JPH0664354B2 - アモルフアス電子写真感光体 - Google Patents
アモルフアス電子写真感光体Info
- Publication number
- JPH0664354B2 JPH0664354B2 JP60078385A JP7838585A JPH0664354B2 JP H0664354 B2 JPH0664354 B2 JP H0664354B2 JP 60078385 A JP60078385 A JP 60078385A JP 7838585 A JP7838585 A JP 7838585A JP H0664354 B2 JPH0664354 B2 JP H0664354B2
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- JP
- Japan
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- layer
- amorphous
- breakdown voltage
- high resistance
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は光例えば紫外光線、可視光線、赤外光線、Ｘ
線、γ線などのような電磁波に感受性を有する光導電部
材に関するものである。
線、γ線などのような電磁波に感受性を有する光導電部
材に関するものである。
（従来技術およびその問題点） 固体撮像装置或いは像形成分野における電子写真用像形
成部材や、原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては以下に述べる特性が要求される。即ち
高感度であること、SN比（光電流（Ip）／暗電流
（Id）が高いこと、照射する電磁波のスペクトル特性
にマツチングした吸収スペクトル特性を有すること、
光応答性が速く所望の暗抵抗値を有すること、固体撮
像装置においては残像を所定時間内に容易に処理できる
こと、特に事務用として使用される電子写真装置用と
しては操作者に対して無公害であることなどの特性が要
求される。
成部材や、原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては以下に述べる特性が要求される。即ち
高感度であること、SN比（光電流（Ip）／暗電流
（Id）が高いこと、照射する電磁波のスペクトル特性
にマツチングした吸収スペクトル特性を有すること、
光応答性が速く所望の暗抵抗値を有すること、固体撮
像装置においては残像を所定時間内に容易に処理できる
こと、特に事務用として使用される電子写真装置用と
しては操作者に対して無公害であることなどの特性が要
求される。
そこで従来の光導電材料に比べて上記のような各種の要
件を多く満すものとして非晶質半導体例えばアモルフア
スシリコン（以下α−Si:Hと表記する場合がある）が注
目され、例えば特開昭54−78135号、特開昭54−86341号
としてその技術が公開されている。しかし従来のアモル
フアスシリコンにより構成された光導電層を有する光導
電部材では、高速プリンタ例えば最近普及し始めつつあ
る高速レーザプリンタ用としては光感度が不十分であ
る。
件を多く満すものとして非晶質半導体例えばアモルフア
スシリコン（以下α−Si:Hと表記する場合がある）が注
目され、例えば特開昭54−78135号、特開昭54−86341号
としてその技術が公開されている。しかし従来のアモル
フアスシリコンにより構成された光導電層を有する光導
電部材では、高速プリンタ例えば最近普及し始めつつあ
る高速レーザプリンタ用としては光感度が不十分であ
る。
