４−ジメチル
ペンチル、オクチル、２．２．４−トリメチルペンチル
、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、かかる基の
分枝鎖異性体、並びにこれらの基であって、ハロ置換基
（たとえばＦＳＢｒＳＣＱまたはＩ）またはＣＦ３、ア
ルコキシ置換基、アリール置換基、アルキル−アリール
置換基、ハロアリール置換基、シクロアルキル置換基、
アルキルシクロアルキル置換基、ヒドロキシ置換基、ア
ルキルアミノ置換基、アルカノイルアミノ置換基、アリ
ールカルボニルアミノ置換基、ニトロ置換基、シアノ置
換基、チオール置換基またはアルキルチオ置換基を有す
るものが挙げられる。

ｒ　Ｃｌ−Ｃｔ。アルキル」とは、上記炭素数１〜８の
アルキル基、および炭素数２０以下（好ましくは４〜１
６）のアルキル基を指称し、たとえば上述の０４〜Ｃ１
，アルキルに加えて、トリデシル、テトラデシル、ペン
タデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル
、ノナデシル、エイコサニル、これらの上記置換基を有
するまたは有しない全ての異性体が挙げられる。

「シクロアルキル」とは、炭素数３〜１２（好ましくは
３〜８）の飽和環式炭化水素基を指称し、たとえばシク
ロプロピル、シクロブチル、シクロブチル、シクロペン
チル、シクロヘキシル、シクロへブチル、シクロオクチ
ル、シクロデシルおよびシクロドデシル（これらの基は
１または２個のハロゲン、ｌまたは２個の低級アルキル
基、ｌまたは２個の低級アルコキシ基、アリール基、！
または２個のヒドロキシル基、ｌまたは２個のアルキル
アミノ基、ｌまたは２個のアルカノイルアミノ基、ｌま
たは２個のアリールカルボニルアミノ基、■または２個
のアミノ基、１または２個のニトロ基、ｌまたは２個の
シアノ基、ｌまたは２個のチオール基、！または２個の
アルキルチオ基で置換されてよい）が挙げられる。

「アリール」またはｒＡｒＪとは、環部に６〜１０個の
炭素を有するモノ環式またはジ環式芳香族基を指称し、
たとえばフェニル、ナフチル、置換フェニルまたは置換
ナフチル（これらの置換基としては、ｌまたは２個の低
級アルキル基、！または２個のハロゲン（（４、Ｂｒま
たはＦ）、Ｉまたは２個の低級アルコキシ基、ｌまたは
２個のヒドロキシル基、ｌまたは２個のアルキルアミノ
基、ｌまたは２個のアルカノイルアミノ基、１または２
個のアリールカルボニルアミノ基１．１または２個のア
ミノ基、！または２個のニトロ基、１または２個のシア
ノ基、ｌまたは２個のチオール基および／または１また
は２個のアルキルチオ基）が挙げられる。

「アラルキル」、「アリール−アルキル」または「アリ
ール−低級アルキル」とは、上述の低級アルキル基であ
って、ベンジルなどのアリール置換基を有するものを指
称する。

「低級アルケニル」ま、たは「アルケニル」とは、３〜
８個の炭素および１つの炭素−炭素二重結合を有する不
飽和炭化水素基を指称し、たとえばエチニル、１−プロ
ペニル、２−プロペニル、ｌ−ブテニル、２−ブテニル
、３−ブテニルが挙げられる。

「Ｃ３〜Ｃ１゜アルケニル」とは、ノルマル鎖に３〜２
０個（好ましくは４〜１６個）の炭素および１つの二重
結合を有する直鎖または分枝鎖基を指称し、たとえば上
述の低級アルケニル基、および２−へキサニル、３−へ
キサニル、２−へブテニル、３−へブテニル、４−へブ
テニル、３−オクテニル、３−ノネニル、４−デセニル
、３−ウンデセニル、４−ドデセニル、２−トリデセニ
ル、３−テトラデセニル、１−ペンタデセニル、２−ヘ
キサデセニル、４−へブタデセニル、７−オクタデセニ
ル、６−ノナデセニル、８−エイコセニルおよび２．５
−へキサジェニル、３．７−オクタジェニル、２．６−
オクタジェニル、３．９−ペンタデカジェニル、４．１
２−ノナデカジェニル、これらの全ての異性体が挙げら
れる。

「アリール−アルケニル」とは、上述の低級アルケニル
基であって、アリール置換基を有するものを指称する。

「低級アルコキシ」、「アルコキシ」、「低級アルケニ
ルオキシ」、「シクロアルコキシ」または「アラルコキ
シ」とは、上記低級アルキル、アルキル、低級アルケニ
ル、シクロアルキルまたはアラルキル基が酸素原子に結
合したものを指称する。

「アルカノイル」とは、低級アルキル基がカルボニル基
に結合したものを指称する。

「ハロゲン」または「ハロ」とは、塩素、臭素、ふっ素
、または沃素を指称し、塩素が好ましい。

ｒ（ＣＨｚ）ＩｎＪおよびｒ（ＣＨｔ）ｎＪは、（ＣＨ
ｔ）ｆｆｌの場合ノルマル鎖に０〜５個の炭素、（ＣＨ
ｔ）ｎの場合ノルマル鎖に１〜４個の炭素を有する直鎖
または分枝鎖基を包含し、これ、らの基は１個もしくは
それ以上の低級アルキルまたはハロ置換基を有していて
もよい。（ＣＨｔ）ｌおよび（ＣＨＪｎの具体例と　Ｈ
３ （ＣＨＩ）３、（ＣＨＩ）い−ＣＨｔ−ＣＨ，−Ｃ−１
ＣＨ。

（ＣＨｔ）ｓ、　　−（Ｃ）Ｉり−ＣＨ。

　Ｈ３ ＣＨｏ 本発明化合物ＣＩ）にあって、巾が１．２または３、Ｒ
，’ｌＪ＜アルキル（たとえばメチル、ペンチル、フェ
ニルまたはフェニルアルキル）、Ｒ２がＨ，Ｒ３がビフ
ェニル、シクロアルキルまたはフェニルである化合物が
好ましい。

本発明の各種化合物は、以下に記載の手順に従って製造
することができる。

Ｒ２がＨである本発明化合物ＣＩ）の製造法は、以下の
通りである。

式： ％式％（） の酸をカップリング反応に付し、すなわち核酸〔Ａ〕を
活性化触媒（たとえば１−ヒドロキシベンゾトリアゾー
ル）およびカップリング剤〔たとえばＮ、Ｎ’−ジシク
ロへキシルカルボジイミド（ＤＣＣ））および有機塩基
（たとえばトリエチルアミン）の存在下、式： ％式％（） （式中、保護基はベンジル、テトラヒドロピラニル、メ
チルチオメチルまたはメトキシメチル）の〇−保護ヒド
ロキシルアミンと、ＣＢ）：（Ａ）のモル比が約ｌ：！
〜２．５：ｌの範囲内となるように約−１５〜＋２５℃
の温度で反応させて、式： ％式％（） のヒドロキサメートを形成する。次にこのヒドロキサメ
ート（ＩＩ）を塩基（たとえば水素化ナトリウム）およ
び不活性有機溶媒（たとえばトルエン）の存在下、式： ％式％（） （式中、ＨａＪｌはＩ、ＢｒまたはＣ１，、およびＲｌ
ａは最終生成物のＲ′が低級アルキル、アリール、シク
ロアルキル、アラルキル、または ある場合はＲ１と同じ） のハライドと、（Ｃ）＋（ＩＩ）のモル比が約ｌ：ｌ〜
３：１の範囲内となるように約５０〜１１０°Ｃの温度
で反応させ、式： ％式％ （［［） の化合物を形成する。

次に、保護基がベンジルである保護化合物（ＩＩＩ）を
水添分解および水素添加に付し、すなわち該化合物（Ｉ
ＩＩ）を水酸化パラジウム／炭素触媒の存在下、水素で
処理して式　： ％式％（） （式中、Ｒ１は（ＣＨＪｎ−ＣＯｔ　’アルキル、アル
キル、アリール、シクロアルキル、またはアラルキル、
Ｒ′はＨｌおよびＲ３はＣ，−Ｃ，。アルキルまたはア
リール−アルキル） の本発明化合物を形成する。なお、Ｒ１を（ＣＨｔ）ｎ
　　ＣＯＨとする場合、化合物（ＩＩＩ／）のエステル
基をジオキサンまたはメタノールなどの有機溶媒中、水
酸化リチウムなどの水酸化アルカリ金属で処理して脱離
することができる。

次に最終生成物のＲ１が −ＣＨｔ−Ｃ−Ｘ（こ：で、ＸはＯＨまたはアルコキシ
）（すなわち、ｎが１）である場合、保護化合物（ｎ）
を臭化アリル（ＢｒＣＨ２ＣＨ＝ＣＨｔ）と反応させて
、式： ％式％ ［） の中間体を形成し、これをオゾン、ジョーンズ（ｊｏｎ
ｅｓ）試薬（Ｈ，ＣｒＯ，／Ｈ，Ｓ０４／Ｈ，０）およ
びジアゾメタンで処理して、式： ％式％ ［） のエステルを形成する。次いでエステル（ＩＩ［ｂ）を
上述の水添分解に付し、式： ％式％ の本発明エステルを形成し、これを加水分解して対応す
る式： ％式％ Ｒ３がＣ５〜Ｃ，。アルケニルまたはアリール−アルケ
ニルおよび／または１１が低級アルケニルである化合物
の形成が望まれる場合には、化合物（Ｉ［［）またはＣ
ｌ１ｌｂ）を、Ｒ３基および／またはＲ１基の二重結合
を還元せずに酢酸で処理することにより、保護基（保護
基はテトラヒドロピラニルまたはメトキシメチルのいず
れか）を脱離することができる。別法として、保護基が
メチルチオメチルである場合、水性アセトン中Ｒ３基ま
たはＲ１基の二重結合を還元せずにＣｕＯＣｕＣ，Ｉｔ
で処理して該保護基を脱離してもよい。

Ｒ１が−（ＣＨｔ）ｎ−ＣＸ、　Ｘがアミノ、アルキル
アミノまたはジアルキルアミノ（ここで、ジアルキル基
の各アルキルは同一もしくは異なる）である本発明化合
物の製造が望まれる場合、ＲＩが （ＣＨ＊）ｎ　　ＣＯ・アルキルである化合物（Ｉ［［
）を上記ジオキサンなどの溶媒の存在下、水酸化リチウ
ムと反応させて加水分解し、対応する式：％式％） の酸とする。次いで酸（ＩＩ［Ａ）を活性化剤（たとえ
ばイソブチルクロロホルメート）、有機塩基（たとえば
トリエチルアミン）および不活性有機溶媒（たとえばア
セトニトリル）で処理し、Ｘがアミノの場合水酸化アン
モニウムと、またＸがアルキルアミノまたはジアルキル
アミノの場合適当なアルキルアミンまたはジアルキルア
ミンとそれぞれ反応Ｏ・保護基　　（Ｉ［ＩＢ） のアミドを形成する。

