JPS61234024A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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- JPS61234024A JPS61234024A JP7612485A JP7612485A JPS61234024A JP S61234024 A JPS61234024 A JP S61234024A JP 7612485 A JP7612485 A JP 7612485A JP 7612485 A JP7612485 A JP 7612485A JP S61234024 A JPS61234024 A JP S61234024A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は固体電解質を改良したアルミニウム電解コンデ
ンサに関するものである。
ンサに関するものである。
従来の技術
表面に陽極酸化皮膜を有する弁作用金属からなる陽極用
電極と、該電極に対向して構成された陰極用電極との間
に固体電解質を介在させてなる従来の固体電解コンデン
サは二酸化マンガンを固体電解質として用いてきたもの
がほとんどであった。
電極と、該電極に対向して構成された陰極用電極との間
に固体電解質を介在させてなる従来の固体電解コンデン
サは二酸化マンガンを固体電解質として用いてきたもの
がほとんどであった。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、この方法は二酸化マンガンを電極上に形
成させる際に、−ａに硝酸マンガン溶液に浸漬した後加
熱分解を行うため、陽極酸化皮膜が損傷を受けること、
加えて二酸化マンガンによる陽極酸化皮膜の修復性が乏
しいという欠点があった。
成させる際に、−ａに硝酸マンガン溶液に浸漬した後加
熱分解を行うため、陽極酸化皮膜が損傷を受けること、
加えて二酸化マンガンによる陽極酸化皮膜の修復性が乏
しいという欠点があった。
問題点を解決するための手段
本発明は上記の欠点を改善させる目的で、固体電解質と
して有機半導体、主として７．７．８．８テトラシアノ
キノジメタン（以下ＴＣＮＱという）の塩を用いた固体
電解コンデンサを提供しようとするものである。
して有機半導体、主として７．７．８．８テトラシアノ
キノジメタン（以下ＴＣＮＱという）の塩を用いた固体
電解コンデンサを提供しようとするものである。
ＴＣＮＱはアクセプター材として用いられ、ドナー材と
してキノリン（以下Ｑ１という）、テトラチアフルバレ
ン（以下ＴＴＦという）、Ｎ−メチルツェナジニウム（
以下ＮＭＰという）、テトラセレナフルバレン（以下Ｔ
ＳＦという）などがあり、特に新しいドナー材について
の研究は精力的に行われている。
してキノリン（以下Ｑ１という）、テトラチアフルバレ
ン（以下ＴＴＦという）、Ｎ−メチルツェナジニウム（
以下ＮＭＰという）、テトラセレナフルバレン（以下Ｔ
ＳＦという）などがあり、特に新しいドナー材について
の研究は精力的に行われている。
ドナー材としての特徴は、イオン化ポテンシャルが適度
に小さいこと、π電子系の広がりが大きく、そのイオン
が安定すること、分極率が高いことなどが挙げられる。
に小さいこと、π電子系の広がりが大きく、そのイオン
が安定すること、分極率が高いことなどが挙げられる。
これらの諸条件をすべて満たすことは分子設計のうえで
重要な因子であるが、すべてを満たすには非常に困難を
伴う。またＴＣＮＱとドナー材からなるＴＣＮＱ錯体を
電解コンデンサへ適応するには電極との接着の問題があ
り、きわめて微細な結晶粒を有するもので、かつ金属酸
化物とのなじみが良好のＴＣＮＱ錯体が望ましい。
重要な因子であるが、すべてを満たすには非常に困難を
伴う。またＴＣＮＱとドナー材からなるＴＣＮＱ錯体を
電解コンデンサへ適応するには電極との接着の問題があ
り、きわめて微細な結晶粒を有するもので、かつ金属酸
化物とのなじみが良好のＴＣＮＱ錯体が望ましい。
また電気伝導性も低温から高温まであまり変化せず、高
温になっても分解しにくいＴＣＮＱ錯体が要求される。