そこで従来から例えば第１図のように支持体（Ｓ），光
キヤリア発生層（ｉ）（ｎ型），表面保護層（SG）,P+
層などからなる例えば電子写真用感光体においては、そ
の耐圧を上げることにより光感度を向上させ、また酸
素、炭素、窒素ガスなどの導入により暗抵抗の適正化を
図つて光感度を上昇させることが行われている。
キヤリア発生層（ｉ）（ｎ型），表面保護層（SG）,P+
層などからなる例えば電子写真用感光体においては、そ
の耐圧を上げることにより光感度を向上させ、また酸
素、炭素、窒素ガスなどの導入により暗抵抗の適正化を
図つて光感度を上昇させることが行われている。
しかし従来の光導電部材のようにｐ−ｎ接合を逆バイア
ス状態で使用するもの、即ちｐ−ｎ接合のｎ側に正の高
電圧を印加する方法では、第２図に示すエネルギバンド
図のようにキヤリア発生層（ｉ）（ｎ層）が耐圧保持層
を兼ねる。そのため光吸収係数を上げるべく光キヤリア
発生層（ｉ）に光学的バンドギヤツプの小さい材料を用
いた場合には、耐圧を十分にとれず光感度の向上を充分
図り得ない。即ちよく知られるように光感度を上げるた
めには光吸収係数を上げることが必要であり、そのため
には光学的エネルギギヤツプ（以下Egoptと称すること
がある。）を小さくする必要がある。一方これに対して
耐圧を上げるためにはEgoptの大きい材料を選ばなけれ
ばならないとする背反的な条件がある。従つて耐圧の向
上のためには結局光キヤリヤ発生層（ｉ）の膜厚を厚く
する方法をとらざるを得ない。しかし現在以上に膜厚を
大にすることは製造上困難であり、結局従来方法では現
在以上に光感度を上昇させることは困難である。
ス状態で使用するもの、即ちｐ−ｎ接合のｎ側に正の高
電圧を印加する方法では、第２図に示すエネルギバンド
図のようにキヤリア発生層（ｉ）（ｎ層）が耐圧保持層
を兼ねる。そのため光吸収係数を上げるべく光キヤリア
発生層（ｉ）に光学的バンドギヤツプの小さい材料を用
いた場合には、耐圧を十分にとれず光感度の向上を充分
図り得ない。即ちよく知られるように光感度を上げるた
めには光吸収係数を上げることが必要であり、そのため
には光学的エネルギギヤツプ（以下Egoptと称すること
がある。）を小さくする必要がある。一方これに対して
耐圧を上げるためにはEgoptの大きい材料を選ばなけれ
ばならないとする背反的な条件がある。従つて耐圧の向
上のためには結局光キヤリヤ発生層（ｉ）の膜厚を厚く
する方法をとらざるを得ない。しかし現在以上に膜厚を
大にすることは製造上困難であり、結局従来方法では現
在以上に光感度を上昇させることは困難である。
しかもこれに加えて酸素、炭素、窒素などの導入による
高暗抵抗化方法を、光照射によつて発生したフオトキヤ
リアにより光導電部材表面に電荷画像を形成する原理の
ものに採用した場合には、暗抵抗が著しく高くなるのを
防ぎ得ないため光感度の低下を招き、結果として転写画
像は白色部が灰色になって所謂黒色化を招く欠点があ
る。
高暗抵抗化方法を、光照射によつて発生したフオトキヤ
リアにより光導電部材表面に電荷画像を形成する原理の
ものに採用した場合には、暗抵抗が著しく高くなるのを
防ぎ得ないため光感度の低下を招き、結果として転写画
像は白色部が灰色になって所謂黒色化を招く欠点があ
る。
本発明は上記のようなアモルフアス半導体による光導電
部材の諸欠点の一掃を図り、従来のものと比較して特に
光感度にすぐれ（例えば従来の10〜100倍）、しかも耐
圧を向上できるアモルフアス電子写真感光体の提供を可
能するものである。
部材の諸欠点の一掃を図り、従来のものと比較して特に
光感度にすぐれ（例えば従来の10〜100倍）、しかも耐
圧を向上できるアモルフアス電子写真感光体の提供を可
能するものである。