次いで保護基がベンジルである化合物（ＩＢ）を上述の
水添分解および水素添加に付し、式＝ＣＩｔ／Ａ） （式中、Ｒ３はアルキル、およびＸはアミノまたはアル
キルアミノ） の化合物を形成する。また保護基がテトラヒドロピラニ
ルである化合物ＣＩ［ＩＢ］は、これを酢酸で処理して
保護基を脱離し、Ｒ３がアルケニルである対応化合物を
形成する。

Ｒ’７！Ｉ（水素である本発明化合物ＣＩ）は、以下の
手順で製造することができる。すなわち、化合物（Ｉｆ
）の保護基をたとえば、保護基がテトラヒドロピラニル
である場合メタノールなどのアルコール性溶媒の存在下
ｐ−）ルエンスルホン酸ピリジニウムなどの酸触媒で処
理して脱離し、式：％式％（） （式中、Ｒ２は水素） の化合物〔■Ａ〕を形成する。化合物（ＩＩＡ）を上述
の如く還元して、Ｒ３がＣ３〜Ｃ１゜アルキルである対
応化合物を形成する。

Ｒ２がアルキルである化合物（ＩＩＡ）、すなわち化合
物（Ｖ）の製法を、以下に記載する。

Ｒ１がアルキル、Ｒ３がＣＩ−Ｃｔ。アルキルまたはア
リール−アルキルである本発明化合物（１）は、以下の
手順で製造することができる。すなわち酸（Ａ）を、使
用するヒドロキシルアミンカップリング試薬が式： ％式％） で示される以外は、上述のカップリング反応に付し、式
　： ％式％（） のヒドロキサメートを形成する。次いで、ヒドロキサメ
ート（Ｖ）を上述のハライド（Ｃ）と反応させ、式： ％式％（） の本発明化合物を形成する。

Ｒ３がＣ１〜Ｃ１゜アルケニルまたはアリール−アルキ
ルである場合、化合物（ＶＩ）を上述の如く還元してＲ
３がＣ５〜Ｃ，。アルキルである対応化合物を形成する
か、および／または化合物（Ｖｌ）を加水分解（ａｌが
−（ＣＨｔ）ｎ　　ＣＯ・アルキルして対応酸を形成す
ることができる。

またＲ２がＨである本発明化合物（１）は、以下の手順
によっても製造することができる。すなわち式： ％式％（） の酸をアルゴンなどの不活性雰囲気中、ベンゼン、エチ
ルエーテルまたはテトラヒドロフランなどの不活性有機
溶媒の存在下塩化オキサリルで処理して式： ％式％（） の対応する酸クロリドを形成し、これをテトラヒドロフ
ランなどの不活性有機溶媒の存在下、トリエチルアミン
などの有機塩基中で、式：のヒドロキシルアミンと反応
させて、式：Ｒ’　　（ＣＨｚ）ｍ　　Ｃ　　Ｎ　　Ｒ
’　　（ＩＩＡ）（１）Ｈ の本発明化合物を形成する。

Ｒ２がアルキルである本発明化合物（１）は、以下の手
順で化合物〔■Ａ〕から製造することができる。すなわ
ち、化合物（　ＨＡ）をテトラヒドロフランやジメチル
ホルムアミドなどの不活性有機溶媒の存在下、水素化ナ
トリウムなどの塩基およびアルキルハライド゛（Ｈａｉ
．−アルキル）で処理して、式： ％式％（） の本発明化合物を形成する。

また別法として、以下の手順で本発明化合物〔Ｉ〕を製
造することができる。すなわち、酸（Ａ）をイソブチル
クロロホルメートなどの活性化剤、トリエチルアミンな
どの有機塩基、およびアセトン、ジオキサン、ジメチル
ホルムアミドまたはアセトニトリルなどの不活性有機溶
媒の存在下、ジオキサンなどの不活性有機溶剤に溶解し
た、式：（式中、保護基はＣ　ｓ　Ｈ　ｓ　Ｃ　Ｈ　ｘ
、ＣＨ．ＳＣＨ，またはテトラヒドロピラニル、および
ＭはＬｉ．ＮａもしくはＫなどのアルカリ金属、または
Ｍはテトラブチルアンモニウム） のアミン塩と反応させるカブプリング反応に付す。

カップリング反応は、（（Ｘ）：（Ａ）のモル比が約１
：ｌ〜３：ｌの範囲内となるように約−１５〜＋２５℃
の温度で行い、式： ％式％（） の中間体酸を形成する。次いで酸〔χ〕を、たとえばジ
アゾメタンなどのジアゾアルカンとエーテル中で反応さ
せてエステル化を行い、式：％式％ のエステルを形成する。次にエステル（ＸＩ）を脱保護
操作に付す。すなわ゛ち、エステル（ＸＩ）を水性アセ
トン（保護基がＣ　Ｈ　ａ　Ｓ　Ｃ　Ｈ　２−の場合）
などの水性有機溶媒混合物中酸化第二銅および塩化第二
銅で処理するか、またはエステル（Ｘ［］を水酸化パラ
ジウム／炭素触媒（保護基がＣ　−　Ｈ　ｓ　−　Ｃ　
Ｈ　を−の場合）の存在下Ｈ，で処理して脱保護を行い
、次いで脱保護した化合物をジオキサン、メタノールま
たはアセトニトリルなどの不活性有機溶媒の存在下、水
酸化リチウムまたは他の塩基で直ちに処理して加水分解
し、式： の本発明酸化合物を形成する。

上記アミン塩〔ＩＸ〕は、以下の手順で式：％式％） のヒドロキシルアミンから製造することができる。

すなわち、ヒドロキシルアミンＣＧ）を２，６−ルチジ
ンおよび塩化メチレンの存在下、式：Ｈａ克（ＣＨｔ）
ｎ　　Ｃ、Ｈａ、Ｅ　　　　（Ｈ）の酸ハライドと反応
させて、式： ％式％） の化合物を形成する。次いで化合物（Ｊ）をベンゼンの
存在下、水素化ナトリウムなどの塩基と反応させて環化
し、式： の保護されたＮ−ヒドロキシラクタムを形成する。

保護基がＣ）（、ＳｅＨ２であるラクタムの製造にあっ
ては、保護基がベンジルであるラクタム（Ｋ）を水添分
解反応で脱保護することができる。すなわち、該ラクタ
ム（Ｋ）を水酸化パラジウム／炭素触媒および不活性有
機溶媒（エタノール、メタノールまたは酢酸エチルなど
）の存在下、水素で処理して式： のヒドロキシラクタムを形成する。ラクタム〔Ｘ■〕を
弱塩基（炭酸カリウムまたはトリエチルアミンなど）お
よび不活性有機溶媒（ジメチルホルムアミドなど）の存
在下、式： ％式％（） の保護用化合物で処理して、式： ０−ＣＨ，ＳＣＨ。

の保護された化合物を形成することができる。次に化合
物（Ｋ）または（ＸＷ）のいずれかをジオキサンの存在
下、水酸化リチウム、水酸化ナトリウムまたは水酸化カ
リウムなどの塩基で処理して加水分解を行い、出発アミ
ン塩〔１ｘ〕を形成する。

出発酸化合物（Ａ）は、市販の化合物である。

本発明化合物はへ５−リポキシゲナーゼ抑制剤であって
、大食細胞のロイコトリエン（ｌｅｕｋｏｊｒｉ　−ｅ
ｎｅ）　Ｃ４形成を妨げる（サムエルソン、Ｂ、、５ｃ
ｉｅｎｃｅ、Ｖｏｌ、　　２２０，５６８〜５７５頁、
１９８３年）。本発明化合物をヒトあるいは動物に対し
て投与することにより、レアギンまたは非レアギン性の
アレルギーが治療される。喘息を治療することが好まし
いが、過敏症の薬理作用伝達物質としてロイコトリエン
類が必要と思われるアレルギーのいずれにも治療するこ
とができる。たとえば、アレルギー鼻炎、食物用アレル
ギーおよびじん麻疹並びに喘息といった症状の治療に、
本発明化合物を用いることができる。治療には、有効で
かつ実質上非毒性量の本発明化合物を用いる。

本発明化合物は、上記疾患を受けやすい公知の哺乳動物
に対し、１日当たり１回または２〜４回に分割して約１
−１００ｍ９／に９、好ましくは約１〜５０　ｘｖ／　
ｋｙ、特に好ましくは約２〜２５　ｘｙ／　ｋｇの投与
範囲内の有効量で経口または非経口的に投与することが
できる。

活性物質は錠剤、カプセル剤、溶液剤または懸濁液剤な
どの製剤中に使・用することができ、本発明化合物（１
）の１種または混合物を単位用量当り約５〜５００ＪＩ
Ｉｇを含有する。これらは、通常の医薬慣行で要求され
る生理学的に許容しうるビヒクルまたは担体、賦形剤、
結合剤、保存剤、安定剤、芳香剤等と共に常法に従って
調剤することができる。また上述の如く、本発明化合物
の特定化合物は、他の化合物の中間体としても役立つ。

次に挙げる実施例は、本発明の好ましい具体例である。

他に特別な指示がなければ、全ての温度は℃で示す。Ｔ
ＬＣプレートは、５％燐モリブデン酸／エタノールを用
いスプレーおよび加熱して可視化する。Ｉ（Ｐ−２０と
は、高多孔質のジビニルベンゼンーポリスチレンボリマ
ー樹脂を指称する。

実施例１ Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−メチル（１，１’−ビフェニルイ
ル〕−４−アセタミドの製造ニー１０３１１２の乾燥ベ
ンゼン中の１．１’−ビフェニルメチルカルボン酸（１
，０ｇ、４．７ミリモル）の攪拌溶液にアルゴン下、塩
化オキサリル（０，４１Ｊ１１２゜２．０当量）を加え
る。この溶液に、ガスが発生しなくなり、溶液が少し濁
るまでジメチルホルムアミドを１０分間隔で滴下する（
２滴）。混合物を１時間攪拌し、ロートパップ（ｒｏｔ
ｏｖａｐ、回転蒸発器）にて加熱せずに減量する。粗生
成物を５１Ｉ２のテトラヒドロフランで希釈し、これを
トリエチルアミン（１，９３村、３，０当量）と共に、
２０ｘ（ＪのＴＨＦ／Ｈ，Ｏ（１：１）中のＮ−メチル
ヒドロキシルアミン塩酸塩（７８５ｏ、２当量）の０℃
溶液に滴下する。溶液を０℃で０．５時間攪拌し、次い
で室温まで加温せしめ、−夜攪拌する。反応混合物をＥ
ＬＯＡｃ”’Ｑ希釈し、有機層をＨｔＯｌＩＮ−ＨＣ（
２（２回）および塩水で洗い、次いで無水ＭｇＳＯ４上
で乾燥する。減圧濃縮してオフホワイト固体を得、これ
を温ヘキサン／ＥＬＯＡｃより再結晶して、標記生成物
を黄色固体で得る（８３６Ｒｇ、７４％）。

