JPS6123371A - 光導電体の製造方法 - Google Patents
光導電体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6123371A JPS6123371A JP59144623A JP14462384A JPS6123371A JP S6123371 A JPS6123371 A JP S6123371A JP 59144623 A JP59144623 A JP 59144623A JP 14462384 A JP14462384 A JP 14462384A JP S6123371 A JPS6123371 A JP S6123371A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- vacuum deposition
- film
- silicon monoxide
- sio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/125—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は硫化カドミウム（以下ＣｄＳ ） 、セレン化
カドミウム（以下Ｃｄ’ｓ）、硫化カドミウム−２へ−
１゛ セレン化カドミウム固溶体（以下Ｃｄ５−Ｃｄ５ｅ）を
主体とする光導電体の製造方法に関するものである。
カドミウム（以下Ｃｄ’ｓ）、硫化カドミウム−２へ−
１゛ セレン化カドミウム固溶体（以下Ｃｄ５−Ｃｄ５ｅ）を
主体とする光導電体の製造方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
ＣｄＳ、ＣｄＳｅあるいはＣｄ５−ＣｄＳｅを主体とす
る薄膜を適当な雰囲気中で高温加熱することにより光導
電体を作ることは既に知られておりこの薄膜の形成方法
として真空蒸着法、スパッタリング法）；ある。このＣ
ｄＳ、ＣｄＳｅあるいはＣｄ５−ＣｄＥｅに光導電性を
付与するために、ハロゲン特に塩素等と銅、銀等の共添
加物を少量だけ添加して５００°Ｃ以上の温度にするの
が普通である。この様な方法で得られる光導電体は、Ｃ
ｄＳを主体とするもので０．４〜０．８μｍ、ＣｄＳｅ
を加えたも訊では更に長波長の光に感応し同時に応答時
間も短゛くなることが知られている。膜中への塩素の導
入は光電流（以下Ｉｐ、）を増大させるが、同時に暗電
流（以下Ｔｄ）もかなり大きくなってしまう。
る薄膜を適当な雰囲気中で高温加熱することにより光導
電体を作ることは既に知られておりこの薄膜の形成方法
として真空蒸着法、スパッタリング法）；ある。このＣ
ｄＳ、ＣｄＳｅあるいはＣｄ５−ＣｄＥｅに光導電性を
付与するために、ハロゲン特に塩素等と銅、銀等の共添
加物を少量だけ添加して５００°Ｃ以上の温度にするの
が普通である。この様な方法で得られる光導電体は、Ｃ
ｄＳを主体とするもので０．４〜０．８μｍ、ＣｄＳｅ
を加えたも訊では更に長波長の光に感応し同時に応答時
間も短゛くなることが知られている。膜中への塩素の導
入は光電流（以下Ｉｐ、）を増大させるが、同時に暗電
流（以下Ｔｄ）もかなり大きくなってしまう。
一方銅を導入すると“Ｉｄを小さくすることができるの
で１ｉには塩素の導入とともに銅を共添加□し３７、− て■２を大きく■ｄを小さくする方法をとっている。具
体的に言えば銅濃度が高い場合には１．．１４は小さく
、低い場合にはＩ、、１ｄは大きくなる。
で１ｉには塩素の導入とともに銅を共添加□し３７、− て■２を大きく■ｄを小さくする方法をとっている。具
体的に言えば銅濃度が高い場合には１．．１４は小さく
、低い場合にはＩ、、１ｄは大きくなる。
また応答時間に関しては電流がＯから飽和の５０チに達
する迄の時間を立ち上がり時間τ□、飽和値からその５