（発明の概要） 本発明の主たる特徴とするところは、第３図（ａ）に示
す断面部分構造図のように、光キヤリヤ発生層（ｉ）を
含む層をコレクタ領域として、支持体（Ｓ）上に非晶質
層からなるエミツタ層（Ｅ），ベース層（Ｂ），コレク
タ層（Ｃ）をCVD方法により順次堆積して、エミツタ領
域（Ｅ）とベース領域（Ｂ）およびベース領域（Ｂ）と
コレクタ領域（Ｃ）のそれぞれの接合部付近に空乏層が
形成される非晶質半導体からなる接合型トランジスタを
形成した点にある。
す断面部分構造図のように、光キヤリヤ発生層（ｉ）を
含む層をコレクタ領域として、支持体（Ｓ）上に非晶質
層からなるエミツタ層（Ｅ），ベース層（Ｂ），コレク
タ層（Ｃ）をCVD方法により順次堆積して、エミツタ領
域（Ｅ）とベース領域（Ｂ）およびベース領域（Ｂ）と
コレクタ領域（Ｃ）のそれぞれの接合部付近に空乏層が
形成される非晶質半導体からなる接合型トランジスタを
形成した点にある。
そして光照射時に光キヤリヤ発生層（ｉ）からベース領
域（Ｂ）に流れこむ正孔に対応してエミツタ領域（Ｅ）
から電流増幅率βによつて定まる増幅された電子流、即
ち表面電荷を放電するに必要な増幅された光電流をベー
ス（Ｂ）を横切って高抵抗コレクタ領域（Ｃ）に流しう
るようにして光電流の増幅機能をもたせ、これにより光
感度の向上を図るようにしたものである。即ち以上の非
晶質半導体からなるヘテロ接合トランジスタでは、エミ
ツタ層（Ｅ）のエネルギギヤップをベース層およびコレ
クタ層の光キヤリア発生層（ｉ）のエネルギギヤップよ
りも大きくすることにより、大きな電流増幅率を得るよ
うにした。また、非晶質であるため、格子整合の自由が
結晶に比べて大きいので光感度の向上を実現し易いと云
う特徴を有する外、非晶質からなるので曲面や大面積の
支持体上にも容易に形成できるという利点を有する。
域（Ｂ）に流れこむ正孔に対応してエミツタ領域（Ｅ）
から電流増幅率βによつて定まる増幅された電子流、即
ち表面電荷を放電するに必要な増幅された光電流をベー
ス（Ｂ）を横切って高抵抗コレクタ領域（Ｃ）に流しう
るようにして光電流の増幅機能をもたせ、これにより光
感度の向上を図るようにしたものである。即ち以上の非
晶質半導体からなるヘテロ接合トランジスタでは、エミ
ツタ層（Ｅ）のエネルギギヤップをベース層およびコレ
クタ層の光キヤリア発生層（ｉ）のエネルギギヤップよ
りも大きくすることにより、大きな電流増幅率を得るよ
うにした。また、非晶質であるため、格子整合の自由が
結晶に比べて大きいので光感度の向上を実現し易いと云
う特徴を有する外、非晶質からなるので曲面や大面積の
支持体上にも容易に形成できるという利点を有する。
また本発明では例えば第３図（ｂ）に示す断面部分構造
図のように、コレクタ層（Ｃ）が光キヤリヤ発生層
（ｉ）と一般に設けられる表面保護層（SG）との間に感
光体に光を導入できる高抵抗耐圧保持層（VH）を設ける
ことにより、光キヤリヤ発生層（ｉ）の膜厚を厚くする
ことなく耐圧を保持できるように形成して、光感度の向
上を図りうるようにしたものである。
図のように、コレクタ層（Ｃ）が光キヤリヤ発生層
（ｉ）と一般に設けられる表面保護層（SG）との間に感
光体に光を導入できる高抵抗耐圧保持層（VH）を設ける
ことにより、光キヤリヤ発生層（ｉ）の膜厚を厚くする
ことなく耐圧を保持できるように形成して、光感度の向
上を図りうるようにしたものである。
次に本発明を実施例について説明する。
（実施例） （構成） 第４図は高抵抗コレクタ領域をｎ型、ベース領域をｐ
型、エミツタ領域をｎ型とした電子写真感光体の例を示
す本発明の一実施例構成図である。図において（Ｓ）は
導電性支持体例えばアルミニウム製ドラム、（Ｅ）はn+