ＴＬＣ（ヘキサン／ＥｔＯＡＣ＝　１　：１）、Ｒｒ＝
０．１１（ＵＶ＋ＰＭＡ、可視化）。生成物は基線に縞
。

元素分析（Ｃ＋ｓＨ１５Ｎ　Ｏｔとして）計算値：Ｃ７
４，６７、Ｈ６，２７、Ｈ５，８１実測値：Ｃ７４，６
２、Ｈ６，２８、Ｈ５，６８ａ＋、ｐ、　　・１３２〜
１３４℃ 実施例２ Ｎ−（１，１−ジメチルエチル）−Ｎ−ヒドロキシ（１
，１’−ビフェニルイル〕−４−アセタミドの製造ニー １０ｙ１２の乾燥ベンゼン中の１．ｌ゛−ビフェニルメ
チルカルボン酸（５００ｍｇ、２．３６ミリモル）の攪
拌溶液にアルゴン下、塩化オキサリル（０，２３ｚＱ、
２．０当量）を加える。この溶液に、ガスが発生しなく
なり、溶液が少し濁るまでジメチルホルムアミドを１０
分間隔で滴下する（２滴）。混合物を１時間攪拌し、次
いでロートパップにて加熱せずに減量する。粗生成物（
白色固体）を５ｄのテトラヒドロフランに溶解し、これ
をトリエチルアミン（１，０蛙、３．０当量）と共に、
２０！ＱのＴＨＦ／Ｈ，Ｏ（１：１）中のＮ−ｔ−ブチ
ルヒドロキシルアミン塩酸塩（５９３Ｑ、２当量）の０
℃溶液に滴下する。溶液を０℃で１時間攪拌し、次いで
室温まで加温せしめ、−夜攪拌する。反応混合物をＥｔ
ＯＡｃで希釈し、有機層をＨ，０１ＩＮ−ＨＣ（１（２
回）および塩水で洗い、次いで無水ＭｇＳＯ４上で乾燥
する。減圧濃縮して油状物を得、これを静置すると結晶
が生成する。この固体を温ヘキサン／　Ｅ　ｔ　ＯＡ　
ｃより再結晶して、標記生成物を長黄色針状結晶で得る
（６９ｘｇ、１０％）。ＴＬＣ（ヘキサン／ＥｔＯＡｃ
＝ｌ：１）、Ｒｆ＝０．４０（ＵＶ＋ＣｅＭｏ）。生成
物は基線に縞。

元素分析（Ｃ，Ｈ，、ＮＯ，とじて） 計算値：Ｃ７Ｂ、３０．Ｈ７，４７、Ｈ４，９４実測値
：Ｃ７６，４３、Ｈ７，６３、Ｈ４，８１ｍ、Ｉ）、　
　１３３〜１３５℃ 実施例３ Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−フェニルベンゼンブタナミドの製
造ニー １０１（２の乾燥ベンゼン中の３−フェニルプロピルカ
ルボン酸（５００ｏ、３，１ｉＱモル）の攪拌溶液にア
ルゴン下、塩化オキサリル（０，３（ｌｊ１１２．１．
１当量）を加える。この溶液に、ガスが発生しなくなり
、溶液が少し濁るまでジメチルホルムアミドを滴下する
（２滴）。混合物を１時間攪拌し、次いでロートパップ
にて加熱せずに減量する。粗生成物を５ｘＱのテトラヒ
ドロフランで希釈し、これをトリエチルアミン（０，８
５ｉＱ、２．０当量）と共に、２０酎のＴＨＦ／Ｈ１Ｏ
（１：ｌ）中のＮ−フェニルヒドロキシルアミン（６６
６ｍも２当量）の０℃溶液に滴下する。溶液を０℃で１
時間攪拌し、次いで室温まで加温せしめ、−夜攪拌する
。反応混合物をＥｔＯＡｃで希釈し、有機層を８．０、
ｌＮ−ＨＣｌ２（２回）および塩水で洗い、無水Ｍｇ５
Ｏ。

上で乾燥する。減圧濃縮して白色固体を得、これを温ヘ
キサン／　Ｅ　ｔ　ＯＡ　ｃより再結晶して、標記生成
物を艶のない金色結晶固体で得る（４５１３Ｆ９．５８
％）。ＴＬＣ（ヘキサ７／ＥｔＯＡｃ＝　１　：１）。

Ｒｆ＝０．４７（ＵＶ＋ＣｅＭｏ）。

元素分析（ＣＩＩＩＨＩＮＮ　Ｏｔとして）計算値：Ｃ
７５，２７、Ｈ６，７１，Ｈ５，４９実測値：Ｃ７５，
５５、Ｈ６，７１、Ｈ５，３０ｏ＋、ｐ、　　９０〜９
１．５℃ 実施例４ Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−（フェニルメチル）シクロヘキサ
ンアセタミドの製造；− Ａ、０−テトラヒドロビラン−２−イルヒドロキシルア
ミン（Ｈ，Ｎ−０ＴＨＰ） 乾燥ＣＨｔ　Ｃム（７０ｆｆｉ（２）およびジオキサン
（８ＯｘＱ）にＮ−ヒドロキシフタルイミド（ｉ　ｏ、
ｏ９．６１．４ｍＭ）を緩やかに加熱しながら溶解し、
次いでジヒドロビラン（６，１６村、６７．６ｍＭ、１
．１当量）およびｐ−）ルエンスルホン酸モノ水和物（
２００１９，２重量％）を加え、混合物をアルゴン下室
温で２時間攪拌する。次いで混合物を飽和ＮａＨＣＯｓ
（２回）および塩水で連続して洗い、無水ＮａｔＳＯ４
上で乾燥し、蒸発して白色固体とする。

固体をヘキサンでトリチュレートし、濾過して１３．４
３９（８９％）の０−テトラヒドロビラニルヒドロキシ
フクルイミドを白色固体で得る。ｍ、ｐ、　１２３〜ｔ
２５℃。ＮＭＲ（６０ＭＨｚｌＣＤ　Ｃｌ２３）スペク
トルデータに一致。Ｔｔ、Ｃ（ＥｔＯＡｃ／ヘキサン＝
ｌ：１）。Ｒｆ＝０．７５（ＵＶ＋ＰＭＡ）。

乾燥ベンゼン（３０１１２）中の０−Ｔ）（Ｆ’ヒドロ
キシフタルイミド（１３，０９，５２，６ｍＭ）の攪拌
溶液に、メチルヒドラジン（２，８２１１２，５３，０
１１１Ｍ）を加え、混合物をアルゴン下８０℃で１５分
間加熱する。混合物を５０ｘＱ容量に濃縮し、次いで減
圧蒸留して５．４６９（８９％）の所望のＴＨＰ−ヒド
ロキシルアミンを透明無色油状物で得る。ｂ、ｐ。

７０℃（１０ｍｍＨｇ）。

注）この化合物は、アルゴン下冷凍器中で冷却すると晶
出する。

ＴＬＣ（ＥｔＯＡｃ／ヘキサン＝１：１）、Ｒｆ＝０゜
３１（ＵＶ＋ＰＭＡ）。

Ｂ、Ｎ−（テトラヒドロピラン−２−イルオキシ）シク
ロヘキサンアセタミド ４０ｘ（２のＣＨ，ＣＮｌ中のシクロヘキサンメチルカ
ルボン酸（１，０ｇ、７．０ミリモル）の０℃溶液にア
ルゴン下、０−テトラヒドロビラン−２−イルヒドロキ
シルアミン（１，６４ｇ、２，０当量）、ｌ−ヒドロキ
シベンゾトリアゾール（１，１４ｇ、１．２当量）　、
Ｎ、Ｎ−ジシクロへキシルカルボジイミド（１，７３９
，１，２当量）を連続して加える。

０℃で０，５時間後、溶液を室温まで加温せしめ、アル
ゴン下で６時間攪拌する。溶液を濾過し、減圧濃縮して
白色固体を得、これをＬＰＳ−１シリカゲルにてクロマ
トグラフィーに付し、ヘキサン／ＥｔＯＡｃ（１：ｌ）
で溶離する。生成物含有画分を蒸発し、ヘキサンでトリ
チュレートして標記化合物を白色固体で得る（１．０５
９．６２％）。

Ｃ，Ｎ−（フェニルメチル）−Ｎ−（テトラヒドロビラ
ン−２−イルオキシ）シクロヘキサンアセタミド アルゴン下１０１１２の乾燥トルエン中の上記Ｂ化合物
（５００ｘｇ、２．１ミリモル）の攪拌溶液に、ＮａＨ
（１，１当量、５５ｉｙ）を加える。混合物を３０分攪
拌し、次いで臭化ベンジル（０，７４ｉ（２，３，０当
量）を加える。混合物を加熱還流し、２時間攪拌する。

反応液を冷却し、ＥｔｏＡｃで希釈し、５％ＫＩＳＯ，
上に分配する。有機層を塩水で洗い、無水Ｍｇ５Ｏ，上
で乾燥し、蒸発して黄色油状物を得、これをＬＰＳ−１
シリカゲルにてクロマトグラフィーに付し、ヘキサン／
ＥｔＯＡｃ（９：ｌ）で溶離する。生成物含有画分を蒸
発して、標記化合物を淡黄色油状物で得る（５６０ｙｇ
、８２％）。ＴＬＣ（ヘキサン／ＥｔＯＡｃ＝９：Ｉ）
、Ｒ４＝０．１９（ＵＶ＋ＣｅＭｏ）。

Ｄ、Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−（フェニルメチル）シクロヘ
キサンアセタミド １ＯｊＩＱのＣＨ３ＯＨ中の上記Ｃ化合物（５６０１９
，１，７ミリモル）の攪拌溶液にアルゴン下、ｐ−トル
エンスルホン酸ピリジニウム（５１ｏｎ、１．２当量）
を加える。溶液をオイルバスで６０℃に２４時間加熱す
る。溶液をＥｔＯＡｃで希釈し、１ＯｘＱの塩水で洗い
、ｌ０ｘＱの水で希釈する。有機層を塩水（１０ｍ１２
）で洗い、無水Ｍｇ５Ｏ，上で乾燥し、減圧減量してオ
フホワイト固体を得、これをヘキサン／ＥｔＯＡｃより
再結晶して、標記生成物を白色固体で得る（３８０１ｇ
、９１％）。ｍ、ｐ、　８３〜８５℃。ＴＬＣ（ヘキサ
７／ＥｔＯＡｃ＝　１　：１）、Ｒ４＝０．４５（ＵＶ
＋ＣｅＭｏ）。

元素分析（ＣＩｓ　Ｈ！　Ｉ　Ｎ　Ｏｔ・０．ＩＨＩＯ
として）計算値：Ｃ７２，２Ｂ、Ｈ８，５７、Ｈ５，６
２実測値：Ｃ７２，２８、Ｈ８，４９、Ｈ５，５１ｓ、
ｐ、　　８３〜８５．５℃ 実施例５ Ｎ−ヒドロキシ−ｎ−（フェニルメチル）ベンゼンブタ
ナミドの製造ニー Ａ、Ｎ−（テトラヒドロピラン−２−イルオキシ）ベン
ゼンブタナミド ４０１１２のＣＨｔ　Ｃ１２を中の３−フェニルプロピ
ルカルボン酸（１，０９，６，１ミリモル）の０℃溶液
にアルゴン下、ＨｙＮ　　０ＴＨＰ（１，４３ｍ９．２
゜０当量）、ｌ−ヒドロキシベンゾトリアゾール（９８
７Ｍｇ、１．２当量）、Ｎ、Ｎ’−ジシクロへキシルカ
ルボジイミド（１，５１９，１，２当量）を連続して加
える。０℃で０゜５時間後、溶液を室温まで加温せしめ
、アルゴン下４時間攪拌する。溶液を濾過し、減圧濃縮
して標記化合物を白色固体で得る（１．１３９．７１％
）。

