JPS6317515A - 固体電解コンデンサ - Google Patents

固体電解コンデンサ

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JPS6317515A
JPS6317515A JP16221886A JP16221886A JPS6317515A JP S6317515 A JPS6317515 A JP S6317515A JP 16221886 A JP16221886 A JP 16221886A JP 16221886 A JP16221886 A JP 16221886A JP S6317515 A JPS6317515 A JP S6317515A
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solid electrolytic
electrolytic capacitor
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phenylpyridinium
tcnq
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JP16221886A
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隆 望月
文良 浦野
中畑 正明
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Fujifilm Wako Pure Chemical Corp
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Wako Pure Chemical Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、固体電解質を用いた固体電解コンデンサの改
良に関するものである。
〔発明の背景〕
固体電解コンデンサは、陽極酸化皮膜を有するアルミニ
ウムなどの誘電体皮膜生成金属に固体電解質を付着した
構造を有している。この種のコンデンサには、従来まで
は殆ど二酸化マンガンが固体電解質として用いられて来
た。
しかしながら、二酸化マンガンを電極上に形成させる際
に、一般に硝酸マンガン溶液に浸漬させた後加熱分解を
行うため、陽極酸化皮膜が損傷をうけること、加えて二
酸化マンガンによる陽極酸化皮膜の修復性が乏しいとい
う欠点があった。
上記の欠点を改善させる目的で固体電解質として有機半
導体、主として7,7,8.8−テトラシアノキノジメ
タン(TCNQ)の塩を用いることが提案されている。
TCNQ錯体は、TCNQをアクセプターとし、ドナー
材としてはキノリン(Qn)、テトラチアフルバレン(
TTF)、N−メチルフェナジン(NMP)、テトラセ
レナフルバレン(TSF)などがこれまで検討されてお
り、更に新しいドナー材についての研究も精力的に行わ
わているが、まだ充分満足できるものは得られていない
。
特に耐熱性の点に関しては、従来検討されてきたTCN
Q錯体はいずれも問題を抱えている。
即ち、固体電解コンデンサに於ては、コンデンサの構造
処理過程に於て、ハンダ処理等の熱に曝される機会が多
いこと、及び電源回路に於てトランスの近くに配置され
ること等の点から、電解質は熱的に安定でなくてはなら
ないが、従来のTCNQ錯体はいずれもこの点で不安要
素がある。
〔発明の目的〕
本発明は、固体電解コンデンサが有する上記した如き諸
問題を全く有さない、新規で且つ有用な固体電解コンデ
ンサを提供することにある。
(発明の概要) 本発明は、表面に陽極酸化皮膜を有する弁作用金属から
なる陽極用電極と、該電極に対向して構成された陰極用
電極との間に介在された電解質として、N−アルキル−
4−フェニルピリジニウムカチオンをドナー材としたT
CNQ錯体な用いることを特徴とする固体電解コンデン
サである。
ドナー材としての特徴は、イオン化ポテンシャルが適度
に小さいこと、π電子系の広がりが犬きくそのイオンが
安定化すること、分極率が高いことなどが挙げられる。
これらの諸条件を全て満たすことは分子設計の上で重要
な因子であるが、全てを満たすには、非常な困難を伴う
。また袖々のドナー材からなるT CN Q 26体を
電解コンデンサへ適応するには電極との接着の問題があ
り、極めて微細な結晶粒を有するもので且つ金属酸化物
とのなじみが良好のTCNQ錯体が望ましい。
また電気伝導性も低温から高温まであまり変化せず、高
温になっても分解しないTCNQ錯体が要求される。
本発明者らは鋭意研究を重ね、上記の要求を充分満足し
得るTCNQ錯体のドナー材を新たに見出し、本発明に
到達した。即ち、本発明は特に製品化した後、プリント
基板にハンダ付けする際に、充分高い温度でのりフロー
で行っても対応出来得る有機半導体を用いている点に特
徴を有する。
N−アルキル−4−フェニルピリジニウムTCNQ錯体
は、例えば下記の如く表わされる。
(式中、nは0.5≦n≦2なる任意の数を表わす。) N−アルキル−4−フェニルピリジニ、ウムTCNQ錯
体は、比較的高い温度の融点および分解点を有している
。例えばN−イソブチル−4−フェニルピリジニウムT
CNQ錯体は、融解開始点が250℃、また分解点が2
81”Cであり、N−n−ブチルイソキノリンTCNQ
錯体の融解開始点217.5℃、分解点267.1’C
に比べいずれも高い値を示している。このようにN−ア
ルキル−4−フェニルピリジニウムTCNQ錯体は極め
て熱的に安定な錯体である。
また、N−アルキル−4−フェニルピリジニウムTCN
Q錯体は、電導性についても電解コンデンサ用の固体電
解質として充分適応出来得るものである。例えば、N−
イソブチル−4−フェニルピリジニウムTCNQ錯体粉
末を400kg加圧してペレット状にしたときの比抵抗
値は1〜12Ω・cmであった。
TCNQとN−アルキル−4−フェニルピリジニウムカ
チオンの錯体は高温まで安定であるがゆえに、電極との
接合技術に於て有利な利点をもたらす。即ち、高沸点で