a−Si1-xCx:H（ｘ＝0.4〜0.6）で作られたエミツタ領域
であつて、周期率表第５族元素例えば燐を高濃度にドー
プして膜厚が100〜5000Å，体積抵抗が102〜105Ωcmに
なるように選定される。しかしエネルギギヤツプ内状態
密度ｇ（Ｅ）や光学的エネルギギヤツプEgoptに問題が
なければできる限り低抵抗なことが望ましい。なおこの
ときの光学的エネルギギヤツプEgoptは第５図に示すエ
ネルギバンド図のように2.4eVになるが、これはエネル
ギギヤツプ内状態密度ｇ（Ｅ）や体積抵抗などが許す限
り大きい方がよい。
型、エミツタ領域をｎ型とした電子写真感光体の例を示
す本発明の一実施例構成図である。図において（Ｓ）は
導電性支持体例えばアルミニウム製ドラム、（Ｅ）はn+
a−Si1-xCx:H（ｘ＝0.4〜0.6）で作られたエミツタ領域
であつて、周期率表第５族元素例えば燐を高濃度にドー
プして膜厚が100〜5000Å，体積抵抗が102〜105Ωcmに
なるように選定される。しかしエネルギギヤツプ内状態
密度ｇ（Ｅ）や光学的エネルギギヤツプEgoptに問題が
なければできる限り低抵抗なことが望ましい。なおこの
ときの光学的エネルギギヤツプEgoptは第５図に示すエ
ネルギバンド図のように2.4eVになるが、これはエネル
ギギヤツプ内状態密度ｇ（Ｅ）や体積抵抗などが許す限
り大きい方がよい。
次に（Ｂ）はp+a−Si1-xCx:H（Ｘ＝0.2〜0.4）で作られ
たｐベース領域であつて、例えば電子写真感光体として
使用され感光体表面に1000〜500Vの正の高電圧が印加さ
れたとき、コレクタ側への空乏層がエミツタ側へ突きぬ
けて電位低下を起さない程度の不純物密度と膜厚を得る
ように形成されるが、トランジスタ動作をする限り薄い
ものがよく、高濃度であつたり厚かつたりすると像流れ
や感度の低下などを引き起す。ここでは第３族元素例え
ばボロンをドープして体積抵抗を105〜107Ω・cm程度と
し、膜厚を100〜5000Åとしているが、好ましくは1000
〜3000Åがよい。またエネルギギヤツプEgoptは小さい
ものがよく、例えばａ−SiGe:H,a−Ge:HとEgoptが小さ
いもの程よいが、こゝでは50V／μｍ程度の電界をうけ
て使用する電子写真感光体を対象としているので、上記
したａ−Si1-xCx:H（ｘ＝0.2〜0.4）膜を採用し、光学
的エネルギギヤツプEgoptを第５図のように1.9eVとし
た。
たｐベース領域であつて、例えば電子写真感光体として
使用され感光体表面に1000〜500Vの正の高電圧が印加さ
れたとき、コレクタ側への空乏層がエミツタ側へ突きぬ
けて電位低下を起さない程度の不純物密度と膜厚を得る
ように形成されるが、トランジスタ動作をする限り薄い
ものがよく、高濃度であつたり厚かつたりすると像流れ
や感度の低下などを引き起す。ここでは第３族元素例え
ばボロンをドープして体積抵抗を105〜107Ω・cm程度と
し、膜厚を100〜5000Åとしているが、好ましくは1000
〜3000Åがよい。またエネルギギヤツプEgoptは小さい
ものがよく、例えばａ−SiGe:H,a−Ge:HとEgoptが小さ
いもの程よいが、こゝでは50V／μｍ程度の電界をうけ
て使用する電子写真感光体を対象としているので、上記
したａ−Si1-xCx:H（ｘ＝0.2〜0.4）膜を採用し、光学
的エネルギギヤツプEgoptを第５図のように1.9eVとし
た。
次に（Ｃ）は高抵抗コレクタ領域であつて、ベース領域
（Ｂ）側から光キヤリヤ発生層（ｉ）である高抵抗ａ−
Si:H膜と、高抵抗耐圧保持層（VH）である高抵抗ａ−Si
1-xCx:H（ｘ＝0.2〜0.4）およびａ−Si1-xCx:H（ｘ＝0.
