JPS61233751A - 電子写真用感光層 - Google Patents
電子写真用感光層Info
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- JPS61233751A JPS61233751A JP60198020A JP19802085A JPS61233751A JP S61233751 A JPS61233751 A JP S61233751A JP 60198020 A JP60198020 A JP 60198020A JP 19802085 A JP19802085 A JP 19802085A JP S61233751 A JPS61233751 A JP S61233751A
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
、本発明は第１の層として非晶質シリコン層を、第２の
層として炭素又はシリコンを主成分元素とする非晶質半
導体（以下、ａ Ｓ １１ ｘ Ｃｘ ＊ Ｏ＜Ｘ
≦１と記す。）を用い、第１と第２の層とのヘテロ接合
を含む電子写真用感光層に関する。
層として炭素又はシリコンを主成分元素とする非晶質半
導体（以下、ａ Ｓ １１ ｘ Ｃｘ ＊ Ｏ＜Ｘ
≦１と記す。）を用い、第１と第２の層とのヘテロ接合
を含む電子写真用感光層に関する。
従来高い光導電性を有し且つ高い暗抵抗をもつため、長
時間の電荷保持能を有し更に高電界を印加し得る物質と
してＳ ｅ 、ＣｄＳ等が知られている。
時間の電荷保持能を有し更に高電界を印加し得る物質と
してＳ ｅ 、ＣｄＳ等が知られている。
しかし、これらの物質は有毒で公害物質に属し、これに
代わる無公害材料を用いた電子写真用感光層が強く望ま
れている。
代わる無公害材料を用いた電子写真用感光層が強く望ま
れている。
近年無公害性の材料とし゛て、非晶質シリコン（ａ−８
ｔと記す。）が強い光導電性を有するものとして注目さ
れているが、この材料の室温暗比抵抗は高々１０１３Ω
・α程度であり、電流、電圧特性の降伏電界が低く、高
電圧・高電界を印加することができず、且つ暗電流が大
きく、電荷の長時間保持能も小さいとゆう欠点があった
。。
ｔと記す。）が強い光導電性を有するものとして注目さ
れているが、この材料の室温暗比抵抗は高々１０１３Ω
・α程度であり、電流、電圧特性の降伏電界が低く、高
電圧・高電界を印加することができず、且つ暗電流が大
きく、電荷の長時間保持能も小さいとゆう欠点があった
。。
近年ａ−Ｓｉ１ 、Ｃ！の製法や存在はＰｈ１１゜Ｍａ
ｇ、、Ｐｌ、Ｖｏｌ、３５（１９７Ｂ）等に開示されて
おり、炭素濃度Ｉを増加させれば、ある濃度まではエネ
ルギーギャップ（Ｅｑ）が増加し、同時に室温暗比抵抗
も増加することが開示されているが、この材料が光導電
性をもつ事を検討した報告は見当たらない。
ｇ、、Ｐｌ、Ｖｏｌ、３５（１９７Ｂ）等に開示されて
おり、炭素濃度Ｉを増加させれば、ある濃度まではエネ
ルギーギャップ（Ｅｑ）が増加し、同時に室温暗比抵抗
も増加することが開示されているが、この材料が光導電
性をもつ事を検討した報告は見当たらない。
本発明はこのａ Ｓ ｉｌ 、 Ｃｘの特性を詳細
に検討した結果、炭素を含有するこの材料が高い室温暗
比抵抗を有し、優れた光導電性をもち、且つこの材料に
注入された電荷を輸送し得る機能をもつ事を発見したこ
とにもとすくものである。更に第１の非晶質シリコン層
と第２の炭素又はシリコンを主成分元素とする非晶質半
導体層ａ Ｓ ｉ １ｘＣ工、０くＩ≦１とのヘテロ
接合を形成することにより、第１の層の広い感光波長域
特性と第２の層の高い耐電圧性を兼ねそなえた良好な電