Ｂ、Ｎ−（フェニルメチル）−Ｎ−（テトラヒドロピラ
ン−２−イルオキシ）ベンゼンブタナミドアルゴン下Ｉ
Ｏ蛙の乾燥トルエン中の上記Ａ化合物（５２０１９，１
９７ミリモル）の攪拌溶液に、ＮａＨ（１，１当量、５
２ｕ）を加える。混合物を３０分攪拌し、次いで臭化ベ
ンジル（０，７１ｍ１２．３．０当量）を加える。混合
物を加熱還流し、２時間攪拌する。反応液を冷却し、Ｅ
ｔＯＡｃで希釈し、５％ＫＩＳＯ，上に分配する。有機
層を塩水で洗い、無水Ｎａ、ＳＯ，上で乾燥し、蒸発し
て黄色油状物を得、これをＬＰＳ−１シリカゲルにてク
ロマトグラフィーに付し、ヘキサン／ＥｔＯＡＣ（４：
ｌ）で溶離する。生成物含有画分を蒸発して、標記化合
物を淡黄色油状物で得る（５５０ｉｙ、７９％）。

ＴＬＣ（ヘキサ７／ＥｔＯＡｃ＝９：１）、Ｒ４＝０．
１２（ＵＶ＋ＰＭＡ）。

Ｃ，Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−（フェニルメチル）ベンゼン
ブタナミド １０１１２のＣＨｓｏＨ中の上記Ｂ化合物（５５０ｍ９
．１．５５ミリモル）の攪拌溶液にアルゴン下、ｐ−ト
ルエンスルホン酸ピリジニウム（３９１ｘｖ、１．０当
量）を加える。溶液をオイルバスで６０℃に４８時間加
熱する。溶液をＥｔＯＡｃで希釈し、Ｌ（ｌｙＱの塩水
で洗い、１０１（２の水で希釈する。有機層を塩水（１
０ｊｌ＆）で洗い、無水Ｍｇ５Ｏ，上で乾燥し、減圧減
量してオフホワイト固体を得、これをヘキサン／ＥｔＯ
Ａｃより再結晶して標記生成物を白色固体で得る（３２
０１ｇ、８７％）。ｍ、ｐ、７２〜７４℃。ＴＬＣ（ヘ
キサン／ＥｔＯＡｃ＝　１　＋１）、Ｒ４＝０．３８（
ＵＶ＋ＣｅＭｏ）。生成物は基線に縞。

元素分析（ＣＩ　？　ＨＩｓ　Ｎ　Ｏｔ・０．１１Ｈ！
Ｏとして）計算値：Ｃ７５，２３、Ｈ７，１４、Ｈ５，
Ｉ　６実測値：Ｃ７５，２３、Ｈ７，ｌ　１．Ｈ５，２
０ｍ、ｐ、　　７２〜７３．５℃ 実施例６ Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−ペンチルベンゼンブタナミドの製
造ニー Ａ、Ｎ−（テトラヒドロピラン−２−イルオキシ）ベン
ゼンブタナミド ２０ｍＱのＣＨｔ　ＣＱ　ｘ中の３−フェニルプロピル
カルボン酸（１，０ｇ、６．１ミリモル）の０℃溶液に
アルゴン下、Ｈ，Ｎ−０ＴＨＰ（１，４３９，２，０当
量）、■−ヒドロキシベンゾトリアゾール（９８７ｍｇ
、１．２当量）、Ｎ　、　Ｎ　’−−ジシクロへキシル
カルボジイミド（１，５１ｇ、１．２当量）を連続して
加える。溶液を室温まで加温せしめ、アルゴン下４時間
攪拌する。溶液を濾過し、減圧濃縮し、ＥｔＯＡｃで希
釈し、再度濾過する。減圧濃縮して金色油状物を得、こ
れをＬＰＳ−１シリカゲルにてクロマトグラフィーに付
し、ヘキサン／ＥｔＯＡｃ（１：１）で溶離する。生成
物含有画分を減圧濃縮して白色固体とし、これをヘキサ
ン（２回）でトリチュレートして標記化合物を得る（１
．１３ｇ、７１％）。

Ｂ、Ｎ−ペンチルーＮ−（テトラヒドロピラン−２−イ
ルオキシ）ベンゼンブタナミドアルゴン下１５ｘｆｆの
乾燥トルエン中の上記Ａ化合物（６１０ｕｇ、２．３ミ
リモル）の攪拌溶液に、ＮａＨ（１，１当量、６１Ｒ９
）を加える。混合物を３０分攪拌し、次いで臭化ペンチ
ル（０，８６１＆１３．０当量）を加える。混合物を加
熱還流し、−夜攪拌する。反応液を冷却し、ＥｔＯＡｃ
で希釈し、５％ＫＩＳＯ，上に分配する。有機層を塩水
で洗い、無水ＭｇＳＯ４上で乾燥し、蒸発して黄色油状
物を得、これをＬＰＳ−１シリカゲルにてクロマトグラ
フィーに付し、ヘキサン／ＥｔＯＡｃ（８：２）で溶離
する。生成物含有画分を蒸発して、標記化合物を油状物
で得る（４８０ｕ）。ＴＬＣ（ヘキサン／ＥｔＯＡｃ＝
１　：ｌ）、Ｒｆ＝０．５５（ＵＶ＋ＰＭＡ）。

Ｃ，Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−ペンチルベンゼンブタナミド １５　ｘＱ（１）　ＣＨｚ　ＯＨ中の上記Ｂ化合物（４
８ｏＲ９，１，４４ミリモル）の攪拌溶液にアルゴン下
、ｐ−トルエンスルホン酸ピリジニウム（４４４ｍｙ、
１．０当量）を加える。溶液をオイルバスで６０℃に一
夜加熱する。溶液をＥｔＯＡｃで希釈し、１０１１２の
塩水で洗い、１０ｘＱの水で希釈する。有機層を塩水（
１０ｘ（２）で洗い、無水ＮａｔＳＯ４上で乾燥し、減
圧減量して油状物を得、これをＬＰＳ−１シリカゲルに
てクロマトグラフィーに付し、ヘキサン、／ＥｔＯＡｃ
（１：ｌ）で溶離する。生成物含有画分を蒸発して、標
記生成物を得る（３６０ｍ９、〜１００％）。ＴＬＣ（
ヘキサン／ＥｔＯＡｃ＝　１　：１）。

Ｒｆ＝０．２９（ＵＶ＋ＰＭＡ）。生成物は基線に縞。

元素分析（Ｃ，、Ｈ１３ＮＯ！−０，２２Ｈ，Ｏとして
）計算値：Ｃ７１，１０、Ｈ９，３２、Ｎ５．５３実測
値：Ｃ７１，ＩＱ、Ｈ９，ｌ　１．Ｎ５．２０実施例７ Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−メチルデカンアミドの製造ニー Ａ、Ｎ−ベンジルオキシ−１−デセニルアミド乾燥ＣＨ
ｔ　Ｃ（ｂ中の！−デセニルカルボン酸（２゜００ｇ、
１１．６４ｍＭ）の攪拌溶液に、！−ヒドロキシベンゾ
トリアゾール（１，８９９，１３，９７ｍＭ。

１．２当量）およびＮ、Ｎ’−ジシクロへキシルカルボ
ジイミド（２，８８９、ｌ　３．９７ａ＋Ｍ、　　１．
２当量）を加える。アルゴン下室温で１時間後、０−ベ
ンジルヒドロキシルアミン塩酸塩＜４，６４９．２９．
１ｍＭ、２．５当量）およびＥｔｓＮ（４、０６ｘＱ−
２９。

１１１Ｍ、　２．５当量）を加え、混合物を更に２時間
攪拌する。粗混合物を濾過（２回）し、蒸発し、酢酸エ
チルに溶かし、再度濾過し、次いで５％ＫＨ８ｏい飽和
Ｎ　ａ　ＨＣＯｓ　、および塩水で連続して洗う。減圧
濃縮して固体を得、これを−Ｌ　Ｐ　Ｓ　−１シリカゲ
ルにてフラッシュクロマトグラフィーに付し、ヘキサン
／ＥｔＯＡｃ（９：１）で溶離する。

生成物含有画分を減圧蟲縮して白色固体とし、これを酢
酸エチル／ヘキサンより１回再結晶して所望の標記生成
物を得る。

Ｂ、Ｎ−ベンジルオキシ−Ｎ−メチル−１−デセニルア
ミド 乾燥トルエン（５収）中の上記Ａベンジルヒドロキサメ
ート（４９６ｍｇ、１．８０ｍＭ）の溶液に、予め洗っ
たＮａＨ（４５ｘｙ、１．８０ｍＭ）を加え、混合物を
アルゴン下室温で２０分攪拌する。過剰の沃化メチル（
０，３１３ｍ（１，４，９２ｍＭ、３当量）を加え、混
合物を５時間還流し、次いで冷却し、５％ＫＨＳＯ，と
酢酸エチル間に分配する。有機層を塩水で洗い、無水Ｎ
ａｔＳＯ４上で乾燥し、蒸発して黄色油状物とし、これ
をワットマン（Ｗｈａｔｍａｎ）Ｌ　Ｐ　Ｓ　−１シリ
カゲルにてクロマトグラフィーに付し、石油エーテル／
エーテル（３：２）で溶離する。生成物含有画分を蒸発
して標記Ｎ−メチル化生成物を得る。

Ｃ，Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−メチルデカンアミドＣＨ，０
Ｈ（ｌ　０ｚ１２）中の上記ＢのＮ−メチルヒドロキサ
メート（６００１９）の溶液にアルゴンを５分間吹込ん
だ後、２０％水酸化パラジウム／炭素（１００ｍｇ、１
５重量％）を加え、Ｈ！下で２時間攪拌する。次いで混
合物をセライト（Ｃｅｌｉｔｅ）で濾過し、蒸発し、Ｅ
ｔＯＡｃに溶かし、小プラグのワットマンＬＰＧ−１シ
リカゲルで濾過し、蒸発してオフホワイト結晶固体とす
る。ＥｔＯＡｃ／ヘキサンより再結晶して、所望の標記
生成物を得る。