3〜0.6）膜で作られた表面保護層（SG）から形成され
る。この場合高抵抗光キヤリヤ発生層（ｉ）は前記した
ように光感度の向上のためEgoptが小さく選ばれるが、
ａ−SiGe:H,a−Ge:Hなら更によい。ここでは50V／μｍ
程度の電界をかけて使用する電子写真用感光体を対象に
しているので、ａ−Si:H膜を用い、その膜厚を100Å〜1
0μｍにした。
（Ｂ）側から光キヤリヤ発生層（ｉ）である高抵抗ａ−
Si:H膜と、高抵抗耐圧保持層（VH）である高抵抗ａ−Si
1-xCx:H（ｘ＝0.2〜0.4）およびａ−Si1-xCx:H（ｘ＝0.
3〜0.6）膜で作られた表面保護層（SG）から形成され
る。この場合高抵抗光キヤリヤ発生層（ｉ）は前記した
ように光感度の向上のためEgoptが小さく選ばれるが、
ａ−SiGe:H,a−Ge:Hなら更によい。ここでは50V／μｍ
程度の電界をかけて使用する電子写真用感光体を対象に
しているので、ａ−Si:H膜を用い、その膜厚を100Å〜1
0μｍにした。
また高抵抗耐圧保持層（VH）である高抵抗ａ−Sic:H膜
は耐圧保持とキヤリア輸送および感光体の光を導入でき
るように体積抵抗が1010〜1015Ω・cmとなるようにし、
第５図のように2.0eV以上のエネルギギヤツプEgoptが得
られるようにする。
は耐圧保持とキヤリア輸送および感光体の光を導入でき
るように体積抵抗が1010〜1015Ω・cmとなるようにし、
第５図のように2.0eV以上のエネルギギヤツプEgoptが得
られるようにする。
表面保護層（SG）はａ−Si1-xCx（ｘ＝0.4〜0.6）で作
られ、体積抵抗を1012〜1016Ωcm、膜厚を100Å〜３μ
ｍとして耐環境性をもたせる。
られ、体積抵抗を1012〜1016Ωcm、膜厚を100Å〜３μ
ｍとして耐環境性をもたせる。
（製作方法） 先づアルミニウム製ドラム（支持体（Ｓ））の温度を終
始250℃〜300℃に保ち、10-6torrの高真空に引く。次に
SiH4とCH4との比率SiH4／CH4＝10-1〜10-2,PH3とSiH4の
比率PH3／SiH4＝10-3のもとに、周波数13.56メガヘルツ
の電源により0.01〜0.3W／cm2のもとで、プラズマCVD法
により膜厚5000Åのn+エミツタ領域を形成する。そして
その上にSiH4／CH4＝１〜10-1,B2H6／SiH4＝10-5〜10-3
のもとに13.56メガヘルツの電源により0.05〜0.3W／cm2
でプラズマCVD法により膜厚3000ÅのPSiC層（ベース領
域（Ｂ））を形成する。次にその上にSiH4／H2＝0.4,B2
H6／SiH4＝10-7〜10-5,SiH4／CH4＝１〜10-1,B2H6／SiH
4＝10-7〜10-5,およびSiH4／CH4＝１〜10-1〜10-2,B2H6
／SiH4＝０〜10-5としてそれぞれプラズマCVD法によ
り、膜厚４〜５μｍの高抵抗光キヤリア発生層（ｉ）
と、高抵抗耐圧保持層（VH）および表面保護層（SG）を
形成して製作される。
始250℃〜300℃に保ち、10-6torrの高真空に引く。次に
SiH4とCH4との比率SiH4／CH4＝10-1〜10-2,PH3とSiH4の
比率PH3／SiH4＝10-3のもとに、周波数13.56メガヘルツ
の電源により0.01〜0.3W／cm2のもとで、プラズマCVD法
により膜厚5000Åのn+エミツタ領域を形成する。そして
その上にSiH4／CH4＝１〜10-1,B2H6／SiH4＝10-5〜10-3
のもとに13.56メガヘルツの電源により0.05〜0.3W／cm2
でプラズマCVD法により膜厚3000ÅのPSiC層（ベース領
域（Ｂ））を形成する。次にその上にSiH4／H2＝0.4,B2
H6／SiH4＝10-7〜10-5,SiH4／CH4＝１〜10-1,B2H6／SiH
4＝10-7〜10-5,およびSiH4／CH4＝１〜10-1〜10-2,B2H6
／SiH4＝０〜10-5としてそれぞれプラズマCVD法によ
り、膜厚４〜５μｍの高抵抗光キヤリア発生層（ｉ）
と、高抵抗耐圧保持層（VH）および表面保護層（SG）を
形成して製作される。
（作用） 以上のように作られたアモルフアスシリコン（ａ−Si）
による電子写真用感光体としての特性は次に示す通りで
ある。第５図はコロナ放電により表面が500〜600Vの正
帯電したときのエネルギギヤツプ図であつて、これから