温になっても分解しにくいＴＣＮＱ錯体が要求される。
本発明者らは種々の実験をくりかえし、上記の要求を満
たすＴＣＮＱのドナー材を見出した。
たすＴＣＮＱのドナー材を見出した。
すなわち、本発明は陽極酸化皮膜を有する弁金属からな
る陽極用電極と、該電極に対向して構成された陰極用電
極との間に介在された電解質としてＴＣＮＱと１．９−
アントラゾリン誘導体とからなる有機半導体を用いたこ
とを特徴とする固体電解コンデンサである。そして上記
ｌ、９−アントラゾリン誘導体は、次に示す構造式（Ｉ
）または（ＩＩ）を有し、Ｎ位の一方もしくは両方をプ
ロトンおよび炭化水素基で４級化したもので、炭化水素
基の炭素数は１〜１８である。炭素数が１９以上になる
と熱的に不安定となるため、コンデンサとしての使用に
耐えない。
る陽極用電極と、該電極に対向して構成された陰極用電
極との間に介在された電解質としてＴＣＮＱと１．９−
アントラゾリン誘導体とからなる有機半導体を用いたこ
とを特徴とする固体電解コンデンサである。そして上記
ｌ、９−アントラゾリン誘導体は、次に示す構造式（Ｉ
）または（ＩＩ）を有し、Ｎ位の一方もしくは両方をプ
ロトンおよび炭化水素基で４級化したもので、炭化水素
基の炭素数は１〜１８である。炭素数が１９以上になる
と熱的に不安定となるため、コンデンサとしての使用に
耐えない。
構造式（Ｉ）
＾１ 、青２
作用
１．９−アントラゾリン誘導体−ＴＣＮＱ塩はベレット
状にした状態で（１０−”〜１０− ’ ）Ω−’ ｃ
ｉｌｌ −’の高い導電性を示す。さらに熱的に非常に
安定な特性を示す。
状にした状態で（１０−”〜１０− ’ ）Ω−’ ｃ
ｉｌｌ −’の高い導電性を示す。さらに熱的に非常に
安定な特性を示す。
また、陽極酸化皮膜を有する弁金属からなる陽極用電極
と対向して構成された陰極用電極との間に１．９−アン
トラゾリン誘導体−ＴＣＮＱ塩を含浸し“ζ通電した結
果、非常に低い漏洩電流特性を示した。
と対向して構成された陰極用電極との間に１．９−アン
トラゾリン誘導体−ＴＣＮＱ塩を含浸し“ζ通電した結
果、非常に低い漏洩電流特性を示した。
実施例
以下、本発明の具体的実施例を示す。
電極として表面倍率を約１０倍にエツチングしたアルミ
ニウム箔をリン酸アンモニウム溶液を用いて８０Ｖ化成
を行い充分に乾燥を行ったものを用いた。次にＮ−ブチ
ル−アントラシリニウム・ （ＴＣＮ Ｑ）Ｚ錯体をア
セトニトリル中に加熱溶解して飽和溶液を作成し、上記
電極上に塗布し、８０〜９０℃で加熱して溶媒のアセト
ニトリルを飛散除去した。この操作を３回行い、陰極と
してコロイダルカーボンを塗布乾燥し、その後銀ペース
トを塗布しリード線をハンダ付けして外装し、定格５０
ｖ。
ニウム箔をリン酸アンモニウム溶液を用いて８０Ｖ化成
を行い充分に乾燥を行ったものを用いた。次にＮ−ブチ
ル−アントラシリニウム・ （ＴＣＮ Ｑ）Ｚ錯体をア
セトニトリル中に加熱溶解して飽和溶液を作成し、上記
電極上に塗布し、８０〜９０℃で加熱して溶媒のアセト
ニトリルを飛散除去した。この操作を３回行い、陰極と
してコロイダルカーボンを塗布乾燥し、その後銀ペース
トを塗布しリード線をハンダ付けして外装し、定格５０
ｖ。
２．２μＦのコンデンサ試料を製作した。（試料群Ａ）
また従来例として硝酸マンガンを水に溶かして飽和溶液
を作成し、上記電極を浸漬し４００℃で５分間乾燥処理
を行い、この操作を３回くりかえした。陰極およびリー
ド線の取付けは上述と同様に行い、同様にコンデンサ試
料（試料群Ｂ）を製作した。
を作成し、上記電極を浸漬し４００℃で５分間乾燥処理
を行い、この操作を３回くりかえした。陰極およびリー
ド線の取付けは上述と同様に行い、同様にコンデンサ試
料（試料群Ｂ）を製作した。
この２種のコンデンサの初期特性および１０５℃の雰囲
気中で２０００時間定格電圧を印加し、高温負荷試験し
た結果を第１表および第２表に示す。
気中で２０００時間定格電圧を印加し、高温負荷試験し
た結果を第１表および第２表に示す。
静電容量およびｔａｎδは常温、１２０ｋｌｌｚにおけ
る値、漏れ電流は常温、定格電圧印加１分後の値を示す
。
る値、漏れ電流は常温、定格電圧印加１分後の値を示す
。