実施例８ ４−（（１−デセニルカルボニル）ヒドロキシアミノコ
ブタン酸の製造二一 Ａ、Ｎ−（テトラヒドロピラン−２−イルオキシ）−１
−デセニルアミド 乾燥ＣＨ＊ＣＱ＊Ｃ１５ＲＱ　’）中の１−デセニルカ
ルボン酸（０，６６ｇ、３．８４ｍＭ）の溶液に、１−
ヒドロキシベンゾトリアゾール（６２３１９，４，６１
ｍＭ５１．２当量）およびＤＣＣ（９５１１９，４，６
１ｍＭ、１．１当量）を加え、混合物をアルゴン下室温
で１時間攪拌する。０−ＴＨＰ−ヒドロキシルアミン（
９００ｊ１９．７．６８１１ＩＭ、２当量）を加え、混
合物を室温で３時間攪拌する。混合物を濾過し、蒸発し
、酢酸エチルに溶かし、再度濾過し、蒸発し、ワットマ
ンＬＰＳ−１シリカゲルにてクロマトグラフィーに付し
、ヘキサン／ＥｔＯＡｃ（８：２）で溶離する。生成物
含有画分を蒸発して、標記カップリング生成物を得る。

８．４−（（１−デセニルカルボニル）テトラヒドロピ
ラン−２−イルオキシアミノコブタン酸エチルエステル 乾燥トルエン（１０３１１２）中の上記ＡのＴＨＰ−ヒ
ドロキサム酸）（６２２Ｒ９，２，４２ｏＭ）の溶液に
、予め洗ったＮａＨＣ７０ｙ９．２．９ｍＭ、１．２当
量）を加え、混合物をアルゴン下室温で１５分攪拌する
。エチル−４−ヨードブチレート　（１，７Ｂ９．７．
２６ｍＭ、３当１ｉ）を加え、混合物を一夜還流する。

混合物を５％ＫＨＳＯ４とＥＬＯＡｃ間に分配し、有機
層を塩水で洗い、無水Ｎａ、ＳＯ，上で乾燥し、蒸発し
て油状物とする。粗油状物を中和アルミナ（活性度＝１
）に通し、ヘキサン／アセトン（８：２）で溶離しなが
ら残留出発物質を除去する。生成物画分を蒸発し、次い
でワットマンＬＰＳ−ｔシリカゲルにてクロマトグラフ
ィーに付し、ヘキサ′／、／アセトン（９５：５）で溶
離する。生成物画分を蒸発して、所望の標記Ｎ−アルキ
ル化生成物を得る。

ｃ、４−（（１−デセニルカルボニル）ヒドロキシアミ
ノコブタン酸エチルエステル ＨＯＡ　ｃ　／　Ｔ　ＨＦ　／　Ｈｔ　Ｏ（３：　２　
：　２．６ｇＩＱ）中の上記Ｂの０−ＴＨＰヒドロキサ
メート（８１６ｍｇ、２．２０ｍＭ）の攪拌混合物を、
アルゴン下５５℃で一夜加熱する。次いで混合物を飽和
Ｎ　ａＨＣＯ。

とＥｔＯＡｃ間に注意して分配し、有機層を塩水で洗い
、無水Ｎａ、ＳＯ，上で乾燥し、蒸発して所望の標記ヒ
ドロキサム酸を得る。

Ｄ、４−（（１−デセニルカルボニル）ヒドロキシアミ
ノコブタン酸 ジオキサン（１０，ｗ１２）中の上記Ｃ粗エチルエステ
ル（８７９Ｂ）の溶液に、１．０Ｎ−ＬｉＯＨ溶液（４
、４１１２）を加え、混合物をアルゴン下室温で１．５
時間攪拌する。次いで混合物を５％ＫＨ９Ｏ，とＥｔＯ
Ａｃ間に分配し、有機層を塩水で洗い、無水Ｎａ、ＳＯ
，上で乾燥し、蒸発して固体とする。ＥｔＯＡｃ／ヘキ
サンより１回再結晶して、所望のヒドロキサム酸を得る
。

実施例９ ４−〔（デシルカルボニル）ヒドロキシアミノコブタン
酸エチルエステルの製造ニー 無水ＥｔＯＨ（１５ｍ１２）中の実施例８Ｃのヒドロキ
サメート（３５７１Ｎｇ、１ｍＭ）の溶液にアルゴンを
５分間吹込んだ後、２０％水酸化パラジウム／炭素（５
９ｆｆ９）を加え、混合物をパール（Ｐａｒｒ）装置に
てＨ１下で７時間振盪する。混合物を層状プラグのセラ
イトおよびワットマンＬＰＳ−１シリカゲルで濾過し、
蒸発して所望の標記ヒドロキサム酸を得る。

実施例１０ ４−　（（２−デシルカルボニル）ヒドロキシアミノコ
ブタン酸ジリチウム塩の製造ニー ジオキサン（４ｍ９）中の実施例９のメチルエステル（
３５７ｏ、１ｎＭ）の攪拌溶液に、１．０Ｎ−Ｉ。

ｉ０Ｈ溶液（２，６ｚＱ、２．６ｍＭ）を加え、混合物
をアルゴン下３時間攪拌する。混合物をＨ，Ｏで希釈し
、エーテルで抽出（非極性不純物を除去）し、水性層を
１．０Ｎ−ＨＣ（ＩでｐＨ２１，：酸性化し、次いで酢
酸エチルで再抽出する。有機層を塩水で洗い、無水Ｎａ
、Ｓｏ、上で乾燥し、蒸発して油状物とする。

粗油状物を１．０Ｎ−ＬｉＯＨ（３１２）に溶解し、Ｈ
Ｐ−２０にてクロマトグラフィーに付し、純Ｈ，０→Ｈ
２Ｏ／ＣＨ３０Ｎ（５０：５０）の勾配で溶離する。生
成物含有画分をコンバインし、凍結乾燥して所望の標記
生成物を得る。

実施例ｌＩ ４−〔（デシルカルボニル）ヒドロキシアミノコブタン
酸エチルエステルの製造ニー Ａ、４−（（（１−デセニル）カルボニル〕ベンジルオ
キシアミノ〕ブタン酸エチルエステル乾燥トルエン（１
４ｊＩ（２）中の実施例７Ａで製造したヒドロキサメー
ト（２，００９，６，８４ａ＋Ｍ）の溶液に、予め洗っ
た水素化ナトリウム（１８８ｍ９．７．５２ｍＭ、１．
１当量）を加え、混合物をアルゴン下室温で１５分間攪
拌する。次いでエチル−４−ヨードブチレート　（３，
３１９，１３，６８ｍＭ。

２．０当量）を加え、混合物を一夜還流する。粗混合物
を冷却し、５％ＫＨ９Ｏ，とＥｔＯＡｃ間に分配し、有
機層を塩水で洗い、無水ＮａｔＳＯ，上で乾燥し、蒸発
して油状物とする。油状物をＣＨ。

Ｃ（ｈに溶解し、ワットマンＬＰＳ−１シリカゲルにて
フラッシュクロマトグラフィーに付し、石油エーテル／
エーテル（３：２）で溶離する。生成物含有画分を蒸発
して、所望の標記アルキル化生成物を得る。

８．４−（（デシルカルボニル）ヒドロキシアミノコブ
タン酸エチルエステル 無水エタノール（１０ｍＱ）中の上記Ａヒドロキサメー
ト（４０７ｇｇ、１ｍＭ）の溶液にアルゴンを５分間吹
込んだ後、２０％水酸化パラジウム／炭素（５８ｏ）を
加え、Ｈ１下で４時間攪拌する。次いで混合物をＬＰＳ
−１シリカゲルにて層状プラグのセライトで濾過し、蒸
留して固体とし、ＥｔＯＡｃ／ヘキサンより再結晶して
、所望の標記ヒドロキサム酸を得る。

実施例１２ ４−（（（１−デセニル）カルボニル〕メトキシアミノ
〕ブタン酸ジシクロヘキシルアミン塩（ｌ：１）の製造
ニー Ａ、Ｎ−メトキシ−１−デセニルアミド乾燥ＣＨｔＣＣ
ｔ（２０ｗＱ）中の１−デセニルカルボン酸（１，３２
９，７，６８＠Ｍ）の溶液に、ｌ−ヒドロキシベンゾト
リアゾール（＋　、２５９．９．２２ｍＭ、１．２当量
）およびＮ、Ｎ’−ジシクロヘキシルカルボジイミド（
１，９０９，９，２２ｍＭ、１．２当量）を加え、混合
物を室温で１時間攪拌する。

メトキシアミン塩酸塩（１，２８ｇ、１５．３６ｍＭ。

２当量）およびトリエチルアミン（２，１４ｍ１２，１
５゜３６ａ＋Ｍ、２当量）を加え、混合物を室温で３時
間攪拌し、次いで濾過し、蒸発し、酢酸エチルに溶かし
、再度濾過する。有機層を５％ＫＩＳＯ，、飽和Ｎ　ａ
　ＨＣＯｓおよび塩水で連続して洗い、次いで無水Ｎａ
、ＳＯ２上で乾燥し、蒸発して油状物とする。粗油状物
をＬＰＳ−１シリカゲルにてフラッシュクロマトグラフ
ィーに付し、ヘキサン／酢酸エチル（７：３）で溶離す
る。生成物含有画分を蒸発して、所望の標記生成物を得
る。

Ｂ、４−（（（１−デセニル）カルボニル〕メトキシア
ミノ〕ブタン酸エチルエステル 乾燥トルエン（６酎）中の上記Ａメチルヒドロキサメー
ト（３２８ｏ、１．５２ｍＭ）の溶液に、予め洗ったＮ
ａＨＣ３８ｘｇ、１．５２ｍＭ）を加え、混合物を室温
で２０分攪拌する。エチル−４−ヨードブチレート（６
６８１９，２，７６ｍＭ）を加え、混合物をアルゴン下
−夜還流する。混合物を冷却し、５％ＫＨ９Ｏ，と酢酸
エチル間に分配し、有機層を塩水で洗い、無水Ｎａ、Ｓ
ｏ、上で乾燥し、蒸発して油状物とする。粗油状物をＬ
ＰＳ−１シリカゲルにてフラッシュクロマトグラフィー
に付し、石油エーテル／Ｅｔ、Ｏ（３：２）で溶離する
。生成物含有画分を蒸発して、所望の標記Ｎ−アルキル
化生成物を得る。

Ｃ，４−（（（１−デセニル）カルボニル〕メトキシア
ミノ〕ブタン酸 ジオキサン（１０＋Ｑ）中の上記Ｂエチルエステル（６
６０１２ｇ、２ｍＭ）の溶液に、１．０Ｎ−ＬｉＯＨ（
２，２０３１１２）を加え、混合物をアルゴン下室温で
２時間攪拌する。次いで混合物を５％ＫＨＳＯ４と酢酸
エチル間に分配し、有機層を塩水で洗い、無水Ｎａ、Ｓ
ｏ、上で乾燥し、蒸発して油状物とする。

粗油状物をＬＰＳ−１シリカゲルにてフラッシュクロマ
トグラフィーに付し、ヘキサン／アセトン（８５：１５
）およびＣＩ、Ｃｆ２２／ＣＨ３０Ｈ（９５：５）で連
続して溶離する。生成物含有画分を蒸発して標記酸を得
る。

Ｄ、４−（（（１−デセニル）カルボニ）〕メメトキシ
アミノブブタンジシクロヘキシルアミン塩（１：１） 上記Ｃ酸をＥｔＯＡｃ（１ｍ１２）に溶解してジシクロ
ヘキシルアミン塩を調製し、これをジシクロヘキシルア
ミン（１２６μＣ，１，１当量）で処理する。