明らかなように電圧は主としてコレクタ領域（Ｃ）によ
つて保たれていることが判る。また光が照射された状態
では、光吸収係数を大とした高抵抗光キヤリア発生層
（ｉ）が光を吸収して、電子は表面側へドリフトされ正
孔はベース側へドリフトされる。そして正孔がベースへ
溜るとベース電位を引下げ、これによりエミツタから電
流増幅率β倍された電子を流して表面の電荷を放電す
る。そこでトナーを表面につけて転写操作を行えば画像
を得ることができ、例えば感光体の全面に光を照射すれ
ば電荷像を消しうる。
による電子写真用感光体としての特性は次に示す通りで
ある。第５図はコロナ放電により表面が500〜600Vの正
帯電したときのエネルギギヤツプ図であつて、これから
明らかなように電圧は主としてコレクタ領域（Ｃ）によ
つて保たれていることが判る。また光が照射された状態
では、光吸収係数を大とした高抵抗光キヤリア発生層
（ｉ）が光を吸収して、電子は表面側へドリフトされ正
孔はベース側へドリフトされる。そして正孔がベースへ
溜るとベース電位を引下げ、これによりエミツタから電
流増幅率β倍された電子を流して表面の電荷を放電す
る。そこでトナーを表面につけて転写操作を行えば画像
を得ることができ、例えば感光体の全面に光を照射すれ
ば電荷像を消しうる。
（効果） 以上のように本発明では光キヤリア発生層（ｉ）の表面
に耐圧保持を増強するための高抵抗耐圧保持層（VH）を
設けている。従つて従来のようにキヤリア発生層（ｉ）
の膜厚を厚くしたりすることなく充分な耐圧を得なが
ら、光キヤリア発生層（ｉ）のエネルギギヤツプを小さ
くできるため、従来に比べて光感度を向上できる。また
本発明では接合形トランジスタを光キヤリア発生層
（ｉ）を含むコレクタ領域の層厚方向に形成して光電流
を増幅するようにしているので、これによつても光感度
は向上する。
に耐圧保持を増強するための高抵抗耐圧保持層（VH）を
設けている。従つて従来のようにキヤリア発生層（ｉ）
の膜厚を厚くしたりすることなく充分な耐圧を得なが
ら、光キヤリア発生層（ｉ）のエネルギギヤツプを小さ
くできるため、従来に比べて光感度を向上できる。また
本発明では接合形トランジスタを光キヤリア発生層
（ｉ）を含むコレクタ領域の層厚方向に形成して光電流
を増幅するようにしているので、これによつても光感度
は向上する。
実験によれば前記の方法で作成した光感光体を用いて帯
電電圧500〜700Vで使用したところ、光感度として従来
のものの10〜100倍程度のものが得られることが確めら
れた。また感光体全体の膜厚を従来の約１／２の10μｍ
にできることが確かめられ、また高抵抗層表面保護層に
より充分な耐環境性を保持しながら生産性を向上しうる
ことが確められた。
電電圧500〜700Vで使用したところ、光感度として従来
のものの10〜100倍程度のものが得られることが確めら
れた。また感光体全体の膜厚を従来の約１／２の10μｍ
にできることが確かめられ、また高抵抗層表面保護層に
より充分な耐環境性を保持しながら生産性を向上しうる
ことが確められた。
なお以上の実施例ではコレクタ領域、ベース領域、エミ
ツタ領域の形成にａ−SiC:H膜を用いたが、例えばａ−S
iNx:H膜やａ−siOx:H膜を用いることができる。またａ
−Siのターミネータとして水素を用いたが、弗素などの
ハロゲン原子を用いてもよいことは云うまでもない。ま
た更に以上ではnpi型について説明したが、pni型であつ
ても負帯電とすることにより同様な効果をうることがで
きる。
ツタ領域の形成にａ−SiC:H膜を用いたが、例えばａ−S
iNx:H膜やａ−siOx:H膜を用いることができる。またａ
−Siのターミネータとして水素を用いたが、弗素などの
ハロゲン原子を用いてもよいことは云うまでもない。ま
た更に以上ではnpi型について説明したが、pni型であつ
ても負帯電とすることにより同様な効果をうることがで
きる。
第１図、第２図は従来装置の説明図、第３図、第４図、
第５図は本発明の説明図である。 （ｉ）……光キヤリア発生層、（SG）……表面保護層、
Ｓ……支持体、（VH）……高抵抗耐圧保持層、（Ｃ）…
…高抵抗コレクタ領域、（Ｂ）……ベース領域、（Ｅ）
……エミツタ領域。
第５図は本発明の説明図である。 （ｉ）……光キヤリア発生層、（SG）……表面保護層、
Ｓ……支持体、（VH）……高抵抗耐圧保持層、（Ｃ）…