０％に達する迄の時間を立ち上がり時間τｄとすれば、
銅濃度が高い場合は、τ、は大きく τｄは小さくまた
低い場合はτ１は小さくτｄは大きくなる。
する迄の時間を立ち上がり時間τ□、飽和値からその５
０％に達する迄の時間を立ち上がり時間τｄとすれば、
銅濃度が高い場合は、τ、は大きく τｄは小さくまた
低い場合はτ１は小さくτｄは大きくなる。
従来の光導電体の製造方法について述べる。
耐高温、透明の基板として石英ガラス、パイレックスガ
ラス等を用いる。これにＣｄＳ、ＣｄＳｅを主体とし微
量のＣｕ Ｃ１２を含む粉末を順次混合。
ラス等を用いる。これにＣｄＳ、ＣｄＳｅを主体とし微
量のＣｕ Ｃ１２を含む粉末を順次混合。
焼成固溶化、粉砕、成型、焼成したものを蒸発源として
基板上に０．２〜１．０μの厚さに真空蒸着により、薄
膜を形成する。これを塩化カドミウム蒸気中４５０〜６
００°Ｃで熱処理し膜を結晶成長させかつ増感中心、再
結合中心を形成してＩｐを大きく■ｄを小さくする。こ
れにマスクを用いて真空蒸着により対向型電極をアルミ
ニウム、インジウム等で形成する。この様にして製造さ
れた光導電体は、塩化カドミウム蒸気中での熱処理時に
成長した結晶の粒径のばらつきが大きくまた電界方向に
走る光キャリアに対する電気的障壁となる粒界の数も多
いため応答時間のばらつきを大きくしかつ光応答時間を
大きくしてしまうという欠点があった。
基板上に０．２〜１．０μの厚さに真空蒸着により、薄
膜を形成する。これを塩化カドミウム蒸気中４５０〜６
００°Ｃで熱処理し膜を結晶成長させかつ増感中心、再
結合中心を形成してＩｐを大きく■ｄを小さくする。こ
れにマスクを用いて真空蒸着により対向型電極をアルミ
ニウム、インジウム等で形成する。この様にして製造さ
れた光導電体は、塩化カドミウム蒸気中での熱処理時に
成長した結晶の粒径のばらつきが大きくまた電界方向に
走る光キャリアに対する電気的障壁となる粒界の数も多
いため応答時間のばらつきを大きくしかつ光応答時間を
大きくしてしまうという欠点があった。
発明の目的
本発明はＣｄＳ、ＣｄＳｅあるいはＣｄ５−ＣｄＳｅを
主体とし、微量の銅を含んだ光導電体の応答時間を小さ
くする製造方法を提供することを目的としている。
主体とし、微量の銅を含んだ光導電体の応答時間を小さ
くする製造方法を提供することを目的としている。
発明の構成
本発明はＣｄＳ、ＣｄＳｅあるいはＣｄ５−ＣｄＳｅを
主体として々す、これに微量の銅を含んだ蒸発源を基板
上に蒸着して得られた膜を熱処理してのち、対向型電極
を形成して得られる光導電体の製造に際して、前記基板
上に前記基板の法線と蒸着方向のなす角が８０〜８７度
となる位置からシリコンモノオキサイド（以下Ｓｔ、）
膜を形成するも５Ａ−７ のであり、かつ熱処理後形成される対向電極が、Ｓｌｏ
の蒸着方向の基板への投影線に対して直角方向に電場が
発生するべく形成することにより、最終的に得られる光
導電体の特性すなわちτ、、τｄ及びそのばらつきを小
さくして作製することを特徴としている。
主体として々す、これに微量の銅を含んだ蒸発源を基板
上に蒸着して得られた膜を熱処理してのち、対向型電極
を形成して得られる光導電体の製造に際して、前記基板
上に前記基板の法線と蒸着方向のなす角が８０〜８７度
となる位置からシリコンモノオキサイド（以下Ｓｔ、）
膜を形成するも５Ａ−７ のであり、かつ熱処理後形成される対向電極が、Ｓｌｏ
の蒸着方向の基板への投影線に対して直角方向に電場が
発生するべく形成することにより、最終的に得られる光
導電体の特性すなわちτ、、τｄ及びそのばらつきを小
さくして作製することを特徴としている。
基板の法線方向から７５度以上の方向からＳｉＯを斜方
蒸着することにより、蒸着方向の基板への投影線に対し
て直角方向に溝が形成されることは良く知られている。