混合物を蒸発し、次いで冷石油エーテルより晶出させて
、標記メチルヒドロキサメートをジシクロヘキシルアミ
ン塩で得る。

実施例１３ Ｎ−（４−アミノ−４−オキツブチル）−４−デシル−
Ｎ−ヒドロキシデカンアミドの製造ニーＡ、４−（（（
１−デセニル）カルボニル〕ベンジルオキシアミノ〕ブ
タン酸 ジオキサン（５ｘＱ）中の実施例１１Ａの記載に準じ製
造したエチルエステル（８１４Ｒ９，２ｍＭ）の溶液に
、１．０Ｎ−ＬｉＯＨ（２，３ｘ（２）を加え、混合物
をアルゴン下室温で３時間攪拌する。次いで混合物を５
％ＫＩＳＯ，とＥｔＯＡｃ間に分配し、有機層を塩水で
洗い、無水ＮａｔＳＯ４上で乾燥し、蒸発して標記酸を
得る。

Ｂ、Ｎ−（４−アミノ−４−オキソブチル）−４−（１
−デセニル）−Ｎ−ベンジルオキシデカンアミ　ド 乾燥ＣＨｓＣＮ（５ｊ１１２）中の上記Ａ酸（３７９ｊ
Ｉ９、ＩＩＩＩＭ）およびＥｔ３Ｎ（１８ＬｕＱ−１，
３ｍＭ）の溶液に、イソブチルクロロホルメート（１６
９μｅ１１．３ｍＭ）を加え、混合物をアルゴン下室温
で１時間攪拌する。濃ＮＨ，０Ｈ（３３１１２）を滴下
し、混合物を３０分攪拌し、次いでこれを１．０Ｎ−Ｈ
ｃｉｘとＥ、ｔＯＡｃ間に分配する。有機層を塩水で洗
い、無水Ｎａ、ＳＯ，上で乾燥し、蒸発して油状物とす
る。粗油状物をアルミナ（中和活性度＝２）にてクロマ
トグラフィーに付し、ＥｔＯＡｃ／ヘキサン（１：１）
およびＣＨ，Ｃ（ｌＪｃＨ３０Ｈ（９：１）で溶離し、
次いでワットマンＬＰＳ−１シリカゲルにてクロマトグ
ラフィーに付し、純ＥｔＯＡｃで溶離する。生成物含有
画分を蒸発して、標記アミドを得る。

Ｃ，Ｎ〜（４−アミノ−４−オキソブチル）−４−デシ
ル−Ｎ−ヒドロキシデカンアミドＣＨ３０Ｈ（５ＪＩ１
２）中の上記Ｂヒドロキサメート（２９０、ｗｇ）の溶
液にアルゴンを５分間吹込んだ後、２０％水酸化パラジ
ウム／炭素（３５ｍｙ、１２重量％）を加え、Ｈ２下で
２時間攪拌する。混合物をセライトで濾過し、蒸発し、
ＥｔＯＡｃに溶かし、無水Ｍｇ５Ｏ，粉で濾過し、蒸発
してオフホワイト固体とする。ＥｔＯＡｃ／ヘキサン、
次いでアセトン／ヘキサンより２回再結晶して、標記ア
ミドを得る。

実施例Ｉ４ ５−〔（デシルカルボニル）ヒドロキシアミノコペンタ
ン酸の製造ニー Ａ、５−（（（１−デセニル）カルボニル〕ベンジルオ
キシアミノ〕ペンタン酸エチルエステル乾燥トルエン（
１０１１Ｑ）中の実施例７Ａの記載に準じ製造したヒド
ロキサメート（５６２１９，１，９２ｍＭ）の溶液に、
予め洗ったＮａＨ（５１Ｒ９，２，１１ｍＭ５１．１当
量）を加え、混合物をアルゴン下室温で２０分攪拌する
。エチル−５−ヨードバレレート（１，４Ｂ９．５，７
．６ｎ＋Ｍ、３当量）を加え、混合物を一夜還流する。

次いで混合物を５％ＫＨ８０４とＥｔＯＡｃ間に分配し
、有機層を塩水で洗い、無水Ｎａ＊ＳＯ４上で乾燥し、
蒸発して油状物とする。中和アルミナ（活性度＝１）に
てクロマトグラフィーに付し、石油エーテル／エーテル
（ｌ：１）で溶離して、残留出発物質を除去する。生成
物画分を蒸発し、次いでワットマンＬＰＳ−１シリカゲ
ルにてフラッシュクロマトグラフィーに付し、石油エー
テル／エーテル（３：２）で溶離する。

生成物画分を蒸発して、標記Ｎ−アルキル化生成物を得
る。

８．５−（（４−デシルカルボニル）ヒドロキシアミノ
コペンタン酸エチルエステル メタノール（１０ｘＩ２）中の上記Ａヒドロキサメート
（４２１１１ｇ）の溶液にアルゴンを５分間吹込み、次
いで２０％水酸化パラジウム／炭素（１５１９）を加え
、混合物をＨ１下で１時間攪拌する。混合物をセライト
で濾過し、蒸発し、酢酸エチルに溶かし、無水ＭｇＳＯ
４粉で濾過し、蒸発して所望の標記ヒドロキサム酸を得
る。

Ｃ，５−（（デシルカルボニル）ヒドロキシアミノコペ
ンタン酸 ジオキサン（８ｘＱ）中の上記Ｂエチルエステル（３３
１ｕ、ＩｍＭ）の溶液に、ｆ、０Ｎ−ＬｉＯＨＣ２゜９
　ｘＱ）を加え、混合物をアルゴン下室温で４０分攪拌
する。次いで混合物を５％ＫＨＳＯ，とＥｔＯＡｃ間に
分配し、有機層を塩水で洗い、無水ＮａｔＳ０４上で乾
燥し、蒸発して固体とする。ＥｔＯＡｃ／ヘキサンより
１回再結晶して、所望の標記酸を得る。

実施例１５ （Ｎ−ヒドロキシデカンアミド）酢酸の製造ニーＡ、デ
シルカルボン酸 ＣＨｓＯＨ（２０ｘぐ）中の１−デセニルカルボン酸（
１，６ｙ）の溶液にアルゴンを５分間吹込む。１０％パ
ラジウム／炭素を加え、混合物をパール装置にてＨ２下
で４時間振盪する。混合物をセライトで濾過し、蒸発し
て所望の標記飽和酸を得る。

Ｂ、Ｎ−ベンジルオキシデカンアミド 乾燥ＣＨ１ＣＱｔＣ１５順）中の上記Ａ酸（５９０１９
，３，４３ｎ＋Ｍ）の溶液に、ｌ−ヒドロキシベンゾト
リアゾール（５５７ｍ９．４．１２ｍＭ、１．２当量）
およびＮ、Ｎ’−ジシクロへキシルカルボジイミド（８
５０ＪＩ９．４．１２ｍＭ、１．２当量）を加え、混合
物をアルゴン下室温で１時間攪拌する。次いでトリエチ
ルアミン（１，２０ｘＱ、　　８．５８ｉ＋Ｍ、　２．
５当量）およびＯ−ベンジルヒドロキシルアミン塩酸塩
（１，３７９，８，５８＋ａＭ、２．５当量）を加え、
混合物を室温で３時間攪拌する。混合物を濾過し、蒸発
し、酢酸エチルに溶かし、５％Ｋ　ＨＳ　Ｏ４および塩
水で連続して洗い、次いで無水Ｎ　ａ　ｔ　Ｓ　ＯＡ上
で乾燥し、蒸発して白色固体とする。粗固体をワットマ
ンＬＰＳ−１シリカゲルにてフラッシュクロマトグラフ
ィーに付し、ヘキサン／ＥｔＯＡｃ（９：１）で溶離す
る。生成物含有画分を蒸発して、所望の標記ベンジルヒ
ドロキサメートを得る。

Ｃ，Ｎ−（３−プロブ−１−エニル）−Ｎ−ベンジルオ
キシデカンアミド 乾燥トルエン（６ｙｔＱ）中の上記Ｂベンジルヒドロキ
サメート（３９９ｘｉＦ、　１．３６＋Ｍ）の溶液に、
予め洗ったＮａＨ（３６ｘ９．１．５　Ｏｎ＋Ｍ、　　
１　、１当量）を加え、溶液を室温で２０分攪拌した後
臭化アリル（２９４ｇ＆、３．４ｍＭ、２．５当量）を
加え、−夜道流する。混合物を冷却し、５％ＫＩＳＯ，
とＥｔＯＡｃ間に分配し、有機層を塩水で洗い、無水Ｎ
ａ、Ｓｏ、上で乾燥し、蒸発して黄色油状物とする。粗
油状物を中和アルミナ（活性度＝１）にてクロマトグラ
フィーに付し、石油エーテル／エーテル（１：１）で溶
離する。生成物画分を蒸発して、標記Ｎ−アルキル化生
成物を得る。

Ｄ、（Ｎ−ベンジルオキシデカンアミド）酢酸メチルエ
ステル 上記ＣのＮ−アルキルベンジルヒドロキサメー）（３，
３４９、ｌＯｍＭ）をＥｔＯＡｃ（１６１１２）に溶解
し、−７８℃に冷却し、０．でパージした後、溶液に淡
青色が持続するまでオゾンをパージし、オゾン化溶液を
ジョーンズ（Ｊ　ｏｎｅｓ）試薬（１，０肩Ｑ）で−７
８℃にて処理する。血合物を室温まで加温せしめ、Ｅｔ
ＯＡｃで希釈し、有機層をＨｌｏおよび塩水で連続して
洗い、次いで無水Ｎａ、Ｓｏ、上で乾燥し、蒸発して粗
油状物とする。

粗油状物をＥｂＯ（ｌ　ＯｘＱ’）に溶解し、０℃（水
浴）に冷却し、ジアゾメタンのエーテル溶液で処理する
。混合物を蒸発し、ワットマンＬＰＳ−１シリカゲルに
てクロマトグラフィーに付し、ヘキサン／ＥｔＯＡｃ（
９：Ｉ）で溶離する。生成物画分を蒸発して、所望の標
記メチルエステルを得た。

Ｅ、（Ｎ−ヒドロキシデカンアミド）酢酸メチルエステ
ル ＣＨ２ＯＨ（８ｘＱ＞中の上記Ｄベンジルヒドロキサメ
ート（２７ＱＪＦ９）の溶液にアルゴンを５分間吹込み
、次いで２０％水酸化パラジウム／炭素（３２ｘｇ、１
２重量％）を加え、混合物をＨ１下で１時間攪拌する。