子写真用感光層を得たものである。
に検討した結果、炭素を含有するこの材料が高い室温暗
比抵抗を有し、優れた光導電性をもち、且つこの材料に
注入された電荷を輸送し得る機能をもつ事を発見したこ
とにもとすくものである。更に第１の非晶質シリコン層
と第２の炭素又はシリコンを主成分元素とする非晶質半
導体層ａ Ｓ ｉ １ｘＣ工、０くＩ≦１とのヘテロ
接合を形成することにより、第１の層の広い感光波長域
特性と第２の層の高い耐電圧性を兼ねそなえた良好な電
子写真用感光層を得たものである。
本発明の目的は可視域の光に対し高い光導電性を有し、
高耐電圧性で暗電流が小さく且つ無公害性の材料を用い
た電子写真用感光層を提供することにある。
高耐電圧性で暗電流が小さく且つ無公害性の材料を用い
た電子写真用感光層を提供することにある。
本発明の他の目的は機械的強度に富み、対刷性に優れた
電子写真感光層を提供することにある。
電子写真感光層を提供することにある。
本発明の更に他の目的は感光波長領域を選定でき、製作
の容易な電子写真感光層を提供することにある。
の容易な電子写真感光層を提供することにある。
上記した本発明の目的は第１の非晶質シリコン層と第２
の炭素又はシリコンを主成分元素とする非晶質半導体層
（ａ−３ｉ １−ｚＣ！、ｏ＜ｘ≦１）とのヘテロ接合
を形成することにより達成されるものである。
の炭素又はシリコンを主成分元素とする非晶質半導体層
（ａ−３ｉ １−ｚＣ！、ｏ＜ｘ≦１）とのヘテロ接合
を形成することにより達成されるものである。
以下図面を参照しながら本発明の詳細な説明する０
第１図は本発明にもとづく電子写真用感光層の光導電機
能確認用半導体素子の基本構成の一例を示す図である。
能確認用半導体素子の基本構成の一例を示す図である。
１は導電性基板、２はａ−３ｉ層はａ−８ｉ１−ＩＣ，
層であシ、両者は組成が異なシ、両者の界面で異種接合
を有す。４は透明電導膜でＰｔ 、Ａｕ、Ｉｎ２Ｏ，Ｓ
ｎＯ２等が用いられ得る。５゜６は素子を外部電気回路
へ接続するための電極である。７は電源、８は負荷抵抗
であシ、素子の光導電性を用いる場合には図の電源７に
接続する。
層であシ、両者は組成が異なシ、両者の界面で異種接合
を有す。４は透明電導膜でＰｔ 、Ａｕ、Ｉｎ２Ｏ，Ｓ
ｎＯ２等が用いられ得る。５゜６は素子を外部電気回路
へ接続するための電極である。７は電源、８は負荷抵抗
であシ、素子の光導電性を用いる場合には図の電源７に
接続する。
１１は入射光である。
層２・３は可視域の照射光に感応して容易に光励起電荷
担体を生成する第１の層２と、Ｘの大きい組成に選定さ
れ、第１の層２で、生成された電荷担体が注入され、こ
れを輸送するエネルギーギャップ（Ｅｃｒ）の相対的に
大きい高暗抵抗性・透光性の第２の層３とで構成される
。可視の広い波長域に対する光感応機能を第１の層２に
もたせ、耐高電界・高電圧性及び注入電荷輸送の機能を
第２の層３にもたせた異種接合を形成したことにょシ、
高感度・高耐電圧性を有する光導電性半導体素子を構成
するようにしたものである。なお第１図の層２・３はい
ずれが第１の層あるいは第２の層であってもかまわない
。
担体を生成する第１の層２と、Ｘの大きい組成に選定さ
れ、第１の層２で、生成された電荷担体が注入され、こ
れを輸送するエネルギーギャップ（Ｅｃｒ）の相対的に
大きい高暗抵抗性・透光性の第２の層３とで構成される
。可視の広い波長域に対する光感応機能を第１の層２に
もたせ、耐高電界・高電圧性及び注入電荷輸送の機能を
第２の層３にもたせた異種接合を形成したことにょシ、
高感度・高耐電圧性を有する光導電性半導体素子を構成
するようにしたものである。なお第１図の層２・３はい