蒸着することにより、蒸着方向の基板への投影線に対し
て直角方向に溝が形成されることは良く知られている。
この様に溝が一様に形成された基板上に蒸着されたＣｄ
Ｓ、ＣｄＳｅあるいはＣｄ５−ＣｄＳｅ膜を塩化カドミ
ウム蒸気中で熱処理、結晶化させるとその結晶は溝に沿
って成長し、一定間隔の溝ピッチで決ま４る大きさの粒
子が得られる。
Ｓ、ＣｄＳｅあるいはＣｄ５−ＣｄＳｅ膜を塩化カドミ
ウム蒸気中で熱処理、結晶化させるとその結晶は溝に沿
って成長し、一定間隔の溝ピッチで決ま４る大きさの粒
子が得られる。
基板の法線と蒸発方向のなす角を８０度以上としたのは
、８０度以下では形成される溝のピッチに再現性がなく
、その結果τ２．τｄに再現性が得られない。また８７
度以下としたのは８７度以上 −では蒸着の効率が悪
いからである。
、８０度以下では形成される溝のピッチに再現性がなく
、その結果τ２．τｄに再現性が得られない。また８７
度以下としたのは８７度以上 −では蒸着の効率が悪
いからである。
６へ−７
また光導電体の対向型電極をＳｉＯ蒸着方向の基板への
投影線に対して電場が直角になる様に配置するのは、Ｓ
ｉＯの蒸着方向の基板への投影線に対して直角方向に溝
が形成されるため、結晶が溝に沿って成長すると溝に直
角の方向では単位長さあたりの粒界の数は多く溝に平行
の方向では単位長さあたりの粒界の数は少なくなりかつ
粒径は揃う。
投影線に対して電場が直角になる様に配置するのは、Ｓ
ｉＯの蒸着方向の基板への投影線に対して直角方向に溝
が形成されるため、結晶が溝に沿って成長すると溝に直
角の方向では単位長さあたりの粒界の数は多く溝に平行
の方向では単位長さあたりの粒界の数は少なくなりかつ
粒径は揃う。
故に溝に平行に光キャリアを走行させることにより、横
切る粒界の数が一定にかつ少なくなりキヤ電界がＳｉｏ
の蒸着方向の基板への投影線に対して直角になる様に対
向型電極を配置する。また電界の方向が前記の投影線の
直角方向の成分を３以上含めば有効である。
切る粒界の数が一定にかつ少なくなりキヤ電界がＳｉｏ
の蒸着方向の基板への投影線に対して直角になる様に対
向型電極を配置する。また電界の方向が前記の投影線の
直角方向の成分を３以上含めば有効である。
以上の様に基板にあらかじめＳｉＯの斜方蒸着を行うこ
とによシ、かつ電界がＳｌｏの蒸着方向の基７へ 実施例の説明 以下実施例で説明する。
とによシ、かつ電界がＳｌｏの蒸着方向の基７へ 実施例の説明 以下実施例で説明する。
基板としてコーニング７ｏ６９を用いた。ＳｉＯの蒸着
は第１図に示すように基板１の中央とＳｉＯ蒸発源３の
距離を５０ ｃｍ 、基板１の法線と蒸発源３のなす角
を８６度とし形成する膜厚を５００人とした。２はヒー
ター、４は容器、６は排気方向を示す。この基板１に蒸
発源としてＣｄ５ｏ、６Ｓｅｏ、４：ＣｕＣ１２（０，
２ｍ０１％）を用いて基板１上に約０．５μｍの厚さに
形成した。これを塩化カドミふんい気中で５５０℃で２
０分熱処理、結晶化した後、電界方向が第１図に於て紙
面に垂直になる様にアルミニウムで対向型電極をメタル
マスクを用いて形成した。電極間隔は巾２喘、ギャップ
１間である。次に波長ｓ６５ｎｍ、ＤＣ１ｏＶの電圧印
加のもとで１００１１ｕｘのパルス光を照射してτ１．
τｄの測定を行った。この時 τ、＝＝２．５ｍＳτｄ
＝ １．７ Ｉｎ Ｓ であった。
は第１図に示すように基板１の中央とＳｉＯ蒸発源３の
距離を５０ ｃｍ 、基板１の法線と蒸発源３のなす角
を８６度とし形成する膜厚を５００人とした。２はヒー
ター、４は容器、６は排気方向を示す。この基板１に蒸
発源としてＣｄ５ｏ、６Ｓｅｏ、４：ＣｕＣ１２（０，
２ｍ０１％）を用いて基板１上に約０．５μｍの厚さに
形成した。これを塩化カドミふんい気中で５５０℃で２
０分熱処理、結晶化した後、電界方向が第１図に於て紙