第２表（高温負荷試験特性）
なお、本発明の陽極用電極はアルミニウム箔に限定する
ものでなく、他の弁金属や粉末焼結金属電極についても
同様に適用でき、本発明の技術範囲に含まれるものであ
る。
ものでなく、他の弁金属や粉末焼結金属電極についても
同様に適用でき、本発明の技術範囲に含まれるものであ
る。
発明の効果
以上のように１．９−アントラゾリン誘導体−ＴＣＮＱ
錯体は電極との接合性も極めて良好であり、コンデンサ
の固体電解質として用いた場合価れた特性を示し、信頼
性も良好であり、工業的ならびに実用的価値大なるもの
である。
錯体は電極との接合性も極めて良好であり、コンデンサ
の固体電解質として用いた場合価れた特性を示し、信頼
性も良好であり、工業的ならびに実用的価値大なるもの
である。
Claims (2)
- （１）陽極酸化皮膜を有する弁金属からなる陽極用電極
と、該電極に対向して構成された陰極用電極との間に介
在された電解質として７、７、８、８テトラシアノキノ
ジメタンと１，９−アントラゾリン誘導体とからなる有
機半導体化合物を用いたことを特徴とする固体電解コン
デンサ。 - （２）上記１，９−アントラゾリン誘導体は、次の構造
式（ I ）または（II）を有し、Ｎ位の一方もしくは両
方が４級化されていることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の固体電解コンデンサ。 構造式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ 構造式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7612485A JPS61234024A (ja) | 1985-04-09 | 1985-04-09 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7612485A JPS61234024A (ja) | 1985-04-09 | 1985-04-09 | 固体電解コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61234024A true JPS61234024A (ja) | 1986-10-18 |
| JPH0482045B2 JPH0482045B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=13596171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7612485A Granted JPS61234024A (ja) | 1985-04-09 | 1985-04-09 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61234024A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107867748A (zh) * | 2016-09-28 | 2018-04-03 | 南京工业大学 | 一种有机半导体二苯基蒽唑啉化合物光催化氧化处理亚甲基蓝废水的方法 |
-
1985
- 1985-04-09 JP JP7612485A patent/JPS61234024A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107867748A (zh) * | 2016-09-28 | 2018-04-03 | 南京工业大学 | 一种有机半导体二苯基蒽唑啉化合物光催化氧化处理亚甲基蓝废水的方法 |
| CN107867748B (zh) * | 2016-09-28 | 2020-11-17 | 南京工业大学 | 一种有机半导体二苯基蒽唑啉化合物光催化氧化处理亚甲基蓝废水方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0482045B2 (ja) | 1992-12-25 |
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