ずれが第１の層あるいは第２の層であってもかまわない
。
本発明の半導体素子は前述したように、外部印加電圧に
対し高い耐電圧性を有し、かつ高い光感度を有する光導
電素子として設計する場合には、第１の層（ａ−８ｔ）
に対し第２の層（ａ Ｓｉ１゜Ｃｘ（０くｘく１）〕
の組成を大きく変化させ、かつ高抵抗のものを用いるよ
うに設計すれば良い。
対し高い耐電圧性を有し、かつ高い光感度を有する光導
電素子として設計する場合には、第１の層（ａ−８ｔ）
に対し第２の層（ａ Ｓｉ１゜Ｃｘ（０くｘく１）〕
の組成を大きく変化させ、かつ高抵抗のものを用いるよ
うに設計すれば良い。
本発明の半導体素子は例えば以下のようにして製造する
ことができる。基板としては表面が平滑で光導電体層を
堆積する温度例えば１６００〜４００’Ｃに耐え得るも
のであれば良く、結晶性・非結晶性を問わない。例えば
Ｓｔ単結晶等の半導体、ステンレス・アルミニューム等
の金属二石英ガラスやセラミックスあるいは上記温度に
耐え得るプラスチックフィルム等の絶縁体の表面に金属
や金属酸化物等の導電性被膜をもうけたものが用いられ
得る。これらの基板表面を清浄にしたのち、グロー放電
装置内に設置し、基板温度を適宜加熱する。室温で構造
が安定な気体状を呈するシリコン化合物、例えばＳ Ｉ
Ｈ４と室温で構造が安定な気体状を呈する炭素の化合
物例えばＣ２Ｈ４を所望の濃度比に混合した第１の組成
比を有する混合ガス及び第２の組成比を有する混合ガス
をそれぞれ不活性ガス例えばアルゴンに稀釈し、これら
の稀釈混合ガスを上記グロー放電装置内に順次導き、１
ｏ−２〜１０Ｔｏｒｒ台の圧力のもとてグロー放電によ
シ順次所望の時間分解することにより、基板上にはそれ
ぞれ所望の組成・膜厚を有するａ−５ｔ層とａ Ｓ
ｌ １ ｘ Ｃ工の層からなる異種接合が形成される
。
ことができる。基板としては表面が平滑で光導電体層を
堆積する温度例えば１６００〜４００’Ｃに耐え得るも
のであれば良く、結晶性・非結晶性を問わない。例えば
Ｓｔ単結晶等の半導体、ステンレス・アルミニューム等
の金属二石英ガラスやセラミックスあるいは上記温度に
耐え得るプラスチックフィルム等の絶縁体の表面に金属
や金属酸化物等の導電性被膜をもうけたものが用いられ
得る。これらの基板表面を清浄にしたのち、グロー放電
装置内に設置し、基板温度を適宜加熱する。室温で構造
が安定な気体状を呈するシリコン化合物、例えばＳ Ｉ
Ｈ４と室温で構造が安定な気体状を呈する炭素の化合
物例えばＣ２Ｈ４を所望の濃度比に混合した第１の組成
比を有する混合ガス及び第２の組成比を有する混合ガス
をそれぞれ不活性ガス例えばアルゴンに稀釈し、これら
の稀釈混合ガスを上記グロー放電装置内に順次導き、１
ｏ−２〜１０Ｔｏｒｒ台の圧力のもとてグロー放電によ
シ順次所望の時間分解することにより、基板上にはそれ
ぞれ所望の組成・膜厚を有するａ−５ｔ層とａ Ｓ
ｌ １ ｘ Ｃ工の層からなる異種接合が形成される
。
特に不純物を添加したａ Ｓ ｉｌｘ Ｃ８層を堆す
る必要のある場合には、適宜■族又はＶ族元素の気体状
化合物例えばＢ２Ｈ６あるいはＰＨ３を前記稀釈混合ガ
スに添加して用いれば良い。
る必要のある場合には、適宜■族又はＶ族元素の気体状
化合物例えばＢ２Ｈ６あるいはＰＨ３を前記稀釈混合ガ
スに添加して用いれば良い。
以下実施例にもとづいて本発明を更に詳しく説明する。
基板１にはＳＬ単結晶（ｐ型１０Ω・ｃｒＩＬ）、ステ
ンレス、石英ガラス上に工ｎ２０３：５ｎ０２（工Ｔｏ
）透明導電膜をもうけたものを用いた。１３．５ＭＨｚ
高周波グロー放電装置内で基板温度を２６０℃に保ち、
先ず第１の層２を約１μｍ形成するため２ｏｖＯｌ−チ