面に垂直になる様にアルミニウムで対向型電極をメタル
マスクを用いて形成した。電極間隔は巾２喘、ギャップ
１間である。次に波長ｓ６５ｎｍ、ＤＣ１ｏＶの電圧印
加のもとで１００１１ｕｘのパルス光を照射してτ１．
τｄの測定を行った。この時 τ、＝＝２．５ｍＳτｄ
＝ １．７ Ｉｎ Ｓ であった。
また基板法線と蒸着方向のなす角が８０〜８７０の範囲
ではτ１．τｄの再現性も良くτｒ−２，４〜２．７ｍ
５ｒｄ＝ １．６〜１−９ ｍｓであった。
ではτ１．τｄの再現性も良くτｒ−２，４〜２．７ｍ
５ｒｄ＝ １．６〜１−９ ｍｓであった。
一方従来の方法により製作された光導電体につれた光導
電体に比べて応答時間は長くばらつきも大きいものであ
った。
電体に比べて応答時間は長くばらつきも大きいものであ
った。
発明の効果
以上実施例に示すように本発明による方法で製作された
光導電体は従来の方法で製作された光導電体に比べて応
答時間が短くかつ再現性にも優れ量産化にも大きく寄与
するものであり、その工業的価値は大である。
光導電体は従来の方法で製作された光導電体に比べて応
答時間が短くかつ再現性にも優れ量産化にも大きく寄与
するものであり、その工業的価値は大である。
図は本発明の一実施例に於けるＳｉＯ斜方蒸着の基板と
蒸発源の位置関係を示す図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ヒーター、３・・
・・・・蒸発源（ＳｉＯ）。
蒸発源の位置関係を示す図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ヒーター、３・・
・・・・蒸発源（ＳｉＯ）。
Claims (1)
- 硫化カドミウムもしくはセレン化カドミウムもしくは
前記２物質の固溶体を主体として成り、これに微量の銅
を含んだ蒸発源を基板上に蒸着して得られた膜を熱処理
して後、対向型電極を形成して得られる光導電体の製造
に際し、前記基板上に前記基板の法線と蒸着方向のなす
角が８０〜８７度となる位置からシリコンモノオキサイ
ド膜を形成し、かつ、前記熱処理後形成される対向型電
極を前記シリコンモノオキサイドの蒸着方向の基板への
投影線に対して直角方向の成分を１／２以上含む方向に
電界が発生するべく形成することを特徴とする光導電体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59144623A JPS6123371A (ja) | 1984-07-12 | 1984-07-12 | 光導電体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59144623A JPS6123371A (ja) | 1984-07-12 | 1984-07-12 | 光導電体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6123371A true JPS6123371A (ja) | 1986-01-31 |
Family
ID=15366339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59144623A Pending JPS6123371A (ja) | 1984-07-12 | 1984-07-12 | 光導電体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6123371A (ja) |
-
1984
- 1984-07-12 JP JP59144623A patent/JPS6123371A/ja active Pending
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