混合物をセライトで濾過し、蒸発し、ＥｔｏＡｃに溶か
し、無水Ｍｇ５Ｏ，で濾過し、蒸発して標記ヒドロキサ
ム酸を得る。

Ｆ、（Ｎ−ヒドロキシデカンアミド）酢酸上記Ｅメチル
エステル（２７４ｘｙ、１ｍＭ）をジオキサン（６ｘＱ
）に溶解した溶液に、１．０Ｎ−ＬｉＯＨ（２，ｌ６ｉ
１２．２．１６ａ＋Ｍ）を加え、混合物をアルゴン下室
温で２０分攪拌する。混合物を５％ＫＨＳＯ，とＥＬＯ
Ａｃ間に分配し、有機層を塩水で洗い、無水Ｎａ、ＳＯ
，上で乾燥し、蒸発してオフホワイト固体とする。ＥＬ
ＯＡｃ／ヘキザンより１回再結晶して、所望の標記酸を
得る。

実施例１６ Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−プロピル（１，１”−ビフェニル
イル〕−４−アセタミドの製造ニーＮ−メチルヒドロキ
シルアミンの代わりにＮ−プロピルヒドロキシルアミン
を用いる以外は、実施例１と同様にして標記化合物を得
る。

実施例１７ Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−（フェニルメチル）〔１゜１′−
ビフェニルイル〕−４−アセタミドの製造ニＮ−ヒドロ
キシルアミンの代わりにＮ−（フェニルメチル）ヒドロ
キシルアミンを用いる以外は、実施例１と同様にして標
記化合物を得る。

実施例１８ Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−フェニル（１，１’−ビフェニル
イル〕−４−アセタミドの製造ニーＮ−メチルヒドロキ
シルアミンの代わりにＮ−（フェニル）ヒドロキシルア
ミンを用いる以外は、実施例１と同様にして標記化合物
を得る。

実施例１９ Ｎ−シクロへキシル−Ｎ−ヒドロキシシクロヘキサンア
セタミドの製造ニー 臭化ベンジルの代わりに沃化シクロヘキシルを用いる以
外は、実施例４と同様にして標記化合物を得る。

実施例２Ｏ Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−プロピルシクロヘキサンアセタミ
ドの製造ニー 臭化ベンジルの代わりに沃化プロピルを用いる以外は、
実施例４と同様にして標記化合物を得る。

実施例２１ Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−ブチルベンゼンブタナミドの製造
ニー 臭化ベンジルの代わりに沃化ブチルを用いる以外は、実
施例５と同様にして標記化合物を得る。

実施例２２ Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−ｉ−ブチルベンゼンブタナミドの
製造ニー 臭化ベンジルの代わりに沃化ｉ−ブチルを用いる以外は
、実施例５と同様にして標記化合物を得る。

実施例２３ Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−ペンチルベンゼンブタナミドの製
造ニー 臭化ベンジルの代わりに沃化ペンチルを用いる以外は、
実施例５と同様にして標記化合物を得る。

実施例２４ Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−ヘキシルベンゼンブタナミドの製
造ニー 臭化ペンチルの代わりに沃化ヘキシルを用いる以外は、
実施例６と同様にして標記化合物を得る。

実施例２５ Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−フェネチルベンゼンブタナミドの
製造ニー 臭化ペンチルの代わりに臭化フェネチルを用いる以外は
、実施例６と同様にして標記化合物を得る。

実施例２６ Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−オクチルベンゼンブタナミドの製
造ニー 臭化ペンチルの代わりに沃化オクチルを用いる以外は、
実施例６と同様にして標記化合物を得る。

実施例２７ Ｎ−ヒドロキシ−ベンゼンブタナミドの製造：工程Ｂを
削除する以外は、実施例６と同様にして標記化合物を得
る。

実施例２８ Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−メトキシベンゼンブタナミドの製
造ニー Ｎ−フェニルヒドロキシルアミン塩酸塩の代わりにＮ−
メトキシアミン塩酸塩を用いる以外は、実施例３と同様
にして標記化合物を得る。

実施例２９ Ｎ−エトキシ−Ｎ−エチルデカンアミドの製造：一 工程Ａのベンジルヒドロキシルアミン塩酸塩の代わりに
エトキシルアミン塩酸塩を、工程Ｂの沃化メチルの代わ
りに沃化エチルを用いる以外は、実施例７と同様にして
標記化合物を得る。

実施例３Ｏ Ｎ−プロポキシ−Ｎ−ブチルデカンアミドの製造ニ一 工程Ａのベンジルヒドロキシルアミン塩酸塩の代わりに
プロポキシルアミン塩酸塩を、工程Ｂの沃化メチルの代
わりに沃化ブチルを用いる以外は、実施例７と同様にし
て標記化合物を得る。

実施例３１ Ｎ−ペントキシ−Ｎ−エチルデカンアミドの製造：一 工程Ａのベンジルヒドロキシルアミン塩酸塩の代わりに
ベントキシルアミン塩酸塩を、工程Ｂの沃化メチルの代
わりに沃化エチルを用いる以外は、実施例７と同様にし
て標記化合物を得る。

実施例３２ Ｎ−’＼キシルオキシーＮ−プロピルデカンアミドの製
造ニ一 工程Ａのベンジルヒドロキシルアミン塩酸塩の代わりに
ヘキシルオキシアミン塩酸塩を、工程Ｂの沃化メチルの
代わりに沃化プロピルを用いる以外は、実施例７と同様
にして標記化合物を得る。

実施例３３ Ｎ−エトキシ−Ｎ−ベンジルデカンアミドの製造ニ一 工程Ａのベンジルヒドロキシルアミン塩酸塩の代わりに
エトキシルアミン塩酸塩を、工程Ｂの沃化メチルの代わ
りに沃化ベンジルを用いる以外は、実施例７と同様にし
て標記化合物を得る。

実施例３４ Ｎ−プロポキシ−Ｎ−フェネチルデカンアミドの製造：
一 工程Ａのベンジルヒドロキシルアミン塩酸塩の代わりに
プロポキシルアミン塩酸塩を、工程Ｂの沃化メチルの代
わりに沃化フェネチルを用いる以外は、実施例７と同様
にして標記化合物を得る。

実施例３５ Ｎ−ブトキシ−Ｎ−ペンチルデカンアミドの製造：一 工程Ａのベンジルヒドロキシルアミン塩酸塩の代わりに
ブトキシルアミン塩酸塩を、工程Ｂの沃化メチルの代わ
りに沃化ｎ−ペンチルを用いる以外は、実施例７と同様
にして標記化合物を得る。

実施例３６ Ｎ−エトキシデカンアミドの製造：一 工程Ａのベンジルヒドロキシルアミン塩酸塩の代わりに
エトキシルアミン塩酸塩を用い、工程Ｂを削除する以外
は、実施例７と同様にして標記化合物を得る。

実施例３７ Ｎ−プロポキシデカンアミドの製造：一工程Ａのベンジ
ルヒドロキシルアミン塩酸塩の代わりにプロポキシルア
ミン塩酸塩を用い、工程Ｂを削除する以外は、実施例７
と同様にして標記化合物を得る。

実施例３８ Ｎ−メトキシ−Ｎ−メチルデカンアミドの製造ニ一 工程Ａのベンジルヒドロキシルアミン塩酸塩の代わりに
メトキシルアミン塩酸塩を用い、工程Ｃを削除する以外
は、実施例７と同様にして標記化合物を得る。

実施例３９ Ｎ−エトキシ−Ｎ−エチル（１−デセニル）アミドの製
造：一 工程へのベンジルヒドロキシルアミン塩酸塩の代わりに
エトキシルアミン塩酸塩を、工程Ｂの沃化メチルの代わ
りに沃化エチルを用い、工程Ｃを削除する以外は、実施
例７と同様にして標記化合物を得る。

実施例４Ｏ Ｎ−プロポキシ−Ｎ−ブチル（１−デセニル）アミドの
製造二一 工程Ａのベンジルヒドロキシルアミン塩酸塩の代わりに
プロポキシルアミン塩酸塩を、工程Ｂの沃化メチルの代
わりに沃化ブチルを用い、工程Ｃを削除する以外は、実
施例７と同様にして標記化合物を得る。

実施例４■ Ｎ−ペントキシ−Ｎ−エチル（ｌ−デセニル）アミドの
製造ニ一 工程Ａのベンジルヒドロキシルアミン塩酸塩の代わりに
ベントキシルアミン塩酸塩を、工程Ｂの沃化メチルの代
わりに沃化エチルを用い、工程Ｃを削除する以外は、実
施例７と同様にして標記化合物を得る。

実施例４２ Ｎ−へキシルオキシ−Ｎ−ｎ−プロピル（ｌ−デセニル
）アミドの製造ニ一 工程Ａのベンジルヒドロキシルアミン塩酸塩の代わりに
ヘキシルオキシアミン塩酸塩を、工程Ｂの沃化メチルの
代わりに沃化プロピルを用い、工程Ｃを削除する以外は
、実施例７と同様にして標記化合物を得る。

実施例４３ Ｎ−エトキシ−Ｎ−ベンジル（１−デセニル）アミドの
製造：一 工程Ａのベンジルヒドロキシルアミン塩酸塩の代わりに
エトキシルアミン塩酸塩を、工程Ｂの沃化メチルの代わ
りに沃化ベンジルを用い、工程Ｃを削除する以外は、実
施例７と同様にして標記化合物を得る。

実施例４４ Ｎ−メトキシ−Ｎ−フェネチル（ｌ−デセニル）アミド
の製造ニ一 工程Ａのベンジルヒドロキシルアミン塩酸塩の代わりに
メトキシルアミン塩酸塩を、工程Ｂの沃化メチルの代わ
りに沃化フェネチルを用い、工程Ｃを削除する以外は、
実施例７と同様にして標記化合物を得る。

実施例４５ Ｎ−メトキシ−Ｎ−エチル（ｌ−デセニル）アミドの製
造ニ一 工程Ａのベンジルヒドロキシルアミン塩酸塩の代わりに
メトキシルアミン塩酸塩を、工程Ｂの沃化メチルの代わ
りに沃化エチルを用い、工程Ｃを削除する以外は、実施
例７と同様にして標記化合物を得る。

実施例４６ Ｎ−エトキシ（ｌ−デセニル）アミドの製造：一工程Ａ
のベンジルヒドロキシルアミン塩酸塩の代わりにエトキ
シルアミン塩酸塩を用い、工程Ｂおよび工程Ｃを削除す
る以外は、実施例７と同様にして標記化合物を得る。

実施例４７ Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−メチルウンデカンアミドの製造ニ
一 工程Ａの１−デセニルカルボン酸の代わりに１−ウンデ
セニルカルボン酸を用いる以外は、実施例７と同様にし
て標記化合物を得る。

実施例４８ Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−メチルへキシルアミドの製造ニ一 工程Ａの１−デセニルカルボン酸の代わりに１−ヘキセ
ニルカルボン酸を用いる以外は、実施例７と同様にして
標記化合物を得る。

実施例４９ Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−メチルへブタンアミドの製造２一 工程Ａの１−デセニルカルボン酸の代わりに１−へブテ
ニルカルボン酸を用いる以外は、実施例７と同様にして
標記化合物を得る。

実施例５Ｏ Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−メチルオクタンアミドの製造：一 工程Ａの１−デセニルカルボン酸の代わりに１−オクテ
ニルカルボン酸を用いる以外は、実施例７と同様にして
標記化合物を得る。

実施例５１ Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−メチルノナンアミドの製造ニ一 工程Ａの！−デセニルカルボン酸の代わりに１−ノネニ
ルカルボン酸を用いる以外は、実施例７と同様にして標
記化合物を得る。