のＳ ｉ層４を含むＡｒガスを導入し、ｏ、１Ｔｏｒｒ
の圧力でグロー放電分解した。ここで第１の層２である
ａ−３ｔ層が形成された。なお層２は水素の含有された
ａ−８ｔとなる。ついでＣ２Ｈ４とＳ Ｉ Ｈ４を各々
１８ｖｏ１１％濃度混合したＡｒガスを導入し、同じ（
０，Ｉ Ｔｏｒｒでグロー放電分解を行ない第２の層３
を約１μｍ堆積させた。
ンレス、石英ガラス上に工ｎ２０３：５ｎ０２（工Ｔｏ
）透明導電膜をもうけたものを用いた。１３．５ＭＨｚ
高周波グロー放電装置内で基板温度を２６０℃に保ち、
先ず第１の層２を約１μｍ形成するため２ｏｖＯｌ−チ
のＳ ｉ層４を含むＡｒガスを導入し、ｏ、１Ｔｏｒｒ
の圧力でグロー放電分解した。ここで第１の層２である
ａ−３ｔ層が形成された。なお層２は水素の含有された
ａ−８ｔとなる。ついでＣ２Ｈ４とＳ Ｉ Ｈ４を各々
１８ｖｏ１１％濃度混合したＡｒガスを導入し、同じ（
０，Ｉ Ｔｏｒｒでグロー放電分解を行ない第２の層３
を約１μｍ堆積させた。
その後Ｓｉ単結晶、ステンレス基板上に堆積したａ −
Ｓ ｉ層とａ Ｓｔｌ 、Ｃ８層の異種接合を有す
る膜上にＩＴＯ４を約１６００人形成した。なおＸ線マ
イクロアナリシス法による測定の結果第２の層の組成Ｘ
は約３５％であった。
Ｓ ｉ層とａ Ｓｔｌ 、Ｃ８層の異種接合を有す
る膜上にＩＴＯ４を約１６００人形成した。なおＸ線マ
イクロアナリシス法による測定の結果第２の層の組成Ｘ
は約３５％であった。
この素子の光電特性の測定はへ光源タングステンランプ
を用い照度２３０Ｌｘで行った。
を用い照度２３０Ｌｘで行った。
〔実施例１〕
第２図はｐ型Ｓｉ基板上にａ−８ｉ層とａ−９ｉ１−Ｉ
Ｃｘ（ｏ＜ｘ＜、１）層の異種接合をもうけ、更にＩＴ
○透明導電膜をもうけた素子の特性を示す。図に於て曲
線１６はＳｉ基板を負にバイアスした場合の暗電流を、
曲線１６は同光電流を示す。又曲線１７は基板を正にバ
イアスした場合の暗電流を示し、曲線１９が光電流を示
す。
Ｃｘ（ｏ＜ｘ＜、１）層の異種接合をもうけ、更にＩＴ
○透明導電膜をもうけた素子の特性を示す。図に於て曲
線１６はＳｉ基板を負にバイアスした場合の暗電流を、
曲線１６は同光電流を示す。又曲線１７は基板を正にバ
イアスした場合の暗電流を示し、曲線１９が光電流を示
す。
光導電素子特性としては、上記照度に於て約１×１０３
倍の光電流・暗電流比が得られ°、更に暗電流密度がｌ
Ｘ１Ｏ−１０Ａ、乙−を越える印加電圧は約１０ｖであ
シ、この時の平均電界として約３ Ｘ １０ Ｖ／ｃＩ
ｒＬを得る。比較のため示せばａ −３ｔのみの層を用
いて暗電流密度Ｉ Ｘ １０ ”Ａ／ｉ以下を得る事
は現状では不可能である。
倍の光電流・暗電流比が得られ°、更に暗電流密度がｌ
Ｘ１Ｏ−１０Ａ、乙−を越える印加電圧は約１０ｖであ
シ、この時の平均電界として約３ Ｘ １０ Ｖ／ｃＩ
ｒＬを得る。比較のため示せばａ −３ｔのみの層を用
いて暗電流密度Ｉ Ｘ １０ ”Ａ／ｉ以下を得る事
は現状では不可能である。
〔実施例２〕
ＩＴＯ表面電極をもうけたステンレス基板上の素子も、
暗電流・充電流特性ともに、第２図とほとんど同様の特
性を示した。
暗電流・充電流特性ともに、第２図とほとんど同様の特
性を示した。
〔実施例３〕
約１０００人のＡｕ−８ｂ合金膜を表面電極としてもう
けたＳｉ基板上の素子特性を第３図に示す。
けたＳｉ基板上の素子特性を第３図に示す。
曲線２０．２１は基板を負にバイアスした場合の暗電流
光電流を各々示す。又曲線２２．２３は基板を正にバイ
アスした場合の暗電流・光電流を示す。充電流密度は第
３図に比べ低下しているが、これは比較的“厚い”半透
明電導膜を用いたためである。しかし暗電流は特に変化