…高抵抗コレクタ領域、（Ｂ）……ベース領域、（Ｅ）
……エミツタ領域。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤森 研一 山梨県甲府市大里町462番地 山梨電子工 業株式会社内 (72)発明者 荻野 修 山梨県甲府市大里町462番地 山梨電子工 業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭55−127561（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−91239（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−76842（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】支持体上に非晶質層からなるエミッタ層、
ベース層、コレクタ層を順次積層し、接合型トランジス
タを形成して光電流増幅機能をもたせると共に、前記コ
レクタ層は、少なくとも光キャリア発生層と高抵抗耐圧
保持層とから形成し、該光キャリア発生層は高抵抗耐圧
保持層より小さな光学的エネルギギャップを有し、且
つ、前記エミッタ層は、前記ベース層および前記コレク
タ層の光キャリア発生層に比して、大きな光学的エネル
ギギャップを有するように構成したアモルフアス電子写
真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60078385A JPH0664354B2 (ja) | 1985-04-15 | 1985-04-15 | アモルフアス電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60078385A JPH0664354B2 (ja) | 1985-04-15 | 1985-04-15 | アモルフアス電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61238064A JPS61238064A (ja) | 1986-10-23 |
| JPH0664354B2 true JPH0664354B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=13660544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60078385A Expired - Fee Related JPH0664354B2 (ja) | 1985-04-15 | 1985-04-15 | アモルフアス電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0664354B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2619948B2 (ja) * | 1989-03-18 | 1997-06-11 | 大日本印刷株式会社 | 注入電荷制御型感光体 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55127561A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-02 | Canon Inc | Image forming member for electrophotography |
| JPS5691239A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-24 | Canon Inc | Electrophotographic image forming member |
| JPS5876842A (ja) * | 1981-10-30 | 1983-05-10 | Sharp Corp | 電子写真感光体 |
-
1985
- 1985-04-15 JP JP60078385A patent/JPH0664354B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61238064A (ja) | 1986-10-23 |
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