実施例５２ Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−メチルドデカンアミドの製造ニ一 工程Ａの１−デセニルカルボン酸の代わりに１−ドデセ
ニルカルボン酸を用いる以外は、実施例７と同様にして
標記化合物を得る。

実施例５３ Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−メチルペンタデカンアミドの製造
ニ一 工程Ａの１−デセニルカルボン酸の代わりに１−ペンタ
デセニルカルボン酸を用いる以外は、実施例７と同様に
して標記化合物を得る。

実施例５４ Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−メチルプロパンアミドの製造ニー ｌ−デセニルカルボン酸の代わりにアクリル酸を用いる
以外は、実施例７および１３と同様にして標記化合物を
得る。

実施例５５ Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−メチル（ｌ−へキサニル）アミド
の製造ニ一 工程Ａの（ｌ−デセニル）カルボン酸の代わりに（ｌ−
へキサニル）カルボン酸を、工ＩＢのエチル−４−ヨー
ドブチレートの代わりに沃化メチルを用いる以外は、実
施例８と同様にして標記化合物を得る。

実施例５６ ４−〔（デシルカルボニル）ヒドロキシアミノコブタン
酸の製造ニー 沃化メチルの代わりにエチル−４−ヨードブチレートを
用いる以外は、実施例７と同様にして標記化合物を得る
。

実施例５７ ５−（（（１−デセニル）カルボニル）ヒドロキシアミ
ノコペンタン酸の製造ニー エチル−４−ヨードブチレートの代わりにエチル−５−
ヨードブチレートを用いる以外は、実施例８と同様にし
て標記化合物を得る。

実施例５８ ５−（（（１−へブテニル）カルボニル）メトキシアミ
ノコペンタン酸の製造ニー １−デセニルカルボン酸の代わりに！−へブテニルカル
ボン酸を、エチル−４−ヨードブチレートの代わりにエ
チル−５−ヨードブチレートを用い、ジシクロヘキシル
アミンの付加を削除する以外は、実施例１２と同様にし
て標記化合物を得る。

実施例５９ ４−（（（１−ノネニル）カルボニル〕メトキシアミノ
〕ブタン酸の製造ニー ■−デセニルカルボン酸の代わりに１−ノネニルカルボ
ン酸を用い、ジシクロヘキシルアミンの付加を削除する
以外は、実施例１２と同様にして標記化合物を得る。

実施例６０ ５−（（（１−ウンデセニル）ベンゾイル〕メトキシア
ミノ〕ペンタン酸の製造ニー １−デセニルカルボン酸の代わりに１−ウンデセニルカ
ルボン酸を、エチル−４−ヨードブチレートの代わりに
エチル−５−ヨードバレレートを用い、ジシクロヘキシ
ルアミンの付加を削除する以外は、実施例１２と同様に
して標記化合物を得る。

実施例６１ ４−（（（１−トリデシル）カルボニル）メトキシアミ
ノコブタン酸の製造ニー １−デセニルカルボン酸の代わりに１−トリデセニルカ
ルボン酸を用い、ジシクロヘキシルアミンの付加を削除
する以外は、実施例１２と同様にして標記化合物を得る
。

実施例６２ ３−（（（１−へキサニル）カルボニル）エトキシアミ
ノコペンタン酸の製造ニー １−デセニルカルボン酸の代わりに１−へキサニルカル
ボン酸を、メトキシルアミン塩酸塩の代わりにエトキシ
ルアミン塩酸塩を、エチル−４−ヨードブチレートの代
わりにエチル−３−ヨードバレレートを用い、ジシクロ
ヘキシルアミンの付加を削除する以外は、実施例１２と
同様にして標記化合物を得る。

実施例６３ ４−（［（１−オクタデセニル）カルボニル）へキシル
オキシアミノコブタン酸の製造ニー１−デセニルカルボ
ン酸の代わりに１−オクタデセニルカルボン酸を、メト
キシルアミン塩酸塩の代わりにヘキシルオキシルアミン
塩酸塩を用い、ジシクロヘキシルアミンの付加を削除す
る以外は、実施例１２と同様にして標記化合物を得る。

実施例６４ （Ｎ−ヒドロキシドデカンアミド）酢酸の製造：ｌ−デ
セニルカルボン酸の代わりに１−ドデセニルカルボン酸
を用いる以外は、実施例１５と同様にして標記化合物を
得る。

実施例６５ （Ｎ−ヒドロキシヘキサンアミド）酢酸の製造ニｌ−デ
セニルカルボン酸の代わりに１−へキサニルカルボン酸
を用いる以外は、実施例１５と同様にして標記化合物を
得る。

実施例６６ （Ｎ−ヒドロキシテトラデカンアミド）酢酸の製造ニー ■−デセニルカルボン酸の代わりに１−テトラデセニル
ルボン酸を用いる以外は、実施例Ｉ５と同様にして標記
化合物を得る。

実施例６７ （Ｎ−ヒドロキシルへブタンアミド）酢酸の製造ニー ！−デセニルカルボン酸の代わりに！−ヘプテニルカル
ボン酸を用いる以外は、実施例１５と同様にして標記化
合物を得る。

実施例６８ Ｎ−（４−アミノ−４−オキツブチル）−Ｎ−メトキシ
オクタンアミドの製造ニー ｌ−デセニルカルボン酸の代わりに１−オクテニルカル
ボン酸を、ベンジルオキシルアミン塩酸塩（実施例？Ａ
）の代わりにメトキシルアミン塩酸塩を用いる以外は、
実施例１３と同様にして標記化合物を得る。

実施例６９ Ｎ−（４−アミノ−４−オキソブチル）−Ｎ−エトキシ
トリデカンアミドの製造−− ｌ−デセニルカルボン酸の代わりに１−トリデセニルカ
ルボン酸を、ベンジルオキシルアミン塩酸塩（実施例７
Ａ）の代わりにメトキシルアミン塩酸塩を用いる以外は
、実施例１３と同様にして標記化合物を得る。

実施例７Ｏ Ｎ−（４−アミノ−４−オキツブデル）−Ｎ−メトキシ
デカンアミドの製造ニー ベンジルオキシルアミン塩酸塩（実施例７Ａ）の代わり
にメトキシルアミン塩酸塩を用いる以外は、実施例１３
と同様にして標記化合物を得る。

実施例７１ Ｎ−（４−アミノ−４−オキツブチル）−Ｎ−ヒドロキ
シウンデカンアミドの製造ニー ｌ−デセニルカルボン酸の代わりに１−ウンデセニルカ
ルボン酸を用いる以外は、実施例１３と同様にして標記
化合物を得る。

実施例７２ Ｎ−（４−アミノ−４−オキツブチル）−Ｎ−ヒドロキ
シノナデカンアミドの製造ニー １−デセニルカルボン酸の代わりに１−ノナデセニルカ
ルボン酸を用いる以外は、実施例１３と同様にして標記
化合物を得る。

実施例７３ Ｎ−ヒドロキシ（Ｉ−デセニル）アミドの製造：６ｘＱ
のＣＨ３０）（中の実施例８Ａの記載に準じ製造した化
合物（２５７３！９．１ミリモル）の溶液にアルゴン下
、４−トルエンスルホン酸ピリジニウム（２１０ｍｇ、
１．０当量）を加える。混合物を５５℃に加熱し、４時
間攪拌する。溶液をエーテルで希釈し、１／２飽和塩化
ナトリウム（２０ｆｆ１２）および塩水（ｌｏｇＱ）で
洗う。有機層を無水Ｍｇ５Ｏ。

上で乾燥し、減量して固体とする。ヘキサン／ＥｔｏＡ
ｃより再結晶して、標記化合物を得る。

実施例７４ Ｎ−ヒドロキシデカンアミドの製造二一実施例７Ｂ化合
物の代わりに実施例７３化合物を用いる以外は、実施例
７Ｃと同様にして標記化合物を得る。

実施例７５ Ｎ−ヒドロキシ（１−テトラデセニル）アミドの製造ニ
ー 実施例７Ａの１−デセニルカルボン酸の代わりに１−ト
リデセニルカルボン酸を用いる以外は、実施例７３と同
様にして標記化合物を得る。

実施例７６ Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−アリル−ベンゼンブタナミドの製
造ニー 臭化ペンチルの代わりにＮ−臭化アリルを用いる以外は
、実施例６と同様にして標記化合物を得る。

実施例７７ Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−シクロヘキシルベンゼンブタナミ
ドの製造ニー Ｎ−フェニルヒドロキシルアミン塩酸塩の代わりにＮ−
シクロへキシルヒドロキシルアミン塩酸塩を用いる以外
は、実施例３と同様にして標記化合物を得る。

実施例７８ Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−メチル−４−シクロヘキシルブタ
ンアミドの製造：一 工程Ａの３−フェニルプロピルカルボン酸の代わりに３
−シクロヘキシルプロピルカルボン酸を用いる以外は、
実施例３と同様にして標記化合物を得る。

特許出願人　イー・アール・スクイブ・アンド・サンズ
・インコーホレイテッド

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、式、 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＾１は水素、低級アルキル、アリール、低級
   アルケニル、シクロアルキル、アラルキル、または、▲
   数式、化学式、表等があります▼（ここで、ｎは１〜４
   、お よびＸはヒドロキシ、アルコキシ、アミノ、Ｃ＿１〜Ｃ
   ＿４−アルキルアミノまたはＣ＿１〜Ｃ＿４−ジアルキ
   ルアミノ）、 Ｒ＾２は水素または低級アルキル、 Ｒ＾３はＣ＿１〜Ｃ＿２＿０アルキル、Ｃ＿３〜Ｃ＿２
   ＿０アルケニル、アリール、アリール−アルキル、シク
   ロアルキル、アリール−アルケニル、低級アルコキシ、
   低級アルケニルオキシ、アリール−アルコキシ、または
   シクロアルキルオキシ、およびｍは０〜５である〕 で示される化合物、またはその医薬的に許容しうるモノ
   塩基性もしくはジ塩基性塩。 ２、Ｒ＾１がアルキル、フェニルまたはフェニルアルキ
   ルである前記第１項記載の化合物。 ３、Ｒ＾１がフェニルまたはフェニルアルキル、Ｒ＾２
   がＨ、Ｒ＾３がフェニル、ビフェニルまたはシクロアル
   キル、ｍが１、２または３である前記第１項記載の化合
   物。 ４、Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−メチル〔１，１′−ビフェニ
   ルイル〕−４−アセタミドである前記第１項記載の化合
   物。 ５、Ｎ−（１，１′−ジメチルエチル）−Ｎ−ヒドロキ
   シ〔１，１′−ビフェニルイル〕−４−アセタミドであ
   る前記第１項記載の化合物。 ６、Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−フェニルベンゼンブタナミド
   である前記第１項記載の化合物。 ７、Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−（フェニルメチル）シクロヘ
   キサンアセタミドである前記第１項記載の化合物。 ８、Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−（フェニルメチル）ベンゼン
   ブタナミドである前記第１項記載の化合物。 ９、Ｎ−ヒドロキシ−Ｎ−ペンチルベンゼンブタナミド
   である前記第１項記載の化合物。