していない。更にＡｕ−３ｂ電極を用いたため、本電極
とａ−９ｔ１−エＣｘ（０＜！＜１ ）層との界面の障
壁が減少したためか、光起電力は発生せず正負側バイア
ス方向とも極めて良く似かよった特性を示す。
光電流を各々示す。又曲線２２．２３は基板を正にバイ
アスした場合の暗電流・光電流を示す。充電流密度は第
３図に比べ低下しているが、これは比較的“厚い”半透
明電導膜を用いたためである。しかし暗電流は特に変化
していない。更にＡｕ−３ｂ電極を用いたため、本電極
とａ−９ｔ１−エＣｘ（０＜！＜１ ）層との界面の障
壁が減少したためか、光起電力は発生せず正負側バイア
ス方向とも極めて良く似かよった特性を示す。
従って良好な異種接合面が形成されていると推測される
。
。
〔実施例４〕
実施例３と約１０ｏｏへのＡｕＳｂ合金膜を表面電極と
してもうけたステンレス基板上の素子も、第３図とほと
んど同様の特性を示す。
してもうけたステンレス基板上の素子も、第３図とほと
んど同様の特性を示す。
〔実施例６〕
前記実施例の素子の製作に用いたａ−５ｉ１−エＣ！（
ｏ＜ｚ＜：１ ）層及び従来素子であるＳｓ、ＣｄＳ等
を光導電膜とする素子をステンレス製ピンセットの先端
で引っ掻き、機械的強度を比較した。
ｏ＜ｚ＜：１ ）層及び従来素子であるＳｓ、ＣｄＳ等
を光導電膜とする素子をステンレス製ピンセットの先端
で引っ掻き、機械的強度を比較した。
従来のＳｅ、ＣｄＳを用いた素子は容易に傷ついたが、
本発明による素子では相当の力で押圧したが、何ら機械
的損傷は認められなかった。
本発明による素子では相当の力で押圧したが、何ら機械
的損傷は認められなかった。
第４図に前記した実施例の素子の光導電特性の分光感度
分布を示す。曲線２４．２５は各々表面電極としてＡｕ
−５ｂ、ＩＴＯをもうけた素子の特性である。曲線２６
はａ −Ｓ ｉ単層膜（約０．７μｍ）の分光感度分布
を相対値として示す。曲線２４゜２５は約４９０ ｎｍ
に最高感度を有し、これより長波長側では、曲線２６と
ほぼ相似の傾向を示して感度が低下する。前述したよう
に本実施例の素子の第２の層の組成はＸ＝０．３５であ
シ、この組成ではエネルギーギャップが約２．３とＶを
もつため、第２の層のみではこのような長波長側に感度
はない。長波長側の総合感度として、ａ−８Ｌの感度分
布と同様の傾向を示すことから、この素子は第１の層の
ａ−５ｔ層で光励起された荷電担体が第２の層に注入さ
れ輸送されている事は明らかである。他方４９０ ｎｍ
より短波長側で素子の感度が低下しているのは、光入射
側に組成ｘ＝ｏ、３Ｅ５の第２の層があり、この層で入
射光が吸収されているためと考えられる。この短波長で
の感度低下は、第２の層の組成Ｉを増しエネルギーギャ
ップを大きくすれば避けられる。他方第１の層の方向か
ら光入射を行なう構成にすれば、第２の層による減衰を
受ける事なく、入射光を第１の層に導く事が可能となる
。
分布を示す。曲線２４．２５は各々表面電極としてＡｕ
−５ｂ、ＩＴＯをもうけた素子の特性である。曲線２６
はａ −Ｓ ｉ単層膜（約０．７μｍ）の分光感度分布
を相対値として示す。曲線２４゜２５は約４９０ ｎｍ
に最高感度を有し、これより長波長側では、曲線２６と
ほぼ相似の傾向を示して感度が低下する。前述したよう
に本実施例の素子の第２の層の組成はＸ＝０．３５であ
シ、この組成ではエネルギーギャップが約２．３とＶを
もつため、第２の層のみではこのような長波長側に感度
はない。長波長側の総合感度として、ａ−８Ｌの感度分
布と同様の傾向を示すことから、この素子は第１の層の
ａ−５ｔ層で光励起された荷電担体が第２の層に注入さ
れ輸送されている事は明らかである。他方４９０ ｎｍ
より短波長側で素子の感度が低下しているのは、光入射