極性の高い溶媒に溶かすことが可能であり、浸漬、乾燥
時に極めて速やかに電極表面上での再結晶化が起こる。
またアルミニウム電解コンデンサのように細かくエツチ
ングされた電極面の凹凸の中にも無理なく含浸される。
これは結晶化速度との条件がらみの問題もあるが、結晶
の微細化、高密度化と共に、含浸状旭が良好になるのは
言うまでもない。
なお、本発明の固体電解コンデンサに用いられる陽極用
電極はアルミニウム箔に限定されるものではなく、他の
弁作用金属も当然ながら使用可能であり、また粉末焼結
電極を用いても同様な効果が得られることは言うまでも
ない。
本発明の固体電解コンデンサに使用する4−フェニルピ
リジニウムカチオンのN位につくアルキル基の炭素数と
しては1〜IOが良好で、それ以上になると不安定であ
り、また、コスト的にみても不都合な点が多い。
以下、本発明の具体的実施例について説明する。
実施例I N−イソアミル−4−フェニルピリジニウムTCNQ錯
体を180℃に熱したニトロベンゼン溶液に過飽和溶解
させた。次に40倍にエツチング処理したアルミニウム
箔を50v化成し、陽極用電極とした。該電極を、上記
溶液を180℃にした中に浸漬し、ゆっくりと引き上げ
、230℃で乾燥させた。この操作を4回行い含浸を終
了させた。次に陰極としてカーボンを塗布し、その上に
銀ペーストを塗布し、リード線をはんだ付けして外装し
たコンデンサ試料(試料群A)を作製した。
また比較のため従来例として、N−n−ブチルイソキノ
リンTCNQ錯体を同様にして 180℃に加熱したニ
トロベンゼン中に過飽和溶解させ、同様の操作を繰り返
した。陰極およびリード線の取り付けは上記と同様に行
いコンデンサ試料(試料群B)を作製した。
また更に従来例として硝酸マンガン飽和水溶液を用い、
220℃にて60秒浸禎、加熱処理を6回繰り返した。
そして陰極およびリード線の取り付けを上記と同様に行
いコンデンサ試料(試料C)を作製した。
何れの試料も定格25v、47μFの固体電解コンデン
サである。
第1表に初期特性を示す。静電容量及びtanδは常温
、 l 2011 zに於ける値、漏わ電流は常温、定
格電圧印加1分後の値を示す。
第  1  表 さらに105℃の雰囲気で定格電圧を印加し2000時
間までの高温負荷試験を行った結果を第2表に示す。
第  2  表 上記第1表および第2表より明らかなように本発明の固
体電解コンデンサは熱的にも安定であることが、実証さ
れた。
実施例2 実施例1と同様の電極を用い陽極箔とし、それに対向し
て約10倍にエツチングしたアルミ箔を陰極とし、電解
紙をセパレーターとして巻回型コンデンサ(定格25w
v−33μF)の素子を作製した。上記素子を火焔処理
し、これにN−インブチル−4−フェニルピリジニウム
TCNQ錯体を含浸し、外装して、コンデンサ試料群り
を作製した。
比較のため、N−n−ブチルイソキノリンTCNQ錯体
も同様に含浸し、試料群Eを作製した。
第3表に初期特性、及び250℃に於けるはんだリフロ
ー1分を行った後の特性を示す。
第3表の結果からも明らかな様にN−n−ブチルイソキ
ノリンTCNQ錯体を用いた製品は、静電容量が大幅に
減少し、tanδは逆に大幅に増大しておりリフロ一時
に於ける熱ストレスによって錯体が劣化したことを示し
ている。それに対しN−イソブチル−4−フェニルピリ
ジニウムTCNQ錯体は静電容量、 tanδ共に変化
は少なく極めて安定していることを示している。
〔発明の効果〕
以上述べたように、N−アルキル−4−フェニルピリジ
ニウムカチオンのTCNQ錯体からなる固体電解質は熱
的に極めて安定で、電極と固体電解質との接合性も良好
なので、これを電解質として用いた本発明の固体電解コ
ンデンサは従来のものと比べその電気特性が著しく改善
され且つ安定化されたものである点に顕著な効果を奏す
るものであり、工業的且つ実用的価値大なるものがある
。
特許出願人 和光純薬工業株式会社 手続補正書 昭和62年10月 9日 1、事件の表示 昭和61年 特許願 第162218号2、発明の名称 〒 541 住 所 大阪府大阪市東区道峰町3丁目10番地連絡先
 特許法(東京)置03−270−8571名 称 和
光純薬工業株式会社 自発 5、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄。
6、補正の内容 (3)明細書3頁6行目に記載の「構造処理過程」を「
製造処理過程」と補正する。
以上

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)表面に陽極酸化皮膜を有する弁作用金属からなる
    陽極用電極と、該電極に対向して構成された陰極用電極
    との間に介在された電解質として、N−アルキル−4−
    フェニルピリジニウムカチオンをドナー材としたTCN
    Q 錯体を用いることを特徴とする固体電解コンデンサ。
  2. (2)ドナー材のアルキル基の炭素数が1〜10である
    、特許請求の範囲第1項記載の固体電解コンデンサ。
JP16221886A 1986-07-10 1986-07-10 固体電解コンデンサ Expired - Lifetime JPH0770441B2 (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01231207A (ja) * 1988-03-11 1989-09-14 Japan Carlit Co Ltd:The 耐熱性電荷移動錯体
US8710377B2 (en) 2007-07-09 2014-04-29 Autonetworks Technologies, Ltd. Electric connection box

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01231207A (ja) * 1988-03-11 1989-09-14 Japan Carlit Co Ltd:The 耐熱性電荷移動錯体
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