側に組成ｘ＝ｏ、３Ｅ５の第２の層があり、この層で入
射光が吸収されているためと考えられる。この短波長で
の感度低下は、第２の層の組成Ｉを増しエネルギーギャ
ップを大きくすれば避けられる。他方第１の層の方向か
ら光入射を行なう構成にすれば、第２の層による減衰を
受ける事なく、入射光を第１の層に導く事が可能となる
。
上述の素子を実際の高電圧の表面電荷を付与し選択的な
光照射により光導電性を利用して選択的に表面電荷を放
電し、印刷等に利用する電子写真用感光層として利用す
るには、例えば第１図に於て表面電極４を取り除いた構
成となし、素子の耐電圧性を増すような設計をなせば良
い。
光照射により光導電性を利用して選択的に表面電荷を放
電し、印刷等に利用する電子写真用感光層として利用す
るには、例えば第１図に於て表面電極４を取り除いた構
成となし、素子の耐電圧性を増すような設計をなせば良
い。
以上本発明の詳細な説明したように、本発明では組成Ｘ
を連続的に制御できるａ ５ｉ１−エＣｘ とａ−３
ｔの異種接合を用いた電子写真用感光層を提供するもの
であり、第１の層に光励起担体生成機能を、相対的に組
成Ｉの大きい第２の層に透光性と耐電界性の機能ならび
に光励起担体の輸送機能を分担することにより、それぞ
れの層のもつ特長を発揮させ得たものである。このため
本発明の感光層は、 （１）可視光域の光に高い感度を有し、耐高電界高電圧
性で、暗電流の小さい感光層を提供できる。
を連続的に制御できるａ ５ｉ１−エＣｘ とａ−３
ｔの異種接合を用いた電子写真用感光層を提供するもの
であり、第１の層に光励起担体生成機能を、相対的に組
成Ｉの大きい第２の層に透光性と耐電界性の機能ならび
に光励起担体の輸送機能を分担することにより、それぞ
れの層のもつ特長を発揮させ得たものである。このため
本発明の感光層は、 （１）可視光域の光に高い感度を有し、耐高電界高電圧
性で、暗電流の小さい感光層を提供できる。
（２）機械的強度に富む感光層を提供でき、耐摩耗性の
要求される電子写真技術分野の用途に極めて有用である
。
要求される電子写真技術分野の用途に極めて有用である
。
（３）異種接合形成の温度が低く、かつ形成後の熱処理
を要さず、さらに非晶質であるため基板材料及び基板形
状の選択範囲が広く、製作が簡単であり用途目的に応じ
て自由の形状の感光層を提供できる。
を要さず、さらに非晶質であるため基板材料及び基板形
状の選択範囲が広く、製作が簡単であり用途目的に応じ
て自由の形状の感光層を提供できる。
（４） 基本構成材料が無毒・無公害である。
等の効果を有し、産業的価値が極めて大なるものである
。
。
第１図は本発明の一実施例の感光層の光導電機能確認用
半導体素子の基本構成を示す概要図、第２図、第３図は
本発明の感光層の光電機能確認用半導体素子の一実施例
における印加電圧と暗電流・光電流の関係を示す図、第
４図は本発明の半導体素子の一実施例における光電流と
入射光波長の関係を示す図である。 １・・・・・・導電性基板、２・・・・・・ａ −Ｓ
ｉ層、３・・・・・・ａ Ｓ ｉｌ−エＣｘ層、４・
・・・・・透明導電膜、５．６・・・・・・電極、７・
・・・・・電源、８・・・・・・負荷′訴抗、９・・・
・・・スイッチ。 第１図 第２図 −くイアズ電、Ｌ（ｖ） 第３図 ノ１゛イ？ス覧圧（ｌ／）
半導体素子の基本構成を示す概要図、第２図、第３図は
本発明の感光層の光電機能確認用半導体素子の一実施例
における印加電圧と暗電流・光電流の関係を示す図、第
４図は本発明の半導体素子の一実施例における光電流と
入射光波長の関係を示す図である。 １・・・・・・導電性基板、２・・・・・・ａ −Ｓ
ｉ層、３・・・・・・ａ Ｓ ｉｌ−エＣｘ層、４・
・・・・・透明導電膜、５．６・・・・・・電極、７・
・・・・・電源、８・・・・・・負荷′訴抗、９・・・
・・・スイッチ。 第１図 第２図 −くイアズ電、Ｌ（ｖ） 第３図 ノ１゛イ？ス覧圧（ｌ／）
Claims (4)
- （１）支持体上に形成される第１および第２の層の多層
構造を有し、前記第１の層として非晶質シリコン層を、
前記第２の層として炭素又はシリコンを主成分元素とす
る非晶質半導体層（ａ−Ｓｉ＿１＿−＿ｘＣ＿ｘ、０＜
ｘ≦１）とし、第１と第２の層とのヘテロ接合を含む電
子写真用感光層。 - （２）非晶質半導体層が水素を含む化合物ガスを用いた
グロー放電にて形成された特許請求の範囲第１項記載の
電子写真用感光層。 - （３）非晶質半導体層が室温時の暗比抵抗値が１０＾１
＾３Ω・ｃｍ以上である特許請求の範囲第１項又は第２
項記載の電子写真用感光層。 - （４）非晶質半導体層が非晶質シリコン層の光学的禁止
帯幅よりも大きい特許請求の範囲第１項又は第２項又は
第３項記載の電子写真用感光層。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60198020A JPS61233751A (ja) | 1979-03-26 | 1985-09-06 | 電子写真用感光層 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54035873A JPS5944791B2 (ja) | 1979-03-26 | 1979-03-26 | 半導体素子 |
| JP60198020A JPS61233751A (ja) | 1979-03-26 | 1985-09-06 | 電子写真用感光層 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54035873A Division JPS5944791B2 (ja) | 1979-03-26 | 1979-03-26 | 半導体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61233751A true JPS61233751A (ja) | 1986-10-18 |
| JPH0334061B2 JPH0334061B2 (ja) | 1991-05-21 |
Family
ID=26374878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60198020A Granted JPS61233751A (ja) | 1979-03-26 | 1985-09-06 | 電子写真用感光層 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61233751A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115551A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
-
1985
- 1985-09-06 JP JP60198020A patent/JPS61233751A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115551A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0334061B2 (ja) | 1991-05-21 |
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